IHW30N160R5XKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 4320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 240+ | 176.37 грн |
| 480+ | 140.30 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IHW30N160R5XKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IHW30N160R5XKSA1 - IGBT, 60 A, 1.85 V, 263 W, 1.6 kV, TO-247, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 263W, Bauform - Transistor: TO-247, Dauerkollektorstrom: 60A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.6kV, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IHW30N160R5XKSA1 за ціною від 106.82 грн до 427.98 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IHW30N160R5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans IGBT Chip N-CH 1600V 60A 263W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 4320 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IHW30N160R5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Reverse Conducting IGBT With Monolithic Body Diode |
на замовлення 71 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IHW30N160R5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IGBT 1600V 60A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 30A Supplier Device Package: PG-TO247-3 Td (on/off) @ 25°C: -/290ns Switching Energy: -, 350µJ (off) Test Condition: 600V, 30A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 205 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 60 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A Power - Max: 263 W |
на замовлення 2662 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IHW30N160R5XKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.6kV; 39A; 131.5W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 1.6kV Collector current: 39A Power dissipation: 131.5W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 90A Mounting: THT Gate charge: 205nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT) Turn-off time: 411ns Technology: TRENCHSTOP™ |
на замовлення 214 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IHW30N160R5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
IGBTs HOME APPLIANCES 14 |
на замовлення 2278 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IHW30N160R5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 1600V 60A 263W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 2931 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IHW30N160R5XKSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IHW30N160R5XKSA1 - IGBT, 60 A, 1.85 V, 263 W, 1.6 kV, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 263W Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 60A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.6kV productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 4079 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IHW30N160R5XKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.6kV; 39A; 131.5W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 1.6kV Collector current: 39A Power dissipation: 131.5W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 90A Mounting: THT Gate charge: 205nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT) Turn-off time: 411ns Technology: TRENCHSTOP™ кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 214 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IHW30N160R5XKSA1 | Виробник : Infineon |
Reverse Conducting IGBT With Monolithic Body Diode IHW30N160R5XKSA1; IHW30N160R5; IHW30N160R5XKSA1 TIHW30n160r5 кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 30 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
IHW30N160R5XKSA1 Код товару: 180199
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > IGBT |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||
|
|
IHW30N160R5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 1600V 60A 263W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |