Продукція > JAN
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|
| JANKCB2N5415 | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 200 V Power BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| JANKCB2N5416 | Microchip Technology | Description: TRANS PNP 300V 1A TO-5 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 1mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V Supplier Device Package: TO-5 Grade: Military Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V Power - Max: 750 mW Qualification: MIL-PRF-19500/485 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| JANKCB2N5416 | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 300 V Power BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| JANKCBD2N2221A | Microchip Technology | Description: RH SMALL-SIGNAL BJT Power - Max: 500 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Part Status: Active Supplier Device Package: TO-18 (TO-206AA) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 50nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| JANKCBD2N2221A | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT RH Small-Signal BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| JANKCBD2N2222A | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT RH Small-Signal BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| JANKCBD2N2907A | Microchip Technology | Description: RH SMALL-SIGNAL BJT Packaging: Bulk Power - Max: 500 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Part Status: Active Supplier Device Package: TO-18 (TO-206AA) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 50nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| JANKCBD2N3439 | Microchip Technology | Description: RH POWER BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| JANKCBD2N3439 | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT RH Power BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| JANKCBD2N3440 | Microchip Technology | Description: RH POWER BJT Power - Max: 800 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Part Status: Active Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 2µA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 50mA Operating Temperature: -55°C ~ 200°C Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| JANKCBD2N3440 | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT RH Power BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| JANKCBD2N3700 | Microchip Technology | Description: RH SMALL-SIGNAL BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| JANKCBD2N3700 | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT RH Small-Signal BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| JANKCBD2N5002 | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT RH Power BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| JANKCBD2N5004 | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT RH Power BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| JANKCBF2N2222A | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 50V 0.8A TO18 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: TO-18 Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 500 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| JANKCBF2N2907A | Microchip Technology | Description: TRANS PNP 60V 0.6A TO18 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: TO-18 Grade: Military Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 500 mW Qualification: MIL-PRF-19500/291 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| JANKCBF2N3439 | Microchip Technology | Description: RH POWER BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| JANKCBF2N3439 | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT RH Power BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| JANKCBF2N3440 | Microchip Technology | Description: RH POWER BJT Power - Max: 800 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Part Status: Active Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 2µA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 50mA Operating Temperature: -55°C ~ 200°C Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| JANKCBF2N3440 | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT RH Power BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| JANKCBF2N3700 | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 80V 1A TO18 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: TO-18 (TO-206AA) Grade: Military Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 500 mW Qualification: MIL-PRF-19500/391 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| JANKCBF2N5004 | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| JANKCBH2N2221A | Microchip Technology | Description: RH SMALL-SIGNAL BJT Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Part Status: Active Supplier Device Package: TO-18 (TO-206AA) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 50nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Packaging: Bulk Power - Max: 500 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| JANKCBH2N2222A | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 50V 0.8A TO18 Power - Max: 500 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Part Status: Active Supplier Device Package: TO-18 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 50nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Operating Temperature: -65°C ~ 200°C Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| JANKCBH2N2222A | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT BJTs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| JANKCBL2N2222A | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT RH Small-Signal BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| JANKCBL2N2906A | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT RH Small-Signal BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| JANKCBL2N2906A | Microchip Technology | Description: RH SMALL-SIGNAL BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| JANKCBL2N2907A | Microchip Technology | Description: RH SMALL-SIGNAL BJT Packaging: Bulk Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: TO-18 (TO-206AA) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 500 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| JANKCBL2N3439 | Microchip Technology | Description: RH POWER BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| JANKCBL2N3439 | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT RH Power BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| JANKCBL2N3440 | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT RH Power BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| JANKCBL2N3440 | Microchip Technology | Description: RH POWER BJT Power - Max: 800 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Part Status: Active Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 2µA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 50mA Operating Temperature: -55°C ~ 200°C Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| JANKCBL2N3700 | Microchip Technology | Description: RH SMALL-SIGNAL BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| JANKCBL2N3700 | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT RH Small-Signal BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| JANKCBL2N5002 | Microchip / Microsemi | Microchip Technology | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| JANKCBL2N5004 | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| JANKCBM2N2221A | Microchip Technology | Description: RH SMALL-SIGNAL BJT Power - Max: 500 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Part Status: Active Supplier Device Package: TO-18 (TO-206AA) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 50nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| JANKCBM2N2222A | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT RH Small-Signal BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| JANKCBM2N2222A | Microchip Technology | Microchip Technology | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| JANKCBM2N2906A | Microchip Technology | Description: RH SMALL-SIGNAL BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| JANKCBM2N2906A | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT RH Small-Signal BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| JANKCBM2N2907A | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT RH Small-Signal BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| JANKCBM2N2907A | Microchip Technology | Description: RH SMALL-SIGNAL BJT Power - Max: 500 mW Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Part Status: Active Supplier Device Package: TO-18 (TO-206AA) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 50nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Packaging: Bulk Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| JANKCBM2N2907A | Microchip Technology | Microchip Technology | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| JANKCBM2N3439 | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT RH Power BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| JANKCBM2N3439 | Microchip Technology | Description: RH POWER BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| JANKCBM2N3440 | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT RH Power BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| JANKCBM2N3440 | Microchip Technology | Description: RH POWER BJT Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 2µA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 50mA Operating Temperature: -55°C ~ 200°C Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Packaging: Bulk Power - Max: 800 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| JANKCBM2N3700 | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT RH Small-Signal BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| JANKCBM2N3700 | Microchip Technology | Description: RH SMALL-SIGNAL BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| JANKCBM2N5004 | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| JANKCBP2N2222A | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT RH Small-Signal BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| JANKCBP2N2906A | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT RH Small-Signal BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| JANKCBP2N2907A | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT RH Small-Signal BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| JANKCBP2N2907A | Microchip Technology | Description: RH SMALL-SIGNAL BJT Transistor Type: PNP Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Packaging: Bulk Power - Max: 500 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Part Status: Active Supplier Device Package: TO-18 (TO-206AA) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 50nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| JANKCBP2N3439 | Microchip Technology | Description: RH POWER BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| JANKCBP2N3439 | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT RH Power BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| JANKCBP2N3440 | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT RH Power BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| JANKCBP2N3440 | Microchip Technology | Description: RH POWER BJT Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 200°C Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 2µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V Power - Max: 800 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| JANKCBP2N3700 | Microchip Technology | Description: RH SMALL-SIGNAL BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| JANKCBP2N3700 | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT RH Small-Signal BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| JANKCBP2N5004 | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| JANKCBR2N2221A | Microchip Technology | Description: RH SMALL-SIGNAL BJT Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Packaging: Bulk Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Part Status: Active Supplier Device Package: TO-18 (TO-206AA) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 50nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Power - Max: 500 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| JANKCBR2N2222A | Microchip Technology | Microchip Technology Power BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| JANKCBR2N2222A | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 50V 0.8A TO18 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: TO-18 Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 500 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| JANKCBR2N2906A | Microchip Technology | Description: TRANS PNP 60V 0.6A TO18 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: TO-18 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 500 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| JANKCBR2N2907A | Microchip Technology | Description: TRANS PNP 60V 0.6A TO18 Power - Max: 500 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Part Status: Active Supplier Device Package: TO-18 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 50nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Packaging: Tape & Reel (TR) Qualification: MIL-PRF-19500/291 Grade: Military | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| JANKCBR2N3439 | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 350V 1A TO39 Power - Max: 800 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Part Status: Active Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 2µA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 50mA Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| JANKCBR2N3440 | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 250V 1A TO39 Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 50mA Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Packaging: Tape & Reel (TR) Power - Max: 800 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Part Status: Active Qualification: MIL-PRF-19500/368 Grade: Military Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 2µA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| JANKCBR2N3700 | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 80V 1A TO18 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: TO-18 (TO-206AA) Grade: Military Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 500 mW Qualification: MIL-PRF-19500/391 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| JANKCBR2N5004 | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 80V 10A DIE Power - Max: 2 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Supplier Device Package: Die DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 2.5A, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 50µA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 5A Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Stud Mount Package / Case: Die Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| JANKCC2N3498 | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 100V 0.5A TO39 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 30mA, 300mA Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD) Grade: Military Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1 W Qualification: MIL-PRF-19500/366 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| JANKCC2N3498 | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| JANKCC2N3499 | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 100V 0.5A TO39 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 30mA, 300mA Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD) Grade: Military Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1 W Qualification: MIL-PRF-19500/366 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| JANKCC2N3499 | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| JANKCC2N3500 | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 150V 0.3A TO39 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 15mA, 150mA Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD) Grade: Military Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V Power - Max: 1 W Qualification: MIL-PRF-19500/366 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| JANKCC2N3500 | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| JANKCC2N3501 | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 150V 0.3A TO39 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 15mA, 150mA Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD) Grade: Military Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V Power - Max: 1 W Qualification: MIL-PRF-19500/366 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| JANKCC2N3501 | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| JANKCC2N5151 | Microchip Technology | Description: TRANS PNP 80V 2A TO39 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 50µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 2.5A, 5V Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD) Grade: Military Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1 W Qualification: MIL-PRF-19500/545 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| JANKCC2N5151 | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| JANKCC2N5153 | Microchip Technology | Description: TRANS PNP 80V 2A TO39 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 50µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 2.5A, 5V Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD) Grade: Military Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1 W Qualification: MIL-PRF-19500/545 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| JANKCC2N5153 | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 80V 2A 1W PNP Power BJT THT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| JANKCC2N5339 | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 100V 5A TO205AD Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 500mA, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 100µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 2V Supplier Device Package: TO-205AD (TO-39) Grade: Military Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1 W Qualification: MIL-PRF-19500/560 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| JANKCC2N5339 | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| JANKCC2N6193 | Microchip Technology | Description: TRANS PNP 100V 5A TO205AD Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 500mA, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 100µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 2V Supplier Device Package: TO-205AD (TO-39) Grade: Military Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1 W Qualification: MIL-PRF-19500/561 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| JANKCC2N6193 | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| JANKCCD2N3500 | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT RH Small-Signal BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| JANKCCD2N3501 | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT RH Small-Signal BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| JANKCCD2N5151 | Microchip Technology | Description: RH POWER BJT Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 50µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 2.5A, 5V Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| JANKCCD2N5151 | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT RH Power BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| JANKCCD2N5153 | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT RH Power BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| JANKCCF2N3500 | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT RH Small-Signal BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| JANKCCF2N3501 | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT RH Small-Signal BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| JANKCCF2N5151 | Microchip Technology | Description: TRANS PNP 80V 2A TO39 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 50µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 2.5A, 5V Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD) Grade: Military Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1 W Qualification: MIL-PRF-19500/545 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| JANKCCF2N5153 | Microchip Technology | Description: TRANSISTOR RH POWER BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| JANKCCG2N3500 | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT RH Small-Signal BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| JANKCCH2N3500 | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT RH Small-Signal BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |

