Продукція > BD1
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BD1396STU | Fairchild Semiconductor | Description: TRANS NPN 80V 1.5A TO-126-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V Supplier Device Package: TO-126-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1.25 W | на замовлення 22431 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BD139G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box | на замовлення 725 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BD139G | ON Semiconductor | Транзистор NPN, Ptot, Вт = 1,25, Uceo, В = 80, Ic = 1,5 А, Тип монт. = вивідний, hFE = 40 @ 150 мA, 2 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 50 мA, 500 мA, Тексп, °С = -55...+150,... Транзистори Корпус: SOT-32-3 (TO-126-3) Од. вим: шт кількість в упаковці: 50 шт | на замовлення 1 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BD139G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BD139G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 1.5A 80V 12.5W NPN | на замовлення 2439 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BD139G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box | на замовлення 725 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BD139G | onsemi | Description: TRANS NPN 80V 1.5A TO-126 Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V Supplier Device Package: TO-126 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 12.5 W | на замовлення 4265 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BD139G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BD139G Код товару: 194229
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Біполярні NPN | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BD139G | ONSEMI | Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1.5A; 12.5W; TO225 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 1.5A Power dissipation: 12.5W Case: TO225 Current gain: 40...250 Mounting: THT Kind of package: bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BD139G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BD139G | ONSEMI | Description: ONSEMI - BD139G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 80 V, 1.5 A, 1.25 W, TO-225AA, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Verlustleistung: 1.25W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-225AA Dauerkollektorstrom: 1.5A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 1360 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BD139L-16 | на замовлення 15000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| BD14 | DELUXE | Description: DELUXE - BD14 - FIBREGLASS CLOTH, 2OZ, 1X1M tariffCode: 63061200 productTraceability: No rohsCompliant: TBA euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 Produktpalette: Deluxe - Fibreglass Cloth SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BD14-182 | ABB Installation Products | Terminals NON-INS FEM .187X.020 DISC 16-14AWG | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BD14-183 | ABB Installation Products | Terminals NON-INS FEM .187X.032 DISC 16-14AWG | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BD140 | STMicroelectronics | Trans GP BJT PNP 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube | на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BD140 | BD140 Транзисторы | на замовлення 95 шт: термін постачання 4 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BD140 | MULTICOMP PRO | Description: MULTICOMP PRO - BD140 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 80 V, 1.5 A, 12.5 W, TO-126, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Verlustleistung: 12.5W SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: TO-126 Dauerkollektorstrom: 1.5A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro Bipolar Single PNP Transistors Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 3156 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BD140 | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 1.5A 80V 12.5W PNP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BD140 | ARK | PNP 1,5A 80V 12,5W 40 < beta < 250 REPLACEMENT: BD140-CDI; BD140-LGE; BD140 CDIL TBD140cd кількість в упаковці: 50 шт | на замовлення 1000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BD140 | JCET | PNP, Uce=80V, Ic=1.5A, hFE=100...250, Uce(sat)=0.5V, TO-126, - 55...+150 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BD140 | STMicroelectronics | Description: TRANS PNP 80V 1.5A SOT-32-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V Supplier Device Package: SOT-32-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1.25 W | на замовлення 9222 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BD140 | STMicroelectronics | Trans GP BJT PNP 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube | на замовлення 258159 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BD140 | CDIL | PNP 1,5A 80V 12,5W 40 < beta < 250 REPLACEMENT: BD140-CDI; BD140-LGE; BD140 CDIL TBD140cd кількість в упаковці: 50 шт | на замовлення 500 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BD140 | LUGUANG ELECTRONIC | Category: PNP THT transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 1A; TO126 Current gain: 40...250 Collector-emitter voltage: 80V Polarisation: bipolar Frequency: 50MHz Type of transistor: PNP Mounting: THT Case: TO126 Collector current: 1A | на замовлення 4785 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BD140 | ST | PNP 1,5A 80V 12,5W BD139; BD140G; BD140 TBD140 кількість в упаковці: 50 шт | на замовлення 547 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BD140 | STMicroelectronics | Trans GP BJT PNP 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube | на замовлення 258152 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BD140 | BD140 Транзисторы | на замовлення 11 шт: термін постачання 4 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BD140 | JSMicro Semiconductor | Transistor PNP; 250; 1,25W; 80V; 1,5A; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BD140-ST; BD140-CDI; BD140G; BD140 JSMICRO TBD140 JSM кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 500 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BD140 | STM | PNP, Uкэ=80V, Iк=1.5A, h21=25...250, Uce(sat)=0.5V, TO-126 (SOT-32) Транзистори | на замовлення 1 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BD140 | STMicroelectronics | Trans GP BJT PNP 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube | на замовлення 7675 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BD140 | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - BD140 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 1.5 A, 1.25 W, SOT-32, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Verlustleistung: 1.25W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-32 Dauerkollektorstrom: 1.5A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 457 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BD140 | STMicroelectronics | Bipolar Transistors - BJT PNP Audio Amplfier | на замовлення 4294 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BD140 | ARK | PNP 1,5A 80V 12,5W 40 < beta < 250 REPLACEMENT: BD140-CDI; BD140-LGE; BD140 CDIL TBD140cd кількість в упаковці: 50 шт | на замовлення 700 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BD140 | STMicroelectronics | Транзистор PNP (Uce=80V, Ic=1.5A, P=12.5W, B=40-250, -65 to +150C).... Транзистори Корпус: TO-126 Од. вим: шт кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BD140 | onsemi | Description: TRANS PNP 80V 1.5A TO-126 Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V Supplier Device Package: TO-126 Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1.25 W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BD140 | STMicroelectronics | Trans GP BJT PNP 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BD140 | STMicroelectronics | Category: PNP THT transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 1.5A; 12.5W; SOT32 Current gain: 25...250 Collector-emitter voltage: 80V Polarisation: bipolar Frequency: 50MHz Kind of package: tube Type of transistor: PNP Mounting: THT Case: SOT32 Power dissipation: 12.5W Collector current: 1.5A | на замовлення 3007 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BD140 | ST | PNP 1,5A 80V 12,5W BD139; BD140G; BD140 TBD140 кількість в упаковці: 50 шт | на замовлення 1000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BD140 (КТ814Г) Код товару: 15292
2
Додати до обраних
Обраний товар
| NXP | Транзистори > Біполярні PNP Корпус: TO-126 Гранична частота fT, MHz: 160 MHz Напруга Uке, V: 80 V Напруга Uкб, V: 100 V Струм Iк, A: 1,5 A Коефіцієнт підсилення h21, max: 250 | у наявності: 1358 шт
|
| ||||||||||||||||||
| BD140-10 | STMicroelectronics | Bipolar Transistors - BJT PNP Silicon Trnsistr | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BD140-10 | Category: PNP THT transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 1.5A; 12.5W; TO126 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 1.5A Case: TO126 Mounting: THT Power: 12.5W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BD140-10 Код товару: 73132
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Біполярні PNP | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BD140-10-BP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: TRANS PNP 80V 1.5A TO-126 Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V Supplier Device Package: TO-126 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1.25 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BD140-10-S | на замовлення 49817 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| BD140-16 | STMicroelectronics | Description: TRANS PNP 80V 1.5A SOT-32 Packaging: Tube Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V Supplier Device Package: SOT-32 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1.25 W | на замовлення 509 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BD140-16 | FUXINSEMI | Transistor PNP; 250; 1,25W; 80V; 1,5A; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BD14016S; BD14016STU; BD140-16-CDI; BD140-16 TO126 FUXIN TBD14016 FUX кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 400 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BD140-16 | STM | PNP, Uкэ=80V, Iк=1.5A, h21=25...250, 10Вт, SOT-32-3 (компл. BD140) Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BD140-16 | STMicroelectronics | Category: PNP THT transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 1.5A; 12.5W; SOT32 Current gain: 100...250 Collector-emitter voltage: 80V Polarisation: bipolar Frequency: 160MHz Kind of package: tube Type of transistor: PNP Mounting: THT Case: SOT32 Power dissipation: 12.5W Collector current: 1.5A | на замовлення 5444 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BD140-16 | STMicroelectronics | Trans GP BJT PNP 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube | на замовлення 232385 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BD140-16 | MULTICOMP PRO | Description: MULTICOMP PRO - BD140-16 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 1.5 A, 1.25 W, TO-126, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Verlustleistung: 1.25W SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: TO-126 Dauerkollektorstrom: 1.5A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro Bipolar Transistor PNP Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 3904 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BD140-16 | ARK | Transistor PNP; Bipolar; 250; 80V; 5V; 1MHz; 1.5A; 1.25W; -55°C~150°C; TBD140.16; BD140-16-CDI; BD140-16 TBD14016 c кількість в упаковці: 50 шт | на замовлення 150 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BD140-16 | ST | PNP 1,5A 80V 12,5W BD139-16 BD140-16ST BD140-16 TBD14016 кількість в упаковці: 50 шт | на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BD140-16 | STMicroelectronics | Trans GP BJT PNP 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube | на замовлення 232349 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BD140-16 Код товару: 188702
Додати до обраних
Обраний товар
| Philips | Транзистори > Біполярні PNP Корпус: TO-126 Гранична частота fT, MHz: 160 MHz Напруга Uке, V: 80 V Напруга Uкб, V: 100 V Струм Iк, A: 1,5 A | товару немає в наявності
|
| ||||||||||||||||||
| BD140-16 | ST | PNP 1,5A 80V 12,5W BD139-16 BD140-16ST BD140-16 TBD14016 кількість в упаковці: 50 шт | на замовлення 1000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BD140-16 | CDIL | PNP, Uкэ=80V, Iк=1.5A, h21=100...250, Uce(sat)=0.5V, TO-126 (компл. BD139) Транзистори | на замовлення 1475 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BD140-16 | STMicroelectronics | Trans GP BJT PNP 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube | на замовлення 28475 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BD140-16 | JSMicro Semiconductor | Transistor PNP; 250; 1,25W; 80V; 1,5A; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BD14016S; BD14016STU; BD140-16-CDI; BD140-16 JSMICRO TBD14016 JSM кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 200 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BD140-16 | STMicroelectronics | Транзистор PNP, Uceo, В = 80, Ic = 1,5 А, Icutoff-max = 100 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 50 мА, 500 мА, Р, Вт = 1,25 Вт, Тексп, °C = -65...+150, Тип монт. = вивідний,... Транзистори Корпус: SOT-32(TO-126) Од. вим: шт кількість в упаковці: 50 шт | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BD140-16 | STMicroelectronics | Trans GP BJT PNP 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube | на замовлення 28000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BD140-16 | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - BD140-16 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 1.5 A, 1.25 W, SOT-32, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Verlustleistung: 1.25W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-32 Dauerkollektorstrom: 1.5A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 7805 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BD140-16 | STMicroelectronics | Bipolar Transistors - BJT PNP Silicon Trnsistr | на замовлення 4362 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BD140-16 | ST | PNP 1,5A 80V 12,5W BD139-16 BD140-16ST BD140-16 TBD14016 кількість в упаковці: 50 шт | на замовлення 20 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BD140-16 (SOT-32, Nexperia) Код товару: 39648
1
Додати до обраних
Обраний товар
| NXP | Транзистори > Біполярні PNP Корпус: TO-126 Гранична частота fT, MHz: 160 MHz Напруга Uке, V: 80 V Напруга Uкб, V: 100 V Струм Iк, A: 1,5 A Коефіцієнт підсилення h21, max: 250 | товару немає в наявності
очікується: 500 шт
|
| ||||||||||||||||||
| BD140-16 (SOT-32, ST) Код товару: 89440
Додати до обраних
Обраний товар
| ST | Транзистори > Біполярні PNP Корпус: TO-126 Напруга Uке, V: 80 V Напруга Uкб, V: 80 V Струм Iк, A: 1,5 A Коефіцієнт підсилення h21, max: 160 | товару немає в наявності
|
| ||||||||||||||||||
| BD140-16 JSMSEMI Код товару: 212037
Додати до обраних
Обраний товар
| JSMSEMI | Транзистори > Біполярні PNP Корпус: TO-126 Напруга Uке, V: 80 V Напруга Uкб, V: 100 V Струм Iк, A: 1,5 A | у наявності: 211 шт
|
| ||||||||||||||||||
| BD140-25 | MULTICOMP PRO | Description: MULTICOMP PRO - BD140-25 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 1.5 A, 1.25 W, TO-126, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Verlustleistung: 1.25W SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: TO-126 Dauerkollektorstrom: 1.5A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro Bipolar Transistor PNP Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 5525 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BD140-6-BP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: TRANS PNP 80V 1.5A TO-126 Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V Supplier Device Package: TO-126 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1.25 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BD140-CDI BD140 | CDIL | PNP, Uce=80V, Ic=1.5A, hFE=100...250, Uce(sat)=0.5V, TO-126, - 55...+150 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BD140.16 | CDIL | Transistor PNP; 250; 1,25W; 80V; 1,5A; -55°C ~ 150°C; Replacement: BD140-16-CDI; BD140.16; BD140-16 CDIL TBD14016cd кількість в упаковці: 50 шт | на замовлення 2335 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BD140.16 | CDIL | Transistor PNP; 250; 1,25W; 80V; 1,5A; -55°C ~ 150°C; Replacement: BD140-16-CDI; BD140.16; BD140-16 CDIL TBD14016cd кількість в упаковці: 50 шт | на замовлення 4000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BD140/ST | ST | 08+; | на замовлення 50000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BD14000EFV-CE2 | Rohm Semiconductor | Battery Balancer 4.3V 30-Pin HTSSOP-B EP T/R Automotive AEC-Q100 | на замовлення 73 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BD14000EFV-CE2 | Rohm Semiconductor | Description: IC LSI CELL BALANCE 30HTSSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 30-VSSOP (0.220", 5.60mm Width) Exposed Pad Number of Cells: 4 ~ 6 Mounting Type: Surface Mount Function: Battery Balancer Interface: Series Operating Temperature: -40°C ~ 105°C Battery Chemistry: Supercapacitor Supplier Device Package: 30-HTSSOP-B Fault Protection: Over Current Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q100 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BD14000EFV-CE2 | ROHM Semiconductor | Battery Management Cell Balance LSI of 4 to 6 Series Power Storage Element Cells | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BD14000EFV-CE2 | Rohm Semiconductor | Battery Balancer 4.3V 30-Pin HTSSOP-B EP T/R Automotive AEC-Q100 | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BD14000EFV-CE2 | Rohm Semiconductor | Description: IC LSI CELL BALANCE 30HTSSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 30-VSSOP (0.220", 5.60mm Width) Exposed Pad Number of Cells: 4 ~ 6 Mounting Type: Surface Mount Function: Battery Balancer Interface: Series Operating Temperature: -40°C ~ 105°C Battery Chemistry: Supercapacitor Supplier Device Package: 30-HTSSOP-B Fault Protection: Over Current Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q100 | на замовлення 793 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BD14000EFV-CE2 | Rohm Semiconductor | Battery Balancer 4.3V 30-Pin HTSSOP-B EP T/R Automotive AEC-Q100 | на замовлення 255 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BD14000EFV-CH2 | ROHM Semiconductor | Battery Management Cell Balance LSI 8-24V; HTSSOP-B30 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BD14000EFV-CH2 | Rohm Semiconductor | Battery Balancer 4.3V Automotive 30-Pin HTSSOP-B EP T/R | на замовлення 250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BD14000EFV-CH2 | Rohm Semiconductor | Description: CELL BALANCE LSI OF 4 TO 6 SERIE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 30-VSSOP (0.220", 5.60mm Width) Exposed Pad Number of Cells: 4 ~ 6 Mounting Type: Surface Mount Function: Battery Balancer Interface: Series Operating Temperature: -40°C ~ 105°C Battery Chemistry: Supercapacitor Supplier Device Package: 30-HTSSOP-B Fault Protection: Over Current Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q100 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BD14000EFV-CH2 | Rohm Semiconductor | Battery Balancer 4.3V Automotive 30-Pin HTSSOP-B EP T/R | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 9 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BD14000EFV-CH2 | Rohm Semiconductor | Description: CELL BALANCE LSI OF 4 TO 6 SERIE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 30-VSSOP (0.220", 5.60mm Width) Exposed Pad Number of Cells: 4 ~ 6 Mounting Type: Surface Mount Function: Battery Balancer Interface: Series Operating Temperature: -40°C ~ 105°C Battery Chemistry: Supercapacitor Supplier Device Package: 30-HTSSOP-B Fault Protection: Over Current Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q100 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BD14000EFV-EVK-001 | Rohm Semiconductor | Description: EVAL BOARD FOR BD14000 Packaging: Box Function: Battery Monitor Type: Power Management Contents: Board(s) Utilized IC / Part: BD14000 Supplied Contents: Board(s) Primary Attributes: Cell Balancer Secondary Attributes: 8V ~ 24V Supply Embedded: No Part Status: Active | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BD14000EFV-EVK-001 | ROHM Semiconductor | Power Management IC Development Tools Power Management IC Dev Board for BD14000EFV-C EDLC Cell Balancer LSI | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BD14000EFV-EVK-001 | Rohm Semiconductor | BD14000EFV-C Battery Management Evaluation Board | на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BD14010 | onsemi | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BD14010S | onsemi | Description: TRANS PNP 80V 1.5A TO-126-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BD14010STU | ONSEMI | Description: ONSEMI - BD14010STU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 1.5 A, 12.5 W, TO-225AA, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 12.5W Bauform - Transistor: TO-225AA Dauerkollektorstrom: 1.5A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BD14010STU | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 80V 1.5A 1250mW 3-Pin TO-126 Tube | на замовлення 1920 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BD14010STU | onsemi | Description: TRANS PNP 80V 1.5A TO-126-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V Supplier Device Package: TO-126-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1.25 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BD14010STU | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT PNP Si Transistor Epitaxial | на замовлення 3409 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BD14016 | onsemi | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BD14016S | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT PNP Epitaxial Sil | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BD14016S | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 80V 1.5A 1250mW 3-Pin TO-126 Bag | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 420 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BD14016S | onsemi | Description: TRANS PNP 80V 1.5A TO-126-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V Supplier Device Package: TO-126-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1.25 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BD14016STU | Fairchild/ON Semiconductor | Транзистор PNP, Ptot, Вт = 1,25, Uceo, В = 80, Ic = 1,5 А, Тип монт. = вивідний, hFE = 100 @ 150 мA, 2 В, Icutoff-max = 100 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 50 мA, 500 мA, Тексп, °С = -55...+150,... Транзистори Корпус: TO-126-3 Од. вим: шт кількість в упаковці: 60 шт | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 60 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BD14016STU | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT PNP Epitaxial Sil | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |

