Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IHW30N160R5XKSA1
IHW30N160R5XKSA1

IHW30N160R5XKSA1 Infineon Technologies

infineonihw30n160r5datasheetv0101en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 1600V 60A 263W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 4320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
240+171.06 грн
480+136.08 грн
Мінімальне замовлення: 240
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IHW30N160R5XKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IHW30N160R5XKSA1 - IGBT, 60 A, 1.85 V, 263 W, 1.6 kV, TO-247, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 263W, Bauform - Transistor: TO-247, Dauerkollektorstrom: 60A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.6kV, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IHW30N160R5XKSA1 за ціною від 104.77 грн до 433.81 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IHW30N160R5XKSA1 IHW30N160R5XKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineonihw30n160r5datasheetv0101en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1600V 60A 263W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 4320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
240+183.28 грн
480+145.80 грн
Мінімальне замовлення: 240
В кошику  од. на суму  грн.
IHW30N160R5XKSA1 IHW30N160R5XKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ihw30n160r5-datasheet-v01_01-en.pdf Reverse Conducting IGBT With Monolithic Body Diode
на замовлення 71 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+184.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IHW30N160R5XKSA1 IHW30N160R5XKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineonihw30n160r5datasheetv0101en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1600V 60A 263W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 2106 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
44+283.23 грн
46+271.06 грн
50+260.74 грн
100+242.89 грн
250+218.08 грн
500+203.66 грн
1000+198.67 грн
Мінімальне замовлення: 44
В кошику  од. на суму  грн.
IHW30N160R5XKSA1 IHW30N160R5XKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ihw30n160r5-datasheet-en.pdf Description: IGBT 1600V 60A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Td (on/off) @ 25°C: -/290ns
Switching Energy: -, 350µJ (off)
Test Condition: 600V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 205 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 263 W
на замовлення 1607 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+323.11 грн
30+172.65 грн
120+142.15 грн
510+112.42 грн
1020+104.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IHW30N160R5XKSA1 IHW30N160R5XKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineonihw30n160r5datasheetv0101en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1600V 60A 263W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
36+344.10 грн
62+199.31 грн
66+188.33 грн
76+156.43 грн
100+143.38 грн
480+118.08 грн
Мінімальне замовлення: 36
В кошику  од. на суму  грн.
IHW30N160R5XKSA1 IHW30N160R5XKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IHW30N160R5-DataSheet-v01_01-EN.pdf IGBTs HOME APPLIANCES 14
на замовлення 2804 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+349.37 грн
10+191.42 грн
100+137.57 грн
480+110.97 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IHW30N160R5XKSA1 IHW30N160R5XKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990FA46CB7F2218BF&compId=IHW30N160R5.pdf?ci_sign=f142f1feb3d530f98974a0719171f909d530cf4d Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.6kV; 39A; 131.5W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.6kV
Collector current: 39A
Power dissipation: 131.5W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 90A
Mounting: THT
Gate charge: 205nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Turn-off time: 411ns
Technology: TRENCHSTOP™
на замовлення 160 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+361.51 грн
5+228.81 грн
12+216.14 грн
30+208.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IHW30N160R5XKSA1 IHW30N160R5XKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineonihw30n160r5datasheetv0101en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1600V 60A 263W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 802 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+365.42 грн
10+211.66 грн
25+200.00 грн
50+166.12 грн
100+152.26 грн
480+125.39 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IHW30N160R5XKSA1 IHW30N160R5XKSA1 Виробник : INFINEON INFN-S-A0014934680-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IHW30N160R5XKSA1 - IGBT, 60 A, 1.85 V, 263 W, 1.6 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 263W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 60A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.6kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5273 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+389.65 грн
10+217.42 грн
100+178.20 грн
500+152.80 грн
1000+128.62 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IHW30N160R5XKSA1 IHW30N160R5XKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990FA46CB7F2218BF&compId=IHW30N160R5.pdf?ci_sign=f142f1feb3d530f98974a0719171f909d530cf4d Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.6kV; 39A; 131.5W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.6kV
Collector current: 39A
Power dissipation: 131.5W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 90A
Mounting: THT
Gate charge: 205nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Turn-off time: 411ns
Technology: TRENCHSTOP™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 160 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+433.81 грн
5+285.13 грн
12+259.37 грн
30+249.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IHW30N160R5XKSA1 Виробник : Infineon infineon-ihw30n160r5-datasheet-en.pdf Reverse Conducting IGBT With Monolithic Body Diode IHW30N160R5XKSA1; IHW30N160R5; IHW30N160R5XKSA1 TIHW30n160r5
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 19 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+201.60 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IHW30N160R5XKSA1
Код товару: 180199
Додати до обраних Обраний товар

infineon-ihw30n160r5-datasheet-en.pdf Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IHW30N160R5XKSA1 IHW30N160R5XKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineonihw30n160r5datasheetv0101en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1600V 60A 263W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.