Продукція > MJD

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
MJD32CTF_SBDD002ON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CTF_SBDD002Aonsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT PNP Epitaxial Silicon Transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CTMON Semiconductor / FairchildBipolar Transistors - BJT PNP 100V 1A Epitaxial
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CTMonsemiDescription: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CUQ-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 100V 3A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.6 W
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CUQ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - MJD32CUQ-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Verlustleistung: 15W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CUQ-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor TO252 T&R 2.5K
на замовлення 2203 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CUQ-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 100V 3A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.6 W
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CUQ-13DIODES INCORPORATEDCategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 3A; 15W; DPAK,TO252
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 3A
Power dissipation: 15W
Case: DPAK; TO252
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Manufacturer standard package: 2500pcs.
Pulsed collector current: 5A
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CUQ-13Diodes ZetexTrans GP BJT PNP 100V 3A 16000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32CUQ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - MJD32CUQ-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Verlustleistung: 15W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32Gonsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32RL
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32RLGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+34.00 грн
25+30.91 грн
100+27.17 грн
500+24.19 грн
1000+21.77 грн
1800+19.67 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32RLGonsemiDescription: TRANS PNP 40V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.56 W
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+84.65 грн
10+51.40 грн
100+33.81 грн
500+24.62 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32RLGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
980+36.09 грн
1063+33.28 грн
Мінімальне замовлення: 980 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32RLGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32RLGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32RLGonsemiBipolar Transistors - BJT 3A 40V 15W PNP
на замовлення 1085 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32RLGonsemiDescription: TRANS PNP 40V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.56 W
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1800+21.58 грн
Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32RLGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 23400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
980+36.09 грн
1063+33.28 грн
10000+29.66 грн
Мінімальне замовлення: 980 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32RLGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
640+22.11 грн
Мінімальне замовлення: 640 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32T4ON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7291 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1441+24.55 грн
Мінімальне замовлення: 1441 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32T4onsemiDescription: TRANS PNP 40V 3A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 15 W
на замовлення 9791 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1150+17.48 грн
Мінімальне замовлення: 1150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32T4ON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1441+24.55 грн
Мінімальне замовлення: 1441 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32T4ONSEMIDescription: ONSEMI - MJD32T4 - MJD32T4, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32T4GonsemiDescription: TRANS PNP 40V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.56 W
на замовлення 11924 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+93.27 грн
10+56.61 грн
100+37.48 грн
500+27.48 грн
1000+25.01 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32T4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 11474 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
777+45.55 грн
1000+42.01 грн
10000+37.46 грн
Мінімальне замовлення: 777 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32T4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32T4GonsemiBipolar Transistors - BJT 3A 40V 15W PNP
на замовлення 3426 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32T4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32T4GonsemiDescription: TRANS PNP 40V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.56 W
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+24.71 грн
5000+22.03 грн
7500+21.13 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32T4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
777+45.55 грн
1000+42.01 грн
Мінімальне замовлення: 777 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32T4GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD32T4G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 11474 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32T4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32T4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD32T4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 40V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD340FAIRCHILD07+ TO-252
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD340onsemiDescription: TRANS NPN 300V 0.5A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 15 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD340onsemiBipolar Transistors - BJT 0.5A 300V 15W NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD340 (біполярний транзистор NPN)
Код товару: 51390
Додати до обраних Обраний товар
FairchildТранзистори > Біполярні NPN
Корпус: D-Pak
Напруга колектор-емітер Uceo, В: 300 В
Напруга колектор-база Ucbo, В: 300 В
Струм колектора Ic, А: 0,5 А
Коефіцієнт передачі струму h21: 240
товару немає в наявності
2+15.00 грн
10+14.10 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD340-13Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 300V 0.5A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 115000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+15.29 грн
5000+15.14 грн
7500+14.57 грн
12500+13.90 грн
17500+12.75 грн
25000+12.11 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD340-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - MJD340-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 300 V, 500 mA, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 15W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 10MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2643 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD340-13DIODES INCORPORATEDCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 300V; 0.5A; 15W; DPAK,TO252
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 300V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 15W
Case: DPAK; TO252
Current gain: 30...240
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 10MHz
Pulsed collector current: 0.75A
Quantity in set/package: 2500pcs.
