Продукція > 2SB

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 18 21 24 27 30 33 36 39  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
2SB1202T-EON SemiconductorBipolar Transistors - BJT BIP PNP 3A 50V
на замовлення 2387 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1202T-EonsemiDescription: TRANS PNP 50V 3A TP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: TP
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 21100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
937+21.07 грн
Мінімальне замовлення: 937 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1202T-TLSANYO03+ TO252
на замовлення 1030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1202T-TL-EonsemiDescription: TRANS PNP 50V 3A TP-FA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 226200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
805+24.76 грн
Мінімальне замовлення: 805 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1202T-TL-EON SemiconductorBipolar Transistors - BJT LOW-SATURATION VOLTAGE
на замовлення 2178 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1202T-TL-EON SemiconductorTrans GP BJT PNP 50V 3A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 223300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1213+29.16 грн
10000+26.01 грн
100000+21.78 грн
Мінімальне замовлення: 1213 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1202T-TL-EonsemiDescription: TRANS PNP 50V 3A TP-FA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1202T-TL-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SB1202T-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 7707 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
700+16.80 грн
Мінімальне замовлення: 700 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1202T-TL-ESANYO
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1202T-TL-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SB1202T-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 7707 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
700+16.80 грн
Мінімальне замовлення: 700 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1202TTL
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1202UTL
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1203onsemi BIP PNP 5A 50V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1203
Код товару: 152691
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Біполярні PNP
у наявності: 1 шт
  • 1 шт - склад
1+20.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1203QTL
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1203RTL
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1203S
Код товару: 3632
1 Додати до обраних Обраний товар
SanyoТранзистори > Біполярні PNP
Корпус: D-Pak
Гранична частота fT, MHz: 180 MHz
Напруга Uке, V: 50 V
Напруга Uкб, V: 60 V
Струм Iк, A: 5 A
Коефіцієнт підсилення h21, max: 400
у наявності: 182 шт
  • 102 шт - склад
  • 50 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 10 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 10 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 10 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
2+12.00 грн
10+10.50 грн
100+9.40 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1203SROMHSOT-252
на замовлення 10010 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1203S-EON SemiconductorTrans GP BJT PNP 50V 5A 1000mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Bag
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1203S-EonsemiDescription: TRANS PNP 50V 5A TP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 150mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: TP
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 146649 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
532+37.48 грн
Мінімальне замовлення: 532 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1203S-EON SemiconductorBipolar Transistors - BJT BIP PNP 5A 50V
на замовлення 216 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1203S-EonsemiDescription: TRANS PNP 50V 5A TP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 150mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: TP
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1203S-FTT-TL-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SB1203S-FTT-TL-E - 2SB1203 - BIPOLAR PNP TRANSISTOR, 5A 50V
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+29.41 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1203S-FTT-TL-EON Semiconductor2SB1203S-FTT-TL-E
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
789+44.83 грн
1000+41.35 грн
Мінімальне замовлення: 789 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1203S-FTT-TL-EON Semiconductor2SB1203S-FTT-TL-E
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
789+44.83 грн
1000+41.35 грн
Мінімальне замовлення: 789 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1203S-FTT-TL-EON Semiconductor2SB1203S-FTT-TL-E
на замовлення 6750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
789+44.83 грн
1000+41.35 грн
Мінімальне замовлення: 789 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1203S-FTT-TL-EonsemiDescription: TRANS PNP 50V 5A 2-TP-FA
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 150mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: 2-TP-FA
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 13050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
568+34.90 грн
Мінімальне замовлення: 568 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1203S-HonsemiDescription: TRANS PNP 50V 5A TP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 150mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: TP
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 13500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
499+39.52 грн
Мінімальне замовлення: 499 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1203S-HonsemiDescription: TRANS PNP 50V 5A TP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 150mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: TP
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1203S-HONSEMIDescription: ONSEMI - 2SB1203S-H - 2SB1203S-H, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+34.64 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1203S-HON SemiconductorBipolar Transistors - BJT BIP PNP 5A 50V
на замовлення 662 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1203S-H-TL-EonsemiDescription: TRANS PNP 50V 5A TPFA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 150mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1203S-N-TL-EonsemiDescription: TRANS PNP 50V 5A 2-TP-FA
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 150mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: 2-TP-FA
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
505+38.86 грн
Мінімальне замовлення: 505 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1203S-N-TL-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SB1203S-N-TL-E - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
700+34.64 грн
Мінімальне замовлення: 700 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1203S-N-TL-EON Semiconductor2SB1203S-N-TL-E
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
701+50.45 грн
1000+46.52 грн
Мінімальне замовлення: 701 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1203S-TLSANYO04+ TO-252
на замовлення 4900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1203S-TL-EON SemiconductorTrans GP BJT PNP 50V 5A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
728+48.63 грн
1000+44.84 грн
Мінімальне замовлення: 728 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1203S-TL-EonsemiDescription: TRANS PNP 50V 5A TP-FA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 150mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 12859 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+40.16 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1203S-TL-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SB1203S-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 5 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 140
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 20
Übergangsfrequenz ft: 130
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 5
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1203S-TL-EON SemiconductorBipolar Transistors - BJT BIP PNP 5A 50V
на замовлення 1733 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1203S-TL-EON SemiconductorTrans GP BJT PNP 50V 5A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 6259 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
728+48.63 грн
1000+44.84 грн
Мінімальне замовлення: 728 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1203S-TL-EonsemiDescription: TRANS PNP 50V 5A TP-FA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 150mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1203S-TL-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SB1203S-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 5 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 140
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 20
Übergangsfrequenz ft: 130
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 5
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+71.52 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1203S-TL-HONSEMIDescription: ONSEMI - 2SB1203S-TL-H - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 4200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
700+34.64 грн
Мінімальне замовлення: 700 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1203S-TL-HON SemiconductorBipolar Transistors - BJT BIP PNP 5A 50V
на замовлення 1393 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1203S-TL-HON SemiconductorTrans GP BJT PNP 50V 5A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
693+51.06 грн
1000+47.09 грн
Мінімальне замовлення: 693 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1203S-TL-HonsemiDescription: TRANS PNP 50V 5A TP-FA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 150mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 4200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
499+39.52 грн
Мінімальне замовлення: 499 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1203S-TL-HonsemiDescription: TRANS PNP 50V 5A TP-FA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 150mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1203STL
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1203T
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1203T-EonsemiDescription: TRANS PNP 50V 5A TP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 150mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: TP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1203T-EonsemiBipolar Transistors - BJT BIP PNP 5A 50V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1203T-HON SemiconductorBipolar Transistors - BJT BIP PNP 5A 50V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1203T-HonsemiDescription: TRANS PNP 50V 5A TP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 150mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: TP
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1203T-H-TL-EonsemiDescription: TRANS PNP 50V 5A TP-FA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 150mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1203T-TDSANYO
на замовлення 610 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1203T-TL-EON SemiconductorTrans GP BJT PNP 50V 5A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 30800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
728+48.63 грн
1000+44.84 грн
10000+39.98 грн
Мінімальне замовлення: 728 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1203T-TL-EonsemiDescription: TRANS PNP 50V 5A TP-FA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 150mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 513146 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+40.16 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1203T-TL-EON Semiconductor
на замовлення 620 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1203T-TL-EON SemiconductorTrans GP BJT PNP 50V 5A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 47550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
728+48.63 грн
1000+44.84 грн
10000+39.98 грн
Мінімальне замовлення: 728 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1203T-TL-EonsemiDescription: TRANS PNP 50V 5A TP-FA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 150mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1203T-TL-EON SemiconductorBipolar Transistors - BJT BIP PNP 5A 50V
на замовлення 1020 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1203T-TL-EON SemiconductorTrans GP BJT PNP 50V 5A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 434795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
728+48.63 грн
1000+44.84 грн
10000+39.98 грн
100000+32.30 грн
Мінімальне замовлення: 728 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1203T-TL-HonsemiDescription: TRANS PNP 50V 5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 150mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1203T-TL-HON SemiconductorBipolar Transistors - BJT BIP PNP 5A 50V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1203T-TLBSONYOSOT89
на замовлення 187 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1203TTL
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1204onsemi BIP PNP 8A 50V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1204SANYOSOT252
на замовлення 348 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1204QTL
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1204RTL
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1204S-EON SemiconductorTrans GP BJT PNP 50V 8A 1000mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Bag
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
657+53.88 грн
1000+49.69 грн
Мінімальне замовлення: 657 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1204S-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SB1204S-E - 2SB1204S-E, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+35.36 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1204S-EonsemiDescription: TRANS PNP 50V 8A TP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: TP
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1204S-EonsemiBipolar Transistors - BJT BIP PNP 8A 50V
на замовлення 259 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1204S-TL-ESANYO08+ TO-252
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1204S-TL-EON SemiconductorTrans GP BJT PNP 50V 8A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1204S-TL-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SB1204S-TL-E - TRANSISTOR, PNP, -50V, -8A, TO-252
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
700+35.28 грн
Мінімальне замовлення: 700 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1204S-TL-EonsemiDescription: TRANS PNP 50V 8A TP-FA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 700 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1204S-TL-EonsemiBipolar Transistors - BJT LOW-SATURATION VOLTAGE
на замовлення 1597 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1204S-TL-EonsemiDescription: TRANS PNP 50V 8A TP-FA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 1262 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
496+39.52 грн
Мінімальне замовлення: 496 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1204STL
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1204T
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1204T-EonsemiDescription: TRANS PNP 50V 8A TP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: TP
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1204T-EON SemiconductorTrans GP BJT PNP 50V 8A 1000mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Bag
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+40.20 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1204T-EonsemiBipolar Transistors - BJT BIP PNP 8A 50V
на замовлення 1127 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1204T-TL-EonsemiDescription: TRANS PNP 50V 8A TP-FA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1204T-TL-EON SemiconductorTrans GP BJT PNP 50V 8A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 79749 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
657+53.88 грн
1000+49.69 грн
10000+44.30 грн
Мінімальне замовлення: 657 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1204T-TL-EON SemiconductorTrans GP BJT PNP 50V 8A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
657+53.88 грн
1000+49.69 грн
Мінімальне замовлення: 657 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1204T-TL-EonsemiBipolar Transistors - BJT BIP PNP 8A 50V
на замовлення 828 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1204T-TL-EON SemiconductorTrans GP BJT PNP 50V 8A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 9100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
657+53.88 грн
1000+49.69 грн
Мінімальне замовлення: 657 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1204T-TL-EonsemiDescription: TRANS PNP 50V 8A TP-FA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+99.96 грн
10+61.11 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1204T-TL-EON SemiconductorTrans GP BJT PNP 50V 8A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
657+53.88 грн
1000+49.69 грн
Мінімальне замовлення: 657 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1204T-TL-ESANYOSOT252/2.5
на замовлення 651 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1204T-TL-EON SemiconductorTrans GP BJT PNP 50V 8A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 14700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
657+53.88 грн
1000+49.69 грн
10000+44.30 грн
Мінімальне замовлення: 657 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1204TTL
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1205onsemi BIP PNP 5A 20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1205S-EonsemiDescription: TRANS PNP 20V 5A TP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 60mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 320MHz
Supplier Device Package: TP
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 1 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1205S-EON SemiconductorTrans GP BJT PNP 20V 5A 1000mW 3-Pin(3+Tab) TP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1205S-EonsemiBipolar Transistors - BJT BIP PNP 5A 20V
на замовлення 1982 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 18 21 24 27 30 33 36 39  [ Наступна Сторінка >> ]