Результат пошуку "f7309" : 29
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 20
Мінімальне замовлення: 10
Мінімальне замовлення: 6
Мінімальне замовлення: 30
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 23
Мінімальне замовлення: 6
Мінімальне замовлення: 4000
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRF7309PBF Код товару: 36562 |
IR |
Транзистори > Польові N-канальні Uds,V: 30 V Idd,A: 4,7(3,5) A Rds(on), Ohm: 0,05(0.1) Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 520/25 Примітка: Два транзистори в одному корпусі Монтаж: SMD |
у наявності: 511 шт
|
|
|||||||||||||||
F7309 | IOR | 01+ SOP |
на замовлення 232 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
IRF7309 | Infineon |
N/P-MOSFET 4A/-3,5A 30V/-30V 1,4W 0.05Ω IRF7309 TIRF7309 кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 45 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF7309PBF | IR | Транз. Пол. ММ 2N-HEXFET logik SO8 Udss=-30V; Id=-3,6A; Pdmax=2,0W; Rds=0,10 Ohm |
на замовлення 427 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF7309TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 4/-3A; 1.4W; SO8 Kind of package: reel Case: SO8 Technology: HEXFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Drain-source voltage: 30/-30V Drain current: 4/-3A On-state resistance: 50/100mΩ Type of transistor: N/P-MOSFET Power dissipation: 1.4W Polarisation: unipolar |
на замовлення 552 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF7309TRPBF | International Rectifier/Infineon | Транзистор польовий N+P; Udss, В = 30; Id = 4 А; Ptot, Вт = 1,4; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 520 @ 15; Qg, нКл = 25 @ 4,5 В; Rds = 50 мОм @ 2,4 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА; Id2 = 3 A; SOICN-8 |
на замовлення 1270 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF7309TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 4/-3A; 1.4W; SO8 Kind of package: reel Case: SO8 Technology: HEXFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Drain-source voltage: 30/-30V Drain current: 4/-3A On-state resistance: 50/100mΩ Type of transistor: N/P-MOSFET Power dissipation: 1.4W Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 552 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF7309TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 26 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF7309TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET MOSFT DUAL N/PCh 30V 4.0A |
на замовлення 3430 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF7309TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF7309QTRPBF | IOR |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
IRF7309TRPBF | International Rectifier Corporation | (SO-8) |
на замовлення 4630 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||||||||||
IRF7309TRPBF/IR | IR | 08+; |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
IRF7309 Код товару: 19215 |
IR |
Транзистори > Польові N-канальні Корпус: SO-8 Uds,V: 30 V Idd,A: 4 A Rds(on), Ohm: 0,05 Ohm Примітка: Два транзистори в одному корпусі Монтаж: SMD |
товар відсутній
|
||||||||||||||||
IRF7309TRPBF (Транзистори польові N-канал) Код товару: 45192 |
IR |
Транзистори > Польові N-канальні Uds,V: 30 V Idd,A: 4 А Rds(on), Ohm: 0,05 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 520/25 Примітка: Два транзистори в одному корпусі Монтаж: SMD |
товар відсутній
|
||||||||||||||||
AUIRF7309Q | Infineon Technologies | Trans MOSFET N/P-CH Si 30V 4A/3A Automotive 8-Pin SOIC T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||
AUIRF7309QTR | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 4/-3A; 1.4W; SO8 Case: SO8 Gate charge: 16.7nC Technology: HEXFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Drain-source voltage: 30/-30V Drain current: 4/-3A On-state resistance: 50/100mΩ Type of transistor: N/P-MOSFET Power dissipation: 1.4W Polarisation: unipolar |
товар відсутній |
||||||||||||||||
AUIRF7309QTR | Infineon Technologies | Trans MOSFET N/P-CH Si 30V 4A/3A Automotive 8-Pin SOIC T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||
AUIRF7309QTR | Infineon Technologies | Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A Automotive 8-Pin SOIC T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||
IRF7309 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||
IRF7309HR | IR - ASA only Supplier | Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||
IRF7309QPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N/P-CH Si 30V 4A/3A 8-Pin SOIC |
товар відсутній |
||||||||||||||||
IRF7309QTRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N/P-CH Si 30V 4A/3A 8-Pin SOIC T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||
AUIRF7309QTR | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 4/-3A; 1.4W; SO8 Case: SO8 Gate charge: 16.7nC Technology: HEXFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Drain-source voltage: 30/-30V Drain current: 4/-3A On-state resistance: 50/100mΩ Type of transistor: N/P-MOSFET Power dissipation: 1.4W Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 4000 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
7309 BECBP SKF | SKF |
Category: Roller Bearings Description: Bearing: single row deep groove ball; angular contact; W: 45mm Type of bearing: single row deep groove ball Version: angular contact Internal diameter: 45mm Outside diameter: 100mm Width: 45mm Rolling element material: bearing steel Cage material: polyamide Race material: bearing steel Kind of Bearing: rolling |
товар відсутній |
||||||||||||||||
7309 BECBP SKF | SKF |
Category: Roller Bearings Description: Bearing: single row deep groove ball; angular contact; W: 45mm Type of bearing: single row deep groove ball Version: angular contact Internal diameter: 45mm Outside diameter: 100mm Width: 45mm Rolling element material: bearing steel Cage material: polyamide Race material: bearing steel Kind of Bearing: rolling кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
IRF7309PBF Код товару: 36562 |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 30 V
Idd,A: 4,7(3,5) A
Rds(on), Ohm: 0,05(0.1) Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 520/25
Примітка: Два транзистори в одному корпусі
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 30 V
Idd,A: 4,7(3,5) A
Rds(on), Ohm: 0,05(0.1) Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 520/25
Примітка: Два транзистори в одному корпусі
Монтаж: SMD
у наявності: 511 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 22 грн |
10+ | 19.8 грн |
100+ | 17.9 грн |
IRF7309 |
Виробник: Infineon
N/P-MOSFET 4A/-3,5A 30V/-30V 1,4W 0.05Ω IRF7309 TIRF7309
кількість в упаковці: 5 шт
N/P-MOSFET 4A/-3,5A 30V/-30V 1,4W 0.05Ω IRF7309 TIRF7309
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 45 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
20+ | 34.2 грн |
IRF7309PBF |
Виробник: IR
Транз. Пол. ММ 2N-HEXFET logik SO8 Udss=-30V; Id=-3,6A; Pdmax=2,0W; Rds=0,10 Ohm
Транз. Пол. ММ 2N-HEXFET logik SO8 Udss=-30V; Id=-3,6A; Pdmax=2,0W; Rds=0,10 Ohm
на замовлення 427 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 29.89 грн |
11+ | 24.56 грн |
IRF7309TRPBF |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 4/-3A; 1.4W; SO8
Kind of package: reel
Case: SO8
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 4/-3A
On-state resistance: 50/100mΩ
Type of transistor: N/P-MOSFET
Power dissipation: 1.4W
Polarisation: unipolar
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 4/-3A; 1.4W; SO8
Kind of package: reel
Case: SO8
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 4/-3A
On-state resistance: 50/100mΩ
Type of transistor: N/P-MOSFET
Power dissipation: 1.4W
Polarisation: unipolar
на замовлення 552 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 70.97 грн |
10+ | 34.68 грн |
13+ | 28.23 грн |
34+ | 23.86 грн |
93+ | 22.54 грн |
500+ | 21.71 грн |
IRF7309TRPBF |
Виробник: International Rectifier/Infineon
Транзистор польовий N+P; Udss, В = 30; Id = 4 А; Ptot, Вт = 1,4; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 520 @ 15; Qg, нКл = 25 @ 4,5 В; Rds = 50 мОм @ 2,4 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА; Id2 = 3 A; SOICN-8
Транзистор польовий N+P; Udss, В = 30; Id = 4 А; Ptot, Вт = 1,4; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 520 @ 15; Qg, нКл = 25 @ 4,5 В; Rds = 50 мОм @ 2,4 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА; Id2 = 3 A; SOICN-8
на замовлення 1270 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
30+ | 21.31 грн |
32+ | 19.89 грн |
100+ | 18.47 грн |
IRF7309TRPBF |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 4/-3A; 1.4W; SO8
Kind of package: reel
Case: SO8
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 4/-3A
On-state resistance: 50/100mΩ
Type of transistor: N/P-MOSFET
Power dissipation: 1.4W
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 4/-3A; 1.4W; SO8
Kind of package: reel
Case: SO8
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 4/-3A
On-state resistance: 50/100mΩ
Type of transistor: N/P-MOSFET
Power dissipation: 1.4W
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 552 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 85.16 грн |
6+ | 43.22 грн |
10+ | 33.88 грн |
34+ | 28.64 грн |
93+ | 27.05 грн |
500+ | 26.05 грн |
IRF7309TRPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
23+ | 13.83 грн |
IRF7309TRPBF |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET MOSFT DUAL N/PCh 30V 4.0A
MOSFET MOSFT DUAL N/PCh 30V 4.0A
на замовлення 3430 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 59.98 грн |
10+ | 43.42 грн |
100+ | 30.9 грн |
500+ | 27.44 грн |
1000+ | 22.71 грн |
2000+ | 21.38 грн |
4000+ | 20.78 грн |
IRF7309TRPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4000+ | 13.83 грн |
IRF7309TRPBF |
Виробник: International Rectifier Corporation
(SO-8)
(SO-8)
на замовлення 4630 шт:
термін постачання 5 дні (днів)IRF7309 Код товару: 19215 |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SO-8
Uds,V: 30 V
Idd,A: 4 A
Rds(on), Ohm: 0,05 Ohm
Примітка: Два транзистори в одному корпусі
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SO-8
Uds,V: 30 V
Idd,A: 4 A
Rds(on), Ohm: 0,05 Ohm
Примітка: Два транзистори в одному корпусі
Монтаж: SMD
товар відсутній
IRF7309TRPBF (Транзистори польові N-канал) Код товару: 45192 |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 30 V
Idd,A: 4 А
Rds(on), Ohm: 0,05 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 520/25
Примітка: Два транзистори в одному корпусі
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 30 V
Idd,A: 4 А
Rds(on), Ohm: 0,05 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 520/25
Примітка: Два транзистори в одному корпусі
Монтаж: SMD
товар відсутній
AUIRF7309Q |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH Si 30V 4A/3A Automotive 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET N/P-CH Si 30V 4A/3A Automotive 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
AUIRF7309QTR |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 4/-3A; 1.4W; SO8
Case: SO8
Gate charge: 16.7nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 4/-3A
On-state resistance: 50/100mΩ
Type of transistor: N/P-MOSFET
Power dissipation: 1.4W
Polarisation: unipolar
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 4/-3A; 1.4W; SO8
Case: SO8
Gate charge: 16.7nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 4/-3A
On-state resistance: 50/100mΩ
Type of transistor: N/P-MOSFET
Power dissipation: 1.4W
Polarisation: unipolar
товар відсутній
AUIRF7309QTR |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH Si 30V 4A/3A Automotive 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET N/P-CH Si 30V 4A/3A Automotive 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
AUIRF7309QTR |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A Automotive 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A Automotive 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
IRF7309QPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH Si 30V 4A/3A 8-Pin SOIC
Trans MOSFET N/P-CH Si 30V 4A/3A 8-Pin SOIC
товар відсутній
IRF7309QTRPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH Si 30V 4A/3A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET N/P-CH Si 30V 4A/3A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
AUIRF7309QTR |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 4/-3A; 1.4W; SO8
Case: SO8
Gate charge: 16.7nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 4/-3A
On-state resistance: 50/100mΩ
Type of transistor: N/P-MOSFET
Power dissipation: 1.4W
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 4000 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 4/-3A; 1.4W; SO8
Case: SO8
Gate charge: 16.7nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 4/-3A
On-state resistance: 50/100mΩ
Type of transistor: N/P-MOSFET
Power dissipation: 1.4W
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 4000 шт
товар відсутній
7309 BECBP SKF |
Виробник: SKF
Category: Roller Bearings
Description: Bearing: single row deep groove ball; angular contact; W: 45mm
Type of bearing: single row deep groove ball
Version: angular contact
Internal diameter: 45mm
Outside diameter: 100mm
Width: 45mm
Rolling element material: bearing steel
Cage material: polyamide
Race material: bearing steel
Kind of Bearing: rolling
Category: Roller Bearings
Description: Bearing: single row deep groove ball; angular contact; W: 45mm
Type of bearing: single row deep groove ball
Version: angular contact
Internal diameter: 45mm
Outside diameter: 100mm
Width: 45mm
Rolling element material: bearing steel
Cage material: polyamide
Race material: bearing steel
Kind of Bearing: rolling
товар відсутній
7309 BECBP SKF |
Виробник: SKF
Category: Roller Bearings
Description: Bearing: single row deep groove ball; angular contact; W: 45mm
Type of bearing: single row deep groove ball
Version: angular contact
Internal diameter: 45mm
Outside diameter: 100mm
Width: 45mm
Rolling element material: bearing steel
Cage material: polyamide
Race material: bearing steel
Kind of Bearing: rolling
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Roller Bearings
Description: Bearing: single row deep groove ball; angular contact; W: 45mm
Type of bearing: single row deep groove ball
Version: angular contact
Internal diameter: 45mm
Outside diameter: 100mm
Width: 45mm
Rolling element material: bearing steel
Cage material: polyamide
Race material: bearing steel
Kind of Bearing: rolling
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній