BD139 CJ
Код товару: 191983
5
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник: CJ
Корпус: TO-126
fT: 190 MHz
Uceo,V: 80 V
Ucbo,V: 80 V
Ic,A: 1,5 A
h21: 250
Монтаж: THT
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 7.00 грн |
| 10+ | 6.30 грн |
| 100+ | 5.40 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції BD139 за ціною від 5.17 грн до 115.51 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
BD139 | CDIL |
NPN 1,5A 80V 12,5W 40 < beta < 250 BD139 CDIL TBD139cdкількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BD139 | CDIL |
NPN 1,5A 80V 12,5W 40 < beta < 250 BD139 CDIL TBD139cdкількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 280 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BD139 | STMicroelectronics |
Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube |
на замовлення 667008 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BD139 | STMicroelectronics |
Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube |
на замовлення 667008 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BD139 | CDIL |
NPN, Uкэ=80V, Iк=1.5A, h21=40...250, Uce(sat)=0.5V, TO-126 (компл. BD140) Транзистори |
на замовлення 2790 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BD139 | STMicroelectronics |
Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BD139 | STMicroelectronics |
Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BD139 | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - BD139 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1.5 A, 12.5 W, SOT-32, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Verlustleistung: 12.5W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-32 Dauerkollektorstrom: 1.5A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 25252 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BD139 | MULTICOMP PRO |
Description: MULTICOMP PRO - BD139 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1.5 A, 12.5 W, TO-126, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Verlustleistung: 12.5W SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: TO-126 Dauerkollektorstrom: 1.5A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro Bipolar Transistor NPN Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 247 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| BD139 | JCET |
NPN, Uкэ=80V, Iк=1.5A, h21=25...250, 10Вт, TO-126 (компл. BD140) Транзистори |
на замовлення 100 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| BD139 | CJ |
NPN, Uкэ=80V, Iк=1.5A, h21=40...250, Uce(sat)=0.5V, TO-126 (компл. BD140) Транзистори |
на замовлення 14 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| BD139 |
BD139 Транзисторы |
на замовлення 105 шт: термін постачання 4 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BD139 |
BD139 Транзисторы |
на замовлення 994 шт: термін постачання 4 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
|
|
BD139 | JSMicro Semiconductor |
Transistor NPN; 250; 8W; 100V; 1,5A; 190MHz; -65°C ~ 150°C; Equivalent: BD139-ST; BD139-CDI; BD139G; BD139 JSMICRO TBD139 JSMкількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 500 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BD139 | ST |
NPN 1,5A 80V 12,5W 40 < beta < 250 Alternative:BD140 BD139 TBD139кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BD139 | ST |
NPN 1,5A 80V 12,5W 40 < beta < 250 Alternative:BD140 BD139 TBD139кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 556 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BD139 | STMicroelectronics |
Category: NPN THT transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1.5A; 12.5W; SOT32 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 1.5A Power dissipation: 12.5W Case: SOT32 Current gain: 25...250 Mounting: THT Kind of package: tube Frequency: 50MHz |
на замовлення 3653 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BD139 | STMicroelectronics |
Bipolar Transistors - BJT NPN Audio Amplifier |
на замовлення 2392 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BD139 | STMicroelectronics |
Description: TRANS NPN 80V 1.5A SOT-32-3Packaging: Tube Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V Supplier Device Package: SOT-32-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1.25 W |
на замовлення 11960 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| BD139 |
![]() |
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 150+ | 5.17 грн |
| BD139 |
![]() |
на замовлення 280 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 150+ | 5.17 грн |
| BD139 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
на замовлення 667008 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 102+ | 7.41 грн |
