Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-126

Виробник: ST
Транзистори > Біполярні PNP
Корпус: TO-225
Uке, В: 45 V
Uкб, В: 45 V
Iк, А: 1,5 A

Виробник: NXP
Транзистори > Біполярні PNP
Корпус: TO-225
fT: 160 MHz
Uке, В: 45 V
Uкб, В: 45 V
Iк, А: 1,5 A

Транзистори > Біполярні PNP
Корпус: TO-126
Uке, В: 45 V
Uкб, В: 45 V
Iк, А: 1,5 A
h21,max: 250

Виробник: ST
Транзистори > Біполярні PNP
Корпус: TO-126
fT: 160 MHz
Uке, В: 45 V
Uкб, В: 45 V
Iк, А: 1,5 A
h21,max: 250

Виробник: NXP
Транзистори > Біполярні PNP
Корпус: TO-126
fT: 160 MHz
Uке, В: 60 V
Uкб, В: 60 V
Iк, А: 1,5 A
h21,max: 250

Виробник: CDIL
Транзистори > Біполярні PNP
Корпус: TO-126
Uке, В: 60 V
Uкб, В: 100 V
Iк, А: 1,5 A
h21,max: 250

Виробник: CJ
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-126
fT: 190 MHz
Uceo,V: 80 V
Ucbo,V: 80 V
Ic,A: 1,5 A
h21: 250
Монтаж: THT

Виробник: ST
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-126
fT: 190 MHz
Uceo,V: 80 V
Ucbo,V: 80 V
Ic,A: 1,5 A
h21: 250

Виробник: ST/CDIL
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-126
Uceo,V: 80 V
Ucbo,V: 80 V
Ic,A: 1,5 A
Монтаж: THT

Виробник: CDIL
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: SOT-32
Uceo,V: 80 V
Ucbo,V: 80 V
Ic,A: 1,5 A

Виробник: Hitano
Керамічні конденсатори вивідні > Високовольтні керамічні конденсатори
Ємність: 10 nF
Номін.напруга: 4k V
ТКЕ: Z5V
Точність: ±20% M
Габарити: D<=13,5 mm
Part Number: KE3G103M-L016BD13.5

Виробник: Hitano
Керамічні конденсатори вивідні > Високовольтні керамічні конденсатори
Ємність: 10 nF
Номін.напруга: 4k V
ТКЕ: Z5V
Точність: ±20% M
Габарити: D<=13,5 mm
Part Number: KV4K0103M-L016BD13.5

Виробник: Hitano
Керамічні конденсатори вивідні > Високовольтні керамічні конденсатори
Ємність: 3,3 nF
Номін.напруга: 2k V
ТКЕ: Y5P
Точність: ±10% K
Габарити: D<=13 mm
Part Number: KP2K0332K-L516BD13

Виробник: Hitano
Керамічні конденсатори вивідні > Високовольтні керамічні конденсатори
Ємність: 4,7 nF
Номін.напруга: 3k V
ТКЕ: Z5U
Точність: ±20% M
Габарити: D<=10,8 mm
Part Number: KE3F472M-L016B

Виробник: Hitano
Керамічні конденсатори вивідні > Високовольтні керамічні конденсатори
Ємність: 4,7 nF
Номін.напруга: 4k V
ТКЕ: Z5V
Точність: ±20% M
Габарити: D<=13 mm
Part Number: KF3G472M-L016BD13

Виробник: Hitano
Керамічні конденсатори вивідні > Високовольтні керамічні конденсатори
Ємність: 4,7 nF
Номін.напруга: 5k V
ТКЕ: Z5V
Точність: ±20% M
Габарити: D<=13,5 mm
Part Number: KF3H472M-L016BD13,5

Виробник: ST
Мікросхеми > Стабілізатори напруги лінійні
Корпус: SO-8
Uin, V: 30 V
Uout,V: 5 V
Iout,A: 0,1 A
Udrop, V: 1,7 V
Тип виходу: Фіксований
Темп.діапазон: -40...125°C

Виробник: ST
Мікросхеми > Стабілізатори напруги лінійні
Корпус: SO-8
Uin, V: 30 V
Uout,V: 6 V
Iout,A: 0,1 A
Udrop, V: 1,7 V
Тип виходу: Фіксований
Темп.діапазон: -40...125°C

Виробник: ST
Мікросхеми > Стабілізатори напруги лінійні
Корпус: SO-8
Uin, V: 30 V
Uout,V: 8 V
Iout,A: 0,1 A
Udrop, V: 1,7 V
Тип виходу: Фіксований
Темп.діапазон: -40...125°C

Виробник: ST
Мікросхеми > Стабілізатори напруги лінійні
Корпус: SO-8
Uin, V: 30 V
Uout,V: 9 V
Iout,A: 0,1 A
Тип виходу: Фіксований

Виробник: DELUXE
Description: DELUXE - BD13 - FIBREGLASS CLOTH, 1.5OZ, 1X1M
tariffCode: 63061200
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
Produktpalette: Deluxe - Fibreglass Cloth
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

Виробник: MULTICOMP PRO
Description: MULTICOMP PRO - BD131 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 3 A, 15 W, TO-126, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-126
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro Bipolar Transistor NPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 60MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

Виробник: MULTICOMP PRO
Description: MULTICOMP PRO - BD132 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 3 A, 15 W, TO-126, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-126
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro Bipolar Transistor PNP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 60MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC OPAMP GP 1 CIRCUIT 5SSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Mounting Type: Surface Mount
Amplifier Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Current - Supply: 130µA
Slew Rate: 1V/µs
Gain Bandwidth Product: 3 MHz
Current - Input Bias: 15 nA
Voltage - Input Offset: 100 µV
Supplier Device Package: 5-SSOP
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
Current - Output / Channel: 60 mA
Voltage - Supply Span (Min): 2.7 V
Voltage - Supply Span (Max): 5.5 V

Виробник: Rohm Semiconductor
Op Amp Single Low Power Amplifier R-R O/P ±2.75V/5.5V 5-Pin SSOP T/R

Виробник: Rohm Semiconductor
Op Amp Single Low Power Amplifier R-R O/P ±2.75V/5.5V 5-Pin SSOP T/R

Виробник: ROHM Semiconductor
Operational Amplifiers - Op Amps Low Power Ground Sense Operational Amplifier

Виробник: Klein Tools
Screwdrivers, Nut Drivers & Socket Drivers Profilated #3 Phillips Screwdriver 6-Inch

Виробник: Klein Tools
Profilated Phillips-Tip ScrewDrivers - Round-Shanks

Виробник: STMicroelectronics
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 1.5A; 12.5W; SOT32
Type of transistor: NPN
Mounting: THT
Case: SOT32
Kind of package: tube
Frequency: 50MHz
Power dissipation: 12.5W
Collector-emitter voltage: 45V
Current gain: 25...250
Collector current: 1.5A
Polarisation: bipolar

Виробник: STMicroelectronics
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 1.5A; 12.5W; SOT32
Type of transistor: NPN
Mounting: THT
Case: SOT32
Kind of package: tube
Frequency: 50MHz
Power dissipation: 12.5W
Collector-emitter voltage: 45V
Current gain: 25...250
Collector current: 1.5A
Polarisation: bipolar
кількість в упаковці: 1 шт

Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - BD135 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 1.5 A, 1.25 W, TO-126, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1.5A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: TO-126
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

Виробник: STMicroelectronics
Bipolar Transistors - BJT NPN Audio Amplifier

Виробник: MULTICOMP PRO
Description: MULTICOMP PRO - BD135 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 1 A, 12.5 W, TO-126, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 12.5W
Bauform - Transistor: TO-126
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

Виробник: STMicroelectronics
Description: TRANS NPN 45V 1.5A SOT32-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V
Supplier Device Package: SOT-32-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 1.25 W

Виробник: STMicroelectronics
Trans GP BJT NPN 45V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube

Виробник: STMicroelectronics
Trans GP BJT NPN 45V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube

Виробник: ST
NPN 1A 45V 6,5W 50MHz BD135 TBD135
кількість в упаковці: 100 шт

Виробник: STMicroelectronics
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 1.5A; 12.5W; SOT32
Type of transistor: NPN
Mounting: THT
Case: SOT32
Kind of package: tube
Frequency: 50MHz
Power dissipation: 12.5W
Collector-emitter voltage: 45V
Current gain: 100...250
Collector current: 1.5A
Polarisation: bipolar

Виробник: STMicroelectronics
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 1.5A; 12.5W; SOT32
Type of transistor: NPN
Mounting: THT
Case: SOT32
Kind of package: tube
Frequency: 50MHz
Power dissipation: 12.5W
Collector-emitter voltage: 45V
Current gain: 100...250
Collector current: 1.5A
Polarisation: bipolar
кількість в упаковці: 1 шт

Виробник: STMicroelectronics
Description: TRANS NPN 45V 1.5A SOT32
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V
Supplier Device Package: SOT-32
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 1.25 W

Виробник: STMicroelectronics
Bipolar Transistors - BJT NPN Silicon Trnsistr

Виробник: STMicroelectronics
Trans GP BJT NPN 45V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube

Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - BD135-16 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 1.5 A, 12.5 W, SOT-32, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1.5A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 12.5W
Bauform - Transistor: SOT-32
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

Виробник: STMicroelectronics
Trans GP BJT NPN 45V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube

Виробник: LGE
NPN 1,5A 45V 12,5W BD135-16 TBD13516 c
кількість в упаковці: 100 шт

Виробник: LGE
NPN 1A 45V 6,5W 50MHz BD135-25 TBD13525
кількість в упаковці: 100 шт

Виробник: LGE
NPN 1A 45V 6,5W 50MHz BD135-25 TBD13525
кількість в упаковці: 100 шт

Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 1.5A; 12.5W; TO126ISO
Type of transistor: NPN
Mounting: THT
Case: TO126ISO
Kind of package: tube
Power dissipation: 12.5W
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 1.5A
Polarisation: bipolar

Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 1.5A; 12.5W; TO126ISO
Type of transistor: NPN
Mounting: THT
Case: TO126ISO
Kind of package: tube
Power dissipation: 12.5W
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 1.5A
Polarisation: bipolar
кількість в упаковці: 1 шт

Виробник: onsemi / Fairchild
Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial

Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 45V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube

Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BD13510STU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 1.5 A, 12.5 W, TO-126, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1.5A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 12.5W
Bauform - Transistor: TO-126
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BD135
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 45V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube

Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 45V 1.5A TO126-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V
Supplier Device Package: TO-126-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 1.25 W

Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 45V 1.5A TO126-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
Supplier Device Package: TO-126-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 1.25 W

Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 1.5A; 1.25W; TO126ISO
Type of transistor: NPN
Mounting: THT
Case: TO126ISO
Kind of package: tube
Power dissipation: 1.25W
Collector-emitter voltage: 45V
Current gain: 100...250
Collector current: 1.5A
Polarisation: bipolar

Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 45V 1.5A TO126-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
Supplier Device Package: TO-126-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 1.25 W

Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BD13516STU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 1.5 A, 12.5 W, TO-126, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1.5A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 12.5W
Bauform - Transistor: TO-126
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BD135
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)