Результат пошуку "IHW30N160" : 17

Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
IHW30N160R5 IHW30N160R5 Infineon Technologies infineon-ihw30n160r5-datasheet-v01_01-en.pdf Reverse Conducting IGBT With Monolithic Body Diode
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+456.34 грн
27+ 436.73 грн
50+ 420.09 грн
100+ 391.34 грн
Мінімальне замовлення: 26
IHW30N160R5XKSA1 IHW30N160R5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IHW30N160R5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.6kV; 39A; 131.5W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 1.6kV
Collector current: 39A
Power dissipation: 131.5W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 90A
Mounting: THT
Gate charge: 205nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 411ns
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+440.01 грн
3+ 281.64 грн
8+ 265.68 грн
IHW30N160R5XKSA1 IHW30N160R5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IHW30N160R5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.6kV; 39A; 131.5W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 1.6kV
Collector current: 39A
Power dissipation: 131.5W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 90A
Mounting: THT
Gate charge: 205nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 411ns
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 22 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+528.01 грн
3+ 350.96 грн
8+ 318.82 грн
IHW30N160R5XKSA1 IHW30N160R5XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IHW30N160R5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462677d0f460167ac8d680e1923 Description: IGBT 1600V 60A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Td (on/off) @ 25°C: -/290ns
Switching Energy: -, 350µJ (off)
Test Condition: 600V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 205 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 263 W
на замовлення 2986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+324.88 грн
30+ 247.88 грн
120+ 212.46 грн
510+ 177.24 грн
1020+ 151.76 грн
2010+ 142.9 грн
IHW30N160R5XKSA1 IHW30N160R5XKSA1 Infineon Technologies infineon-ihw30n160r5-datasheet-v01_01-en.pdf Reverse Conducting IGBT With Monolithic Body Diode
на замовлення 4503 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+394.9 грн
35+ 333.62 грн
50+ 253.86 грн
100+ 243.86 грн
200+ 212.77 грн
960+ 180.08 грн
1920+ 168.41 грн
Мінімальне замовлення: 30
IHW30N160R5XKSA1 Infineon Infineon-IHW30N160R5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462677d0f460167ac8d680e1923 Reverse Conducting IGBT With Monolithic Body Diode IHW30N160R5XKSA1 IHW30N160R5 TIHW30n160r5
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
2+312.78 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW30N160R5XKSA1; Reverse conducting IGBT+диод; 39A; 1600V; 131,5W; Корпус: TO-247; Infineon
на замовлення 17 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
3+326.81 грн
Мінімальне замовлення: 3
IHW30N160R2 IHW30N160R2
Код товару: 53306 		Транзистори > IGBT
товар відсутній
IHW30N160R5XKSA1
Код товару: 180199 		Infineon-IHW30N160R5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462677d0f460167ac8d680e1923 Транзистори > IGBT
товар відсутній
IHW30N160R2FKSA1 IHW30N160R2FKSA1 Infineon Technologies infineon-ihw30n160r2-ds-v02_01-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1600V 60A 312000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IHW30N160R2FKSA1 IHW30N160R2FKSA1 Infineon Technologies IHW30N160R2_Rev2_1G.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b428c03e3e69 Description: IGBT 1600V 60A 312W TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: NPT, Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: -/525ns
Switching Energy: 4.37mJ
Test Condition: 600V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 94 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 312 W
товар відсутній
IHW30N160R5FKSA1 Infineon Technologies IHW30N160R5FKSA1
товар відсутній
IHW30N160R5FKSA1 Infineon Technologies IHW30N160R5FKSA1
товар відсутній
IHW30N160R5XKSA1 IHW30N160R5XKSA1 Infineon Technologies infineon-ihw30n160r5-datasheet-v01_01-en.pdf Reverse Conducting IGBT With Monolithic Body Diode
товар відсутній
IHW30N160R5XKSA1 IHW30N160R5XKSA1 Infineon Technologies infineon-ihw30n160r5-datasheet-v01_01-en.pdf Reverse Conducting IGBT With Monolithic Body Diode
товар відсутній
IHW30N160R5XKSA1 IHW30N160R5XKSA1 Infineon Technologies infineon-ihw30n160r5-datasheet-v01_01-en.pdf Reverse Conducting IGBT With Monolithic Body Diode
товар відсутній
IHW30N160R5 infineon-ihw30n160r5-datasheet-v01_01-en.pdf
IHW30N160R5
Виробник: Infineon Technologies
Reverse Conducting IGBT With Monolithic Body Diode
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
26+456.34 грн
27+ 436.73 грн
50+ 420.09 грн
100+ 391.34 грн
Мінімальне замовлення: 26
IHW30N160R5XKSA1 IHW30N160R5.pdf
IHW30N160R5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.6kV; 39A; 131.5W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 1.6kV
Collector current: 39A
Power dissipation: 131.5W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 90A
Mounting: THT
Gate charge: 205nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 411ns
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+440.01 грн
3+ 281.64 грн
8+ 265.68 грн
IHW30N160R5XKSA1 IHW30N160R5.pdf
IHW30N160R5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.6kV; 39A; 131.5W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 1.6kV
Collector current: 39A
Power dissipation: 131.5W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 90A
Mounting: THT
Gate charge: 205nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 411ns
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 22 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+528.01 грн
3+ 350.96 грн
8+ 318.82 грн
IHW30N160R5XKSA1 Infineon-IHW30N160R5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462677d0f460167ac8d680e1923
IHW30N160R5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT 1600V 60A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Td (on/off) @ 25°C: -/290ns
Switching Energy: -, 350µJ (off)
Test Condition: 600V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 205 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 263 W
на замовлення 2986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+324.88 грн
30+ 247.88 грн
120+ 212.46 грн
510+ 177.24 грн
1020+ 151.76 грн
2010+ 142.9 грн
IHW30N160R5XKSA1 infineon-ihw30n160r5-datasheet-v01_01-en.pdf
IHW30N160R5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Reverse Conducting IGBT With Monolithic Body Diode
на замовлення 4503 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
30+394.9 грн
35+ 333.62 грн
50+ 253.86 грн
100+ 243.86 грн
200+ 212.77 грн
960+ 180.08 грн
1920+ 168.41 грн
Мінімальне замовлення: 30
IHW30N160R5XKSA1 Infineon-IHW30N160R5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462677d0f460167ac8d680e1923
Виробник: Infineon
Reverse Conducting IGBT With Monolithic Body Diode IHW30N160R5XKSA1 IHW30N160R5 TIHW30n160r5
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+312.78 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW30N160R5XKSA1; Reverse conducting IGBT+диод; 39A; 1600V; 131,5W; Корпус: TO-247; Infineon
на замовлення 17 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+326.81 грн
Мінімальне замовлення: 3
IHW30N160R2
Код товару: 53306
IHW30N160R2
Транзистори > IGBT
товар відсутній
IHW30N160R5XKSA1
Код товару: 180199		 Infineon-IHW30N160R5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462677d0f460167ac8d680e1923
Транзистори > IGBT
товар відсутній
IHW30N160R2FKSA1 infineon-ihw30n160r2-ds-v02_01-en.pdf
IHW30N160R2FKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 1600V 60A 312000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IHW30N160R2FKSA1 IHW30N160R2_Rev2_1G.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b428c03e3e69
IHW30N160R2FKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT 1600V 60A 312W TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: NPT, Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: -/525ns
Switching Energy: 4.37mJ
Test Condition: 600V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 94 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 312 W
товар відсутній
IHW30N160R5FKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IHW30N160R5FKSA1
товар відсутній
IHW30N160R5FKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IHW30N160R5FKSA1
товар відсутній
IHW30N160R5XKSA1 infineon-ihw30n160r5-datasheet-v01_01-en.pdf
IHW30N160R5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Reverse Conducting IGBT With Monolithic Body Diode
товар відсутній
IHW30N160R5XKSA1 infineon-ihw30n160r5-datasheet-v01_01-en.pdf
IHW30N160R5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Reverse Conducting IGBT With Monolithic Body Diode
товар відсутній
IHW30N160R5XKSA1 infineon-ihw30n160r5-datasheet-v01_01-en.pdf
IHW30N160R5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Reverse Conducting IGBT With Monolithic Body Diode
товар відсутній