| BD139 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
на замовлення 667008 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1894+ | 7.45 грн |
| BD139 |
![]() |
Виробник: CDIL
NPN, Uкэ=80V, Iк=1.5A, h21=40...250, Uce(sat)=0.5V, TO-126 (компл. BD140) Транзистори
NPN, Uкэ=80V, Iк=1.5A, h21=40...250, Uce(sat)=0.5V, TO-126 (компл. BD140) Транзистори
на замовлення 2790 шт:
термін постачання 5 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 19+ | 16.88 грн |
| BD139 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2000+ | 44.74 грн |
| 10000+ | 37.90 грн |
| BD139 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2000+ | 44.74 грн |
| 10000+ | 37.90 грн |
| BD139 |
![]() |
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - BD139 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1.5 A, 12.5 W, SOT-32, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 12.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-32
Dauerkollektorstrom: 1.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: STMICROELECTRONICS - BD139 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1.5 A, 12.5 W, SOT-32, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 12.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-32
Dauerkollektorstrom: 1.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 25252 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 18+ | 46.27 грн |
| 36+ | 22.89 грн |
| 100+ | 18.46 грн |
| 500+ | 12.95 грн |
| 1000+ | 10.76 грн |
| 5000+ | 8.51 грн |
| BD139 |
![]() |
Виробник: MULTICOMP PRO
Description: MULTICOMP PRO - BD139 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1.5 A, 12.5 W, TO-126, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 12.5W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-126
Dauerkollektorstrom: 1.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro Bipolar Transistor NPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: MULTICOMP PRO - BD139 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1.5 A, 12.5 W, TO-126, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 12.5W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-126
Dauerkollektorstrom: 1.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro Bipolar Transistor NPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 247 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 17+ | 48.41 грн |
| 36+ | 23.06 грн |
| 100+ | 20.27 грн |
| BD139 |
![]() |
Виробник: JCET
NPN, Uкэ=80V, Iк=1.5A, h21=25...250, 10Вт, TO-126 (компл. BD140) Транзистори
NPN, Uкэ=80V, Iк=1.5A, h21=25...250, 10Вт, TO-126 (компл. BD140) Транзистори
на замовлення 100 шт:
термін постачання 5 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 37+ | 8.44 грн |
| BD139 |
![]() |
Виробник: CJ
NPN, Uкэ=80V, Iк=1.5A, h21=40...250, Uce(sat)=0.5V, TO-126 (компл. BD140) Транзистори
NPN, Uкэ=80V, Iк=1.5A, h21=40...250, Uce(sat)=0.5V, TO-126 (компл. BD140) Транзистори
на замовлення 14 шт:
термін постачання 5 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 14+ | 22.29 грн |
| BD139 |
![]() |
BD139 Транзисторы
на замовлення 105 шт:
термін постачання 4 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| BD139 |
![]() |
BD139 Транзисторы
на замовлення 994 шт:
термін постачання 4 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| BD139 |
![]() |
Виробник: JSMicro Semiconductor
Transistor NPN; 250; 8W; 100V; 1,5A; 190MHz; -65°C ~ 150°C; Equivalent: BD139-ST; BD139-CDI; BD139G; BD139 JSMICRO TBD139 JSM
кількість в упаковці: 100 шт
Transistor NPN; 250; 8W; 100V; 1,5A; 190MHz; -65°C ~ 150°C; Equivalent: BD139-ST; BD139-CDI; BD139G; BD139 JSMICRO TBD139 JSM
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 7.33 грн |
| BD139 |
![]() |
Виробник: ST
NPN 1,5A 80V 12,5W 40 < beta < 250 Alternative:BD140 BD139 TBD139
кількість в упаковці: 50 шт
NPN 1,5A 80V 12,5W 40 < beta < 250 Alternative:BD140 BD139 TBD139
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 8.82 грн |
| BD139 |
![]() |
Виробник: ST
NPN 1,5A 80V 12,5W 40 < beta < 250 Alternative:BD140 BD139 TBD139
кількість в упаковці: 50 шт
NPN 1,5A 80V 12,5W 40 < beta < 250 Alternative:BD140 BD139 TBD139
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 556 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 8.82 грн |
| BD139 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1.5A; 12.5W; SOT32
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1.5A
Power dissipation: 12.5W
Case: SOT32
Current gain: 25...250
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 50MHz
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1.5A; 12.5W; SOT32
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1.5A
Power dissipation: 12.5W
Case: SOT32
Current gain: 25...250
