Результат пошуку "1n4150" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
1N4150 1N4150
Код товару: 43481 		1n4148.pdf 1N4150-1pdf.pdf 1N4150, FDLL4150.pdf 1n4148.pdf Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди супершвидкі
у наявності: 207 шт
2+3 грн
10+ 2.8 грн
Мінімальне замовлення: 2
1N4150 1N4150 DC COMPONENTS 1N41xx_1N4448.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: switching; THT; 50V; 0.15A; reel,tape; Ifsm: 0.5A; DO35; 4ns
Type of diode: switching
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 50V
Load current: 0.15A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Case: DO35
Max. forward voltage: 1V
Max. forward impulse current: 0.5A
Kind of package: reel; tape
на замовлення 5991 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
56+6.65 грн
87+ 3.98 грн
148+ 2.33 грн
209+ 1.65 грн
250+ 1.38 грн
1000+ 1.15 грн
1603+ 0.49 грн
4407+ 0.47 грн
Мінімальне замовлення: 56
1N4150 1N4150 DIOTEC SEMICONDUCTOR 1n4148.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: switching; THT; 50V; 0.3A; Ammo Pack; Ifsm: 4A; DO35; 500mW
Type of diode: switching
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 50V
Load current: 0.3A
Max. load current: 0.6A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: superfast switching
Case: DO35
Max. forward voltage: 1.2V
Max. forward impulse current: 4A
Power dissipation: 0.5W
Kind of package: Ammo Pack
на замовлення 3325 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
200+1.98 грн
450+ 0.78 грн
1000+ 0.63 грн
1475+ 0.54 грн
Мінімальне замовлення: 200
1N4150 Diotec Semiconductor 1n4148.pdf 1N4150-1pdf.pdf 1N4150, FDLL4150.pdf 1n4148.pdf Випрямний ультрашвидкий діод вивідний; Ur, В = 50; Io, А = 0,3; If, A = 0,3; Тексп, °С = -50...+200; DO-35
на замовлення 140 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
140+4.46 грн
Мінімальне замовлення: 140
1N4150 1N4150 DC COMPONENTS 1N41xx_1N4448.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: switching; THT; 50V; 0.15A; reel,tape; Ifsm: 0.5A; DO35; 4ns
Type of diode: switching
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 50V
Load current: 0.15A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Case: DO35
Max. forward voltage: 1V
Max. forward impulse current: 0.5A
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5991 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
34+7.98 грн
52+ 4.96 грн
89+ 2.8 грн
125+ 1.98 грн
250+ 1.66 грн
1000+ 1.38 грн
1603+ 0.59 грн
Мінімальне замовлення: 34
1N4150 1N4150 DIOTEC SEMICONDUCTOR 1n4148.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: switching; THT; 50V; 0.3A; Ammo Pack; Ifsm: 4A; DO35; 500mW
Type of diode: switching
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 50V
Load current: 0.3A
Max. load current: 0.6A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: superfast switching
Case: DO35
Max. forward voltage: 1.2V
Max. forward impulse current: 4A
Power dissipation: 0.5W
Kind of package: Ammo Pack
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 3325 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
125+2.38 грн
275+ 0.97 грн
1000+ 0.76 грн
1475+ 0.65 грн
4050+ 0.62 грн
Мінімальне замовлення: 125
1N4150 1N4150 Diotec Semiconductor 1n4148.pdf Description: DIODE GEN PURP 50V 300MA DO35
Packaging: Box
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 300mA
Supplier Device Package: DO-35
Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 50 V
на замовлення 8215 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+17.59 грн
50+ 14.59 грн
100+ 12.58 грн
500+ 4.21 грн
1000+ 3.51 грн
2000+ 3 грн
5000+ 1.77 грн
Мінімальне замовлення: 25
1N4150 TR PBFREE 1N4150 TR PBFREE Central Semiconductor Corp 1N3600.PDF Description: DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 6 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 2.5pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: DO-35
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 200°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 50 V
на замовлення 6371 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+22.81 грн
16+ 17.43 грн
100+ 10.46 грн
500+ 9.09 грн
1000+ 6.18 грн
2000+ 5.69 грн
5000+ 5.36 грн
Мінімальне замовлення: 13
1N4150-1 1N4150-1 Microchip Technology sa7-25.pdf Diode Switching 50V 0.2A 2-Pin DO-35 Bag
на замовлення 1126 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+57.98 грн
42+ 13.96 грн
Мінімальне замовлення: 10
1N4150-1 1N4150-1 Microchip Technology sa7-25.pdf Diode Switching 50V 0.2A 2-Pin DO-35 Bag
на замовлення 1126 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
777+15.03 грн
Мінімальне замовлення: 777
1N4150-1 1N4150-1 Microchip Technology 5806-1n4150-1-datasheet Description: DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: DO-35
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 50 V
на замовлення 1238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+62 грн
100+ 55.14 грн
Мінімальне замовлення: 5
1N4150-TR 1N4150-TR Vishay 1n4150.pdf Diode Small Signal Switching Si 50V 0.3A 2-Pin DO-35 T/R
на замовлення 9951 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5792+2.02 грн
5860+ 1.99 грн
Мінімальне замовлення: 5792
1N4150-TR 1N4150-TR Vishay 1n4150.pdf Diode Small Signal Switching Si 50V 0.3A 2-Pin DO-35 T/R
на замовлення 25759 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1N4150TAP 1N4150TAP VISHAY 1n4150.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: switching; THT; 50V; 0.15A; Ammo Pack; Ifsm: 4A; DO35; 440mW
Type of diode: switching
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 50V
Load current: 0.15A
Max. load current: 0.6A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching; small signal
Capacitance: 2.5pF
Case: DO35
Max. forward voltage: 1V
Max. forward impulse current: 4A
Leakage current: 0.1mA
Power dissipation: 0.44W
Kind of package: Ammo Pack
на замовлення 824 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
30+12.56 грн
46+ 7.55 грн
53+ 6.52 грн
73+ 4.72 грн
106+ 3.26 грн
250+ 3.03 грн
500+ 2.37 грн
581+ 1.37 грн
Мінімальне замовлення: 30
1N4150TAP 1N4150TAP VISHAY 1n4150.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: switching; THT; 50V; 0.15A; Ammo Pack; Ifsm: 4A; DO35; 440mW
Type of diode: switching
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 50V
Load current: 0.15A
Max. load current: 0.6A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching; small signal
Capacitance: 2.5pF
Case: DO35
Max. forward voltage: 1V
Max. forward impulse current: 4A
Leakage current: 0.1mA
Power dissipation: 0.44W
Kind of package: Ammo Pack
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 824 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
18+15.08 грн
28+ 9.41 грн
32+ 7.82 грн
44+ 5.67 грн
100+ 3.91 грн
250+ 3.63 грн
500+ 2.84 грн
Мінімальне замовлення: 18
1N4150TAP 1N4150TAP Vishay 1n4150.pdf Diode Small Signal Switching Si 50V 0.3A 2-Pin DO-35 Ammo
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50000+1.21 грн
Мінімальне замовлення: 50000
1N4150TAP 1N4150TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1n4150.pdf Description: DIODE GEN PURP 50V 150MA DO35
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 2.5pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 150mA
Supplier Device Package: DO-204AH (DO-35)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 50 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+2.23 грн
Мінімальне замовлення: 10000
1N4150TAP 1N4150TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1n4150.pdf Description: DIODE GEN PURP 50V 150MA DO35
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 2.5pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 150mA
Supplier Device Package: DO-204AH (DO-35)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 50 V
на замовлення 8935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+17.1 грн
25+ 11.32 грн
100+ 5.55 грн
500+ 4.34 грн
1000+ 3.02 грн
2000+ 2.61 грн
5000+ 2.39 грн
Мінімальне замовлення: 17
1N4150TAP 1N4150TAP Vishay 1n4150.pdf Diode Small Signal Switching Si 50V 0.3A 2-Pin DO-35 Ammo
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50000+1.31 грн
Мінімальне замовлення: 50000
1N4150TAP 1N4150TAP Vishay 1n4150.pdf Diode Small Signal Switching Si 50V 0.3A 2-Pin DO-35 Ammo
на замовлення 30426 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
313+1.85 грн
324+ 1.78 грн
335+ 1.73 грн
348+ 1.6 грн
362+ 1.43 грн
500+ 1.32 грн
1000+ 1.26 грн
3000+ 1.21 грн
6000+ 1.16 грн
Мінімальне замовлення: 313
1N4150TAP 1N4150TAP VISHAY 2613996.pdf Description: VISHAY - 1N4150TAP - Kleinsignaldiode, Einfach, 50 V, 150 mA, 920 mV, 4 ns, 4 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-204AH
Durchlassstoßstrom: 4A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 920mV
Sperrverzögerungszeit: 4ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 150mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 50V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 19665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
38+19.73 грн
66+ 11.23 грн
145+ 5.1 грн
500+ 3.6 грн
1000+ 2.28 грн
5000+ 2.24 грн
Мінімальне замовлення: 38
1N4150TAP 1N4150TAP Vishay 1n4150.pdf Diode Small Signal Switching Si 50V 0.3A 2-Pin DO-35 Ammo
на замовлення 30426 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7353+1.59 грн
7654+ 1.53 грн
8022+ 1.46 грн
15000+ 1.34 грн
30000+ 1.18 грн
Мінімальне замовлення: 7353
1N4150TR 1N4150TR VISHAY 2613996.pdf Description: VISHAY - 1N4150TR - Kleinsignaldiode, Einfach, 50 V, 150 mA, 920 mV, 4 ns, 4 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-204AH
Durchlassstoßstrom: 4A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 920mV
Sperrverzögerungszeit: 4ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 150mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 50V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 40109 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
35+21.29 грн
53+ 14.19 грн
155+ 4.79 грн
500+ 3.49 грн
1000+ 2.34 грн
5000+ 2.3 грн
Мінімальне замовлення: 35
1N4150TR 1N4150TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1n4150.pdf Description: DIODE GEN PURP 50V 300MA DO35
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 2.5pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 300mA
Supplier Device Package: DO-204AH (DO-35)
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 50 V
на замовлення 60712 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+17.82 грн
24+ 11.53 грн
100+ 5.63 грн
500+ 4.41 грн
1000+ 3.06 грн
2000+ 2.65 грн
5000+ 2.42 грн
Мінімальне замовлення: 16
1N4150TR 1N4150TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1n4150.pdf Description: DIODE GEN PURP 50V 300MA DO35
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 2.5pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 300mA
Supplier Device Package: DO-204AH (DO-35)
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 50 V
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+2.26 грн
30000+ 2.14 грн
50000+ 1.92 грн
Мінімальне замовлення: 10000
1N4150UBCA/TR 1N4150UBCA/TR Microchip Technology Description: DIODE ARRAY UBC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: UBC
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+1457.05 грн
Мінімальне замовлення: 100
1N4150UBCA/TR 1N4150UBCA/TR Microchip Technology Description: DIODE ARRAY UBC
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: UBC
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1568.65 грн
1N4150UR-1 1N4150UR-1 MICROCHIP (MICROSEMI) 1N4150UR-1.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 75V; 200mA; 4ns; DO213AA; Ufmax: 1V; bulk
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 75V
Load current: 0.2A
Max. load current: 0.4A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: single diode
Case: DO213AA
Max. forward voltage: 1V
Max. forward impulse current: 0.5A
Kind of package: bulk
на замовлення 591 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+88.53 грн
10+ 78.92 грн
11+ 76.18 грн
25+ 72.75 грн
29+ 72.06 грн
100+ 68.63 грн
Мінімальне замовлення: 4
1N4150UR-1 1N4150UR-1 MICROCHIP (MICROSEMI) 1N4150UR-1.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 75V; 200mA; 4ns; DO213AA; Ufmax: 1V; bulk
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 75V
Load current: 0.2A
Max. load current: 0.4A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: single diode
Case: DO213AA
Max. forward voltage: 1V
Max. forward impulse current: 0.5A
Kind of package: bulk
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 591 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+110.33 грн
10+ 94.71 грн
11+ 91.42 грн
25+ 87.3 грн
29+ 86.47 грн
100+ 82.36 грн
Мінімальне замовлення: 3
1N4150UR-1 Microchip Technology 5808-1n4150ur-1-datasheet Description: DIODE GEN PURP 50V 200MA DO213AA
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-213AA (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: DO-213AA
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 50 V
на замовлення 1304 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+74.12 грн
100+ 66.54 грн
Мінімальне замовлення: 4
1N4150UR-1 1N4150UR-1 Microchip Technology d0008177.pdf Rectifier Diode Switching 75V 0.4A 4ns 2-Pin DO-213AA Bag
на замовлення 525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
102+115.43 грн
250+ 103.21 грн
500+ 98.88 грн
Мінімальне замовлення: 102
1N4150UR-1/TR Microchip Technology 5808-1n4150ur-1-datasheet Description: DIODE GEN PURP 50V 200MA DO213AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: DO-213AA
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 50 V
на замовлення 458 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+85.52 грн
100+ 76.68 грн
Мінімальне замовлення: 4
1N4150W-E3-08 1N4150W-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1n4150w.pdf Description: DIODE GEN PURP 50V 200MA SOD123
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 2.5pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SOD-123
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 50 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.79 грн
6000+ 2.49 грн
9000+ 2.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000
1N4150W-E3-08 1N4150W-E3-08 Vishay 1n4150w.pdf Diode Small Signal Switching Si 50V 0.3A 2-Pin SOD-123 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15000+3.49 грн
Мінімальне замовлення: 15000
1N4150W-E3-08 1N4150W-E3-08 Vishay 1n4150w.pdf Diode Small Signal Switching Si 50V 0.3A 2-Pin SOD-123 T/R
на замовлення 2535 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2226+5.24 грн
2246+ 5.2 грн
2273+ 5.14 грн
Мінімальне замовлення: 2226
1N4150W-E3-08 1N4150W-E3-08 VISHAY VISH-S-A0004680304-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - 1N4150W-E3-08 - Kleinsignaldiode, Einfach, 50 V, 200 mA, 1 V, 4 ns
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123
Durchlassstoßstrom: -A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: 4ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 50V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 815 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
55+13.67 грн
137+ 5.43 грн
250+ 4.07 грн
Мінімальне замовлення: 55
1N4150W-E3-08 1N4150W-E3-08 Vishay 1n4150w.pdf Diode Small Signal Switching Si 50V 0.3A 2-Pin SOD-123 T/R
на замовлення 2535 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+16.34 грн
51+ 11.34 грн
119+ 4.7 грн
250+ 4.31 грн
500+ 4.09 грн
1000+ 2.45 грн
Мінімальне замовлення: 36
1N4150W-E3-08 1N4150W-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1n4150w.pdf Description: DIODE GEN PURP 50V 200MA SOD123
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 2.5pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SOD-123
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 50 V
на замовлення 12058 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+16.39 грн
25+ 10.98 грн
100+ 5.35 грн
500+ 4.19 грн
1000+ 2.91 грн
Мінімальне замовлення: 18
1N4150W-E3-08 1N4150W-E3-08 VISHAY VISH-S-A0004680304-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - 1N4150W-E3-08 - Kleinsignaldiode, Einfach, 50 V, 200 mA, 1 V, 4 ns
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123
Durchlassstoßstrom: -A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: 4ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 50V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 815 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+4.07 грн
Мінімальне замовлення: 500
1N4150W-E3-08 1N4150W-E3-08 Vishay 1n4150w.pdf Diode Small Signal Switching Si 50V 0.3A 2-Pin SOD-123 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15000+3.76 грн
Мінімальне замовлення: 15000
1N4150W-E3-18 1N4150W-E3-18 Vishay 1n4150w.pdf Diode Small Signal Switching Si 50V 0.3A 2-Pin SOD-123 T/R
на замовлення 8767 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3817+3.06 грн
3857+ 3.03 грн
3907+ 2.99 грн
4452+ 2.53 грн
5173+ 2.01 грн
6148+ 1.63 грн
Мінімальне замовлення: 3817
1N4150W-E3-18 1N4150W-E3-18 Vishay 1n4150w.pdf Diode Small Signal Switching Si 50V 0.3A 2-Pin SOD-123 T/R
на замовлення 8767 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
57+10.3 грн
84+ 6.89 грн
85+ 6.82 грн
204+ 2.74 грн
250+ 2.51 грн
500+ 2.38 грн
1000+ 2.09 грн
3000+ 1.8 грн
6000+ 1.51 грн
Мінімальне замовлення: 57
1N4150W-E3-18 1N4150W-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1n4150w.pdf Description: DIODE GEN PURP 50V 200MA SOD123
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 2.5pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SOD-123
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 50 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+2.15 грн
30000+ 2.03 грн
Мінімальне замовлення: 10000
1N4150W-E3-18 1N4150W-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1n4150w.pdf Description: DIODE GEN PURP 50V 200MA SOD123
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 2.5pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SOD-123
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 50 V
на замовлення 48555 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+16.39 грн
25+ 10.98 грн
100+ 5.35 грн
500+ 4.19 грн
1000+ 2.91 грн
2000+ 2.52 грн
5000+ 2.3 грн
Мінімальне замовлення: 18
1N4150W-G3-18 1N4150W-G3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE GEN PURP 50V 200MA SOD123
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 2.5pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SOD-123
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 50 V
на замовлення 9968 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+19.96 грн
21+ 13.11 грн
100+ 6.4 грн
500+ 5 грн
1000+ 3.48 грн
2000+ 3.01 грн
5000+ 2.75 грн
Мінімальне замовлення: 15
1N4150W-HE3-08 1N4150W-HE3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE GEN PURP 50V 200MA SOD123
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 2.5pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SOD-123
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 11705 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+17.82 грн
24+ 11.53 грн
100+ 5.63 грн
500+ 4.41 грн
1000+ 3.06 грн
Мінімальне замовлення: 16
1N4150W-HE3-08 1N4150W-HE3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE GEN PURP 50V 200MA SOD123
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 2.5pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SOD-123
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.94 грн
6000+ 2.62 грн
9000+ 2.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000
1N4150W-HE3-08 1N4150W-HE3-08 Vishay 1n4150w.pdf Rectifier Diode Small Signal Switching Si 50V 0.2A 4ns Automotive AEC-Q101 2-Pin SOD-123 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3158+3.7 грн
Мінімальне замовлення: 3158
1N4150W-HE3-08 1N4150W-HE3-08 Vishay 1n4150w.pdf Rectifier Diode Small Signal Switching Si 50V 0.2A 4ns Automotive AEC-Q101 2-Pin SOD-123 T/R
на замовлення 13940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2298+5.08 грн
2319+ 5.03 грн
2341+ 4.99 грн
4630+ 2.43 грн
5209+ 2 грн
6000+ 1.71 грн
Мінімальне замовлення: 2298
1N4150W-HE3-08 1N4150W-HE3-08 Vishay 1n4150w.pdf Rectifier Diode Small Signal Switching Si 50V 0.2A 4ns Automotive AEC-Q101 2-Pin SOD-123 T/R
на замовлення 13940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+17.1 грн
52+ 11.21 грн
123+ 4.55 грн
250+ 4.17 грн
500+ 3.97 грн
1000+ 2.01 грн
3000+ 1.78 грн
6000+ 1.59 грн
Мінімальне замовлення: 34
1N4150W-HE3-08 1N4150W-HE3-08 Vishay 1n4150w.pdf Rectifier Diode Small Signal Switching Si 50V 0.2A 4ns Automotive AEC-Q101 2-Pin SOD-123 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1N4150W-HE3-08 1N4150W-HE3-08 Vishay 1n4150w.pdf Rectifier Diode Small Signal Switching Si 50V 0.2A 4ns Automotive AEC-Q101 2-Pin SOD-123 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1N4150-1 MICROSEMI 5806-1n4150-1-datasheet DO-35SIGNAL OR COMPUTER DIODE
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1N4150.TR
на замовлення 62500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
1N4150TR 1n4150.pdf 1N4150, FDLL4150.pdf
на замовлення 7883 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
JANTX1N4150-1 JANTX1N4150-1 Microchip Technology sa7-25.pdf Rectifier Diode Switching 50V 4ns 2-Pin DO-35 Bag
на замовлення 701 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
JANTX1N4150-1 JANTX1N4150-1 MACOM Technology Solutions 1N4150(-1)_1N3600.pdf Description: DIODE GEN PURP 50V 300MA DO35
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 2.5pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 300mA
Supplier Device Package: DO-35
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Grade: Military
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 740 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 50 V
Qualification: MIL-PRF-19500/231
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
JANTX1N4150-1 JANTX1N4150-1 Microchip Technology 5806-1n4150-1-datasheet Description: DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: DO-35
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 50 V
Grade: Military
Qualification: MIL-PRF-19500/231
на замовлення 84 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+69.13 грн
Мінімальне замовлення: 5
JANTX1N4150-1 MICROSEMI 5806-1n4150-1-datasheet 1N4150(-1)_1N3600.pdf 1N4150-1JANTX 1N4150
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
JANTX1N4150UR-1 MICROSEMI 5808-1n4150ur-1-datasheet 1N4150UR-1JANTX 1N4150
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1N4150
Код товару: 43481		 1n4148.pdf 1N4150-1pdf.pdf 1N4150, FDLL4150.pdf 1n4148.pdf
1N4150
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди супершвидкі
у наявності: 207 шт
Кількість Ціна без ПДВ
2+3 грн
10+ 2.8 грн
Мінімальне замовлення: 2
1N4150 1N41xx_1N4448.pdf
1N4150
Виробник: DC COMPONENTS
Category: THT universal diodes
Description: Diode: switching; THT; 50V; 0.15A; reel,tape; Ifsm: 0.5A; DO35; 4ns
Type of diode: switching
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 50V
Load current: 0.15A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Case: DO35
Max. forward voltage: 1V
Max. forward impulse current: 0.5A
Kind of package: reel; tape
на замовлення 5991 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
56+6.65 грн
87+ 3.98 грн
148+ 2.33 грн
209+ 1.65 грн
250+ 1.38 грн
1000+ 1.15 грн
1603+ 0.49 грн
4407+ 0.47 грн
Мінімальне замовлення: 56
1N4150 1n4148.pdf
1N4150
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: THT universal diodes
Description: Diode: switching; THT; 50V; 0.3A; Ammo Pack; Ifsm: 4A; DO35; 500mW
Type of diode: switching
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 50V
Load current: 0.3A
Max. load current: 0.6A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: superfast switching
Case: DO35
Max. forward voltage: 1.2V
Max. forward impulse current: 4A
Power dissipation: 0.5W
Kind of package: Ammo Pack
на замовлення 3325 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
200+1.98 грн
450+ 0.78 грн
1000+ 0.63 грн
1475+ 0.54 грн
Мінімальне замовлення: 200
1N4150 1n4148.pdf 1N4150-1pdf.pdf 1N4150, FDLL4150.pdf 1n4148.pdf
Виробник: Diotec Semiconductor
Випрямний ультрашвидкий діод вивідний; Ur, В = 50; Io, А = 0,3; If, A = 0,3; Тексп, °С = -50...+200; DO-35
на замовлення 140 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
140+4.46 грн
Мінімальне замовлення: 140
1N4150 1N41xx_1N4448.pdf
1N4150
Виробник: DC COMPONENTS
Category: THT universal diodes
Description: Diode: switching; THT; 50V; 0.15A; reel,tape; Ifsm: 0.5A; DO35; 4ns
Type of diode: switching
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 50V
Load current: 0.15A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Case: DO35
Max. forward voltage: 1V
Max. forward impulse current: 0.5A
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5991 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
34+7.98 грн
52+ 4.96 грн
89+ 2.8 грн
125+ 1.98 грн
250+ 1.66 грн
1000+ 1.38 грн
1603+ 0.59 грн
Мінімальне замовлення: 34
1N4150 1n4148.pdf
1N4150
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: THT universal diodes
Description: Diode: switching; THT; 50V; 0.3A; Ammo Pack; Ifsm: 4A; DO35; 500mW
Type of diode: switching
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 50V
Load current: 0.3A
Max. load current: 0.6A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: superfast switching
Case: DO35
Max. forward voltage: 1.2V
Max. forward impulse current: 4A
Power dissipation: 0.5W
Kind of package: Ammo Pack
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 3325 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
125+2.38 грн
275+ 0.97 грн
1000+ 0.76 грн
1475+ 0.65 грн
4050+ 0.62 грн
Мінімальне замовлення: 125
1N4150 1n4148.pdf
1N4150
Виробник: Diotec Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 50V 300MA DO35
Packaging: Box
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 300mA
Supplier Device Package: DO-35
Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 50 V
на замовлення 8215 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
25+17.59 грн
50+ 14.59 грн
100+ 12.58 грн
500+ 4.21 грн
1000+ 3.51 грн
2000+ 3 грн
5000+ 1.77 грн
Мінімальне замовлення: 25
1N4150 TR PBFREE 1N3600.PDF
1N4150 TR PBFREE
Виробник: Central Semiconductor Corp
Description: DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 6 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 2.5pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: DO-35
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 200°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 50 V
на замовлення 6371 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13+22.81 грн
16+ 17.43 грн
100+ 10.46 грн
500+ 9.09 грн
1000+ 6.18 грн
2000+ 5.69 грн
5000+ 5.36 грн
Мінімальне замовлення: 13
1N4150-1 sa7-25.pdf
1N4150-1
Виробник: Microchip Technology
Diode Switching 50V 0.2A 2-Pin DO-35 Bag
на замовлення 1126 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+57.98 грн
42+ 13.96 грн
Мінімальне замовлення: 10
1N4150-1 sa7-25.pdf
1N4150-1
Виробник: Microchip Technology
Diode Switching 50V 0.2A 2-Pin DO-35 Bag
на замовлення 1126 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
777+15.03 грн
Мінімальне замовлення: 777
1N4150-1 5806-1n4150-1-datasheet
1N4150-1
Виробник: Microchip Technology
Description: DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: DO-35
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 50 V
на замовлення 1238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+62 грн
100+ 55.14 грн
Мінімальне замовлення: 5
1N4150-TR 1n4150.pdf
1N4150-TR
Виробник: Vishay
Diode Small Signal Switching Si 50V 0.3A 2-Pin DO-35 T/R
на замовлення 9951 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5792+2.02 грн
5860+ 1.99 грн
Мінімальне замовлення: 5792
1N4150-TR 1n4150.pdf
1N4150-TR
Виробник: Vishay
Diode Small Signal Switching Si 50V 0.3A 2-Pin DO-35 T/R
на замовлення 25759 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1N4150TAP 1n4150.pdf
1N4150TAP
Виробник: VISHAY
Category: THT universal diodes
Description: Diode: switching; THT; 50V; 0.15A; Ammo Pack; Ifsm: 4A; DO35; 440mW
Type of diode: switching
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 50V
Load current: 0.15A
Max. load current: 0.6A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching; small signal
Capacitance: 2.5pF
Case: DO35
Max. forward voltage: 1V
Max. forward impulse current: 4A
Leakage current: 0.1mA
Power dissipation: 0.44W
Kind of package: Ammo Pack
на замовлення 824 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
30+12.56 грн
46+ 7.55 грн
53+ 6.52 грн
73+ 4.72 грн
106+ 3.26 грн
250+ 3.03 грн
500+ 2.37 грн
581+ 1.37 грн
Мінімальне замовлення: 30
1N4150TAP 1n4150.pdf
1N4150TAP
Виробник: VISHAY
Category: THT universal diodes
Description: Diode: switching; THT; 50V; 0.15A; Ammo Pack; Ifsm: 4A; DO35; 440mW
Type of diode: switching
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 50V
Load current: 0.15A
Max. load current: 0.6A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching; small signal
Capacitance: 2.5pF
Case: DO35
Max. forward voltage: 1V
Max. forward impulse current: 4A
Leakage current: 0.1mA
Power dissipation: 0.44W
Kind of package: Ammo Pack
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 824 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
18+15.08 грн
28+ 9.41 грн
32+ 7.82 грн
44+ 5.67 грн
100+ 3.91 грн
250+ 3.63 грн
500+ 2.84 грн
Мінімальне замовлення: 18
1N4150TAP 1n4150.pdf
1N4150TAP
Виробник: Vishay
Diode Small Signal Switching Si 50V 0.3A 2-Pin DO-35 Ammo
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
50000+1.21 грн
Мінімальне замовлення: 50000
1N4150TAP 1n4150.pdf
1N4150TAP
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 50V 150MA DO35
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 2.5pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 150mA
Supplier Device Package: DO-204AH (DO-35)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 50 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10000+2.23 грн
Мінімальне замовлення: 10000
1N4150TAP 1n4150.pdf
1N4150TAP
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 50V 150MA DO35
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 2.5pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 150mA
Supplier Device Package: DO-204AH (DO-35)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 50 V
на замовлення 8935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
17+17.1 грн
25+ 11.32 грн
100+ 5.55 грн
500+ 4.34 грн
1000+ 3.02 грн
2000+ 2.61 грн
5000+ 2.39 грн
Мінімальне замовлення: 17
1N4150TAP 1n4150.pdf
1N4150TAP
Виробник: Vishay
Diode Small Signal Switching Si 50V 0.3A 2-Pin DO-35 Ammo
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
50000+1.31 грн
Мінімальне замовлення: 50000
1N4150TAP 1n4150.pdf
1N4150TAP
Виробник: Vishay
Diode Small Signal Switching Si 50V 0.3A 2-Pin DO-35 Ammo
на замовлення 30426 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
313+1.85 грн
324+ 1.78 грн
335+ 1.73 грн
348+ 1.6 грн
362+ 1.43 грн
500+ 1.32 грн
1000+ 1.26 грн
3000+ 1.21 грн
6000+ 1.16 грн
Мінімальне замовлення: 313
1N4150TAP 2613996.pdf
1N4150TAP
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - 1N4150TAP - Kleinsignaldiode, Einfach, 50 V, 150 mA, 920 mV, 4 ns, 4 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-204AH
Durchlassstoßstrom: 4A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 920mV
Sperrverzögerungszeit: 4ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 150mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 50V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 19665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
38+19.73 грн
66+ 11.23 грн
145+ 5.1 грн
500+ 3.6 грн
1000+ 2.28 грн
5000+ 2.24 грн
Мінімальне замовлення: 38
1N4150TAP 1n4150.pdf
1N4150TAP
Виробник: Vishay
Diode Small Signal Switching Si 50V 0.3A 2-Pin DO-35 Ammo
на замовлення 30426 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7353+1.59 грн
7654+ 1.53 грн
8022+ 1.46 грн
15000+ 1.34 грн
30000+ 1.18 грн
Мінімальне замовлення: 7353
1N4150TR 2613996.pdf
1N4150TR
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - 1N4150TR - Kleinsignaldiode, Einfach, 50 V, 150 mA, 920 mV, 4 ns, 4 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-204AH
Durchlassstoßstrom: 4A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 920mV
Sperrverzögerungszeit: 4ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 150mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 50V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 40109 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
35+21.29 грн
53+ 14.19 грн
155+ 4.79 грн
500+ 3.49 грн
1000+ 2.34 грн
5000+ 2.3 грн
Мінімальне замовлення: 35
1N4150TR 1n4150.pdf
1N4150TR
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 50V 300MA DO35
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 2.5pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 300mA
Supplier Device Package: DO-204AH (DO-35)
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 50 V
на замовлення 60712 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
16+17.82 грн
24+ 11.53 грн
100+ 5.63 грн
500+ 4.41 грн
1000+ 3.06 грн
2000+ 2.65 грн
5000+ 2.42 грн
Мінімальне замовлення: 16
1N4150TR 1n4150.pdf
1N4150TR
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 50V 300MA DO35
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 2.5pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 300mA
Supplier Device Package: DO-204AH (DO-35)
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 50 V
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10000+2.26 грн
30000+ 2.14 грн
50000+ 1.92 грн
Мінімальне замовлення: 10000
1N4150UBCA/TR
1N4150UBCA/TR
Виробник: Microchip Technology
Description: DIODE ARRAY UBC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: UBC
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+1457.05 грн
Мінімальне замовлення: 100
1N4150UBCA/TR
1N4150UBCA/TR
Виробник: Microchip Technology
Description: DIODE ARRAY UBC
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: UBC
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1568.65 грн
1N4150UR-1 1N4150UR-1.pdf
1N4150UR-1
Виробник: MICROCHIP (MICROSEMI)
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 75V; 200mA; 4ns; DO213AA; Ufmax: 1V; bulk
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 75V
Load current: 0.2A
Max. load current: 0.4A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: single diode
Case: DO213AA
Max. forward voltage: 1V
Max. forward impulse current: 0.5A
Kind of package: bulk
на замовлення 591 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+88.53 грн
10+ 78.92 грн
11+ 76.18 грн
25+ 72.75 грн
29+ 72.06 грн
100+ 68.63 грн
Мінімальне замовлення: 4
1N4150UR-1 1N4150UR-1.pdf
1N4150UR-1
Виробник: MICROCHIP (MICROSEMI)
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 75V; 200mA; 4ns; DO213AA; Ufmax: 1V; bulk
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 75V
Load current: 0.2A
Max. load current: 0.4A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: single diode
Case: DO213AA
Max. forward voltage: 1V
Max. forward impulse current: 0.5A
Kind of package: bulk
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 591 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+110.33 грн
10+ 94.71 грн
11+ 91.42 грн
25+ 87.3 грн
29+ 86.47 грн
100+ 82.36 грн
Мінімальне замовлення: 3
1N4150UR-1 5808-1n4150ur-1-datasheet
Виробник: Microchip Technology
Description: DIODE GEN PURP 50V 200MA DO213AA
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-213AA (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: DO-213AA
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 50 V
на замовлення 1304 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+74.12 грн
100+ 66.54 грн
Мінімальне замовлення: 4
1N4150UR-1 d0008177.pdf
1N4150UR-1
Виробник: Microchip Technology
Rectifier Diode Switching 75V 0.4A 4ns 2-Pin DO-213AA Bag
на замовлення 525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
102+115.43 грн
250+ 103.21 грн
500+ 98.88 грн
Мінімальне замовлення: 102
1N4150UR-1/TR 5808-1n4150ur-1-datasheet
Виробник: Microchip Technology
Description: DIODE GEN PURP 50V 200MA DO213AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: DO-213AA
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 50 V
на замовлення 458 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+85.52 грн
100+ 76.68 грн
Мінімальне замовлення: 4
1N4150W-E3-08 1n4150w.pdf
1N4150W-E3-08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 50V 200MA SOD123
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 2.5pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SOD-123
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 50 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+2.79 грн
6000+ 2.49 грн
9000+ 2.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000
1N4150W-E3-08 1n4150w.pdf
1N4150W-E3-08
Виробник: Vishay
Diode Small Signal Switching Si 50V 0.3A 2-Pin SOD-123 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
15000+3.49 грн
Мінімальне замовлення: 15000
1N4150W-E3-08 1n4150w.pdf
1N4150W-E3-08
Виробник: Vishay
Diode Small Signal Switching Si 50V 0.3A 2-Pin SOD-123 T/R
на замовлення 2535 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2226+5.24 грн
2246+ 5.2 грн
2273+ 5.14 грн
Мінімальне замовлення: 2226
1N4150W-E3-08 VISH-S-A0004680304-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
1N4150W-E3-08
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - 1N4150W-E3-08 - Kleinsignaldiode, Einfach, 50 V, 200 mA, 1 V, 4 ns
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123
Durchlassstoßstrom: -A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: 4ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 50V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 815 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
55+13.67 грн
137+ 5.43 грн
250+ 4.07 грн
Мінімальне замовлення: 55
1N4150W-E3-08 1n4150w.pdf
1N4150W-E3-08
Виробник: Vishay
Diode Small Signal Switching Si 50V 0.3A 2-Pin SOD-123 T/R
на замовлення 2535 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
36+16.34 грн
51+ 11.34 грн
119+ 4.7 грн
250+ 4.31 грн
500+ 4.09 грн
1000+ 2.45 грн
Мінімальне замовлення: 36
1N4150W-E3-08 1n4150w.pdf
1N4150W-E3-08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 50V 200MA SOD123
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 2.5pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SOD-123
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 50 V
на замовлення 12058 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
18+16.39 грн
25+ 10.98 грн
100+ 5.35 грн
500+ 4.19 грн
1000+ 2.91 грн
Мінімальне замовлення: 18
1N4150W-E3-08 VISH-S-A0004680304-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
1N4150W-E3-08
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - 1N4150W-E3-08 - Kleinsignaldiode, Einfach, 50 V, 200 mA, 1 V, 4 ns
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123
Durchlassstoßstrom: -A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: 4ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 50V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 815 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
500+4.07 грн
Мінімальне замовлення: 500
1N4150W-E3-08 1n4150w.pdf
1N4150W-E3-08
Виробник: Vishay
Diode Small Signal Switching Si 50V 0.3A 2-Pin SOD-123 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
15000+3.76 грн
Мінімальне замовлення: 15000
1N4150W-E3-18 1n4150w.pdf
1N4150W-E3-18
Виробник: Vishay
Diode Small Signal Switching Si 50V 0.3A 2-Pin SOD-123 T/R
на замовлення 8767 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3817+3.06 грн
3857+ 3.03 грн
3907+ 2.99 грн
4452+ 2.53 грн
5173+ 2.01 грн
6148+ 1.63 грн
Мінімальне замовлення: 3817
1N4150W-E3-18 1n4150w.pdf
1N4150W-E3-18
Виробник: Vishay
Diode Small Signal Switching Si 50V 0.3A 2-Pin SOD-123 T/R
на замовлення 8767 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
57+10.3 грн
84+ 6.89 грн
85+ 6.82 грн
204+ 2.74 грн
250+ 2.51 грн
500+ 2.38 грн
1000+ 2.09 грн
3000+ 1.8 грн
6000+ 1.51 грн
Мінімальне замовлення: 57
1N4150W-E3-18 1n4150w.pdf
1N4150W-E3-18
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 50V 200MA SOD123
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 2.5pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SOD-123
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 50 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10000+2.15 грн
30000+ 2.03 грн
Мінімальне замовлення: 10000
1N4150W-E3-18 1n4150w.pdf
1N4150W-E3-18
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 50V 200MA SOD123
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 2.5pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SOD-123
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 50 V
на замовлення 48555 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
18+16.39 грн
25+ 10.98 грн
100+ 5.35 грн
500+ 4.19 грн
1000+ 2.91 грн
2000+ 2.52 грн
5000+ 2.3 грн
Мінімальне замовлення: 18
1N4150W-G3-18
1N4150W-G3-18
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 50V 200MA SOD123
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 2.5pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SOD-123
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 50 V
на замовлення 9968 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
15+19.96 грн
21+ 13.11 грн
100+ 6.4 грн
500+ 5 грн
1000+ 3.48 грн
2000+ 3.01 грн
5000+ 2.75 грн
Мінімальне замовлення: 15
1N4150W-HE3-08
1N4150W-HE3-08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 50V 200MA SOD123
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 2.5pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SOD-123
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 11705 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
16+17.82 грн
24+ 11.53 грн
100+ 5.63 грн
500+ 4.41 грн
1000+ 3.06 грн
Мінімальне замовлення: 16
1N4150W-HE3-08
1N4150W-HE3-08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 50V 200MA SOD123
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 2.5pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SOD-123
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+2.94 грн
6000+ 2.62 грн
9000+ 2.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000
1N4150W-HE3-08 1n4150w.pdf
1N4150W-HE3-08
Виробник: Vishay
Rectifier Diode Small Signal Switching Si 50V 0.2A 4ns Automotive AEC-Q101 2-Pin SOD-123 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3158+3.7 грн
Мінімальне замовлення: 3158
1N4150W-HE3-08 1n4150w.pdf
1N4150W-HE3-08
Виробник: Vishay
Rectifier Diode Small Signal Switching Si 50V 0.2A 4ns Automotive AEC-Q101 2-Pin SOD-123 T/R
на замовлення 13940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2298+5.08 грн
2319+ 5.03 грн
2341+ 4.99 грн
4630+ 2.43 грн
5209+ 2 грн
6000+ 1.71 грн
Мінімальне замовлення: 2298
1N4150W-HE3-08 1n4150w.pdf
1N4150W-HE3-08
Виробник: Vishay
Rectifier Diode Small Signal Switching Si 50V 0.2A 4ns Automotive AEC-Q101 2-Pin SOD-123 T/R
на замовлення 13940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
34+17.1 грн
52+ 11.21 грн
123+ 4.55 грн
250+ 4.17 грн
500+ 3.97 грн
1000+ 2.01 грн
3000+ 1.78 грн
6000+ 1.59 грн
Мінімальне замовлення: 34
1N4150W-HE3-08 1n4150w.pdf
1N4150W-HE3-08
Виробник: Vishay
Rectifier Diode Small Signal Switching Si 50V 0.2A 4ns Automotive AEC-Q101 2-Pin SOD-123 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1N4150W-HE3-08 1n4150w.pdf
1N4150W-HE3-08
Виробник: Vishay
Rectifier Diode Small Signal Switching Si 50V 0.2A 4ns Automotive AEC-Q101 2-Pin SOD-123 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1N4150-1 5806-1n4150-1-datasheet
Виробник: MICROSEMI
DO-35SIGNAL OR COMPUTER DIODE
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1N4150.TR
на замовлення 62500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
1N4150TR 1n4150.pdf 1N4150, FDLL4150.pdf
на замовлення 7883 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
JANTX1N4150-1 sa7-25.pdf
JANTX1N4150-1
Виробник: Microchip Technology
Rectifier Diode Switching 50V 4ns 2-Pin DO-35 Bag
на замовлення 701 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
JANTX1N4150-1 1N4150(-1)_1N3600.pdf
JANTX1N4150-1
Виробник: MACOM Technology Solutions
Description: DIODE GEN PURP 50V 300MA DO35
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 2.5pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 300mA
Supplier Device Package: DO-35
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Grade: Military
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 740 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 50 V
Qualification: MIL-PRF-19500/231
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
JANTX1N4150-1 5806-1n4150-1-datasheet
JANTX1N4150-1
Виробник: Microchip Technology
Description: DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: DO-35
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 50 V
Grade: Military
Qualification: MIL-PRF-19500/231
на замовлення 84 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+69.13 грн
Мінімальне замовлення: 5
JANTX1N4150-1 5806-1n4150-1-datasheet 1N4150(-1)_1N3600.pdf
Виробник: MICROSEMI
1N4150-1JANTX 1N4150
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
JANTX1N4150UR-1 5808-1n4150ur-1-datasheet
Виробник: MICROSEMI
1N4150UR-1JANTX 1N4150
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]