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+60.51 грн
11+40.84 грн
100+24.15 грн
500+17.53 грн
1000+15.68 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD340-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 300V 0.5A TO-252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Supplier Device Package: TO-252-3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 15 W
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+15.49 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD340-13Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 300V 0.5A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD340-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT HIGH VOLTAGE NPN SMT
на замовлення 2636 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD340-13Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 300V 0.5A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+16.41 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD340-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - MJD340-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 300 V, 500 mA, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 15W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 10MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2643 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD340-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 300V 0.5A TO-252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Supplier Device Package: TO-252-3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 15 W
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+63.49 грн
10+37.66 грн
100+24.46 грн
500+17.60 грн
1000+15.87 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD340-13Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 300V 0.5A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+16.41 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD340D4
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD340GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 300V 0.5A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 2307 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+79.98 грн
26+30.02 грн
100+29.73 грн
500+26.12 грн
1000+20.36 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD340GOn SemiconductorNPN, Uкэ=300V, Iк=0.5A (0.75 имп.), h21=30...240, 15Вт, DPAK TO-252 (SMD) (компл MJD350T4) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD340GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 300V 0.5A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 2307 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
474+29.85 грн
479+29.56 грн
526+26.94 грн
1000+21.87 грн
Мінімальне замовлення: 474 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD340GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 300V 0.5A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD340GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD340G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 300 V, 500 mA, 15 W, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 240hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 15W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 3496 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD340GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 300V 0.5A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 86 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD340GonsemiDescription: TRANS NPN 300V 0.5A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 15 W
на замовлення 27373 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
75+32.90 грн
150+28.18 грн
Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD340GON SemiconductorТранзистор NPN, Ptot, Вт = 1,56, Uceo, В = 300, Ic = 500 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 10, hFE = 30 @ 50 мA, 10 В, Icutoff-max = 100 мкА, Тексп, °С = -65...+150,... Транзистори Корпус: D-PAK Од. вим: шт
кількість в упаковці: 75 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD340GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 300V 0.5A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 3375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
292+48.60 грн
525+30.28 грн
2550+25.21 грн
Мінімальне замовлення: 292 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD340GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 300V 0.5A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD340GON-SemiconductorNPN 0.5A 300V 15W MJD340 TMJD340
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 125 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+15.27 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD340GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 300V 0.5A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD340GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 300V; 0.5A; 15W; DPAK
Kind of package: tube
Power dissipation: 15W
Polarisation: bipolar
Type of transistor: NPN
Current gain: 30...240
Case: DPAK
Frequency: 10MHz
Collector current: 0.5A
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 300V
на замовлення 86 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+70.45 грн
14+31.11 грн
25+28.60 грн
75+25.58 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD340GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 300V 0.5A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 86 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
42+18.15 грн
Мінімальне замовлення: 42 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD340GonsemiBipolar Transistors - BJT 0.5A 300V 15W NPN
на замовлення 7910 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD340RL
на замовлення 933 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD340RLGonsemiDescription: TRANS NPN 300V 0.5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 15 W
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1800+19.84 грн
Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD340RLGON SemiconductorTrans GP BJT NPN 300V 0.5A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD340RLGONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 300V; 0.5A; 15W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 300V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 15W
Case: DPAK
Current gain: 30...240
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 10MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD340RLGonsemiBipolar Transistors - BJT 0.5A 300V 15W NPN
на замовлення 4191 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD340RLGON SemiconductorTrans GP BJT NPN 300V 0.5A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1800+26.52 грн
Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD340RLGonsemiDescription: TRANS NPN 300V 0.5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 15 W
на замовлення 3293 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+79.17 грн
10+47.63 грн
100+31.22 грн
500+22.68 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD340RLGON SemiconductorTrans GP BJT NPN 300V 0.5A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1800+26.39 грн
Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD340T4STTrans GP BJT NPN 300V 0.5A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R MJD340T4 STMicroelectronics TMJD340T4
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 109 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+11.45 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD340T4STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 300V 0.5A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+18.57 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD340T4STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT NPN Gen Pur Switch
на замовлення 3468 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD340T4STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 300V 0.5A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+20.40 грн
7500+18.57 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD340T4STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 300V 0.5A DPAK
Supplier Device Package: DPAK
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power - Max: 15 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Part Status: Active
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+20.41 грн
5000+18.12 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD340T4
Код товару: 108310
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD340T4STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 300V 0.5A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+13.71 грн
5000+12.96 грн
7500+11.25 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD340T4STMNPN, Uкэ=300V, Iк=0.5A (0.75 имп.), h21=30...240, 15Вт, DPAK TO-252 (SMD) (компл MJD350T4) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD340T4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - MJD340T4 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 300 V, 500 mA, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 15W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 92 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 92 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD340T4STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 300V 0.5A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
47+16.23 грн
68+11.25 грн
Мінімальне замовлення: 47 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD340T4STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 300V 0.5A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+13.64 грн
5000+12.91 грн
7500+11.19 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD340T4STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 300V 0.5A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5252 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+22.87 грн
34+22.19 грн
100+21.06 грн
250+19.19 грн
500+18.12 грн
1000+17.82 грн
3000+17.52 грн
Мінімальне замовлення: 33 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD340T4STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 300V 0.5A DPAK
Power - Max: 15 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 7107 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+79.95 грн
10+48.08 грн
100+31.54 грн
500+22.92 грн
1000+20.77 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD340T4STMicroelectronicsТранзистор NPN, Uceo, В = 300, Ic = 500 мА, hFE = 30...240, Р, Вт = 15, Тексп, °C = до 150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: D-PAK Од. вим: шт
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD340T4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - MJD340T4 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 300 V, 500 mA, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 15W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 92 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD340T4STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 300V 0.5A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5252 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
638+22.19 грн
648+21.84 грн
659+21.49 грн
670+20.38 грн
1000+18.56 грн
3000+17.52 грн
Мінімальне замовлення: 638 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD340T4STMicroelectronicsCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 300V; 0.5A; 15W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 300V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 15W
Case: DPAK
Current gain: 30...240
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
на замовлення 1648 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+74.96 грн
9+49.31 грн
11+41.51 грн
50+28.60 грн
100+24.91 грн
500+19.54 грн
1000+18.11 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD340T4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 300V 0.5A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+28.29 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD340T4GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD340T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 300 V, 500 mA, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 15W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 10MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 6616 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD340T4GOn SemiconductorNPN, Uкэ=300V, Iк=0.5A (0.75 имп.), h21=30...240, 15Вт, DPAK TO-252 (SMD) (компл MJD350T4) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD340T4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 300V 0.5A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+22.45 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD340T4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 300V 0.5A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2861 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+36.90 грн
25+31.03 грн
100+24.70 грн
250+21.38 грн
500+19.40 грн
1000+15.56 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD340T4GonsemiDescription: TRANS NPN 300V 0.5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 15 W
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+15.15 грн
5000+13.39 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD340T4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 300V 0.5A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2861 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
456+31.03 грн
553+25.62 грн
591+23.95 грн
625+21.83 грн
1000+16.21 грн
Мінімальне замовлення: 456 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD340T4GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 300V; 0.5A; 15W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 300V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 15W
Case: DPAK
Current gain: 30...240
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 10MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16  [ Наступна Сторінка >> ]