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 50MHz
на замовлення 3653 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 12+ | 39.20 грн |
| 16+ | 27.93 грн |
| 18+ | 24.04 грн |
| 50+ | 16.93 грн |
| 100+ | 14.64 грн |
| 500+ | 10.84 грн |
| 1000+ | 9.73 грн |
| 2000+ | 8.80 грн |
| BD139 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Bipolar Transistors - BJT NPN Audio Amplifier
Bipolar Transistors - BJT NPN Audio Amplifier
на замовлення 2392 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 47.26 грн |
| 16+ | 21.11 грн |
| 100+ | 16.10 грн |
| 500+ | 12.24 грн |
| 2000+ | 10.62 грн |
| 4000+ | 8.65 грн |
| 10000+ | 7.95 грн |
| BD139 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Description: TRANS NPN 80V 1.5A SOT-32-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V
Supplier Device Package: SOT-32-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.25 W
Description: TRANS NPN 80V 1.5A SOT-32-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V
Supplier Device Package: SOT-32-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.25 W
на замовлення 11960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 115.51 грн |
| 50+ | 52.84 грн |
| 100+ | 47.12 грн |
| 500+ | 34.78 грн |
| 1000+ | 31.75 грн |
| 2000+ | 29.19 грн |
| 5000+ | 25.99 грн |
| 10000+ | 24.31 грн |
З цим товаром купують
| BD140 (КТ814Г) Код товару: 15292
2
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: NXP
Транзистори > Біполярні PNP
Корпус: TO-126
fT: 160 MHz
Uке, В: 80 V
Uкб, В: 100 V
Iк, А: 1,5 A
h21,max: 250
Транзистори > Біполярні PNP
Корпус: TO-126
fT: 160 MHz
Uке, В: 80 V
Uкб, В: 100 V
Iк, А: 1,5 A
h21,max: 250
у наявності: 1448 шт
1302 шт - склад
74 шт - РАДІОМАГ-Київ
70 шт - РАДІОМАГ-Львів
2 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
74 шт - РАДІОМАГ-Київ
70 шт - РАДІОМАГ-Львів
2 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 5.00 грн |
| 10+ | 4.50 грн |
| 100+ | 4.10 грн |
| 1000+ | 3.70 грн |
| 1N4007 Код товару: 176822
16
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: MIC
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні
Корпус: DO-41
Uзвор., V: 1000 V
Iвипр., A: 1 A
Опис: Випрямний
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,1 V
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні
Корпус: DO-41
Uзвор., V: 1000 V
Iвипр., A: 1 A
Опис: Випрямний
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,1 V
у наявності: 73893 шт
66751 шт - склад
986 шт - РАДІОМАГ-Київ
4264 шт - РАДІОМАГ-Львів
1566 шт - РАДІОМАГ-Харків
326 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
986 шт - РАДІОМАГ-Київ
4264 шт - РАДІОМАГ-Львів
1566 шт - РАДІОМАГ-Харків
326 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 1.00 грн |
| 25+ | 0.80 грн |
| 100+ | 0.60 грн |
| 1000+ | 0.45 грн |
| 1N4148 Код товару: 176824
11
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: ST
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди супершвидкі
Корпус: DO-35 (DO-204AH, SOD27)
Vrr, V: 100 V
Iav, A: 0,15 A
Час зворотнього відновлення Trr, ns: 8 ns
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди супершвидкі
Корпус: DO-35 (DO-204AH, SOD27)
Vrr, V: 100 V
Iav, A: 0,15 A
Час зворотнього відновлення Trr, ns: 8 ns
у наявності: 24099 шт
19152 шт - склад
782 шт - РАДІОМАГ-Київ
162 шт - РАДІОМАГ-Львів
4003 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
782 шт - РАДІОМАГ-Київ
162 шт - РАДІОМАГ-Львів
4003 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується:
300 шт
300 шт - очікується
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 14+ | 1.50 грн |
| 34+ | 0.60 грн |
| 100+ | 0.40 грн |
| 1000+ | 0.28 грн |
| BD140-16 Код товару: 188702
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
![]() |
Виробник: Philips
Транзистори > Біполярні PNP
Корпус: TO-126
fT: 160 MHz
Uке, В: 80 V
Uкб, В: 100 V
Iк, А: 1,5 A
Транзистори > Біполярні PNP
Корпус: TO-126
fT: 160 MHz
Uке, В: 80 V
Uкб, В: 100 V
Iк, А: 1,5 A
товару немає в наявності
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 20.00 грн |
| 10+ | 5.40 грн |
| 100+ | 4.90 грн |
| 1 kOhm 5% 0,25W вивів. (CR025SJTB-1K-Hitano) Код товару: 11106
2
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
Вивідні резистори > 0,25W
Номінал: 1 kOhm
Точність: ±5%
Рном,W: 0,25 W
Uроб,V: 250 V
Габарити: 3,2х1,6 mm; Dвів = 0,45 mm
Тип: вугільно-плівкові
Вивідні резистори > 0,25W
Номінал: 1 kOhm
Точність: ±5%
Рном,W: 0,25 W
Uроб,V: 250 V
Габарити: 3,2х1,6 mm; Dвів = 0,45 mm
Тип: вугільно-плівкові
товару немає в наявності
очікується:
40000 шт
40000 шт - очікується 10.08.2026
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 30+ | 0.70 грн |
| 100+ | 0.55 грн |
| 1000+ | 0.40 грн |












