Продукція > Jan

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 34 68 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 136 170 204 238 272 306 340 348  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
JAN2N6484SIL/MOT
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
JAN2N6485SIL/MOT
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
JAN2N652A
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Jan2N6546Microsemi CorporationDescription: TRANS NPN 300V 15A TO3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JAN2N6546T1Microchip TechnologyDescription: TRANS NPN 300V 15A TO254
Package / Case: TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads)
Packaging: Bulk
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-254
Operating Temperature: 200°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
JAN2N6547
на замовлення 265 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
JAN2N6547Microchip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT Power BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
JAN2N6547Microchip TechnologyDescription: TRANS NPN 400V 15A TO204AA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 5V @ 3A, 15A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 12 @ 5A, 2V
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
Grade: Military
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 175 W
Qualification: MIL-PRF-19500/525
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
JAN2N6547T1Microchip TechnologyDescription: TRANS NPN 400V 15A TO254
Packaging: Bulk
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-254
Operating Temperature: 200°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
JAN2N657
на замовлення 88 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
JAN2N657Microchip TechnologyDescription: TRANS NPN 100V 0.02A TO5
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 20 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-5
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
JAN2N657Microchip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT Power BJT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JAN2N6570MOT/ON
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
JAN2N6571MOT/ON
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
JAN2N6572MOT/ON
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
JAN2N6573MOT/ON
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
JAN2N6574MOT/ON
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
JAN2N6575MOT/ON
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
JAN2N6576MOT/ON
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
JAN2N6577MOT/ON
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
JAN2N6578MOT/ON
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
JAN2N6579MOT/ON
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
JAN2N657SMicrochip TechnologyDescription: TRANS NPN 100V 0.02A TO5
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 20 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-5
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
JAN2N657SMicrochip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT Power BJT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JAN2N6648
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
JAN2N6648Microchip / MicrosemiMOSFET 40V PNP Power BJT THT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JAN2N6649Microchip / MicrosemiMOSFET 60V PNP Power BJT THT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JAN2N6650Microchip / MicrosemiMOSFET 80V PNP Power BJT THT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JAN2N6650
на замовлення 449 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
JAN2N6650Microchip TechnologyDescription: TRANS PNP DARL 80V 10A TO204AA
Power - Max: 5 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 3V
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 100mA, 10A
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Transistor Type: PNP - Darlington
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JAN2N6659VISHAY
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
JAN2N6660SILICONI
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
JAN2N6661SILICONI
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
JAN2N6671MOT/ON
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
JAN2N6672MOT/ON
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
JAN2N6673MOT/ON
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
JAN2N6674Microchip TechnologyDescription: TRANS NPN 300V 15A TO204AA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 5V @ 5A, 15A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 10A, 2V
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
Grade: Military
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 6 W
Qualification: MIL-PRF-19500/537
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
JAN2N6674Microchip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT Power BJT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JAN2N6674MOT/ON
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
JAN2N6675Microchip TechnologyDescription: TRANS NPN 400V 15A TO204AA
Qualification: MIL-PRF-19500/537
Grade: Military
Power - Max: 6 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 10A, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 5V @ 5A, 15A
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
JAN2N6675Microchip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT Power BJT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JAN2N6675MOT/ON
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
JAN2N6676MOT/ON
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
JAN2N6676Microchip TechnologyDescription: TRANS NPN 300V 15A TO204AA
Power - Max: 6 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 3V
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 3A, 15A
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Packaging: Bulk
Grade: Military
Qualification: MIL-PRF-19500/538
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
JAN2N6676Microchip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT Power BJT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JAN2N6676T1Microchip TechnologyDescription: TRANS NPN 300V 15A TO254
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 200°C (TJ)
Supplier Device Package: TO-254
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
JAN2N6677MOT/ON
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
JAN2N6678MOT/ON
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
JAN2N6678Microchip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT Power BJT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JAN2N6678Microchip TechnologyDescription: TRANS NPN 400V 15A TO204AA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 3A, 15A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 3V
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
Grade: Military
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 6 W
Qualification: MIL-PRF-19500/538
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
JAN2N6678T1Microchip TechnologyDescription: NPN TRANSISTOR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Jan2N6689MicrosemiBipolar Transistors - BJT Power BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Jan2N6690MicrosemiBipolar Transistors - BJT Power BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Jan2N6691Microchip TechnologyDescription: TRANS NPN 300V 15A TO61
Power - Max: 3 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-61
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 3V
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 3A, 15A
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Stud Mount
Package / Case: TO-211MA, TO-210AC, TO-61-4, Stud
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Jan2N6691MicrosemiBipolar Transistors - BJT Power BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Jan2N6693Microchip TechnologyDescription: TRANS NPN 400V 15A TO61
Power - Max: 3 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-61
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 3V
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 3A, 15A
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Stud Mount
Package / Case: TO-211MA, TO-210AC, TO-61-4, Stud
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Jan2N6693MicrosemiBipolar Transistors - BJT Power BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
JAN2N6755IR/MOT
на замовлення 850 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
JAN2N6756Microsemi CorporationDescription: MOSFET N-CH 100V 14A TO204AA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 4W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
Grade: Military
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Qualification: MIL-PRF-19500/542
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
JAN2N6756IR/MOT
на замовлення 850 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
JAN2N6757IR/MOT
на замовлення 850 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
JAN2N6758IR/MOT
на замовлення 850 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
JAN2N6758Microsemi CorporationDescription: MOSFET N-CH 200V 9A TO204AA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 490mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 4W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
JAN2N6759IR/MOT
на замовлення 850 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
JAN2N6760Microsemi CorporationDescription: MOSFET N-CH 400V 5.5A TO204AA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.22Ohm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 4W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
JAN2N6760MOTOROLA
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
JAN2N6761IR/MOT
на замовлення 850 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
JAN2N6762IR/MOT
на замовлення 850 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
JAN2N6762Microsemi CorporationDescription: MOSFET N-CH 500V 4.5A TO204AA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 4W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
JAN2N6763IR/MOT
на замовлення 850 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
JAN2N6764MOT/HAR
на замовлення 250 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
JAN2N6764Microsemi CorporationDescription: MOSFET N-CH 100V 38A TO204AE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AE
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 4W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Grade: Military
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V
Qualification: MIL-PRF-19500/543
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
JAN2N6764T1Microsemi CorporationDescription: MOSFET N-CH 100V 38A TO254AA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 4W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-254AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
JAN2N6765IR/MOT
на замовлення 850 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
JAN2N6766MOTOROLA
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
JAN2N6766Microsemi CorporationDescription: MOSFET N-CH 200V 30A TO3
Qualification: MIL-PRF-19500/543
Grade: Military
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 4W (Ta), 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-204AE
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
JAN2N6766T1Microsemi CorporationDescription: MOSFET N-CH 200V 30A TO254AA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 4W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-254AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
JAN2N6767IR/MOT
на замовлення 850 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
JAN2N6768Microsemi CorporationDescription: MOSFET N-CH 400V 14A TO204AE
Qualification: MIL-PRF-19500/543
Grade: Military
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 4W (Ta), 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 14A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-204AE
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
JAN2N6768IR/MOT
на замовлення 850 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
JAN2N6768T1Microsemi CorporationDescription: MOSFET N-CH 400V 14A TO254AA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-254AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 4W (Ta), 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 14A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads)
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
JAN2N6769MOT/HAR
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
JAN2N6770Microsemi CorporationDescription: MOSFET N-CH 500V 12A TO204AE
Qualification: MIL-PRF-19500/543
Grade: Military
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-204AE (TO-3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 4W (Ta), 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 12A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-204AE
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
JAN2N6770Microchip / MicrosemiMOSFET N Channel MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
JAN2N6770IR/MOT
на замовлення 850 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
JAN2N6770T1Microchip / MicrosemiMOSFET Power Mosfet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
JAN2N6770T1MICROSEMITO-254AA/N-CHANNEL MOSFET 2N6770
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
JAN2N6770T1Microsemi CorporationDescription: MOSFET N-CH 500V 12A TO254AA
Qualification: MIL-PRF-19500/543
Grade: Military
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-254AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 4W (Ta), 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 12A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads)
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
JAN2N6780HARRIS
на замовлення 5500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
JAN2N6781HARRIS
на замовлення 5500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
JAN2N6782IOR
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
JAN2N6782Microsemi CorporationDescription: MOSFET N-CH 100V 3.5A TO39
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AF Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 610mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta), 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-39
Grade: Military
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1 nC @ 10 V
Qualification: MIL-PRF-19500/556
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
JAN2N6782UMicrosemi CorporationDescription: MOSFET N-CH 100V 3.5A 18ULCC
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 18-CLCC
Packaging: Bulk
Qualification: MIL-PRF-19500/556
Grade: Military
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 18-ULCC (9.14x7.49)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta), 15W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 610mOhm @ 3.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
JAN2N6783HARRIS
на замовлення 5500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
JAN2N6784IR/HARRIS
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
JAN2N6784Microsemi CorporationDescription: MOSFET N-CH 200V 2.25A TO39
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-39
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta), 15W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 2.25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.25A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-205AF Metal Can
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
JAN2N6784UMicrosemi CorporationDescription: MOSFET N-CH 200V 2.25A 18ULCC
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: 18-ULCC (9.14x7.49)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta), 15W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 2.25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.25A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 18-CLCC
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
JAN2N6785HARRIS
на замовлення 5500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
JAN2N6786HARRIS
на замовлення 5500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
JAN2N6787HARRIS
на замовлення 5500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 34 68 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 136 170 204 238 272 306 340 348  [ Наступна Сторінка >> ]