Інші пропозиції IHW30N160R5XKSA1 за ціною від 123.64 грн до 452.25 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IHW30N160R5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 71 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IHW30N160R5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1918 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IHW30N160R5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1680 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IHW30N160R5XKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: IGBT; 1.6kV; 39A; 131.5W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 1.6kV Collector current: 39A Power dissipation: 131.5W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 90A Mounting: THT Gate charge: 205nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT) Turn-off time: 411ns Technology: TRENCHSTOP™ |
на замовлення 47 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IHW30N160R5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 30A Supplier Device Package: PG-TO247-3 Td (on/off) @ 25°C: -/290ns Switching Energy: -, 350µJ (off) Test Condition: 600V, 30A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 205 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 60 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A Power - Max: 263 W |
на замовлення 3231 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IHW30N160R5XKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: IGBT; 1.6kV; 39A; 131.5W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 1.6kV Collector current: 39A Power dissipation: 131.5W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 90A Mounting: THT Gate charge: 205nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT) Turn-off time: 411ns Technology: TRENCHSTOP™ кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 47 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IHW30N160R5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 3876 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IHW30N160R5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1096 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IHW30N160R5XKSA1 | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 263W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.6kV productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 8921 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IHW30N160R5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 3145 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
IHW30N160R5XKSA1 | Виробник : Infineon |
![]() |
на замовлення 30 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||
![]() |
IHW30N160R5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |