Результат пошуку "DMN63D8LDW" : 41

Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
DMN63D8LDW-13 DMN63D8LDW-13 Diodes Incorporated DMN63D8LDW.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 250mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.87nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 1900000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+2.7 грн
30000+ 2.55 грн
50000+ 2.29 грн
100000+ 1.91 грн
250000+ 1.86 грн
Мінімальне замовлення: 10000
DMN63D8LDW-13 DMN63D8LDW-13 Diodes Inc dmn63d8ldw.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 0.26A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+1.87 грн
Мінімальне замовлення: 10000
DMN63D8LDW-13 DMN63D8LDW-13 Diodes Zetex dmn63d8ldw.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 0.26A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+2.92 грн
20000+ 2.88 грн
Мінімальне замовлення: 10000
DMN63D8LDW-13 DMN63D8LDW-13 Diodes Incorporated DMN63D8LDW.pdf MOSFET 30V DUAL N-CH MOSFET
на замовлення 504546 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+22.38 грн
20+ 15.32 грн
100+ 5.46 грн
1000+ 3.26 грн
2500+ 3 грн
10000+ 2.66 грн
20000+ 2.6 грн
Мінімальне замовлення: 14
DMN63D8LDW-13 DMN63D8LDW-13 Diodes Incorporated DMN63D8LDW.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 250mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.87nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 1908326 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+20.89 грн
21+ 13.8 грн
100+ 6.72 грн
500+ 5.26 грн
1000+ 3.65 грн
2000+ 3.17 грн
5000+ 2.89 грн
Мінімальне замовлення: 14
DMN63D8LDW-13 DMN63D8LDW-13 Diodes Zetex dmn63d8ldw.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 0.26A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+2.7 грн
20000+ 2.67 грн
Мінімальне замовлення: 10000
DMN63D8LDW-13 DMN63D8LDW-13 Diodes Zetex dmn63d8ldw.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 0.26A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 1900000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+2.3 грн
Мінімальне замовлення: 10000
DMN63D8LDW-7 DMN63D8LDW-7 DIODES INCORPORATED DMN63D8LDW.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 0.17A; Idm: 0.8A; 0.4W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.17A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.4W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
на замовлення 1680 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
40+10.16 грн
100+ 3.55 грн
115+ 3.14 грн
285+ 2.84 грн
500+ 2.82 грн
780+ 2.68 грн
Мінімальне замовлення: 40
DMN63D8LDW-7 DMN63D8LDW-7 DIODES INCORPORATED DMN63D8LDW.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 0.17A; Idm: 0.8A; 0.4W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.17A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.4W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 1680 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
25+12.19 грн
60+ 4.43 грн
100+ 3.76 грн
285+ 3.4 грн
500+ 3.39 грн
780+ 3.22 грн
3000+ 3.15 грн
Мінімальне замовлення: 25
DMN63D8LDW-7 DMN63D8LDW-7 Diodes Zetex dmn63d8ldw.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 0.26A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 138000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.79 грн
6000+ 2.49 грн
12000+ 2.2 грн
18000+ 2.1 грн
30000+ 1.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMN63D8LDW-7 DMN63D8LDW-7 Diodes Zetex dmn63d8ldw.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 0.26A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 138000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3866+3.02 грн
6000+ 2.71 грн
12000+ 2.41 грн
18000+ 2.3 грн
30000+ 2.11 грн
Мінімальне замовлення: 3866
DMN63D8LDW-7 DMN63D8LDW-7 Diodes Incorporated DMN63D8LDW.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 250mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.87nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
на замовлення 5394975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+21.61 грн
20+ 13.94 грн
100+ 6.81 грн
500+ 5.33 грн
1000+ 3.7 грн
Мінімальне замовлення: 14
DMN63D8LDW-7 DMN63D8LDW-7 DIODES INC. DIOD-S-A0012915297-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN63D8LDW-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 260 mA, 260 mA, 2.8 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 260mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 260mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2.8ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 400mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.8ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 400mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 50809 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+9.56 грн
104+ 7.2 грн
155+ 4.84 грн
500+ 3.33 грн
1500+ 3.01 грн
Мінімальне замовлення: 100
DMN63D8LDW-7 DMN63D8LDW-7 Diodes Zetex dmn63d8ldw.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 0.26A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 5262000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+2.33 грн
Мінімальне замовлення: 6000
DMN63D8LDW-7 DMN63D8LDW-7 Diodes Inc dmn63d8ldw.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 0.26A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.17 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMN63D8LDW-7 DMN63D8LDW-7 Diodes Zetex dmn63d8ldw.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 0.26A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMN63D8LDW-7 DMN63D8LDW-7 Diodes Zetex dmn63d8ldw.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 0.26A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 321000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.6 грн
6000+ 2.32 грн
12000+ 2.05 грн
18000+ 1.96 грн
30000+ 1.8 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMN63D8LDW-7 DMN63D8LDW-7 Diodes Zetex dmn63d8ldw.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 0.26A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.66 грн
6000+ 2.37 грн
12000+ 2.1 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMN63D8LDW-7 DMN63D8LDW-7 Diodes Incorporated DMN63D8LDW.pdf MOSFET 30V DUAL N-CH MOSFET
на замовлення 196492 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
21+15.15 грн
29+ 10.57 грн
100+ 4.53 грн
1000+ 3.2 грн
3000+ 2.66 грн
9000+ 2.4 грн
24000+ 2.2 грн
Мінімальне замовлення: 21
DMN63D8LDW-7 DMN63D8LDW-7 Diodes Incorporated DMN63D8LDW.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 250mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.87nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
на замовлення 5394000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.55 грн
6000+ 3.17 грн
9000+ 2.63 грн
30000+ 2.42 грн
75000+ 2.18 грн
150000+ 1.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMN63D8LDW-7 DMN63D8LDW-7 DIODES INC. DIOD-S-A0012915297-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN63D8LDW-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 260 mA, 260 mA, 2.8 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 260mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 260mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2.8ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 400mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.8ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 400mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 50809 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
79+9.56 грн
104+ 7.2 грн
155+ 4.84 грн
500+ 3.33 грн
1500+ 3.01 грн
Мінімальне замовлення: 79
DMN63D8LDW-7 DMN63D8LDW-7 Diodes Zetex dmn63d8ldw.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 0.26A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 321000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4144+2.82 грн
6000+ 2.52 грн
12000+ 2.25 грн
18000+ 2.15 грн
30000+ 1.96 грн
Мінімальне замовлення: 4144
DMN63D8LDWQ-7 DMN63D8LDWQ-7 DIODES INCORPORATED DMN63D8LDW.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 0.26A; 0.3W; SOT363
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.26A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
на замовлення 6350 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
40+10.31 грн
100+ 3.61 грн
110+ 3.19 грн
270+ 2.98 грн
500+ 2.86 грн
745+ 2.81 грн
3000+ 2.71 грн
Мінімальне замовлення: 40
DMN63D8LDWQ-7 DMN63D8LDWQ-7 DIODES INCORPORATED DMN63D8LDW.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 0.26A; 0.3W; SOT363
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.26A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 6350 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
25+12.37 грн
60+ 4.5 грн
100+ 3.83 грн
270+ 3.57 грн
500+ 3.44 грн
745+ 3.37 грн
3000+ 3.25 грн
Мінімальне замовлення: 25
DMN63D8LDWQ-7 DMN63D8LDWQ-7 Diodes Incorporated DMN63D8LDWQ.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 250mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.87nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 801000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.37 грн
6000+ 3.9 грн
9000+ 3.23 грн
30000+ 2.98 грн
75000+ 2.68 грн
150000+ 2.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMN63D8LDWQ-7 DMN63D8LDWQ-7 DIODES INC. DIOD-S-A0013316323-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN63D8LDWQ-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 220 mA, 220 mA, 2.8 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 220mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 220mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2.8ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 400mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.8ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 400mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 7130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+7.99 грн
500+ 5.1 грн
1000+ 2.56 грн
5000+ 2.35 грн
Мінімальне замовлення: 100
DMN63D8LDWQ-7 DMN63D8LDWQ-7 Diodes Incorporated DMN63D8LDWQ-3103090.pdf MOSFET Dual N-Ch Enh FET 30Vdss 20Vdss 800mA
на замовлення 57752 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+28.2 грн
17+ 19.07 грн
100+ 6.73 грн
1000+ 4.73 грн
3000+ 2.66 грн
9000+ 2.33 грн
Мінімальне замовлення: 12
DMN63D8LDWQ-7 DMN63D8LDWQ-7 Diodes Zetex dmn63d8ldwq.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 0.26A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 801000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4077+2.86 грн
Мінімальне замовлення: 4077
DMN63D8LDWQ-7 DMN63D8LDWQ-7 Diodes Incorporated DMN63D8LDWQ.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 250mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.87nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Not For New Designs
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 803809 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+25.93 грн
17+ 17.13 грн
100+ 8.37 грн
500+ 6.55 грн
1000+ 4.55 грн
Мінімальне замовлення: 12
DMN63D8LDWQ-7 DMN63D8LDWQ-7 DIODES INC. DIOD-S-A0013316323-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN63D8LDWQ-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 220 mA, 220 mA, 2.8 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 220mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 220mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2.8ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 400mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.8ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 400mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 7130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+31.08 грн
36+ 20.99 грн
100+ 7.99 грн
500+ 5.1 грн
1000+ 2.56 грн
5000+ 2.35 грн
Мінімальне замовлення: 25
DMN63D8LDW Diodes Incorporated MOSFET
товар відсутній
DMN63D8LDW-13 DMN63D8LDW-13 DIODES INCORPORATED DMN63D8LDW.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 0.17A; Idm: 0.8A; 0.4W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.17A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.4W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
товар відсутній
DMN63D8LDW-7 DMN63D8LDW-7 Diodes Zetex dmn63d8ldw.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 0.26A 6-Pin SOT-363 T/R
товар відсутній
DMN63D8LDWQ-13 DMN63D8LDWQ-13 Diodes Zetex dmn63d8ldwq.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 0.26A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R
товар відсутній
DMN63D8LDWQ-7 DMN63D8LDWQ-7 Diodes Zetex dmn63d8ldwq.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 0.26A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R
товар відсутній
DMN63D8LDWQ-7 DMN63D8LDWQ-7 Diodes Zetex dmn63d8ldwq.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 0.26A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R
товар відсутній
DMN63D8LDWQ-7 DMN63D8LDWQ-7 Diodes Inc dmn63d8ldwq.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 0.26A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R
товар відсутній
DMN63D8LDW-13 DMN63D8LDW-13 DIODES INCORPORATED DMN63D8LDW.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 0.17A; Idm: 0.8A; 0.4W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.17A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.4W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
DMN63D8LDW-13 DMN63D8LDW.pdf
DMN63D8LDW-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 250mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.87nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 1900000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10000+2.7 грн
30000+ 2.55 грн
50000+ 2.29 грн
100000+ 1.91 грн
250000+ 1.86 грн
Мінімальне замовлення: 10000
DMN63D8LDW-13 dmn63d8ldw.pdf
DMN63D8LDW-13
Виробник: Diodes Inc
Trans MOSFET N-CH 30V 0.26A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10000+1.87 грн
Мінімальне замовлення: 10000
DMN63D8LDW-13 dmn63d8ldw.pdf
DMN63D8LDW-13
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 30V 0.26A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10000+2.92 грн
20000+ 2.88 грн
Мінімальне замовлення: 10000
DMN63D8LDW-13 DMN63D8LDW.pdf
DMN63D8LDW-13
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFET 30V DUAL N-CH MOSFET
на замовлення 504546 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14+22.38 грн
20+ 15.32 грн
100+ 5.46 грн
1000+ 3.26 грн
2500+ 3 грн
10000+ 2.66 грн
20000+ 2.6 грн
Мінімальне замовлення: 14
DMN63D8LDW-13 DMN63D8LDW.pdf
DMN63D8LDW-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 250mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.87nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 1908326 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14+20.89 грн
21+ 13.8 грн
100+ 6.72 грн
500+ 5.26 грн
1000+ 3.65 грн
2000+ 3.17 грн
5000+ 2.89 грн
Мінімальне замовлення: 14
DMN63D8LDW-13 dmn63d8ldw.pdf
DMN63D8LDW-13
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 30V 0.26A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10000+2.7 грн
20000+ 2.67 грн
Мінімальне замовлення: 10000
DMN63D8LDW-13 dmn63d8ldw.pdf
DMN63D8LDW-13
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 30V 0.26A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 1900000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10000+2.3 грн
Мінімальне замовлення: 10000
DMN63D8LDW-7 DMN63D8LDW.pdf
DMN63D8LDW-7
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 0.17A; Idm: 0.8A; 0.4W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.17A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.4W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
на замовлення 1680 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
40+10.16 грн
100+ 3.55 грн
115+ 3.14 грн
285+ 2.84 грн
500+ 2.82 грн
780+ 2.68 грн
Мінімальне замовлення: 40
DMN63D8LDW-7 DMN63D8LDW.pdf
DMN63D8LDW-7
