Продукція > MMB
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| MMBTH10-4LT1G | onsemi | Description: RF TRANS NPN 25V 800MHZ SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 225mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 4mA, 10V Frequency - Transition: 800MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MMBTH10-4LT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - MMBTH10-4LT1G - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 25 V, 800 MHz, 225 mW, 999 A, SOT-23 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 999A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 800MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 75 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MMBTH10-4LT1G | ON Semiconductor | Trans RF BJT NPN 25V 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 1097 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 211 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MMBTH10-4LT1G | ON Semiconductor | на замовлення 750 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| MMBTH10-4LT1G | ON Semiconductor | Trans RF BJT NPN 25V 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 1097 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MMBTH10-4LT1G | onsemi | Description: RF TRANS NPN 25V 800MHZ SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 225mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 4mA, 10V Frequency - Transition: 800MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MMBTH10-4LT1G | ONSEMI | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 25V; 0.3W; SOT23 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: RF Collector-emitter voltage: 25V Power dissipation: 0.3W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 800MHz | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MMBTH10-4LT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - MMBTH10-4LT1G - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 25 V, 800 MHz, 225 mW, 999 A, SOT-23 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 999A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 800MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 75 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 75 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MMBTH10-7 | на замовлення 4800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBTH10-7 | Diodes Incorporated | Description: RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23-3 Part Status: Active Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 386 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MMBTH10-7-F | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - MMBTH10-7-F - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 25 V, 650 MHz, 300 mW, 50 mA, SOT-23 tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 50mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 650MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 1110 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MMBTH10-7-F | DIODES INCORPORATED | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 25V; 50mA; 300mW; SOT23 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 25V Power dissipation: 0.3W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 650MHz Collector current: 50mA Quantity in set/package: 3000pcs. | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MMBTH10-7-F | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - MMBTH10-7-F - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 25 V, 650 MHz, 300 mW, 50 mA, SOT-23 tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 50mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 650MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 1110 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MMBTH10-7-F | Diodes Incorporated | Description: RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 300mW Current - Collector (Ic) (Max): 50mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V Frequency - Transition: 650MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active | на замовлення 1485 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MMBTH10-7-F | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT 25V 300mW | на замовлення 6789 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MMBTH10-7-F | Diodes Zetex | Trans RF BJT NPN 25V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MMBTH10-7-F | Diodes Incorporated | Description: RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 300mW Current - Collector (Ic) (Max): 50mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V Frequency - Transition: 650MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MMBTH10-FS | Fairchild Semiconductor | Description: RF 0.05A, ULTRA HIGH FREQ BAND Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-23-3 Frequency - Transition: 650MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25V Power - Max: 225mW Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MMBTH10-NF40 | на замовлення 41000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBTH10-NF40(3E*) | на замовлення 20010 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBTH10-NL | FAIRCHIL | 09+ TO247 | на замовлення 900 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MMBTH10-ST | на замовлення 18000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBTH10-TP | Micro Commercial Components (MCC) | RF Bipolar Transistors 225mW, 25V,50mA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MMBTH10-TP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT-23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 225mW Current - Collector (Ic) (Max): 50mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V Frequency - Transition: 650MHz Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active | на замовлення 2823 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MMBTH10-TP | Micro Commercial Components | Trans RF BJT 25V 0.05A 225mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MMBTH10-TP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT-23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 225mW Current - Collector (Ic) (Max): 50mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V Frequency - Transition: 650MHz Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MMBTH102T1G | на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBTH10CT | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT Discrete Semiconductor Products RF Transistors (BJT) - TRANS NPN VHF/UHF 25V SOT23-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MMBTH10G-ASOT-23T/R | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBTH10G-ASOT-323T/R | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBTH10G-ASOT-523T/R | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBTH10G-BSOT-23T/R | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBTH10G-BSOT-323T/R | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBTH10G-BSOT-523T/R | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBTH10G-CSOT-23T/R | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBTH10G-CSOT-323T/R | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBTH10G-CSOT-523 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBTH10HLT1(3EM) | на замовлення 2981 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBTH10L | onsemi | onsemi SS SOT23 VHF XSTR NPN 25V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MMBTH10L | на замовлення 15000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBTH10LT1 | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 25V VHF Mixer NPN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MMBTH10LT1 | ON Semiconductor | Trans RF BJT NPN 25V 225mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 19500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MMBTH10LT1 | MOT | SOT23 | на замовлення 12400 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MMBTH10LT1 Код товару: 106959
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Біполярні NPN Напруга колектор-емітер Uceo, В: 25 В Напруга колектор-база Ucbo, В: 30 В | товару немає в наявності
|
| |||||||||||||||||
| MMBTH10LT1 | ONSEMI | Description: ONSEMI - MMBTH10LT1 - MMBTH10L - TRANS SS VHF NPN 25V SOT23 tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 177500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MMBTH10LT1 | ON Semiconductor | Trans RF BJT NPN 25V 225mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 11066 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MMBTH10LT1 | onsemi | Description: TRANS SS VHF NPN 25V SOT23 Packaging: Bulk | на замовлення 158553 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MMBTH10LT1(3EM) | на замовлення 6029 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBTH10LT1(3EX) | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBTH10LT1/3E | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBTH10LT1/3EM | MOTO | на замовлення 2730 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| MMBTH10LT1G | ONSEMI | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 25V; 225/300mW; SOT23 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: RF Collector-emitter voltage: 25V Power dissipation: 0.225/0.3W Case: SOT23 Current gain: 60...240 Mounting: SMD Frequency: 650MHz Kind of package: reel; tape | на замовлення 62 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MMBTH10LT1G | ON Semiconductor | Trans RF BJT NPN 25V 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MMBTH10LT1G | onsemi | Description: RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 225mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V Frequency - Transition: 650MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MMBTH10LT1G Код товару: 175304
Додати до обраних
Обраний товар
| ON | Транзистори > Біполярні NPN Корпус: SOT-23 Гранична частота fT: 650 МГц Напруга колектор-емітер Uceo, В: 25 В Напруга колектор-база Ucbo, В: 30 В Монтаж: SMD | у наявності: 9 шт
|
| ||||||||||||||||
| MMBTH10LT1G | LGE | NPN 25V SOT23 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MMBTH10LT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - MMBTH10LT1G - Bipolarer HF-Transistor, Universal, NPN, 25 V, 650 MHz, 225 mW, 4 mA, SOT-23 tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 4mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MMBTxxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 650MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 5440 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MMBTH10LT1G | ON Semiconductor | Trans RF BJT NPN 25V 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 224 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MMBTH10LT1G | ON Semiconductor | Trans RF BJT NPN 25V 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 760161 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MMBTH10LT1G | onsemi | Description: RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 225mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V Frequency - Transition: 650MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MMBTH10LT1G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 25V VHF Mixer NPN | на замовлення 49 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MMBTH10LT1G | ON Semiconductor | Trans RF BJT NPN 25V 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 224 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 213 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MMBTH10LT1G | onsemi | Description: RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT-23-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 225mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V Frequency - Transition: 650MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) | на замовлення 679969 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MMBTH10LT1G | On Semiconductor | TRANS SS VHF MIXER NPN 25V SOT23 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MMBTH10LT1G | ON Semiconductor | Trans RF BJT NPN 25V 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MMBTH10LT1G-- | на замовлення 42200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBTH10LT1G/MMBT9018 | N/A | SOT-23 05+ | на замовлення 84000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MMBTH10LT3G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT SS VHF XSTR NPN 25V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MMBTH10LT3G | ON Semiconductor | Trans RF BJT NPN 25V 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MMBTH10LT3G | onsemi | Description: RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 225mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V Frequency - Transition: 650MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MMBTH10LT3G | onsemi | Description: RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 225mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V Frequency - Transition: 650MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active | на замовлення 2941 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MMBTH10LTG | на замовлення 150000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBTH10LTIG | на замовлення 132000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBTH10M3T5G | onsemi | Description: RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT-723 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 265mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V Frequency - Transition: 650MHz Supplier Device Package: SOT-723 Part Status: Active | на замовлення 5321 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MMBTH10M3T5G | ON Semiconductor | Trans RF BJT NPN 25V 640mW 3-Pin SOT-723 T/R | на замовлення 4565 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MMBTH10M3T5G | onsemi | Description: RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT-723 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 265mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V Frequency - Transition: 650MHz Supplier Device Package: SOT-723 Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MMBTH10M3T5G | ONSEMI | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 25V; 0.64W; SOT723 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: RF Collector-emitter voltage: 25V Power dissipation: 0.64W Case: SOT723 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 650MHz | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MMBTH10M3T5G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT SOT723 VHF NPN TRANS | на замовлення 4975 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MMBTH10M3T5G | ON Semiconductor | на замовлення 4555 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| MMBTH10M3T5G | ON Semiconductor | Trans RF BJT NPN 25V 640mW 3-Pin SOT-723 T/R | на замовлення 14637 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MMBTH10Q-7-F | Diodes Zetex | NPN Surface Mount VHF/UHF Transistor Automotive AEC-Q101 | на замовлення 114000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MMBTH10Q-7-F | DIODES INCORPORATED | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 25V; 0.05A; 350mW; SOT23 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 25V Power dissipation: 0.35W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 650MHz Application: automotive industry Collector current: 50mA Current gain: 60 Quantity in set/package: 3000pcs. | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MMBTH10Q-7-F | Diodes Incorporated | Description: RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 310mW Current - Collector (Ic) (Max): 50mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V Frequency - Transition: 650MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MMBTH10Q-7-F | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT RF Transistor | на замовлення 2550 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MMBTH10Q-7-F | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - MMBTH10Q-7-F - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 25 V, 650 MHz, 310 mW, 50 mA, SOT-23 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 310mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 50mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 650MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 2026 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MMBTH10Q-7-F | Diodes Incorporated | Description: RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 310mW Current - Collector (Ic) (Max): 50mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V Frequency - Transition: 650MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MMBTH10Q-7-F | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - MMBTH10Q-7-F - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 25 V, 650 MHz, 310 mW, 50 mA, SOT-23 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 310mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 50mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 650MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 2026 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MMBTH10QLT1G | на замовлення 150000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBTH10RG | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBTH10RG | ONSEMI | Description: ONSEMI - MMBTH10RG - MMBTH10RG, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 243000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MMBTH10RG | ON Semiconductor | Trans RF BJT NPN 40V 0.05A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 376163 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MMBTH10RG | onsemi | Description: RF TRANS NPN 40V 450MHZ SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 225mW Current - Collector (Ic) (Max): 50mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 1mA, 6V Frequency - Transition: 450MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MMBTH10RG | ON Semiconductor | Trans RF BJT NPN 40V 0.05A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 299600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MMBTH10RG | Fairchild Semiconductor | Description: RF TRANS NPN 40V 450MHZ SOT-23-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 225mW Current - Collector (Ic) (Max): 50mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 1mA, 6V Frequency - Transition: 450MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 | на замовлення 135000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| MMBTH10RG | ON Semiconductor / Fairchild | RF Bipolar Transistors NPN RF Transistor | на замовлення 9469 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MMBTH10RG/3E | FAIRCHILD | SOT-23 | на замовлення 2845 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MMBTH10WT1G | на замовлення 90000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBTH10YWT1G | на замовлення 42000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMBTH11 | ONS/FAI | RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT-23-3 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MMBTH11 | onsemi | Description: RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT-23-3 Supplier Device Package: SOT-23-3 Frequency - Transition: 650MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25V Current - Collector (Ic) (Max): 50mA Power - Max: 225mW Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |

