Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IHW30N160R5XKSA1
IHW30N160R5XKSA1

IHW30N160R5XKSA1 Infineon Technologies

infineonihw30n160r5datasheetv0101en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 1600V 60A 263W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 4320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
240+168.21 грн
480+142.12 грн
720+133.73 грн
Мінімальне замовлення: 240
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IHW30N160R5XKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IHW30N160R5XKSA1 - IGBT, 60 A, 1.85 V, 263 W, 1.6 kV, TO-247, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 263W, Bauform - Transistor: TO-247, Dauerkollektorstrom: 60A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.6kV, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IHW30N160R5XKSA1 за ціною від 103.19 грн до 440.23 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IHW30N160R5XKSA1 IHW30N160R5XKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineonihw30n160r5datasheetv0101en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1600V 60A 263W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 4320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
240+180.22 грн
480+152.28 грн
720+143.36 грн
Мінімальне замовлення: 240
В кошику  од. на суму  грн.
IHW30N160R5XKSA1 IHW30N160R5XKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ihw30n160r5-datasheet-v01_01-en.pdf Reverse Conducting IGBT With Monolithic Body Diode
на замовлення 71 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+183.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IHW30N160R5XKSA1 IHW30N160R5XKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineonihw30n160r5datasheetv0101en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1600V 60A 263W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 2106 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
44+278.50 грн
46+266.53 грн
50+256.38 грн
100+238.84 грн
250+214.43 грн
500+200.26 грн
1000+195.36 грн
Мінімальне замовлення: 44
В кошику  од. на суму  грн.
IHW30N160R5XKSA1 IHW30N160R5XKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ihw30n160r5-datasheet-en.pdf Description: IGBT 1600V 60A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Td (on/off) @ 25°C: -/290ns
Switching Energy: -, 350µJ (off)
Test Condition: 600V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 205 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 263 W
на замовлення 2691 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+321.45 грн
30+172.00 грн
120+141.64 грн
510+112.02 грн
1020+104.39 грн
2010+103.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IHW30N160R5XKSA1 IHW30N160R5XKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IHW30N160R5-DataSheet-v01_01-EN.pdf IGBTs HOME APPLIANCES 14
на замовлення 3975 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+347.57 грн
10+190.43 грн
100+136.86 грн
480+110.40 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IHW30N160R5XKSA1 IHW30N160R5XKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990FA46CB7F2218BF&compId=IHW30N160R5.pdf?ci_sign=f142f1feb3d530f98974a0719171f909d530cf4d Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.6kV; 39A; 131.5W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.6kV
Collector current: 39A
Power dissipation: 131.5W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 90A
Mounting: THT
Gate charge: 205nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Turn-off time: 411ns
Technology: TRENCHSTOP™
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+359.65 грн
5+227.63 грн
12+215.03 грн
30+207.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IHW30N160R5XKSA1 IHW30N160R5XKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineonihw30n160r5datasheetv0101en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1600V 60A 263W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 2931 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
33+367.42 грн
50+242.26 грн
100+197.03 грн
200+175.98 грн
960+152.85 грн
1920+146.05 грн
Мінімальне замовлення: 33
В кошику  од. на суму  грн.
IHW30N160R5XKSA1 IHW30N160R5XKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineonihw30n160r5datasheetv0101en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1600V 60A 263W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 952 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+395.77 грн
10+264.15 грн
25+223.83 грн
50+213.68 грн
100+165.11 грн
480+133.84 грн
720+124.20 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IHW30N160R5XKSA1 IHW30N160R5XKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE990FA46CB7F2218BF&compId=IHW30N160R5.pdf?ci_sign=f142f1feb3d530f98974a0719171f909d530cf4d Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.6kV; 39A; 131.5W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.6kV
Collector current: 39A
Power dissipation: 131.5W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 90A
Mounting: THT
Gate charge: 205nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Turn-off time: 411ns
Technology: TRENCHSTOP™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 210 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+431.58 грн
5+283.66 грн
12+258.03 грн
30+248.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IHW30N160R5XKSA1 IHW30N160R5XKSA1 Виробник : INFINEON INFN-S-A0014934680-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IHW30N160R5XKSA1 - IGBT, 60 A, 1.85 V, 263 W, 1.6 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 263W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 60A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.6kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7642 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+440.23 грн
10+439.39 грн
100+204.42 грн
500+151.23 грн
1000+136.69 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IHW30N160R5XKSA1 Виробник : Infineon infineon-ihw30n160r5-datasheet-en.pdf Reverse Conducting IGBT With Monolithic Body Diode IHW30N160R5XKSA1; IHW30N160R5; IHW30N160R5XKSA1 TIHW30n160r5
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 9 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+198.23 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IHW30N160R5XKSA1 Виробник : Infineon infineon-ihw30n160r5-datasheet-en.pdf Reverse Conducting IGBT With Monolithic Body Diode IHW30N160R5XKSA1; IHW30N160R5; IHW30N160R5XKSA1 TIHW30n160r5
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+198.23 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IHW30N160R5XKSA1
Код товару: 180199
Додати до обраних Обраний товар

infineon-ihw30n160r5-datasheet-en.pdf Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IHW30N160R5XKSA1 IHW30N160R5XKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineonihw30n160r5datasheetv0101en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1600V 60A 263W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.