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 0.17A; Idm: 0.8A; 0.4W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.17A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.4W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 1680 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
25+12.19 грн
60+ 4.43 грн
100+ 3.76 грн
285+ 3.4 грн
500+ 3.39 грн
780+ 3.22 грн
3000+ 3.15 грн
Мінімальне замовлення: 25
DMN63D8LDW-7 dmn63d8ldw.pdf
DMN63D8LDW-7
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 30V 0.26A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 138000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+2.79 грн
6000+ 2.49 грн
12000+ 2.2 грн
18000+ 2.1 грн
30000+ 1.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMN63D8LDW-7 dmn63d8ldw.pdf
DMN63D8LDW-7
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 30V 0.26A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 138000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3866+3.02 грн
6000+ 2.71 грн
12000+ 2.41 грн
18000+ 2.3 грн
30000+ 2.11 грн
Мінімальне замовлення: 3866
DMN63D8LDW-7 DMN63D8LDW.pdf
DMN63D8LDW-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 250mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.87nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
на замовлення 5394975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14+21.61 грн
20+ 13.94 грн
100+ 6.81 грн
500+ 5.33 грн
1000+ 3.7 грн
Мінімальне замовлення: 14
DMN63D8LDW-7 DIOD-S-A0012915297-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMN63D8LDW-7
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN63D8LDW-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 260 mA, 260 mA, 2.8 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 260mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 260mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2.8ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 400mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.8ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 400mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 50809 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+9.56 грн
104+ 7.2 грн
155+ 4.84 грн
500+ 3.33 грн
1500+ 3.01 грн
Мінімальне замовлення: 100
DMN63D8LDW-7 dmn63d8ldw.pdf
DMN63D8LDW-7
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 30V 0.26A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 5262000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6000+2.33 грн
Мінімальне замовлення: 6000
DMN63D8LDW-7 dmn63d8ldw.pdf
DMN63D8LDW-7
Виробник: Diodes Inc
Trans MOSFET N-CH 30V 0.26A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+2.17 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMN63D8LDW-7 dmn63d8ldw.pdf
DMN63D8LDW-7
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 30V 0.26A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+4.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMN63D8LDW-7 dmn63d8ldw.pdf
DMN63D8LDW-7
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 30V 0.26A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 321000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+2.6 грн
6000+ 2.32 грн
12000+ 2.05 грн
18000+ 1.96 грн
30000+ 1.8 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMN63D8LDW-7 dmn63d8ldw.pdf
DMN63D8LDW-7
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 30V 0.26A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+2.66 грн
6000+ 2.37 грн
12000+ 2.1 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMN63D8LDW-7 DMN63D8LDW.pdf
DMN63D8LDW-7
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFET 30V DUAL N-CH MOSFET
на замовлення 196492 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
21+15.15 грн
29+ 10.57 грн
100+ 4.53 грн
1000+ 3.2 грн
3000+ 2.66 грн
9000+ 2.4 грн
24000+ 2.2 грн
Мінімальне замовлення: 21
DMN63D8LDW-7 DMN63D8LDW.pdf
DMN63D8LDW-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 250mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.87nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
на замовлення 5394000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+3.55 грн
6000+ 3.17 грн
9000+ 2.63 грн
30000+ 2.42 грн
75000+ 2.18 грн
150000+ 1.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMN63D8LDW-7 DIOD-S-A0012915297-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMN63D8LDW-7
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN63D8LDW-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 260 mA, 260 mA, 2.8 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 260mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 260mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2.8ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 400mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.8ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 400mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 50809 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
79+9.56 грн
104+ 7.2 грн
155+ 4.84 грн
500+ 3.33 грн
1500+ 3.01 грн
Мінімальне замовлення: 79
DMN63D8LDW-7 dmn63d8ldw.pdf
DMN63D8LDW-7
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 30V 0.26A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 321000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4144+2.82 грн
6000+ 2.52 грн
12000+ 2.25 грн
18000+ 2.15 грн
30000+ 1.96 грн
Мінімальне замовлення: 4144
DMN63D8LDWQ-7 DMN63D8LDW.pdf
DMN63D8LDWQ-7
