| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
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MT62F1G32D2DS-023 AAT:B | MICRON |
Description: MICRON - MT62F1G32D2DS-023 AAT:B - DRAM, Mobile LPDDR5, 32 Gbit, 1G x 32 Bit, 4.266 GHz, FBGA, 315 Pin(s)tariffCode: 85423290 DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR5 euEccn: NLR rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: FBGA Speicherdichte: 32Gbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden Versorgungsspannung, nom.: - Taktfrequenz, max.: 4.266GHz Betriebstemperatur, min.: -40°C SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) Anzahl der Pins: 315Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 105°C Speicherkonfiguration: 1G x 32 Bit |
на замовлення 179 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MT29F4G01ABAFD12-AAT:F | MICRON |
Description: MICRON - MT29F4G01ABAFD12-AAT:F - Flash-Speicher, SLC-NAND, 4 Gbit, 4G x 1 Bit, Serielle Schnittstellen, TBGA, 24 Pin(s)tariffCode: 85423290 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Flash-Speicher: SLC-NAND hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: TBGA Speicherdichte: 4Gbit usEccn: 3A991.b.1.a Zugriffszeit: - Versorgungsspannung, nom.: 3.3V Taktfrequenz, max.: 133MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.7V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 24Pin(s) Produktpalette: 3.3V SPI NAND Flash Memories productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 3.6V Schnittstellen: Serielle Schnittstellen Betriebstemperatur, max.: 105°C Speicherkonfiguration: 4G x 1 Bit SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MT46H16M32LFBQ-5 AAT:C | MICRON |
Description: MICRON - MT46H16M32LFBQ-5 AAT:C - DRAM, Mobile LPDDR, 512 Mbit, 16M x 32 Bit, 200 MHz, VFBGA, 90 Pin(s)tariffCode: 85423239 DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA Speicherdichte: 512Mbit usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 1.8V Taktfrequenz, max.: 200MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C euEccn: NLR Anzahl der Pins: 90Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 105°C Speicherkonfiguration: 16M x 32 Bit SVHC: Boric acid (14-Jun-2023) |
на замовлення 716 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MT29F2G08ABAGAH4-AAT:G | MICRON |
Description: MICRON - MT29F2G08ABAGAH4-AAT:G - Flash-Speicher, SLC-NAND, 2 Gbit, 256M x 8 Bit, Parallel, VFBGA, 63 Pin(s)tariffCode: 85423290 euEccn: NLR rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Flash-Speicher: SLC-NAND hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA Speicherdichte: 2Gbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden Zugriffszeit: 16ns Versorgungsspannung, nom.: 3.3V Taktfrequenz, max.: 50MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.7V SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) Anzahl der Pins: 63Pin(s) Produktpalette: 3.3V Parallel NAND Flash Memories productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: 3A991.b.1.a Versorgungsspannung, max.: 3.6V Schnittstellen: Parallel Betriebstemperatur, max.: 105°C Speicherkonfiguration: 256M x 8 Bit |
на замовлення 86 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MT29F8G01ADAFD12-AAT:F | MICRON |
Description: MICRON - MT29F8G01ADAFD12-AAT:F - Flash-Speicher, SLC-NAND, 8 Gbit, 1G x 8 Bit, Serielle Schnittstellen, TBGA, 24 Pin(s)tariffCode: 85423269 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Flash-Speicher: SLC-NAND hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: TBGA Speicherdichte: 8Gbit usEccn: 3A991.b.1.a Zugriffszeit: - Versorgungsspannung, nom.: 3.3V Taktfrequenz, max.: 133MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: - euEccn: NLR Anzahl der Pins: 24Pin(s) Produktpalette: 3.3V SLC NAND Flash Memories productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: - Schnittstellen: Serielle Schnittstellen Betriebstemperatur, max.: 105°C Speicherkonfiguration: 1G x 8 Bit SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 15 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MT46H64M16LFBF-5 IT:B | MICRON |
Description: MICRON - MT46H64M16LFBF-5 IT:B - DRAM, Mobile LPDDR, 1 Gbit, 4 BLK (16M x 16), 200 MHz, VFBGA, 60 Pin(s)tariffCode: 85423239 DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA Speicherdichte: 1Gbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 1.8V Taktfrequenz, max.: 200MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C euEccn: NLR Anzahl der Pins: 60Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 4 BLK (16M x 16) SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 503 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MT46H32M16LFBF-5 IT:C | MICRON |
Description: MICRON - MT46H32M16LFBF-5 IT:C - DRAM, Mobile LPDDR, 512 Mbit, 32M x 16 Bit, 200 MHz, VFBGA, 60 Pin(s)tariffCode: 85423231 DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA Speicherdichte: 512Mbit usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 1.8V Taktfrequenz, max.: 200MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C euEccn: NLR Anzahl der Pins: 60Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 32M x 16 Bit SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 148 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MT46V32M16CY-5B IT:J | MICRON |
Description: MICRON - MT46V32M16CY-5B IT:J - DRAM, DDR, 512 Mbit, 32M x 16 Bit, 200 MHz, FBGA, 60 Pin(s)tariffCode: 85423231 DRAM-Ausführung: DDR euEccn: NLR rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: FBGA Speicherdichte: 512Mbit Versorgungsspannung, nom.: 2.6V Taktfrequenz, max.: 200MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) Anzahl der Pins: 60Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 32M x 16 Bit |
на замовлення 1308 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MT47H128M8SH-25E:M | MICRON |
Description: MICRON - MT47H128M8SH-25E:M - DRAM, DDR2, 1 Gbit, 128M x 8 Bit, 400 MHz, FBGA, 60 Pin(s)tariffCode: 85423239 DRAM-Ausführung: DDR2 euEccn: NLR rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: FBGA Speicherdichte: 1Gbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden Versorgungsspannung, nom.: 1.8V Taktfrequenz, max.: 400MHz Betriebstemperatur, min.: 0°C SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) Anzahl der Pins: 60Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 128M x 8 Bit |
на замовлення 883 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MT46V32M16CY-5B IT:J. | MICRON |
Description: MICRON - MT46V32M16CY-5B IT:J. - DDR 512M 32MX16 FBGAtariffCode: 85423231 DRAM-Ausführung: DDR rohsCompliant: YES IC-Montage: Surface Mount hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: FBGA Speicherdichte: 512Mbit usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 2.6V Taktfrequenz, max.: 200MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C euEccn: NLR Anzahl der Pins: 60Pins Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 32M x 16bit directShipCharge: 25 SVHC: To Be Advised |
на замовлення 376 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MT47H256M8EB-25E:C | MICRON |
Description: MICRON - MT47H256M8EB-25E:C - DRAM, DDR2, 2 Gbit, 256M x 8 Bit, 400 MHz, FBGA, 60 Pin(s)tariffCode: 85423239 DRAM-Ausführung: DDR2 euEccn: NLR rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: FBGA Speicherdichte: 2Gbit Versorgungsspannung, nom.: 1.8V Taktfrequenz, max.: 400MHz Betriebstemperatur, min.: 0°C SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) Anzahl der Pins: 60Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 256M x 8 Bit |
на замовлення 293 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MT46V64M8CY-5B:J | MICRON |
Description: MICRON - MT46V64M8CY-5B:J - DRAM, DDR, 512 Mbit, 64M x 8 Bit, 200 MHz, FBGA, 60 Pin(s)tariffCode: 85423239 DRAM-Ausführung: DDR rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: FBGA Speicherdichte: 512Mbit usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 2.6V Taktfrequenz, max.: 200MHz Betriebstemperatur, min.: 0°C euEccn: NLR Anzahl der Pins: 60Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 70°C Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 418 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MT46H128M16LFDD-48 IT:C | MICRON |
Description: MICRON - MT46H128M16LFDD-48 IT:C - DRAM, Mobile LPDDR, 2 Gbit, 128M x 16 Bit, 208 MHz, VFBGA, 60 Pin(s)tariffCode: 85423290 DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA Speicherdichte: 2Gbit usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 1.8V Taktfrequenz, max.: 208MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C euEccn: NLR Anzahl der Pins: 60Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 128M x 16 Bit SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 1811 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MT53E256M32D2DS-053 AIT:B | MICRON |
Description: MICRON - MT53E256M32D2DS-053 AIT:B - DRAM, Mobile LPDDR4, 8 Gbit, 256M x 32 Bit, 1.866 GHz, WFBGA, 200 Pin(s) tariffCode: 85423239 DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: WFBGA Speicherdichte: 8Gbit usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 1.1V Taktfrequenz, max.: 1.866GHz Betriebstemperatur, min.: -40°C euEccn: NLR Anzahl der Pins: 200Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 95°C Speicherkonfiguration: 256M x 32 Bit SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 1881 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MT53E256M32D2DS-046 AIT:B | MICRON |
Description: MICRON - MT53E256M32D2DS-046 AIT:B - DRAM, Mobile LPDDR4, 8 Gbit, 256M x 32 Bit, 2.133 GHz, WFBGA, 200 Pin(s) tariffCode: 85423239 DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: WFBGA Speicherdichte: 8Gbit usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 1.1V Taktfrequenz, max.: 2.133GHz Betriebstemperatur, min.: -40°C euEccn: NLR Anzahl der Pins: 200Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 95°C Speicherkonfiguration: 256M x 32 Bit SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 2508 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MT53E256M32D2DS-053 WT:B | MICRON |
Description: MICRON - MT53E256M32D2DS-053 WT:B - DRAM, Mobile LPDDR4, 8 Gbit, 256M x 32 Bit, 1.866 GHz, WFBGA, 200 Pin(s)tariffCode: 85423239 DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: WFBGA Speicherdichte: 8Gbit usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 1.1V Taktfrequenz, max.: 1.866GHz Betriebstemperatur, min.: -30°C euEccn: NLR Anzahl der Pins: 200Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 256M x 32 Bit SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 37 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MT53D512M32D2DS-053 AIT:D | MICRON |
Description: MICRON - MT53D512M32D2DS-053 AIT:D - DRAM, Mobile LPDDR4, 16 Gbit, 512M x 32 Bit, 1.866 GHz, WFBGA, 200 Pin(s)tariffCode: 85423290 DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: WFBGA Speicherdichte: 16Gbit usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 1.1V Taktfrequenz, max.: 1.866GHz Betriebstemperatur, min.: -40°C euEccn: NLR Anzahl der Pins: 200Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 512M x 32 Bit SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 468 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MT53E256M32D2DS-053 AUT:B | MICRON |
Description: MICRON - MT53E256M32D2DS-053 AUT:B - DRAM, Mobile LPDDR4, 8 Gbit, 256M x 32 Bit, 1.866 GHz, WFBGA, 200 Pin(s)tariffCode: 85423239 DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: WFBGA Speicherdichte: 8Gbit usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 1.1V Taktfrequenz, max.: 1.866GHz Betriebstemperatur, min.: -40°C euEccn: NLR Anzahl der Pins: 200Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 125°C Speicherkonfiguration: 256M x 32 Bit SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 584 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MT53D512M16D1DS-046 WT:D | MICRON |
Description: MICRON - MT53D512M16D1DS-046 WT:D - DRAM, LPDDR4, 8GB, 512M x 16 Bit, 2.133GHz, WFBGA, 200 PinstariffCode: 85423239 DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: WFBGA Speicherdichte: 8Gbit usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 1.1V Taktfrequenz, max.: 2.133GHz Betriebstemperatur, min.: -25°C euEccn: NLR Anzahl der Pins: 200Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 512M x 16 Bit SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 401 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MT53D512M16D1DS-046 IT:D | MICRON |
Description: MICRON - MT53D512M16D1DS-046 IT:D - DRAM, LPDDR4, 8GB, 512M x 16 Bit, 2.133GHz, WFBGA, 200 PinstariffCode: 85423239 DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: WFBGA Speicherdichte: 8Gbit usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 1.1V Taktfrequenz, max.: 2.133GHz Betriebstemperatur, min.: -40°C euEccn: NLR Anzahl der Pins: 200Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 95°C Speicherkonfiguration: 512M x 16 Bit SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 88 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MT53E256M32D2DS-046 IT:B | MICRON |
Description: MICRON - MT53E256M32D2DS-046 IT:B - DRAM, Mobile LPDDR4, 8 Gbit, 256M x 32 Bit, 2.133 GHz, WFBGA, 200 Pin(s)tariffCode: 85423239 DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: WFBGA Speicherdichte: 8Gbit usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 1.1V Taktfrequenz, max.: 2.133GHz Betriebstemperatur, min.: -40°C euEccn: NLR Anzahl der Pins: 200Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 95°C Speicherkonfiguration: 256M x 32 Bit SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 15 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MT53E256M32D2DS-046 AUT:B | MICRON |
Description: MICRON - MT53E256M32D2DS-046 AUT:B - DRAM, Mobile LPDDR4, 8 Gbit, 256M x 32 Bit, 2.133 GHz, WFBGA, 200 Pin(s)tariffCode: 85423239 DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: WFBGA Speicherdichte: 8Gbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 1.1V Taktfrequenz, max.: 2.133GHz Betriebstemperatur, min.: -40°C euEccn: NLR Anzahl der Pins: 200Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 125°C Speicherkonfiguration: 256M x 32 Bit SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 63 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MT29F4G08ABAFAH4-IT:F | MICRON |
Description: MICRON - MT29F4G08ABAFAH4-IT:F - Flash-Speicher, SLC NAND, 4GB, 512M x 8 Bit, Parallel, VFBGA, 63 PinstariffCode: 85423290 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Flash-Speicher: SLC-NAND hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA Speicherdichte: 4Gbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: 3A991.b.1.a Zugriffszeit: 16ns Versorgungsspannung, nom.: 3.3V Taktfrequenz, max.: 50MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.7V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 63Pin(s) Produktpalette: 3.3V SLC NAND Flash Memories productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 3.6V Schnittstellen: Parallel Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 512M x 8 Bit SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 186 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MT29F4G01ABAFDWB-IT:F | MICRON |
Description: MICRON - MT29F4G01ABAFDWB-IT:F - Flash-Speicher, SLC-NAND, 4 Gbit, 4G x 1 Bit, SPI, UPDFN, 8 Pin(s)tariffCode: 85423269 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Flash-Speicher: SLC-NAND hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: UPDFN Speicherdichte: 4Gbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: 3A991.b.1.a Zugriffszeit: - Versorgungsspannung, nom.: 3.3V Taktfrequenz, max.: 133MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.7V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: 3.3V SLC NAND Flash Memories productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 3.6V Schnittstellen: SPI Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 4G x 1 Bit SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 1826 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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MT29F4G08ABAEAWP-IT:E | MICRON |
Description: MICRON - MT29F4G08ABAEAWP-IT:E - Flash-Speicher, SLC-NAND, 4 Gbit, 512M x 8 Bit, Parallel, TSOP-I, 48 Pin(s) tariffCode: 85423290 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Flash-Speicher: SLC-NAND hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-I Speicherdichte: 4Gbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: 3A991.b.1.a Zugriffszeit: 16ns Versorgungsspannung, nom.: 3.3V Taktfrequenz, max.: 50MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.7V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 48Pin(s) Produktpalette: 3.3V SLC NAND Flash Memories productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 3.6V Schnittstellen: Parallel Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 512M x 8 Bit SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 7 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MT29F4G08ABADAH4-IT:D | MICRON |
Description: MICRON - MT29F4G08ABADAH4-IT:D - Flash-Speicher, SLC-NAND, 4 Gbit, 512M x 8 Bit, Parallel, VFBGA, 63 Pin(s)tariffCode: 85423290 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Flash-Speicher: SLC-NAND hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA Speicherdichte: 4Gbit usEccn: 3A991.b.1.a Zugriffszeit: 16ns Versorgungsspannung, nom.: 3.3V Taktfrequenz, max.: 50MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.7V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 63Pin(s) Produktpalette: 3.3V Parallel NAND Flash Memories productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 3.6V Schnittstellen: Parallel Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 512M x 8 Bit SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 172 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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MT29F4G08ABADAH4:D | MICRON |
Description: MICRON - MT29F4G08ABADAH4:D - Flash-Speicher, SLC-NAND, 4 Gbit, 512M x 8 Bit, Parallel, VFBGA, 63 Pin(s)tariffCode: 85423290 euEccn: NLR rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Flash-Speicher: SLC-NAND hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA Speicherdichte: 4Gbit Zugriffszeit: 16ns Versorgungsspannung, nom.: 3.3V Taktfrequenz, max.: 50MHz Betriebstemperatur, min.: 0°C Versorgungsspannung, min.: 2.7V SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) Anzahl der Pins: 63Pin(s) Produktpalette: 3.3V Parallel NAND Flash Memories productTraceability: No usEccn: 3A991.b.1.a Versorgungsspannung, max.: 3.6V Schnittstellen: Parallel Betriebstemperatur, max.: 70°C Speicherkonfiguration: 512M x 8 Bit |
на замовлення 111 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MT29F4G08ABADAWP:D | MICRON |
Description: MICRON - MT29F4G08ABADAWP:D - Flash-Speicher, SLC-NAND, 4 Gbit, 512M x 8 Bit, Parallel, TSOP-I, 48 Pin(s)tariffCode: 85423290 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Flash-Speicher: SLC-NAND hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-I Speicherdichte: 4Gbit usEccn: 3A991.b.1.a Zugriffszeit: 16ns Versorgungsspannung, nom.: 3.3V Taktfrequenz, max.: 50MHz Betriebstemperatur, min.: 0°C Versorgungsspannung, min.: 2.7V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 48Pin(s) Produktpalette: 3.3V Parallel NAND Flash Memories productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 3.6V Schnittstellen: Parallel Betriebstemperatur, max.: 70°C Speicherkonfiguration: 512M x 8 Bit SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MT29F4G08ABBDAHC-IT:D | MICRON |
Description: MICRON - MT29F4G08ABBDAHC-IT:D - Flash-Speicher, SLC-NAND, 4 Gbit, 512M x 8 Bit, Parallel, VFBGA, 63 Pin(s)tariffCode: 85423290 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Flash-Speicher: SLC-NAND hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA Speicherdichte: 4Gbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: 3A991.b.1.a Zugriffszeit: - Versorgungsspannung, nom.: 1.8V Taktfrequenz, max.: 50MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 1.7V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 63Pin(s) Produktpalette: 1.8V SLC NAND Flash Memories productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 1.95V Schnittstellen: Parallel Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 512M x 8 Bit SVHC: Boric acid (14-Jun-2023) |
на замовлення 1668 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MT29F4G08ABAFAWP-IT:F | MICRON |
Description: MICRON - MT29F4G08ABAFAWP-IT:F - Flash-Speicher, SLC-NAND, 4 Gbit, 512M x 8 Bit, Parallel, TSOP-I, 48 Pin(s)tariffCode: 85423290 Bauform - Speicherbaustein: TSOP-I rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Flash-Speicher: SLC-NAND hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-I Speicherdichte: 4Gbit usEccn: 3A991.b.1.a Zugriffszeit: 16ns Versorgungsspannung, nom.: 3.3V IC-Schnittstelle: Parallel Taktfrequenz, max.: 50MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.7V Taktfrequenz: 50MHz euEccn: NLR Speicherkonfiguration Flash: 512M x 8 Bit Speichergröße: 4Gbit Anzahl der Pins: 48Pin(s) Produktpalette: 3.3V SLC NAND Flash Memories productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 3.6V Schnittstellen: Parallel Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 512M x 8 Bit SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 363 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MT29F4G08ABBDAH4:D | MICRON |
Description: MICRON - MT29F4G08ABBDAH4:D - Flash-Speicher, SLC-NAND, 4 Gbit, 512M x 8 Bit, Parallel, VFBGA, 63 Pin(s)tariffCode: 85423290 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Flash-Speicher: SLC-NAND hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA Speicherdichte: 4Gbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: 3A991.b.1.a Zugriffszeit: - Versorgungsspannung, nom.: 1.8V Taktfrequenz, max.: 50MHz Betriebstemperatur, min.: 0°C Versorgungsspannung, min.: 1.7V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 63Pin(s) Produktpalette: 1.8V Parallel NAND Flash Memories productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 1.95V Schnittstellen: Parallel Betriebstemperatur, max.: 70°C Speicherkonfiguration: 512M x 8 Bit SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 558 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MT29F4G01ABBFD12-AUT:F | MICRON |
Description: MICRON - MT29F4G01ABBFD12-AUT:F - Flash-Speicher, SLC-NAND, 4 Gbit, 4G x 1 Bit, SPI, TBGA, 24 Pin(s)tariffCode: 85423290 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Flash-Speicher: SLC-NAND hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: TBGA Speicherdichte: 4Gbit usEccn: 3A991.b.1.a Zugriffszeit: - Versorgungsspannung, nom.: 1.8V Taktfrequenz, max.: 83MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 1.7V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 24Pin(s) Produktpalette: 1.8V SPI NAND Flash Memories productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 1.95V Schnittstellen: SPI Betriebstemperatur, max.: 125°C Speicherkonfiguration: 4G x 1 Bit SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 332 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MT60B1G16HC-56B:G | MICRON |
Description: MICRON - MT60B1G16HC-56B:G - DRAM, DDR5, 16 Gbit, 1G x 16 Bit, 2.8 GHz, FBGA, 102 Pin(s)tariffCode: 85423239 DRAM-Ausführung: DDR5 euEccn: NLR rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: FBGA Speicherdichte: 16Gbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden Versorgungsspannung, nom.: 1.1V Taktfrequenz, max.: 2.8GHz Betriebstemperatur, min.: 0°C SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) Anzahl der Pins: 102Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 95°C Speicherkonfiguration: 1G x 16 Bit |
на замовлення 223 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MT29F2G08ABAEAWP:E. | MICRON |
Description: MICRON - MT29F2G08ABAEAWP:E. - FLASH MEMORY, 2GBIT, 0 TO 70DEG CtariffCode: 85423290 rohsCompliant: YES IC-Montage: Surface Mount Flash-Speicher: SLC NAND hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-I Speicherdichte: 0 MSL: MSL 3 - 168 hours usEccn: 3A991 Zugriffszeit: 16ns Versorgungsspannung, nom.: 3.3V Taktfrequenz, max.: 50MHz Betriebstemperatur, min.: 0°C Versorgungsspannung, min.: 2.7V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 48Pin(s) Produktpalette: 3.3V SLC NAND Flash Memories productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 3.6V Schnittstellen: Parallel Betriebstemperatur, max.: 70°C Speicherkonfiguration: 256M x 8bit directShipCharge: 25 SVHC: To Be Advised |
на замовлення 1313 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MT29F2G08ABAEAWP:E | MICRON |
Description: MICRON - MT29F2G08ABAEAWP:E - Flash-Speicher, SLC-NAND, 2 Gbit, 256M x 8 Bit, Parallel, TSOP-I, 48 Pin(s)tariffCode: 85235110 euEccn: NLR rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Flash-Speicher: SLC-NAND hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-I Speicherdichte: 2Gbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden Zugriffszeit: 16ns Versorgungsspannung, nom.: 3.3V Taktfrequenz, max.: - Betriebstemperatur, min.: 0°C Versorgungsspannung, min.: 2.7V SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) Anzahl der Pins: 48Pin(s) Produktpalette: 3.3V Parallel NAND Flash Memories productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: 3A991.b.1.a Versorgungsspannung, max.: 3.6V Schnittstellen: Parallel Betriebstemperatur, max.: 70°C Speicherkonfiguration: 256M x 8 Bit |
на замовлення 371 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MT29F2G08ABAEAWP-IT:E | MICRON |
Description: MICRON - MT29F2G08ABAEAWP-IT:E - Flash-Speicher, SLC-NAND, 2 Gbit, 256M x 8 Bit, Parallel, TSOP, 48 Pin(s)tariffCode: 85423269 euEccn: NLR rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Flash-Speicher: SLC-NAND hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: TSOP Speicherdichte: 2Gbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden Zugriffszeit: 16ns Versorgungsspannung, nom.: 3.3V Taktfrequenz, max.: 50MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.7V SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) Anzahl der Pins: 48Pin(s) Produktpalette: 3.3V Parallel NAND Flash Memories productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: 3A991.b.1.a Versorgungsspannung, max.: 3.6V Schnittstellen: Parallel Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 256M x 8 Bit |
на замовлення 787 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MT29F2G08ABAGAH4-IT:G | MICRON |
Description: MICRON - MT29F2G08ABAGAH4-IT:G - Flash-Speicher, SLC-NAND, 2 Gbit, 256M x 8 Bit, Parallel, VFBGA, 63 Pin(s)tariffCode: 85423269 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Flash-Speicher: SLC-NAND hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA Speicherdichte: 2Gbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: 3A991 Zugriffszeit: 16ns Versorgungsspannung, nom.: 3.3V Taktfrequenz, max.: 50MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.7V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 63Pin(s) Produktpalette: 3.3V productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 3.6V Schnittstellen: Parallel Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 256M x 8 Bit SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 987 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MT29F2G08ABAEAH4-IT:E | MICRON |
Description: MICRON - MT29F2G08ABAEAH4-IT:E - Flash-Speicher, SLC-NAND, 2 Gbit, 256M x 8 Bit, Parallel, VFBGA, 63 Pin(s)tariffCode: 85423290 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Flash-Speicher: SLC-NAND hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA Speicherdichte: 2Gbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: 3A991.b.1.a Zugriffszeit: 16ns Versorgungsspannung, nom.: 3.3V Taktfrequenz, max.: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.7V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 63Pin(s) Produktpalette: 3.3V Parallel NAND Flash Memories productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 3.6V Schnittstellen: Parallel Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 256M x 8 Bit SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
товару немає в наявності |
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MT29F2G08ABAEAH4:E | MICRON |
Description: MICRON - MT29F2G08ABAEAH4:E - Flash-Speicher, SLC-NAND, 2 Gbit, 256M x 8 Bit, Parallel, VFBGA, 63 Pin(s)tariffCode: 85423290 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Flash-Speicher: SLC-NAND hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA Speicherdichte: 2Gbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: 3A991.b.1.a Zugriffszeit: 16ns Versorgungsspannung, nom.: 3.3V Taktfrequenz, max.: 50MHz Betriebstemperatur, min.: 0°C Versorgungsspannung, min.: 2.7V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 63Pin(s) Produktpalette: 3.3V Parallel NAND Flash Memories productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 3.6V Schnittstellen: Parallel Betriebstemperatur, max.: 70°C Speicherkonfiguration: 256M x 8 Bit SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 463 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MT29F2G08ABBEAH4-IT:E | MICRON |
Description: MICRON - MT29F2G08ABBEAH4-IT:E - Flash-Speicher, SLC-NAND, 2 Gbit, 256M x 8 Bit, Parallel, VFBGA, 63 Pin(s)tariffCode: 85423290 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Flash-Speicher: SLC-NAND hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA Speicherdichte: 2Gbit usEccn: 3A991.b.1.a Zugriffszeit: 22ns Versorgungsspannung, nom.: 1.8V Taktfrequenz, max.: 50MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 1.7V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 63Pin(s) Produktpalette: 1.8V Parallel NAND Flash Memories productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 1.95V Schnittstellen: Parallel Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 256M x 8 Bit SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 837 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MT29F2G08ABAGAWP-IT:G | MICRON |
Description: MICRON - MT29F2G08ABAGAWP-IT:G - Flash-Speicher, SLC-NAND, 2 Gbit, 256M x 8 Bit, Parallel, TSOP-I, 48 Pin(s)tariffCode: 85423290 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Flash-Speicher: SLC-NAND hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-I Speicherdichte: 2Gbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: 3A991.b.1.a Zugriffszeit: 16ns Versorgungsspannung, nom.: 3.3V Taktfrequenz, max.: 50MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.7V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 48Pin(s) Produktpalette: 3.3V Parallel NAND Flash Memories productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 3.6V Schnittstellen: Parallel Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 256M x 8 Bit SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 1066 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MT25QU01GBBB8E12-0AUT | MICRON |
Description: MICRON - MT25QU01GBBB8E12-0AUT - Flash-Speicher, Serial-NOR, 1 Gbit, 128M x 8 Bit, SPI, TBGA, 24 Pin(s)tariffCode: 85423290 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Flash-Speicher: Serial-NOR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: TBGA Speicherdichte: 1Gbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: 3A991.b.1.a Zugriffszeit: - Versorgungsspannung, nom.: 1.8V Taktfrequenz, max.: 166MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 1.7V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 24Pin(s) Produktpalette: 1.8V Serial NOR Flash Memories productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 2V Schnittstellen: SPI Betriebstemperatur, max.: 125°C Speicherkonfiguration: 128M x 8 Bit SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 18 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MT25QU01GBBB8E12-0AAT | MICRON |
Description: MICRON - MT25QU01GBBB8E12-0AAT - Flash-Speicher, Serial-NOR, 1 Gbit, 128M x 8 Bit, SPI, TBGA, 24 Pin(s)tariffCode: 85423290 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Flash-Speicher: Serial-NOR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: TBGA Speicherdichte: 1Gbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: 3A991.b.1.a Zugriffszeit: - Versorgungsspannung, nom.: 1.8V Taktfrequenz, max.: 166MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 1.7V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 24Pin(s) Produktpalette: 1.8V Serial NOR Flash Memories productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 2V Schnittstellen: SPI Betriebstemperatur, max.: 105°C Speicherkonfiguration: 128M x 8 Bit SVHC: Boric acid (14-Jun-2023) |
на замовлення 205 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MT40A2G8JC-062E:E | MICRON |
Description: MICRON - MT40A2G8JC-062E:E - DRAM, DDR4, 16 Gbit, 2G x 8 Bit, 1.6 GHz, FBGA, 78 Pin(s)tariffCode: 85423239 DRAM-Ausführung: DDR4 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: FBGA Speicherdichte: 16Gbit usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 1.2V Taktfrequenz, max.: 1.6GHz Betriebstemperatur, min.: 0°C euEccn: NLR Anzahl der Pins: 78Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 95°C Speicherkonfiguration: 2G x 8 Bit SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
товару немає в наявності |
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MT40A512M16LY-075:E | MICRON |
Description: MICRON - MT40A512M16LY-075:E - DRAM, DDR4, 8 Gbit, 512M x 16 Bit, 1.333 GHz, FBGA, 96 Pin(s)tariffCode: 85423239 DRAM-Ausführung: DDR4 Bauform - Speicherbaustein: FBGA rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DRAM-Dichte: 8Gbit IC-Gehäuse / Bauform: FBGA Speicherdichte: 8Gbit usEccn: EAR99 Zugriffszeit: 750ps Versorgungsspannung, nom.: 1.2V Taktfrequenz, max.: 1.333GHz Betriebstemperatur, min.: 0°C Taktfrequenz: 1.333GHz euEccn: NLR Anzahl der Pins: 96Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 95°C Speicherkonfiguration: 512M x 16 Bit Speicherkonfiguration DRAM: 512M x 16 Bit SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 263 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MT40A1G16KD-062E:E | MICRON |
Description: MICRON - MT40A1G16KD-062E:E - DRAM, DDR4, 16 Gbit, 1G x 16 Bit, 1.6 GHz, FBGA, 96 Pin(s)tariffCode: 85423239 DRAM-Ausführung: DDR4 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: FBGA Speicherdichte: 16Gbit usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 1.2V Taktfrequenz, max.: 1.6GHz Betriebstemperatur, min.: 0°C euEccn: NLR Anzahl der Pins: 96Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 95°C Speicherkonfiguration: 1G x 16 Bit SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 1098 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MT40A512M16LY-062E IT:E | MICRON |
Description: MICRON - MT40A512M16LY-062E IT:E - DRAM, DDR4, 8 Gbit, 512M x 16 Bit, 1.6 GHz, FBGA, 96 Pin(s)tariffCode: 85423239 DRAM-Ausführung: DDR4 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: FBGA Speicherdichte: 8Gbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 1.2V Taktfrequenz, max.: 1.6GHz Betriebstemperatur, min.: -40°C euEccn: NLR Anzahl der Pins: 96Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 95°C Speicherkonfiguration: 512M x 16 Bit SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 2117 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MT40A1G16KD-062E IT:E | MICRON |
Description: MICRON - MT40A1G16KD-062E IT:E - DRAM, DDR4, 16 Gbit, 1G x 16 Bit, 1.6 GHz, FBGA, 96 Pin(s)tariffCode: 85423239 DRAM-Ausführung: DDR4 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: FBGA Speicherdichte: 16Gbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 1.2V Taktfrequenz, max.: 1.6GHz Betriebstemperatur, min.: -40°C euEccn: NLR Anzahl der Pins: 96Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 95°C Speicherkonfiguration: 1G x 16 Bit SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 1315 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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MT40A1G16RC-062E IT:B | MICRON |
Description: MICRON - MT40A1G16RC-062E IT:B - DRAM, DDR4, 16 Gbit, 1G x 16 Bit, 1.6 GHz, FBGA, 96 Pin(s)tariffCode: 85423239 DRAM-Ausführung: DDR4 Bauform - Speicherbaustein: FBGA rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DRAM-Dichte: 16Gbit IC-Gehäuse / Bauform: FBGA Speicherdichte: 16Gbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 1.2V Taktfrequenz, max.: 1.6GHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Taktfrequenz: 1.6GHz euEccn: NLR Anzahl der Pins: 96Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 95°C Speicherkonfiguration: 1G x 16 Bit Speicherkonfiguration DRAM: 1G x 16 Bit SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MT40A1G8SA-062E IT:E | MICRON |
Description: MICRON - MT40A1G8SA-062E IT:E - DRAM, DDR4, 8 Gbit, 1G x 8 Bit, 1.6 GHz, FBGA, 78 Pin(s)tariffCode: 85423239 DRAM-Ausführung: DDR4 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: FBGA Speicherdichte: 8Gbit usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 1.2V Taktfrequenz, max.: 1.6GHz Betriebstemperatur, min.: -40°C euEccn: NLR Anzahl der Pins: 78Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 95°C Speicherkonfiguration: 1G x 8 Bit SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MT40A1G8SA-075:E. | MICRON |
Description: MICRON - MT40A1G8SA-075:E. - DDR48G1GX8FBGA, TRAY, DRAMtariffCode: 0 DRAM-Ausführung: DDR4 rohsCompliant: YES IC-Montage: Surface Mount hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: FBGA Speicherdichte: 8Gbit usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 1.2V Taktfrequenz, max.: 1.333GHz Betriebstemperatur, min.: 0°C euEccn: NLR Anzahl der Pins: 78Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 95°C Speicherkonfiguration: 1G x 8bit directShipCharge: 25 SVHC: To Be Advised |
на замовлення 21 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MT40A2G16SKL-062E:B | MICRON |
Description: MICRON - MT40A2G16SKL-062E:B - DRAM, DDR4, 32 Gbit, 2G x 16 Bit, 1.6 GHz, TFBGA, 96 Pin(s)tariffCode: 85423239 DRAM-Ausführung: DDR4 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA Speicherdichte: 32Gbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 1.2V Taktfrequenz, max.: 1.6GHz Betriebstemperatur, min.: 0°C euEccn: NLR Anzahl der Pins: 96Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 95°C Speicherkonfiguration: 2G x 16 Bit SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 357 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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MT40A512M16LY-062E:E | MICRON |
Description: MICRON - MT40A512M16LY-062E:E - DRAM, DDR4, 8 Gbit, 512M x 16 Bit, 1.6 GHz, FBGA, 96 Pin(s)tariffCode: 85423239 DRAM-Ausführung: DDR4 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: FBGA Speicherdichte: 8Gbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 1.2V Taktfrequenz, max.: 1.6GHz Betriebstemperatur, min.: 0°C euEccn: NLR Anzahl der Pins: 96Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 95°C Speicherkonfiguration: 512M x 16 Bit SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 138 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MT40A512M16TB-062E:R | MICRON |
Description: MICRON - MT40A512M16TB-062E:R - DRAM, DDR4, 8 Gbit, 512M x 16 Bit, 1.6 GHz, FBGA, 96 Pin(s)tariffCode: 85423239 DRAM-Ausführung: DDR4 euEccn: NLR rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: FBGA Speicherdichte: 8Gbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden Versorgungsspannung, nom.: 1.2V Taktfrequenz, max.: 1.6GHz Betriebstemperatur, min.: 0°C SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) Anzahl der Pins: 96Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 95°C Speicherkonfiguration: 512M x 16 Bit |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MT40A1G8SA-062E:R | MICRON |
Description: MICRON - MT40A1G8SA-062E:R - DRAM, DDR4, 8 Gbit, 1G x 8 Bit, 1.6 GHz, FBGA, 78 Pin(s)tariffCode: 85423239 DRAM-Ausführung: DDR4 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: FBGA Speicherdichte: 8Gbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 1.2V Taktfrequenz, max.: 1.6GHz Betriebstemperatur, min.: 0°C euEccn: NLR Anzahl der Pins: 78Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 95°C Speicherkonfiguration: 1G x 8 Bit SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 62 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MT40A2G8SA-062E IT:F | MICRON |
Description: MICRON - MT40A2G8SA-062E IT:F - DRAM, DDR4, 16 Gbit, 2G x 8 Bit, 1.6 GHz, FBGA, 78 Pin(s)tariffCode: 85423239 DRAM-Ausführung: DDR4 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: FBGA Speicherdichte: 16Gbit usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 1.2V Taktfrequenz, max.: 1.6GHz Betriebstemperatur, min.: -40°C euEccn: NLR Anzahl der Pins: 78Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 95°C Speicherkonfiguration: 2G x 8 Bit SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 340 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MT40A256M16LY-062E IT:F | MICRON |
Description: MICRON - MT40A256M16LY-062E IT:F - DRAM, DDR4, 4 Gbit, 256M x 16 Bit, 1.6 GHz, FBGA, 96 Pin(s)tariffCode: 85423990 DRAM-Ausführung: DDR4 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: FBGA Speicherdichte: 4Gbit usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 1.2V Taktfrequenz, max.: 1.6GHz Betriebstemperatur, min.: -40°C euEccn: NLR Anzahl der Pins: 96Pin(s) Produktpalette: PW Series productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 95°C Speicherkonfiguration: 256M x 16 Bit SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 289 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MT40A8G4NEA-062E:F | MICRON |
Description: MICRON - MT40A8G4NEA-062E:F - DRAM, DDR4, 32 Gbit, 8G x 4 Bit, 1.6 GHz, FBGA, 78 Pin(s)tariffCode: 85423239 DRAM-Ausführung: DDR4 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: FBGA Speicherdichte: 32Gbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 1.2V Taktfrequenz, max.: 1.6GHz Betriebstemperatur, min.: 0°C euEccn: NLR Anzahl der Pins: 78Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 95°C Speicherkonfiguration: 8G x 4 Bit SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 630 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MT40A4G4SA-062E:F | MICRON |
Description: MICRON - MT40A4G4SA-062E:F - DRAM, DDR4, 16 Gbit, 4G x 4 Bit, FBGA, 78 Pin(s)tariffCode: 85423239 DRAM-Ausführung: DDR4 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: FBGA Speicherdichte: 16Gbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 1.2V Taktfrequenz, max.: - Betriebstemperatur, min.: 0°C euEccn: NLR Anzahl der Pins: 78Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 95°C Speicherkonfiguration: 4G x 4 Bit SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 530 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MT40A2G8AG-062E AIT:F | MICRON |
Description: MICRON - MT40A2G8AG-062E AIT:F - DRAM, AEC-Q100, DDR4, 16 Gbit, 2G x 8 Bit, 1.6 GHz, FBGA, 78 Pin(s)tariffCode: 85423239 DRAM-Ausführung: DDR4 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: FBGA Speicherdichte: 16Gbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 1.2V Taktfrequenz, max.: 1.6GHz Betriebstemperatur, min.: -40°C euEccn: NLR Anzahl der Pins: 78Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 95°C Speicherkonfiguration: 2G x 8 Bit SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 12 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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| MT62F1G32D2DS-023 AAT:B |
![]() |
Виробник: MICRON
Description: MICRON - MT62F1G32D2DS-023 AAT:B - DRAM, Mobile LPDDR5, 32 Gbit, 1G x 32 Bit, 4.266 GHz, FBGA, 315 Pin(s)
tariffCode: 85423290
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR5
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 32Gbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Versorgungsspannung, nom.: -
Taktfrequenz, max.: 4.266GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Anzahl der Pins: 315Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 1G x 32 Bit
Description: MICRON - MT62F1G32D2DS-023 AAT:B - DRAM, Mobile LPDDR5, 32 Gbit, 1G x 32 Bit, 4.266 GHz, FBGA, 315 Pin(s)
tariffCode: 85423290
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR5
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 32Gbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Versorgungsspannung, nom.: -
Taktfrequenz, max.: 4.266GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Anzahl der Pins: 315Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 1G x 32 Bit
на замовлення 179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| MT29F4G01ABAFD12-AAT:F |
![]() |
Виробник: MICRON
Description: MICRON - MT29F4G01ABAFD12-AAT:F - Flash-Speicher, SLC-NAND, 4 Gbit, 4G x 1 Bit, Serielle Schnittstellen, TBGA, 24 Pin(s)
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: SLC-NAND
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TBGA
Speicherdichte: 4Gbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: 133MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: 3.3V SPI NAND Flash Memories
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Serielle Schnittstellen
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 4G x 1 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Description: MICRON - MT29F4G01ABAFD12-AAT:F - Flash-Speicher, SLC-NAND, 4 Gbit, 4G x 1 Bit, Serielle Schnittstellen, TBGA, 24 Pin(s)
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: SLC-NAND
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TBGA
Speicherdichte: 4Gbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: 133MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: 3.3V SPI NAND Flash Memories
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Serielle Schnittstellen
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 4G x 1 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| MT46H16M32LFBQ-5 AAT:C |
![]() |
Виробник: MICRON
Description: MICRON - MT46H16M32LFBQ-5 AAT:C - DRAM, Mobile LPDDR, 512 Mbit, 16M x 32 Bit, 200 MHz, VFBGA, 90 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA
Speicherdichte: 512Mbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 90Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 16M x 32 Bit
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
Description: MICRON - MT46H16M32LFBQ-5 AAT:C - DRAM, Mobile LPDDR, 512 Mbit, 16M x 32 Bit, 200 MHz, VFBGA, 90 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA
Speicherdichte: 512Mbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 90Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 16M x 32 Bit
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 716 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| MT29F2G08ABAGAH4-AAT:G |
![]() |
Виробник: MICRON
Description: MICRON - MT29F2G08ABAGAH4-AAT:G - Flash-Speicher, SLC-NAND, 2 Gbit, 256M x 8 Bit, Parallel, VFBGA, 63 Pin(s)
tariffCode: 85423290
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: SLC-NAND
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA
Speicherdichte: 2Gbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Zugriffszeit: 16ns
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: 50MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Anzahl der Pins: 63Pin(s)
Produktpalette: 3.3V Parallel NAND Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 3A991.b.1.a
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 256M x 8 Bit
Description: MICRON - MT29F2G08ABAGAH4-AAT:G - Flash-Speicher, SLC-NAND, 2 Gbit, 256M x 8 Bit, Parallel, VFBGA, 63 Pin(s)
tariffCode: 85423290
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: SLC-NAND
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA
Speicherdichte: 2Gbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Zugriffszeit: 16ns
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: 50MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Anzahl der Pins: 63Pin(s)
Produktpalette: 3.3V Parallel NAND Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 3A991.b.1.a
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 256M x 8 Bit
на замовлення 86 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| MT29F8G01ADAFD12-AAT:F |
![]() |
Виробник: MICRON
Description: MICRON - MT29F8G01ADAFD12-AAT:F - Flash-Speicher, SLC-NAND, 8 Gbit, 1G x 8 Bit, Serielle Schnittstellen, TBGA, 24 Pin(s)
tariffCode: 85423269
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: SLC-NAND
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TBGA
Speicherdichte: 8Gbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: 133MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: -
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: 3.3V SLC NAND Flash Memories
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: -
Schnittstellen: Serielle Schnittstellen
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 1G x 8 Bit
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: MICRON - MT29F8G01ADAFD12-AAT:F - Flash-Speicher, SLC-NAND, 8 Gbit, 1G x 8 Bit, Serielle Schnittstellen, TBGA, 24 Pin(s)
tariffCode: 85423269
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: SLC-NAND
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TBGA
Speicherdichte: 8Gbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: 133MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: -
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: 3.3V SLC NAND Flash Memories
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: -
Schnittstellen: Serielle Schnittstellen
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 1G x 8 Bit
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| MT46H64M16LFBF-5 IT:B |
![]() |
Виробник: MICRON
Description: MICRON - MT46H64M16LFBF-5 IT:B - DRAM, Mobile LPDDR, 1 Gbit, 4 BLK (16M x 16), 200 MHz, VFBGA, 60 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA
Speicherdichte: 1Gbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 60Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 4 BLK (16M x 16)
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Description: MICRON - MT46H64M16LFBF-5 IT:B - DRAM, Mobile LPDDR, 1 Gbit, 4 BLK (16M x 16), 200 MHz, VFBGA, 60 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA
Speicherdichte: 1Gbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 60Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 4 BLK (16M x 16)
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 503 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| MT46H32M16LFBF-5 IT:C |
![]() |
Виробник: MICRON
Description: MICRON - MT46H32M16LFBF-5 IT:C - DRAM, Mobile LPDDR, 512 Mbit, 32M x 16 Bit, 200 MHz, VFBGA, 60 Pin(s)
tariffCode: 85423231
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA
Speicherdichte: 512Mbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 60Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 32M x 16 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Description: MICRON - MT46H32M16LFBF-5 IT:C - DRAM, Mobile LPDDR, 512 Mbit, 32M x 16 Bit, 200 MHz, VFBGA, 60 Pin(s)
tariffCode: 85423231
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA
Speicherdichte: 512Mbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 60Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 32M x 16 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| MT46V32M16CY-5B IT:J |
![]() |
Виробник: MICRON
Description: MICRON - MT46V32M16CY-5B IT:J - DRAM, DDR, 512 Mbit, 32M x 16 Bit, 200 MHz, FBGA, 60 Pin(s)
tariffCode: 85423231
DRAM-Ausführung: DDR
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 512Mbit
Versorgungsspannung, nom.: 2.6V
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Anzahl der Pins: 60Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 32M x 16 Bit
Description: MICRON - MT46V32M16CY-5B IT:J - DRAM, DDR, 512 Mbit, 32M x 16 Bit, 200 MHz, FBGA, 60 Pin(s)
tariffCode: 85423231
DRAM-Ausführung: DDR
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 512Mbit
Versorgungsspannung, nom.: 2.6V
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Anzahl der Pins: 60Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 32M x 16 Bit
на замовлення 1308 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| MT47H128M8SH-25E:M |
![]() |
Виробник: MICRON
Description: MICRON - MT47H128M8SH-25E:M - DRAM, DDR2, 1 Gbit, 128M x 8 Bit, 400 MHz, FBGA, 60 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: DDR2
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 1Gbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 400MHz
Betriebstemperatur, min.: 0°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Anzahl der Pins: 60Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 128M x 8 Bit
Description: MICRON - MT47H128M8SH-25E:M - DRAM, DDR2, 1 Gbit, 128M x 8 Bit, 400 MHz, FBGA, 60 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: DDR2
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 1Gbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 400MHz
Betriebstemperatur, min.: 0°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Anzahl der Pins: 60Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 128M x 8 Bit
на замовлення 883 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| MT46V32M16CY-5B IT:J. |
![]() |
Виробник: MICRON
Description: MICRON - MT46V32M16CY-5B IT:J. - DDR 512M 32MX16 FBGA
tariffCode: 85423231
DRAM-Ausführung: DDR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Surface Mount
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 512Mbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 2.6V
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 60Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 32M x 16bit
directShipCharge: 25
SVHC: To Be Advised
Description: MICRON - MT46V32M16CY-5B IT:J. - DDR 512M 32MX16 FBGA
tariffCode: 85423231
DRAM-Ausführung: DDR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Surface Mount
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 512Mbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 2.6V
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 60Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 32M x 16bit
directShipCharge: 25
SVHC: To Be Advised
на замовлення 376 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| MT47H256M8EB-25E:C |
![]() |
Виробник: MICRON
Description: MICRON - MT47H256M8EB-25E:C - DRAM, DDR2, 2 Gbit, 256M x 8 Bit, 400 MHz, FBGA, 60 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: DDR2
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 2Gbit
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 400MHz
Betriebstemperatur, min.: 0°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Anzahl der Pins: 60Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 256M x 8 Bit
Description: MICRON - MT47H256M8EB-25E:C - DRAM, DDR2, 2 Gbit, 256M x 8 Bit, 400 MHz, FBGA, 60 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: DDR2
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 2Gbit
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 400MHz
Betriebstemperatur, min.: 0°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Anzahl der Pins: 60Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 256M x 8 Bit
на замовлення 293 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| MT46V64M8CY-5B:J |
![]() |
Виробник: MICRON
Description: MICRON - MT46V64M8CY-5B:J - DRAM, DDR, 512 Mbit, 64M x 8 Bit, 200 MHz, FBGA, 60 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: DDR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 512Mbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 2.6V
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: 0°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 60Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 70°C
Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Description: MICRON - MT46V64M8CY-5B:J - DRAM, DDR, 512 Mbit, 64M x 8 Bit, 200 MHz, FBGA, 60 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: DDR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 512Mbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 2.6V
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: 0°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 60Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 70°C
Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 418 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| MT46H128M16LFDD-48 IT:C |
![]() |
Виробник: MICRON
Description: MICRON - MT46H128M16LFDD-48 IT:C - DRAM, Mobile LPDDR, 2 Gbit, 128M x 16 Bit, 208 MHz, VFBGA, 60 Pin(s)
tariffCode: 85423290
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA
Speicherdichte: 2Gbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 208MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 60Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 128M x 16 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Description: MICRON - MT46H128M16LFDD-48 IT:C - DRAM, Mobile LPDDR, 2 Gbit, 128M x 16 Bit, 208 MHz, VFBGA, 60 Pin(s)
tariffCode: 85423290
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA
Speicherdichte: 2Gbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 208MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 60Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 128M x 16 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 1811 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| MT53E256M32D2DS-053 AIT:B |
Виробник: MICRON
Description: MICRON - MT53E256M32D2DS-053 AIT:B - DRAM, Mobile LPDDR4, 8 Gbit, 256M x 32 Bit, 1.866 GHz, WFBGA, 200 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: WFBGA
Speicherdichte: 8Gbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.1V
Taktfrequenz, max.: 1.866GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 200Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 95°C
Speicherkonfiguration: 256M x 32 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Description: MICRON - MT53E256M32D2DS-053 AIT:B - DRAM, Mobile LPDDR4, 8 Gbit, 256M x 32 Bit, 1.866 GHz, WFBGA, 200 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: WFBGA
Speicherdichte: 8Gbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.1V
Taktfrequenz, max.: 1.866GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 200Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 95°C
Speicherkonfiguration: 256M x 32 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 1881 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| MT53E256M32D2DS-046 AIT:B |
Виробник: MICRON
Description: MICRON - MT53E256M32D2DS-046 AIT:B - DRAM, Mobile LPDDR4, 8 Gbit, 256M x 32 Bit, 2.133 GHz, WFBGA, 200 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: WFBGA
Speicherdichte: 8Gbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.1V
Taktfrequenz, max.: 2.133GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 200Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 95°C
Speicherkonfiguration: 256M x 32 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Description: MICRON - MT53E256M32D2DS-046 AIT:B - DRAM, Mobile LPDDR4, 8 Gbit, 256M x 32 Bit, 2.133 GHz, WFBGA, 200 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: WFBGA
Speicherdichte: 8Gbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.1V
Taktfrequenz, max.: 2.133GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 200Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 95°C
Speicherkonfiguration: 256M x 32 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 2508 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| MT53E256M32D2DS-053 WT:B |
![]() |
Виробник: MICRON
Description: MICRON - MT53E256M32D2DS-053 WT:B - DRAM, Mobile LPDDR4, 8 Gbit, 256M x 32 Bit, 1.866 GHz, WFBGA, 200 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: WFBGA
Speicherdichte: 8Gbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.1V
Taktfrequenz, max.: 1.866GHz
Betriebstemperatur, min.: -30°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 200Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 256M x 32 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Description: MICRON - MT53E256M32D2DS-053 WT:B - DRAM, Mobile LPDDR4, 8 Gbit, 256M x 32 Bit, 1.866 GHz, WFBGA, 200 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: WFBGA
Speicherdichte: 8Gbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.1V
Taktfrequenz, max.: 1.866GHz
Betriebstemperatur, min.: -30°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 200Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 256M x 32 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 37 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| MT53D512M32D2DS-053 AIT:D |
![]() |
Виробник: MICRON
Description: MICRON - MT53D512M32D2DS-053 AIT:D - DRAM, Mobile LPDDR4, 16 Gbit, 512M x 32 Bit, 1.866 GHz, WFBGA, 200 Pin(s)
tariffCode: 85423290
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: WFBGA
Speicherdichte: 16Gbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.1V
Taktfrequenz, max.: 1.866GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 200Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 512M x 32 Bit
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: MICRON - MT53D512M32D2DS-053 AIT:D - DRAM, Mobile LPDDR4, 16 Gbit, 512M x 32 Bit, 1.866 GHz, WFBGA, 200 Pin(s)
tariffCode: 85423290
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: WFBGA
Speicherdichte: 16Gbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.1V
Taktfrequenz, max.: 1.866GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 200Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 512M x 32 Bit
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| MT53E256M32D2DS-053 AUT:B |
![]() |
Виробник: MICRON
Description: MICRON - MT53E256M32D2DS-053 AUT:B - DRAM, Mobile LPDDR4, 8 Gbit, 256M x 32 Bit, 1.866 GHz, WFBGA, 200 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: WFBGA
Speicherdichte: 8Gbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.1V
Taktfrequenz, max.: 1.866GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 200Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Speicherkonfiguration: 256M x 32 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Description: MICRON - MT53E256M32D2DS-053 AUT:B - DRAM, Mobile LPDDR4, 8 Gbit, 256M x 32 Bit, 1.866 GHz, WFBGA, 200 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: WFBGA
Speicherdichte: 8Gbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.1V
Taktfrequenz, max.: 1.866GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 200Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Speicherkonfiguration: 256M x 32 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 584 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| MT53D512M16D1DS-046 WT:D |
![]() |
Виробник: MICRON
Description: MICRON - MT53D512M16D1DS-046 WT:D - DRAM, LPDDR4, 8GB, 512M x 16 Bit, 2.133GHz, WFBGA, 200 Pins
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: WFBGA
Speicherdichte: 8Gbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.1V
Taktfrequenz, max.: 2.133GHz
Betriebstemperatur, min.: -25°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 200Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 512M x 16 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Description: MICRON - MT53D512M16D1DS-046 WT:D - DRAM, LPDDR4, 8GB, 512M x 16 Bit, 2.133GHz, WFBGA, 200 Pins
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: WFBGA
Speicherdichte: 8Gbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.1V
Taktfrequenz, max.: 2.133GHz
Betriebstemperatur, min.: -25°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 200Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 512M x 16 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 401 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| MT53D512M16D1DS-046 IT:D |
![]() |
Виробник: MICRON
Description: MICRON - MT53D512M16D1DS-046 IT:D - DRAM, LPDDR4, 8GB, 512M x 16 Bit, 2.133GHz, WFBGA, 200 Pins
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: WFBGA
Speicherdichte: 8Gbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.1V
Taktfrequenz, max.: 2.133GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 200Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 95°C
Speicherkonfiguration: 512M x 16 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Description: MICRON - MT53D512M16D1DS-046 IT:D - DRAM, LPDDR4, 8GB, 512M x 16 Bit, 2.133GHz, WFBGA, 200 Pins
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: WFBGA
Speicherdichte: 8Gbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.1V
Taktfrequenz, max.: 2.133GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 200Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 95°C
Speicherkonfiguration: 512M x 16 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| MT53E256M32D2DS-046 IT:B |
![]() |
Виробник: MICRON
Description: MICRON - MT53E256M32D2DS-046 IT:B - DRAM, Mobile LPDDR4, 8 Gbit, 256M x 32 Bit, 2.133 GHz, WFBGA, 200 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: WFBGA
Speicherdichte: 8Gbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.1V
Taktfrequenz, max.: 2.133GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 200Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 95°C
Speicherkonfiguration: 256M x 32 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Description: MICRON - MT53E256M32D2DS-046 IT:B - DRAM, Mobile LPDDR4, 8 Gbit, 256M x 32 Bit, 2.133 GHz, WFBGA, 200 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: WFBGA
Speicherdichte: 8Gbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.1V
Taktfrequenz, max.: 2.133GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 200Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 95°C
Speicherkonfiguration: 256M x 32 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| MT53E256M32D2DS-046 AUT:B |
![]() |
Виробник: MICRON
Description: MICRON - MT53E256M32D2DS-046 AUT:B - DRAM, Mobile LPDDR4, 8 Gbit, 256M x 32 Bit, 2.133 GHz, WFBGA, 200 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: WFBGA
Speicherdichte: 8Gbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.1V
Taktfrequenz, max.: 2.133GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 200Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Speicherkonfiguration: 256M x 32 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Description: MICRON - MT53E256M32D2DS-046 AUT:B - DRAM, Mobile LPDDR4, 8 Gbit, 256M x 32 Bit, 2.133 GHz, WFBGA, 200 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: WFBGA
Speicherdichte: 8Gbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.1V
Taktfrequenz, max.: 2.133GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 200Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Speicherkonfiguration: 256M x 32 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 63 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| MT29F4G08ABAFAH4-IT:F |
![]() |
Виробник: MICRON
Description: MICRON - MT29F4G08ABAFAH4-IT:F - Flash-Speicher, SLC NAND, 4GB, 512M x 8 Bit, Parallel, VFBGA, 63 Pins
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: SLC-NAND
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA
Speicherdichte: 4Gbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: 16ns
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: 50MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 63Pin(s)
Produktpalette: 3.3V SLC NAND Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 512M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Description: MICRON - MT29F4G08ABAFAH4-IT:F - Flash-Speicher, SLC NAND, 4GB, 512M x 8 Bit, Parallel, VFBGA, 63 Pins
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: SLC-NAND
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA
Speicherdichte: 4Gbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: 16ns
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: 50MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 63Pin(s)
Produktpalette: 3.3V SLC NAND Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 512M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 186 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| MT29F4G01ABAFDWB-IT:F |
![]() |
Виробник: MICRON
Description: MICRON - MT29F4G01ABAFDWB-IT:F - Flash-Speicher, SLC-NAND, 4 Gbit, 4G x 1 Bit, SPI, UPDFN, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423269
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: SLC-NAND
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: UPDFN
Speicherdichte: 4Gbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: 133MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 3.3V SLC NAND Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 4G x 1 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Description: MICRON - MT29F4G01ABAFDWB-IT:F - Flash-Speicher, SLC-NAND, 4 Gbit, 4G x 1 Bit, SPI, UPDFN, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423269
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: SLC-NAND
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: UPDFN
Speicherdichte: 4Gbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: 133MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 3.3V SLC NAND Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 4G x 1 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 1826 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| MT29F4G08ABAEAWP-IT:E |
Виробник: MICRON
Description: MICRON - MT29F4G08ABAEAWP-IT:E - Flash-Speicher, SLC-NAND, 4 Gbit, 512M x 8 Bit, Parallel, TSOP-I, 48 Pin(s)
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: SLC-NAND
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-I
Speicherdichte: 4Gbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: 16ns
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: 50MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: 3.3V SLC NAND Flash Memories
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 512M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: MICRON - MT29F4G08ABAEAWP-IT:E - Flash-Speicher, SLC-NAND, 4 Gbit, 512M x 8 Bit, Parallel, TSOP-I, 48 Pin(s)
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: SLC-NAND
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-I
Speicherdichte: 4Gbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: 16ns
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: 50MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: 3.3V SLC NAND Flash Memories
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 512M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| MT29F4G08ABADAH4-IT:D |
![]() |
Виробник: MICRON
Description: MICRON - MT29F4G08ABADAH4-IT:D - Flash-Speicher, SLC-NAND, 4 Gbit, 512M x 8 Bit, Parallel, VFBGA, 63 Pin(s)
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: SLC-NAND
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA
Speicherdichte: 4Gbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: 16ns
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: 50MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 63Pin(s)
Produktpalette: 3.3V Parallel NAND Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 512M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Description: MICRON - MT29F4G08ABADAH4-IT:D - Flash-Speicher, SLC-NAND, 4 Gbit, 512M x 8 Bit, Parallel, VFBGA, 63 Pin(s)
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: SLC-NAND
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA
Speicherdichte: 4Gbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: 16ns
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: 50MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 63Pin(s)
Produktpalette: 3.3V Parallel NAND Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 512M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 172 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| MT29F4G08ABADAH4:D |
![]() |
Виробник: MICRON
Description: MICRON - MT29F4G08ABADAH4:D - Flash-Speicher, SLC-NAND, 4 Gbit, 512M x 8 Bit, Parallel, VFBGA, 63 Pin(s)
tariffCode: 85423290
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: SLC-NAND
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA
Speicherdichte: 4Gbit
Zugriffszeit: 16ns
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: 50MHz
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Anzahl der Pins: 63Pin(s)
Produktpalette: 3.3V Parallel NAND Flash Memories
productTraceability: No
usEccn: 3A991.b.1.a
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 70°C
Speicherkonfiguration: 512M x 8 Bit
Description: MICRON - MT29F4G08ABADAH4:D - Flash-Speicher, SLC-NAND, 4 Gbit, 512M x 8 Bit, Parallel, VFBGA, 63 Pin(s)
tariffCode: 85423290
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: SLC-NAND
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA
Speicherdichte: 4Gbit
Zugriffszeit: 16ns
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: 50MHz
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Anzahl der Pins: 63Pin(s)
Produktpalette: 3.3V Parallel NAND Flash Memories
productTraceability: No
usEccn: 3A991.b.1.a
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 70°C
Speicherkonfiguration: 512M x 8 Bit
на замовлення 111 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| MT29F4G08ABADAWP:D |
![]() |
Виробник: MICRON
Description: MICRON - MT29F4G08ABADAWP:D - Flash-Speicher, SLC-NAND, 4 Gbit, 512M x 8 Bit, Parallel, TSOP-I, 48 Pin(s)
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: SLC-NAND
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-I
Speicherdichte: 4Gbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: 16ns
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: 50MHz
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: 3.3V Parallel NAND Flash Memories
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 70°C
Speicherkonfiguration: 512M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Description: MICRON - MT29F4G08ABADAWP:D - Flash-Speicher, SLC-NAND, 4 Gbit, 512M x 8 Bit, Parallel, TSOP-I, 48 Pin(s)
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: SLC-NAND
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-I
Speicherdichte: 4Gbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: 16ns
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: 50MHz
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: 3.3V Parallel NAND Flash Memories
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 70°C
Speicherkonfiguration: 512M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| MT29F4G08ABBDAHC-IT:D |
![]() |
Виробник: MICRON
Description: MICRON - MT29F4G08ABBDAHC-IT:D - Flash-Speicher, SLC-NAND, 4 Gbit, 512M x 8 Bit, Parallel, VFBGA, 63 Pin(s)
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: SLC-NAND
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA
Speicherdichte: 4Gbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 50MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 63Pin(s)
Produktpalette: 1.8V SLC NAND Flash Memories
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 1.95V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 512M x 8 Bit
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
Description: MICRON - MT29F4G08ABBDAHC-IT:D - Flash-Speicher, SLC-NAND, 4 Gbit, 512M x 8 Bit, Parallel, VFBGA, 63 Pin(s)
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: SLC-NAND
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA
Speicherdichte: 4Gbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 50MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 63Pin(s)
Produktpalette: 1.8V SLC NAND Flash Memories
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 1.95V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 512M x 8 Bit
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 1668 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| MT29F4G08ABAFAWP-IT:F |
![]() |
Виробник: MICRON
Description: MICRON - MT29F4G08ABAFAWP-IT:F - Flash-Speicher, SLC-NAND, 4 Gbit, 512M x 8 Bit, Parallel, TSOP-I, 48 Pin(s)
tariffCode: 85423290
Bauform - Speicherbaustein: TSOP-I
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: SLC-NAND
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-I
Speicherdichte: 4Gbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: 16ns
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
IC-Schnittstelle: Parallel
Taktfrequenz, max.: 50MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Taktfrequenz: 50MHz
euEccn: NLR
Speicherkonfiguration Flash: 512M x 8 Bit
Speichergröße: 4Gbit
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: 3.3V SLC NAND Flash Memories
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 512M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: MICRON - MT29F4G08ABAFAWP-IT:F - Flash-Speicher, SLC-NAND, 4 Gbit, 512M x 8 Bit, Parallel, TSOP-I, 48 Pin(s)
tariffCode: 85423290
Bauform - Speicherbaustein: TSOP-I
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: SLC-NAND
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-I
Speicherdichte: 4Gbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: 16ns
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
IC-Schnittstelle: Parallel
Taktfrequenz, max.: 50MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Taktfrequenz: 50MHz
euEccn: NLR
Speicherkonfiguration Flash: 512M x 8 Bit
Speichergröße: 4Gbit
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: 3.3V SLC NAND Flash Memories
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 512M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 363 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| MT29F4G08ABBDAH4:D |
![]() |
Виробник: MICRON
Description: MICRON - MT29F4G08ABBDAH4:D - Flash-Speicher, SLC-NAND, 4 Gbit, 512M x 8 Bit, Parallel, VFBGA, 63 Pin(s)
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: SLC-NAND
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA
Speicherdichte: 4Gbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 50MHz
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Versorgungsspannung, min.: 1.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 63Pin(s)
Produktpalette: 1.8V Parallel NAND Flash Memories
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 1.95V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 70°C
Speicherkonfiguration: 512M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Description: MICRON - MT29F4G08ABBDAH4:D - Flash-Speicher, SLC-NAND, 4 Gbit, 512M x 8 Bit, Parallel, VFBGA, 63 Pin(s)
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: SLC-NAND
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA
Speicherdichte: 4Gbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 50MHz
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Versorgungsspannung, min.: 1.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 63Pin(s)
Produktpalette: 1.8V Parallel NAND Flash Memories
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 1.95V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 70°C
Speicherkonfiguration: 512M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 558 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| MT29F4G01ABBFD12-AUT:F |
![]() |
Виробник: MICRON
Description: MICRON - MT29F4G01ABBFD12-AUT:F - Flash-Speicher, SLC-NAND, 4 Gbit, 4G x 1 Bit, SPI, TBGA, 24 Pin(s)
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: SLC-NAND
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TBGA
Speicherdichte: 4Gbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 83MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: 1.8V SPI NAND Flash Memories
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 1.95V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Speicherkonfiguration: 4G x 1 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Description: MICRON - MT29F4G01ABBFD12-AUT:F - Flash-Speicher, SLC-NAND, 4 Gbit, 4G x 1 Bit, SPI, TBGA, 24 Pin(s)
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: SLC-NAND
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TBGA
Speicherdichte: 4Gbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 83MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: 1.8V SPI NAND Flash Memories
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 1.95V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Speicherkonfiguration: 4G x 1 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 332 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| MT60B1G16HC-56B:G |
![]() |
Виробник: MICRON
Description: MICRON - MT60B1G16HC-56B:G - DRAM, DDR5, 16 Gbit, 1G x 16 Bit, 2.8 GHz, FBGA, 102 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: DDR5
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 16Gbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Versorgungsspannung, nom.: 1.1V
Taktfrequenz, max.: 2.8GHz
Betriebstemperatur, min.: 0°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Anzahl der Pins: 102Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 95°C
Speicherkonfiguration: 1G x 16 Bit
Description: MICRON - MT60B1G16HC-56B:G - DRAM, DDR5, 16 Gbit, 1G x 16 Bit, 2.8 GHz, FBGA, 102 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: DDR5
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 16Gbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Versorgungsspannung, nom.: 1.1V
Taktfrequenz, max.: 2.8GHz
Betriebstemperatur, min.: 0°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Anzahl der Pins: 102Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 95°C
Speicherkonfiguration: 1G x 16 Bit
на замовлення 223 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| MT29F2G08ABAEAWP:E. |
![]() |
Виробник: MICRON
Description: MICRON - MT29F2G08ABAEAWP:E. - FLASH MEMORY, 2GBIT, 0 TO 70DEG C
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Surface Mount
Flash-Speicher: SLC NAND
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-I
Speicherdichte: 0
MSL: MSL 3 - 168 hours
usEccn: 3A991
Zugriffszeit: 16ns
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: 50MHz
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: 3.3V SLC NAND Flash Memories
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 70°C
Speicherkonfiguration: 256M x 8bit
directShipCharge: 25
SVHC: To Be Advised
Description: MICRON - MT29F2G08ABAEAWP:E. - FLASH MEMORY, 2GBIT, 0 TO 70DEG C
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Surface Mount
Flash-Speicher: SLC NAND
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-I
Speicherdichte: 0
MSL: MSL 3 - 168 hours
usEccn: 3A991
Zugriffszeit: 16ns
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: 50MHz
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: 3.3V SLC NAND Flash Memories
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 70°C
Speicherkonfiguration: 256M x 8bit
directShipCharge: 25
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1313 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| MT29F2G08ABAEAWP:E |
![]() |
Виробник: MICRON
Description: MICRON - MT29F2G08ABAEAWP:E - Flash-Speicher, SLC-NAND, 2 Gbit, 256M x 8 Bit, Parallel, TSOP-I, 48 Pin(s)
tariffCode: 85235110
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: SLC-NAND
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-I
Speicherdichte: 2Gbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Zugriffszeit: 16ns
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: 3.3V Parallel NAND Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 3A991.b.1.a
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 70°C
Speicherkonfiguration: 256M x 8 Bit
Description: MICRON - MT29F2G08ABAEAWP:E - Flash-Speicher, SLC-NAND, 2 Gbit, 256M x 8 Bit, Parallel, TSOP-I, 48 Pin(s)
tariffCode: 85235110
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: SLC-NAND
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-I
Speicherdichte: 2Gbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Zugriffszeit: 16ns
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: 3.3V Parallel NAND Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 3A991.b.1.a
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 70°C
Speicherkonfiguration: 256M x 8 Bit
на замовлення 371 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| MT29F2G08ABAEAWP-IT:E |
![]() |
Виробник: MICRON
Description: MICRON - MT29F2G08ABAEAWP-IT:E - Flash-Speicher, SLC-NAND, 2 Gbit, 256M x 8 Bit, Parallel, TSOP, 48 Pin(s)
tariffCode: 85423269
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: SLC-NAND
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Speicherdichte: 2Gbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Zugriffszeit: 16ns
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: 50MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: 3.3V Parallel NAND Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 3A991.b.1.a
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 256M x 8 Bit
Description: MICRON - MT29F2G08ABAEAWP-IT:E - Flash-Speicher, SLC-NAND, 2 Gbit, 256M x 8 Bit, Parallel, TSOP, 48 Pin(s)
tariffCode: 85423269
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: SLC-NAND
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Speicherdichte: 2Gbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Zugriffszeit: 16ns
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: 50MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: 3.3V Parallel NAND Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 3A991.b.1.a
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 256M x 8 Bit
на замовлення 787 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| MT29F2G08ABAGAH4-IT:G |
![]() |
Виробник: MICRON
Description: MICRON - MT29F2G08ABAGAH4-IT:G - Flash-Speicher, SLC-NAND, 2 Gbit, 256M x 8 Bit, Parallel, VFBGA, 63 Pin(s)
tariffCode: 85423269
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: SLC-NAND
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA
Speicherdichte: 2Gbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991
Zugriffszeit: 16ns
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: 50MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 63Pin(s)
Produktpalette: 3.3V
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 256M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: MICRON - MT29F2G08ABAGAH4-IT:G - Flash-Speicher, SLC-NAND, 2 Gbit, 256M x 8 Bit, Parallel, VFBGA, 63 Pin(s)
tariffCode: 85423269
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: SLC-NAND
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA
Speicherdichte: 2Gbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991
Zugriffszeit: 16ns
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: 50MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 63Pin(s)
Produktpalette: 3.3V
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 256M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 987 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| MT29F2G08ABAEAH4-IT:E |
![]() |
Виробник: MICRON
Description: MICRON - MT29F2G08ABAEAH4-IT:E - Flash-Speicher, SLC-NAND, 2 Gbit, 256M x 8 Bit, Parallel, VFBGA, 63 Pin(s)
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: SLC-NAND
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA
Speicherdichte: 2Gbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: 16ns
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 63Pin(s)
Produktpalette: 3.3V Parallel NAND Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 256M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Description: MICRON - MT29F2G08ABAEAH4-IT:E - Flash-Speicher, SLC-NAND, 2 Gbit, 256M x 8 Bit, Parallel, VFBGA, 63 Pin(s)
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: SLC-NAND
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA
Speicherdichte: 2Gbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: 16ns
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 63Pin(s)
Produktpalette: 3.3V Parallel NAND Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 256M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MT29F2G08ABAEAH4:E |
![]() |
Виробник: MICRON
Description: MICRON - MT29F2G08ABAEAH4:E - Flash-Speicher, SLC-NAND, 2 Gbit, 256M x 8 Bit, Parallel, VFBGA, 63 Pin(s)
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: SLC-NAND
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA
Speicherdichte: 2Gbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: 16ns
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: 50MHz
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 63Pin(s)
Produktpalette: 3.3V Parallel NAND Flash Memories
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 70°C
Speicherkonfiguration: 256M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Description: MICRON - MT29F2G08ABAEAH4:E - Flash-Speicher, SLC-NAND, 2 Gbit, 256M x 8 Bit, Parallel, VFBGA, 63 Pin(s)
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: SLC-NAND
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA
Speicherdichte: 2Gbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: 16ns
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: 50MHz
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 63Pin(s)
Produktpalette: 3.3V Parallel NAND Flash Memories
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 70°C
Speicherkonfiguration: 256M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 463 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| MT29F2G08ABBEAH4-IT:E |
![]() |
Виробник: MICRON
Description: MICRON - MT29F2G08ABBEAH4-IT:E - Flash-Speicher, SLC-NAND, 2 Gbit, 256M x 8 Bit, Parallel, VFBGA, 63 Pin(s)
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: SLC-NAND
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA
Speicherdichte: 2Gbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: 22ns
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 50MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 63Pin(s)
Produktpalette: 1.8V Parallel NAND Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 1.95V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 256M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Description: MICRON - MT29F2G08ABBEAH4-IT:E - Flash-Speicher, SLC-NAND, 2 Gbit, 256M x 8 Bit, Parallel, VFBGA, 63 Pin(s)
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: SLC-NAND
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA
Speicherdichte: 2Gbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: 22ns
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 50MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 63Pin(s)
Produktpalette: 1.8V Parallel NAND Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 1.95V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 256M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 837 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| MT29F2G08ABAGAWP-IT:G |
![]() |
Виробник: MICRON
Description: MICRON - MT29F2G08ABAGAWP-IT:G - Flash-Speicher, SLC-NAND, 2 Gbit, 256M x 8 Bit, Parallel, TSOP-I, 48 Pin(s)
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: SLC-NAND
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-I
Speicherdichte: 2Gbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: 16ns
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: 50MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: 3.3V Parallel NAND Flash Memories
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 256M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Description: MICRON - MT29F2G08ABAGAWP-IT:G - Flash-Speicher, SLC-NAND, 2 Gbit, 256M x 8 Bit, Parallel, TSOP-I, 48 Pin(s)
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: SLC-NAND
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-I
Speicherdichte: 2Gbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: 16ns
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: 50MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: 3.3V Parallel NAND Flash Memories
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 256M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 1066 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| MT25QU01GBBB8E12-0AUT |
![]() |
Виробник: MICRON
Description: MICRON - MT25QU01GBBB8E12-0AUT - Flash-Speicher, Serial-NOR, 1 Gbit, 128M x 8 Bit, SPI, TBGA, 24 Pin(s)
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TBGA
Speicherdichte: 1Gbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 166MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: 1.8V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 2V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Speicherkonfiguration: 128M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Description: MICRON - MT25QU01GBBB8E12-0AUT - Flash-Speicher, Serial-NOR, 1 Gbit, 128M x 8 Bit, SPI, TBGA, 24 Pin(s)
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TBGA
Speicherdichte: 1Gbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 166MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: 1.8V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 2V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Speicherkonfiguration: 128M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| MT25QU01GBBB8E12-0AAT |
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Виробник: MICRON
Description: MICRON - MT25QU01GBBB8E12-0AAT - Flash-Speicher, Serial-NOR, 1 Gbit, 128M x 8 Bit, SPI, TBGA, 24 Pin(s)
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TBGA
Speicherdichte: 1Gbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 166MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: 1.8V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 2V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 128M x 8 Bit
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
Description: MICRON - MT25QU01GBBB8E12-0AAT - Flash-Speicher, Serial-NOR, 1 Gbit, 128M x 8 Bit, SPI, TBGA, 24 Pin(s)
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TBGA
Speicherdichte: 1Gbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 166MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: 1.8V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 2V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 128M x 8 Bit
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| MT40A2G8JC-062E:E |
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Виробник: MICRON
Description: MICRON - MT40A2G8JC-062E:E - DRAM, DDR4, 16 Gbit, 2G x 8 Bit, 1.6 GHz, FBGA, 78 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: DDR4
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 16Gbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.2V
Taktfrequenz, max.: 1.6GHz
Betriebstemperatur, min.: 0°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 78Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 95°C
Speicherkonfiguration: 2G x 8 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Description: MICRON - MT40A2G8JC-062E:E - DRAM, DDR4, 16 Gbit, 2G x 8 Bit, 1.6 GHz, FBGA, 78 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: DDR4
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 16Gbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.2V
Taktfrequenz, max.: 1.6GHz
Betriebstemperatur, min.: 0°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 78Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 95°C
Speicherkonfiguration: 2G x 8 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MT40A512M16LY-075:E |
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Виробник: MICRON
Description: MICRON - MT40A512M16LY-075:E - DRAM, DDR4, 8 Gbit, 512M x 16 Bit, 1.333 GHz, FBGA, 96 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: DDR4
Bauform - Speicherbaustein: FBGA
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DRAM-Dichte: 8Gbit
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 8Gbit
usEccn: EAR99
Zugriffszeit: 750ps
Versorgungsspannung, nom.: 1.2V
Taktfrequenz, max.: 1.333GHz
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Taktfrequenz: 1.333GHz
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 96Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 95°C
Speicherkonfiguration: 512M x 16 Bit
Speicherkonfiguration DRAM: 512M x 16 Bit
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: MICRON - MT40A512M16LY-075:E - DRAM, DDR4, 8 Gbit, 512M x 16 Bit, 1.333 GHz, FBGA, 96 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: DDR4
Bauform - Speicherbaustein: FBGA
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DRAM-Dichte: 8Gbit
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 8Gbit
usEccn: EAR99
Zugriffszeit: 750ps
Versorgungsspannung, nom.: 1.2V
Taktfrequenz, max.: 1.333GHz
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Taktfrequenz: 1.333GHz
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 96Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 95°C
Speicherkonfiguration: 512M x 16 Bit
Speicherkonfiguration DRAM: 512M x 16 Bit
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 263 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| MT40A1G16KD-062E:E |
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Виробник: MICRON
Description: MICRON - MT40A1G16KD-062E:E - DRAM, DDR4, 16 Gbit, 1G x 16 Bit, 1.6 GHz, FBGA, 96 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: DDR4
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 16Gbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.2V
Taktfrequenz, max.: 1.6GHz
Betriebstemperatur, min.: 0°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 96Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 95°C
Speicherkonfiguration: 1G x 16 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Description: MICRON - MT40A1G16KD-062E:E - DRAM, DDR4, 16 Gbit, 1G x 16 Bit, 1.6 GHz, FBGA, 96 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: DDR4
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 16Gbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.2V
Taktfrequenz, max.: 1.6GHz
Betriebstemperatur, min.: 0°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 96Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 95°C
Speicherkonfiguration: 1G x 16 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 1098 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| MT40A512M16LY-062E IT:E |
![]() |
Виробник: MICRON
Description: MICRON - MT40A512M16LY-062E IT:E - DRAM, DDR4, 8 Gbit, 512M x 16 Bit, 1.6 GHz, FBGA, 96 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: DDR4
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 8Gbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.2V
Taktfrequenz, max.: 1.6GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 96Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 95°C
Speicherkonfiguration: 512M x 16 Bit
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: MICRON - MT40A512M16LY-062E IT:E - DRAM, DDR4, 8 Gbit, 512M x 16 Bit, 1.6 GHz, FBGA, 96 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: DDR4
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 8Gbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.2V
Taktfrequenz, max.: 1.6GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 96Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 95°C
Speicherkonfiguration: 512M x 16 Bit
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2117 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| MT40A1G16KD-062E IT:E |
![]() |
Виробник: MICRON
Description: MICRON - MT40A1G16KD-062E IT:E - DRAM, DDR4, 16 Gbit, 1G x 16 Bit, 1.6 GHz, FBGA, 96 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: DDR4
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 16Gbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.2V
Taktfrequenz, max.: 1.6GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 96Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 95°C
Speicherkonfiguration: 1G x 16 Bit
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: MICRON - MT40A1G16KD-062E IT:E - DRAM, DDR4, 16 Gbit, 1G x 16 Bit, 1.6 GHz, FBGA, 96 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: DDR4
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 16Gbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.2V
Taktfrequenz, max.: 1.6GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 96Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 95°C
Speicherkonfiguration: 1G x 16 Bit
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| MT40A1G16RC-062E IT:B |
![]() |
Виробник: MICRON
Description: MICRON - MT40A1G16RC-062E IT:B - DRAM, DDR4, 16 Gbit, 1G x 16 Bit, 1.6 GHz, FBGA, 96 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: DDR4
Bauform - Speicherbaustein: FBGA
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DRAM-Dichte: 16Gbit
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 16Gbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.2V
Taktfrequenz, max.: 1.6GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Taktfrequenz: 1.6GHz
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 96Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 95°C
Speicherkonfiguration: 1G x 16 Bit
Speicherkonfiguration DRAM: 1G x 16 Bit
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Description: MICRON - MT40A1G16RC-062E IT:B - DRAM, DDR4, 16 Gbit, 1G x 16 Bit, 1.6 GHz, FBGA, 96 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: DDR4
Bauform - Speicherbaustein: FBGA
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DRAM-Dichte: 16Gbit
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 16Gbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.2V
Taktfrequenz, max.: 1.6GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Taktfrequenz: 1.6GHz
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 96Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 95°C
Speicherkonfiguration: 1G x 16 Bit
Speicherkonfiguration DRAM: 1G x 16 Bit
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| MT40A1G8SA-062E IT:E |
![]() |
Виробник: MICRON
Description: MICRON - MT40A1G8SA-062E IT:E - DRAM, DDR4, 8 Gbit, 1G x 8 Bit, 1.6 GHz, FBGA, 78 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: DDR4
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 8Gbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.2V
Taktfrequenz, max.: 1.6GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 78Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 95°C
Speicherkonfiguration: 1G x 8 Bit
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: MICRON - MT40A1G8SA-062E IT:E - DRAM, DDR4, 8 Gbit, 1G x 8 Bit, 1.6 GHz, FBGA, 78 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: DDR4
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 8Gbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.2V
Taktfrequenz, max.: 1.6GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 78Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 95°C
Speicherkonfiguration: 1G x 8 Bit
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| MT40A1G8SA-075:E. |
![]() |
Виробник: MICRON
Description: MICRON - MT40A1G8SA-075:E. - DDR48G1GX8FBGA, TRAY, DRAM
tariffCode: 0
DRAM-Ausführung: DDR4
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Surface Mount
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 8Gbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.2V
Taktfrequenz, max.: 1.333GHz
Betriebstemperatur, min.: 0°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 78Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 95°C
Speicherkonfiguration: 1G x 8bit
directShipCharge: 25
SVHC: To Be Advised
Description: MICRON - MT40A1G8SA-075:E. - DDR48G1GX8FBGA, TRAY, DRAM
tariffCode: 0
DRAM-Ausführung: DDR4
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Surface Mount
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 8Gbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.2V
Taktfrequenz, max.: 1.333GHz
Betriebstemperatur, min.: 0°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 78Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 95°C
Speicherkonfiguration: 1G x 8bit
directShipCharge: 25
SVHC: To Be Advised
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| MT40A2G16SKL-062E:B |
![]() |
Виробник: MICRON
Description: MICRON - MT40A2G16SKL-062E:B - DRAM, DDR4, 32 Gbit, 2G x 16 Bit, 1.6 GHz, TFBGA, 96 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: DDR4
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA
Speicherdichte: 32Gbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.2V
Taktfrequenz, max.: 1.6GHz
Betriebstemperatur, min.: 0°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 96Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 95°C
Speicherkonfiguration: 2G x 16 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Description: MICRON - MT40A2G16SKL-062E:B - DRAM, DDR4, 32 Gbit, 2G x 16 Bit, 1.6 GHz, TFBGA, 96 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: DDR4
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TFBGA
Speicherdichte: 32Gbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.2V
Taktfrequenz, max.: 1.6GHz
Betriebstemperatur, min.: 0°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 96Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 95°C
Speicherkonfiguration: 2G x 16 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 357 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| MT40A512M16LY-062E:E |
![]() |
Виробник: MICRON
Description: MICRON - MT40A512M16LY-062E:E - DRAM, DDR4, 8 Gbit, 512M x 16 Bit, 1.6 GHz, FBGA, 96 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: DDR4
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 8Gbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.2V
Taktfrequenz, max.: 1.6GHz
Betriebstemperatur, min.: 0°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 96Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 95°C
Speicherkonfiguration: 512M x 16 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Description: MICRON - MT40A512M16LY-062E:E - DRAM, DDR4, 8 Gbit, 512M x 16 Bit, 1.6 GHz, FBGA, 96 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: DDR4
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 8Gbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.2V
Taktfrequenz, max.: 1.6GHz
Betriebstemperatur, min.: 0°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 96Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 95°C
Speicherkonfiguration: 512M x 16 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 138 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| MT40A512M16TB-062E:R |
![]() |
Виробник: MICRON
Description: MICRON - MT40A512M16TB-062E:R - DRAM, DDR4, 8 Gbit, 512M x 16 Bit, 1.6 GHz, FBGA, 96 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: DDR4
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 8Gbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Versorgungsspannung, nom.: 1.2V
Taktfrequenz, max.: 1.6GHz
Betriebstemperatur, min.: 0°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Anzahl der Pins: 96Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 95°C
Speicherkonfiguration: 512M x 16 Bit
Description: MICRON - MT40A512M16TB-062E:R - DRAM, DDR4, 8 Gbit, 512M x 16 Bit, 1.6 GHz, FBGA, 96 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: DDR4
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 8Gbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Versorgungsspannung, nom.: 1.2V
Taktfrequenz, max.: 1.6GHz
Betriebstemperatur, min.: 0°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Anzahl der Pins: 96Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 95°C
Speicherkonfiguration: 512M x 16 Bit
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| MT40A1G8SA-062E:R |
![]() |
Виробник: MICRON
Description: MICRON - MT40A1G8SA-062E:R - DRAM, DDR4, 8 Gbit, 1G x 8 Bit, 1.6 GHz, FBGA, 78 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: DDR4
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 8Gbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.2V
Taktfrequenz, max.: 1.6GHz
Betriebstemperatur, min.: 0°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 78Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 95°C
Speicherkonfiguration: 1G x 8 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Description: MICRON - MT40A1G8SA-062E:R - DRAM, DDR4, 8 Gbit, 1G x 8 Bit, 1.6 GHz, FBGA, 78 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: DDR4
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 8Gbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.2V
Taktfrequenz, max.: 1.6GHz
Betriebstemperatur, min.: 0°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 78Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 95°C
Speicherkonfiguration: 1G x 8 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 62 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| MT40A2G8SA-062E IT:F |
![]() |
Виробник: MICRON
Description: MICRON - MT40A2G8SA-062E IT:F - DRAM, DDR4, 16 Gbit, 2G x 8 Bit, 1.6 GHz, FBGA, 78 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: DDR4
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 16Gbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.2V
Taktfrequenz, max.: 1.6GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 78Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 95°C
Speicherkonfiguration: 2G x 8 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Description: MICRON - MT40A2G8SA-062E IT:F - DRAM, DDR4, 16 Gbit, 2G x 8 Bit, 1.6 GHz, FBGA, 78 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: DDR4
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 16Gbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.2V
Taktfrequenz, max.: 1.6GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 78Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 95°C
Speicherkonfiguration: 2G x 8 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| MT40A256M16LY-062E IT:F |
![]() |
Виробник: MICRON
Description: MICRON - MT40A256M16LY-062E IT:F - DRAM, DDR4, 4 Gbit, 256M x 16 Bit, 1.6 GHz, FBGA, 96 Pin(s)
tariffCode: 85423990
DRAM-Ausführung: DDR4
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 4Gbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.2V
Taktfrequenz, max.: 1.6GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 96Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 95°C
Speicherkonfiguration: 256M x 16 Bit
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: MICRON - MT40A256M16LY-062E IT:F - DRAM, DDR4, 4 Gbit, 256M x 16 Bit, 1.6 GHz, FBGA, 96 Pin(s)
tariffCode: 85423990
DRAM-Ausführung: DDR4
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 4Gbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.2V
Taktfrequenz, max.: 1.6GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 96Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 95°C
Speicherkonfiguration: 256M x 16 Bit
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 289 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| MT40A8G4NEA-062E:F |
![]() |
Виробник: MICRON
Description: MICRON - MT40A8G4NEA-062E:F - DRAM, DDR4, 32 Gbit, 8G x 4 Bit, 1.6 GHz, FBGA, 78 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: DDR4
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 32Gbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.2V
Taktfrequenz, max.: 1.6GHz
Betriebstemperatur, min.: 0°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 78Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 95°C
Speicherkonfiguration: 8G x 4 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Description: MICRON - MT40A8G4NEA-062E:F - DRAM, DDR4, 32 Gbit, 8G x 4 Bit, 1.6 GHz, FBGA, 78 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: DDR4
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 32Gbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.2V
Taktfrequenz, max.: 1.6GHz
Betriebstemperatur, min.: 0°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 78Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 95°C
Speicherkonfiguration: 8G x 4 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| MT40A4G4SA-062E:F |
![]() |
Виробник: MICRON
Description: MICRON - MT40A4G4SA-062E:F - DRAM, DDR4, 16 Gbit, 4G x 4 Bit, FBGA, 78 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: DDR4
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 16Gbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.2V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: 0°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 78Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 95°C
Speicherkonfiguration: 4G x 4 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Description: MICRON - MT40A4G4SA-062E:F - DRAM, DDR4, 16 Gbit, 4G x 4 Bit, FBGA, 78 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: DDR4
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 16Gbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.2V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: 0°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 78Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 95°C
Speicherkonfiguration: 4G x 4 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| MT40A2G8AG-062E AIT:F |
![]() |
Виробник: MICRON
Description: MICRON - MT40A2G8AG-062E AIT:F - DRAM, AEC-Q100, DDR4, 16 Gbit, 2G x 8 Bit, 1.6 GHz, FBGA, 78 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: DDR4
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 16Gbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.2V
Taktfrequenz, max.: 1.6GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 78Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 95°C
Speicherkonfiguration: 2G x 8 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Description: MICRON - MT40A2G8AG-062E AIT:F - DRAM, AEC-Q100, DDR4, 16 Gbit, 2G x 8 Bit, 1.6 GHz, FBGA, 78 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: DDR4
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 16Gbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.2V
Taktfrequenz, max.: 1.6GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 78Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 95°C
Speicherkonfiguration: 2G x 8 Bit
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)





















