Продукція > 2SB

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
2SB1203S-EON SemiconductorTrans GP BJT PNP 50V 5A 1000mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Bag
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1203S-EonsemiDescription: TRANS PNP 50V 5A TP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 150mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: TP
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 146649 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
532+37.56 грн
Мінімальне замовлення: 532 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1203S-EON SemiconductorBipolar Transistors - BJT BIP PNP 5A 50V
на замовлення 216 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1203S-EonsemiDescription: TRANS PNP 50V 5A TP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 150mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: TP
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1203S-FTT-TL-EON Semiconductor2SB1203S-FTT-TL-E
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
789+44.93 грн
1000+41.44 грн
Мінімальне замовлення: 789 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1203S-FTT-TL-EON Semiconductor2SB1203S-FTT-TL-E
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
789+44.93 грн
1000+41.44 грн
Мінімальне замовлення: 789 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1203S-FTT-TL-EonsemiDescription: TRANS PNP 50V 5A 2-TP-FA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 150mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: 2-TP-FA
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 13050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
568+38.71 грн
Мінімальне замовлення: 568 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1203S-FTT-TL-Eonsemi
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1203S-FTT-TL-EON Semiconductor2SB1203S-FTT-TL-E
на замовлення 6750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
789+44.93 грн
1000+41.44 грн
Мінімальне замовлення: 789 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1203S-FTT-TL-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SB1203S-FTT-TL-E - 2SB1203 - BIPOLAR PNP TRANSISTOR, 5A 50V
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1203S-HonsemiDescription: TRANS PNP 50V 5A TP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 150mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: TP
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1203S-HonsemiBipolar Transistors - BJT BIP PNP 5A 50V
на замовлення 482 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1203S-HONSEMIDescription: ONSEMI - 2SB1203S-H - 2SB1203S-H, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1203S-HonsemiDescription: TRANS PNP 50V 5A TP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 150mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: TP
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 13500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
499+43.84 грн
Мінімальне замовлення: 499 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1203S-H-TL-EonsemiDescription: TRANS PNP 50V 5A TPFA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 150mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1203S-N-TL-EonsemiDescription: TRANS PNP 50V 5A 2-TP-FA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 150mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: 2-TP-FA
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
505+43.13 грн
Мінімальне замовлення: 505 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1203S-N-TL-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SB1203S-N-TL-E - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 700 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1203S-N-TL-EON Semiconductor2SB1203S-N-TL-E
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
701+50.56 грн
1000+46.63 грн
Мінімальне замовлення: 701 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1203S-TLSANYO04+ TO-252
на замовлення 4900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1203S-TL-EON SemiconductorBipolar Transistors - BJT BIP PNP 5A 50V
на замовлення 1733 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1203S-TL-EON SemiconductorTrans GP BJT PNP 50V 5A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
728+48.74 грн
1000+44.94 грн
Мінімальне замовлення: 728 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1203S-TL-EonsemiDescription: TRANS PNP 50V 5A TP-FA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 150mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 12859 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+40.25 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1203S-TL-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SB1203S-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 5 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 140
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 20
Übergangsfrequenz ft: 130
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 5
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1203S-TL-EON SemiconductorTrans GP BJT PNP 50V 5A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 6259 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
728+48.74 грн
1000+44.94 грн
Мінімальне замовлення: 728 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1203S-TL-EonsemiDescription: TRANS PNP 50V 5A TP-FA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 150mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1203S-TL-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SB1203S-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 5 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 140
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 20
Übergangsfrequenz ft: 130
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 5
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1203S-TL-HON SemiconductorTrans GP BJT PNP 50V 5A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
693+51.17 грн
1000+47.19 грн
Мінімальне замовлення: 693 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1203S-TL-HonsemiDescription: TRANS PNP 50V 5A TP-FA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 150mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 4200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
499+43.84 грн
Мінімальне замовлення: 499 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1203S-TL-HON SemiconductorBipolar Transistors - BJT BIP PNP 5A 50V
на замовлення 1393 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1203S-TL-HonsemiDescription: TRANS PNP 50V 5A TP-FA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 150mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1203S-TL-HONSEMIDescription: ONSEMI - 2SB1203S-TL-H - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 4200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 700 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1203STL
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1203T
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1203T-EonsemiDescription: TRANS PNP 50V 5A TP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 150mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: TP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1203T-EonsemiBipolar Transistors - BJT BIP PNP 5A 50V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1203T-HonsemiDescription: TRANS PNP 50V 5A TP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 150mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: TP
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1203T-HON SemiconductorBipolar Transistors - BJT BIP PNP 5A 50V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1203T-H-TL-EonsemiDescription: TRANS PNP 50V 5A TP-FA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 150mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1203T-TDSANYO
на замовлення 610 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1203T-TL-EON SemiconductorTrans GP BJT PNP 50V 5A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 434795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
728+48.74 грн
1000+44.94 грн
10000+40.07 грн
100000+32.38 грн
Мінімальне замовлення: 728 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1203T-TL-EonsemiDescription: TRANS PNP 50V 5A TP-FA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 150mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 513146 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+40.25 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1203T-TL-EON SemiconductorBipolar Transistors - BJT BIP PNP 5A 50V
на замовлення 1020 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1203T-TL-EON SemiconductorTrans GP BJT PNP 50V 5A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 30800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
728+48.74 грн
1000+44.94 грн
10000+40.07 грн
Мінімальне замовлення: 728 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1203T-TL-EonsemiDescription: TRANS PNP 50V 5A TP-FA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 150mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1203T-TL-EON SemiconductorTrans GP BJT PNP 50V 5A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 47550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
728+48.74 грн
1000+44.94 грн
10000+40.07 грн
Мінімальне замовлення: 728 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1203T-TL-HonsemiDescription: TRANS PNP 50V 5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 150mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1203T-TL-HON SemiconductorBipolar Transistors - BJT BIP PNP 5A 50V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1203T-TLBSONYOSOT89
на замовлення 187 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1203TTL
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1204onsemi BIP PNP 8A 50V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1204SANYOSOT252
на замовлення 348 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1204QTL
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1204RTL
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1204S-EonsemiBipolar Transistors - BJT BIP PNP 8A 50V
на замовлення 259 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1204S-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SB1204S-E - 2SB1204S-E, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1204S-EonsemiDescription: TRANS PNP 50V 8A TP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: TP
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1204S-EON SemiconductorTrans GP BJT PNP 50V 8A 1000mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Bag
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
657+54.00 грн
1000+49.80 грн
Мінімальне замовлення: 657 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1204S-TL-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SB1204S-TL-E - TRANSISTOR, PNP, -50V, -8A, TO-252
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 700 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1204S-TL-EonsemiDescription: TRANS PNP 50V 8A TP-FA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 700 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1204S-TL-EON SemiconductorTrans GP BJT PNP 50V 8A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1204S-TL-EonsemiDescription: TRANS PNP 50V 8A TP-FA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 1262 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
496+43.86 грн
Мінімальне замовлення: 496 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1204S-TL-EonsemiBipolar Transistors - BJT LOW-SATURATION VOLTAGE
на замовлення 1597 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1204STL
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1204T
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1204T-EonsemiDescription: TRANS PNP 50V 8A TP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: TP
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1204T-EonsemiBipolar Transistors - BJT BIP PNP 8A 50V
на замовлення 1127 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1204T-EON SemiconductorTrans GP BJT PNP 50V 8A 1000mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Bag
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+40.29 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1204T-TL-EON SemiconductorTrans GP BJT PNP 50V 8A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 79749 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
657+54.00 грн
1000+49.80 грн
10000+44.40 грн
Мінімальне замовлення: 657 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1204T-TL-EON SemiconductorTrans GP BJT PNP 50V 8A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
657+54.00 грн
1000+49.80 грн
Мінімальне замовлення: 657 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1204T-TL-EonsemiDescription: TRANS PNP 50V 8A TP-FA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+100.19 грн
10+61.25 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1204T-TL-EON SemiconductorTrans GP BJT PNP 50V 8A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 9100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
657+54.00 грн
1000+49.80 грн
Мінімальне замовлення: 657 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1204T-TL-EON SemiconductorTrans GP BJT PNP 50V 8A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
657+54.00 грн
1000+49.80 грн
Мінімальне замовлення: 657 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1204T-TL-EonsemiDescription: TRANS PNP 50V 8A TP-FA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1204T-TL-EonsemiBipolar Transistors - BJT BIP PNP 8A 50V
на замовлення 828 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1204T-TL-EON SemiconductorTrans GP BJT PNP 50V 8A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 14700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
657+54.00 грн
1000+49.80 грн
10000+44.40 грн
Мінімальне замовлення: 657 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1204TTL
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1205onsemi BIP PNP 5A 20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1205S-EonsemiDescription: TRANS PNP 20V 5A TP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 60mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 320MHz
Supplier Device Package: TP
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 1 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1205S-EonsemiBipolar Transistors - BJT BIP PNP 5A 20V
на замовлення 1982 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1205S-EON SemiconductorTrans GP BJT PNP 20V 5A 1000mW 3-Pin(3+Tab) TP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1205S-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SB1205S-E - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 31000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1205S-EonsemiDescription: TRANS PNP 20V 5A TP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 60mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 320MHz
Supplier Device Package: TP
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 31000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
895+24.81 грн
Мінімальне замовлення: 895 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1205S-TL-EON SemiconductorTrans GP BJT PNP 20V 5A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
832+42.61 грн
1000+39.30 грн
Мінімальне замовлення: 832 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1205S-TL-EON SemiconductorTrans GP BJT PNP 20V 5A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 93100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
832+42.61 грн
1000+39.30 грн
10000+35.04 грн
Мінімальне замовлення: 832 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1205S-TL-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SB1205S-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 20 V, 5 A, 10 W, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 5A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 10W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 320MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 83300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1205S-TL-EonsemiDescription: TRANS PNP 20V 5A TP-FA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 60mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 320MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 1 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1205S-TL-EON SemiconductorTrans GP BJT PNP 20V 5A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 20300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
832+42.61 грн
1000+39.30 грн
10000+35.04 грн
Мінімальне замовлення: 832 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1205S-TL-EON SemiconductorTrans GP BJT PNP 20V 5A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 9100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
832+42.61 грн
1000+39.30 грн
Мінімальне замовлення: 832 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1205S-TL-EON SemiconductorTrans GP BJT PNP 20V 5A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 28000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
832+42.61 грн
1000+39.30 грн
10000+35.04 грн
Мінімальне замовлення: 832 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1205S-TL-EonsemiBipolar Transistors - BJT BIP PNP 5A 20V
на замовлення 463 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1205S-TL-EON SemiconductorTrans GP BJT PNP 20V 5A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 35700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
832+42.61 грн
1000+39.30 грн
10000+35.04 грн
Мінімальне замовлення: 832 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1205S-TL-EON SemiconductorTrans GP BJT PNP 20V 5A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 40600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
832+42.61 грн
1000+39.30 грн
10000+35.04 грн
Мінімальне замовлення: 832 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1205S-TL-EonsemiDescription: TRANS PNP 20V 5A TP-FA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 60mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 320MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 649 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+90.09 грн
10+54.44 грн
100+35.93 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1205T-EON SemiconductorTrans GP BJT PNP 20V 5A 1000mW 3-Pin(3+Tab) TP T/R
на замовлення 273 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+19.21 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1205T-EON SemiconductorTrans GP BJT PNP 20V 5A 1000mW 3-Pin(3+Tab) TP T/R
на замовлення 967 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
929+15.26 грн
Мінімальне замовлення: 929 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1205T-EON SemiconductorBipolar Transistors - BJT BIP PNP 5A 20V
на замовлення 1938 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1205T-EonsemiDescription: TRANS PNP 20V 5A TP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 60mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 320MHz
Supplier Device Package: TP
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 1 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1205T-EON SemiconductorTrans GP BJT PNP 20V 5A 1000mW 3-Pin(3+Tab) TP T/R
на замовлення 967 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+15.26 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1205T-EON SemiconductorTrans GP BJT PNP 20V 5A 1000mW 3-Pin(3+Tab) TP T/R
на замовлення 273 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1205T-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SB1205T-E - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 127000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.