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 0.26A; 0.3W; SOT363
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.26A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
на замовлення 6350 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
40+10.31 грн
100+ 3.61 грн
110+ 3.19 грн
270+ 2.98 грн
500+ 2.86 грн
745+ 2.81 грн
3000+ 2.71 грн
Мінімальне замовлення: 40
DMN63D8LDWQ-7 DMN63D8LDW.pdf
DMN63D8LDWQ-7
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 0.26A; 0.3W; SOT363
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.26A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 6350 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
25+12.37 грн
60+ 4.5 грн
100+ 3.83 грн
270+ 3.57 грн
500+ 3.44 грн
745+ 3.37 грн
3000+ 3.25 грн
Мінімальне замовлення: 25
DMN63D8LDWQ-7 DMN63D8LDWQ.pdf
DMN63D8LDWQ-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 250mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.87nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 801000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+4.37 грн
6000+ 3.9 грн
9000+ 3.23 грн
30000+ 2.98 грн
75000+ 2.68 грн
150000+ 2.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMN63D8LDWQ-7 DIOD-S-A0013316323-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMN63D8LDWQ-7
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN63D8LDWQ-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 220 mA, 220 mA, 2.8 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 220mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 220mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2.8ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 400mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.8ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 400mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 7130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+7.99 грн
500+ 5.1 грн
1000+ 2.56 грн
5000+ 2.35 грн
Мінімальне замовлення: 100
DMN63D8LDWQ-7 DMN63D8LDWQ-3103090.pdf
DMN63D8LDWQ-7
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFET Dual N-Ch Enh FET 30Vdss 20Vdss 800mA
на замовлення 57752 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+28.2 грн
17+ 19.07 грн
100+ 6.73 грн
1000+ 4.73 грн
3000+ 2.66 грн
9000+ 2.33 грн
Мінімальне замовлення: 12
DMN63D8LDWQ-7 dmn63d8ldwq.pdf
DMN63D8LDWQ-7
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 30V 0.26A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 801000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4077+2.86 грн
Мінімальне замовлення: 4077
DMN63D8LDWQ-7 DMN63D8LDWQ.pdf
DMN63D8LDWQ-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 250mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.87nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Not For New Designs
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 803809 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+25.93 грн
17+ 17.13 грн
100+ 8.37 грн
500+ 6.55 грн
1000+ 4.55 грн
Мінімальне замовлення: 12
DMN63D8LDWQ-7 DIOD-S-A0013316323-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMN63D8LDWQ-7
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN63D8LDWQ-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 220 mA, 220 mA, 2.8 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 220mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 220mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2.8ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 400mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.8ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 400mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 7130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
25+31.08 грн
36+ 20.99 грн
100+ 7.99 грн
500+ 5.1 грн
1000+ 2.56 грн
5000+ 2.35 грн
Мінімальне замовлення: 25
DMN63D8LDW
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFET
товар відсутній
DMN63D8LDW-13 DMN63D8LDW.pdf
DMN63D8LDW-13
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 0.17A; Idm: 0.8A; 0.4W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.17A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.4W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
товар відсутній
DMN63D8LDW-7 dmn63d8ldw.pdf
DMN63D8LDW-7
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 30V 0.26A 6-Pin SOT-363 T/R
товар відсутній
DMN63D8LDWQ-13 dmn63d8ldwq.pdf
DMN63D8LDWQ-13
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 30V 0.26A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R
товар відсутній
DMN63D8LDWQ-7 dmn63d8ldwq.pdf
DMN63D8LDWQ-7
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 30V 0.26A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R
товар відсутній
DMN63D8LDWQ-7 dmn63d8ldwq.pdf
DMN63D8LDWQ-7
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 30V 0.26A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R
товар відсутній
DMN63D8LDWQ-7 dmn63d8ldwq.pdf
DMN63D8LDWQ-7
Виробник: Diodes Inc
Trans MOSFET N-CH 30V 0.26A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R
товар відсутній
DMN63D8LDW-13 DMN63D8LDW.pdf
DMN63D8LDW-13
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 0.17A; Idm: 0.8A; 0.4W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.17A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.4W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній