Продукція > BC8

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 16 32 48 64 80 96 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 128 144 160 164  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
BC856AFSW-7Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 65V 0.1A UDFN14123/SWP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: U-DFN1412-3/SWP (Type A)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 450 mW
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+1.95 грн
10000+1.82 грн
15000+1.79 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC856AFSW-7Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT General Purpose Transistor U-DFN1412-3 T&R 5K
на замовлення 4990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BC856AFSW-7Diodes ZetexBC856AFSW-7
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5495+2.57 грн
Мінімальне замовлення: 5495 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC856AFSW-7Diodes ZetexBC856AFSW-7
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5495+2.57 грн
Мінімальне замовлення: 5495 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC856AFSWQ-7Diodes ZetexBC856AFSWQ-7
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+2.97 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC856AFSWQ-7Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 65V 0.1A UDFN14123/SWP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: U-DFN1412-3/SWP (Type A)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 450 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+2.24 грн
10000+2.09 грн
15000+2.05 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC856AFSWQ-7Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT General Purpose Transistor U-DFN1412-3 T&R 5K
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BC856AFSWQ-7Diodes ZetexBC856AFSWQ-7
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+2.97 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC856AFSWQ-7Diodes ZetexBC856AFSWQ-7
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+2.97 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC856AFSWQ-7Diodes ZetexBC856AFSWQ-7
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+2.97 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC856AFSWQ-7Diodes ZetexBC856AFSWQ-7
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+2.97 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC856AHE3-TPMicro Commercial ComponentsTrans GP BJT PNP 65V 0.1A 310mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC856AHE3-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: TRANS PNP 65V 0.1A SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 310 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 474 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+14.11 грн
37+8.23 грн
100+5.09 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC856AHE3-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: TRANS PNP 65V 0.1A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 310 mW
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC856ALonsemionsemi SS SOT23 GP XSTR PNP 65V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC856AL3-TPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT PNP SIGNAL TRANSISTOR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC856AL3-TPMicro Commercial ComponentsTrans GP BJT PNP 65V 0.1A 150mW 3-Pin DFN T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC856AL3-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: TRANS PNP 65V 0.1A DFN1006-3
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: DFN1006-3
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 150 mW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC856ALT1ON SemiconductorTrans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 37900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13275+2.67 грн
Мінімальне замовлення: 13275 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC856ALT1MOT
на замовлення 4050 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BC856ALT1onsemiDescription: TRANS PNP 65V 100MA SOT23
Packaging: Bulk
на замовлення 227900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7869+2.74 грн
Мінімальне замовлення: 7869 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC856ALT1ONSEMIDescription: ONSEMI - BC856ALT1 - TRANS PNP 65V 0.1A SOT23
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 16900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 15000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC856ALT1ON SemiconductorTrans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 190000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13275+2.67 грн
100000+2.23 грн
Мінімальне замовлення: 13275 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC856ALT1onsemiBipolar Transistors - BJT 100mA 80V PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC856ALT1GONN
на замовлення 2200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BC856ALT1G
Код товару: 148854
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Біполярні PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC856ALT1GonsemiDescription: TRANS PNP 65V 0.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+8.62 грн
58+5.28 грн
100+3.22 грн
500+2.18 грн
1000+1.90 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC856ALT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 59818 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30613+1.16 грн
Мінімальне замовлення: 30613 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC856ALT1GOn SemiconductorTRANS PNP 65V 100MA SOT23-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC856ALT1GONSEMIDescription: ONSEMI - BC856ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 65 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85331000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1045 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC856ALT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BC856ALT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 61 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BC856ALT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 66000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30613+1.16 грн
Мінімальне замовлення: 30613 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC856ALT1GonsemiBipolar Transistors - BJT 100mA 80V PNP
на замовлення 156000 шт:
термін постачання 385-394 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BC856ALT1GON SemiconductorТранзистор PNP, Ptot, Вт = 0,3, Uceo, В = 65, Ic = 100 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 100, hFE = 125 @ 2 мA, 5 В, Icutoff-max = 15 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,65 @ 5 мА, 100 мА, Тексп, °С = -55...+150,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC856ALT1GonsemiDescription: TRANS PNP 65V 0.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.71 грн
6000+1.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC856ALT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 63000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30613+1.16 грн
Мінімальне замовлення: 30613 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC856ALT1GONSEMIDescription: ONSEMI - BC856ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 65 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85331000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1045 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC856ALT1GONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 65V; 0.1A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 65V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 125...250
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
на замовлення 1714 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
56+8.13 грн
87+4.86 грн
124+3.39 грн
146+2.88 грн
500+2.00 грн
1000+1.74 грн
1500+1.60 грн
Мінімальне замовлення: 56 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC856ALT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.48 грн
6000+1.47 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC856ALT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC856ALT3onsemiDescription: TRANS PNP 65V 0.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 300 mW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 33000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC856ALT3GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 110000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13275+2.67 грн
100000+2.23 грн
Мінімальне замовлення: 13275 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC856ALT3GONSEMIDescription: ONSEMI - BC856ALT3G - BC856ALT3G, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 280000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 20000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC856ALT3GonsemiDescription: TRANS PNP 65V 0.1A SOT23-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 280000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7869+2.66 грн
Мінімальне замовлення: 7869 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC856ALT3GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 170000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13275+2.67 грн
100000+2.23 грн
Мінімальне замовлення: 13275 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC856ALT3GonsemiDescription: TRANS PNP 65V 0.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 300 mW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 40000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC856AM3-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: TRANS PNP 65V 0.1A SOT-723
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-723
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 265 mW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC856AM3-TPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT PNP SIGNAL TRANSISTOR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC856AM3T5GonsemiBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC856AMTFONSEMIDescription: ONSEMI - BC856AMTF - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 7794 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 6411 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC856AMTFFairchild SemiconductorDescription: TRANS PNP 65V 0.1A SOT-23-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 310 mW
на замовлення 7794 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3620+5.48 грн
Мінімальне замовлення: 3620 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC856AQYangjie TechnologyDescription: Transistors - Bipolar (BJT) - Si
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.80 грн
15000+1.66 грн
30000+1.51 грн
60000+1.35 грн
120000+1.20 грн
300000+1.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC856AQYangjie Electronic TechnologyPNP General Purpose Amplifier
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8242+1.72 грн
Мінімальне замовлення: 8242 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC856AQ-7-FDIODES INC.Description: DIODES INC. - BC856AQ-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 125hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC856 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC856AQ-7-FDiodes ZetexTrans GP BJT PNP 65V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC856AQ-7-FDiodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT General Purpose Transistor SOT23 T&R 3K
на замовлення 5948 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BC856AQ-7-FDiodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 65V 0.1A SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 310 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2461 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+18.81 грн
27+11.32 грн
33+9.33 грн
50+7.57 грн
100+6.58 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC856AQ-7-FDIODES INC.Description: DIODES INC. - BC856AQ-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 125hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC856 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC856AQ-7-FDiodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 65V 0.1A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 310 mW
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC856AQ-7-FDiodes ZetexTrans GP BJT PNP 65V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC856AQB-QZNexperiaTrans GP BJT PNP 65V 0.1A 420mW Automotive 3-Pin DFN-D EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC856AQB-QZNexperiaBipolar Transistors - BJT SOT8015 65V .1A PNP BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC856AQBZNexperia USA Inc.Description: TRANS PNP 65V 0.1A DFN1110D-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: DFN1110D-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 340 mW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC856AQBZNexperiaTrans GP BJT PNP 65V 0.1A 420mW 3-Pin DFN-D EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC856AQBZNexperiaBipolar Transistors - BJT BC856AQB/SOT8015/DFN1110D-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC856AQBZNexperia USA Inc.Description: TRANS PNP 65V 0.1A DFN1110D-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: DFN1110D-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 340 mW
на замовлення 4915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+15.68 грн
33+9.36 грн
100+5.80 грн
500+3.98 грн
1000+3.50 грн
2000+3.10 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC856AQBZ Транзистор
Код товару: 222360
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Біполярні PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC856AQC-QZNexperiaBipolar Transistors - BJT BC856AQC-Q/SOT8009/DFN1412D-3
на замовлення 795 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BC856AQC-QZNexperia USA Inc.Description: TRANS PNP 65V 0.1A DFN1412D-3
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power - Max: 360 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN1412D-3
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC856AQC-QZNexperiaTrans GP BJT PNP 65V 0.1A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin DFN-D T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2084 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC856AQC-QZNEXPERIADescription: NEXPERIA - BC856AQC-QZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 450 mW, DFN1412D, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 125hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 450mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN1412D
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC856xQC-Q Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC856AQC-QZNexperiaTrans GP BJT PNP 65V 0.1A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin DFN-D T/R
на замовлення 29700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
83+9.11 грн
138+5.47 грн
140+5.41 грн
141+5.16 грн
214+3.16 грн
250+3.01 грн
500+2.13 грн
1000+1.58 грн
3000+1.26 грн
Мінімальне замовлення: 83 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC856AQC-QZNEXPERIADescription: NEXPERIA - BC856AQC-QZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 450 mW, DFN1412D, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 125hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 125hFE
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung Pd: 450mW
Verlustleistung: 450mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN1412D
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 65V
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC856xQC-Q Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 100mA
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC856AQC-QZNexperiaTrans GP BJT PNP 65V 0.1A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin DFN-D T/R
на замовлення 29700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+3.54 грн
4033+3.51 грн
5682+2.49 грн
7654+1.78 грн
9616+1.31 грн
10345+1.17 грн
15000+0.95 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC856AQCZNexperia USA Inc.Description: TRANS PNP 65V 0.1A DFN1412D-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: DFN1412D-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 360 mW
на замовлення 4870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+14.89 грн
35+8.83 грн
100+5.43 грн
500+3.73 грн
1000+3.28 грн
2000+2.91 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC856AQCZNEXPERIADescription: NEXPERIA - BC856AQCZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 450 mW, DFN1412D, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 125hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 450mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN1412D
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC856xQC Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC856AQCZNexperiaBipolar Transistors - BJT BC856AQC/SOT8009/DFN1412D-3
на замовлення 9970 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BC856AQCZNexperia USA Inc.Description: TRANS PNP 65V 0.1A DFN1412D-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: DFN1412D-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 360 mW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC856AQCZNEXPERIADescription: NEXPERIA - BC856AQCZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 450 mW, DFN1412D, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 125hFE
hazardous: false
DC-Stromverstärkung hFE: 125hFE
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung Pd: 450mW
Verlustleistung: 450mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN1412D
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 65V
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC856xQC Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 100mA
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC856ARFTaiwan SemiconductorТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC856ASDiodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC856AS-7Diodes IncorporatedDescription: TRANS 2PNP 65V 100MA SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC856AS-7Diodes ZetexTrans GP BJT PNP 65V 0.1A 200mW 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC856AS-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - BC856AS-7 - Bipolares Transistor-Array, Zweifach pnp, 65 V, 100 mA
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung, PNP: 200mW
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA
Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 125hFE
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 65V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -
на замовлення 1270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC856AS-7Diodes ZetexTrans GP BJT PNP 65V 0.1A 200mW 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC856AS-7Diodes IncorporatedDescription: TRANS 2PNP 65V 100MA SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 2801 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+15.68 грн
33+9.28 грн
100+5.78 грн
500+3.98 грн
1000+3.50 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC856AS-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - BC856AS-7 - Bipolares Transistor-Array, Zweifach pnp, 65 V, 100 mA
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung, PNP: 200mW
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA
Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 125hFE
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 65V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -
на замовлення 1270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC856AS-7Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT 100mA 65V
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BC856ASQ-7-FDiodes ZetexTrans GP BJT PNP 65V 0.1A 200mW 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC856ASQ-7-FDiodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT General Purpose Transistor
на замовлення 834 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BC856ASQ-7-FDiodes ZetexTrans GP BJT PNP 65V 0.1A 200mW 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2006+7.05 грн
2778+5.09 грн
3206+4.41 грн
3297+4.14 грн
Мінімальне замовлення: 2006 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC856ASQ-7-FDiodes ZetexTrans GP BJT PNP 65V 0.1A 200mW 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
42+18.22 грн
68+11.20 грн
107+7.05 грн
500+4.91 грн
1000+3.94 грн
3000+3.68 грн
Мінімальне замовлення: 42 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC856ATYangjie TechnologyDescription: Transistors - Bipolar (BJT) - Si
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.96 грн
15000+1.81 грн
30000+1.74 грн
60000+1.49 грн
120000+1.35 грн
300000+1.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC856ATPHILIPS01+ SOT-423
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BC856ATYangjie Electronic TechnologyBC856AT
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7654+1.85 грн
Мінімальне замовлення: 7654 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC856AT TR PBFREECentral SemiconductorSurface Mount PNP Silicon Transistors
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC856AT TR PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT PNP 80Vcbo 65Vceo 5.0Vebo 100mA 250mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC856AT TR PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: 65V 100MA 250MW SMD TRANSISTOR-S
Power - Max: 250 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: SOT-523
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-89, SOT-490
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 9000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC856AT,115NXP USA Inc.Description: TRANS PNP 65V 0.1A SC75
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-75
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 150 mW
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 16 32 48 64 80 96 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 128 144 160 164  [ Наступна Сторінка >> ]