Продукція > BCR
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BCR133SH6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BCR133SH6327XTSA1 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 1 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm Verlustleistung: 250mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-363 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 6 Pins Produktpalette: BCR133 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach npn usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - | на замовлення 16450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCR133SH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Digital Transistors AF DIGITAL TRANSISTOR | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 19 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCR133SH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 250mW 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 8460 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCR133SH6433XTMA1 | Infineon Technologies | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 250mW 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 40000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCR133SH6433XTMA1 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT363 Part Status: Discontinued at Digi-Key Supplier Device Package: PG-SOT363-PO Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms Resistor - Base (R1): 10kOhms Frequency - Transition: 130MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Power - Max: 250mW Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 20000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCR133SH6433XTMA1 | Infineon Technologies | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 250mW 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 20000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCR133T | INFINEON | SOT23 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCR133T E6327 | INFINEON | SOT423-WC | на замовлення 33000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCR133T-E6327 | INFINEON | SOT23 | на замовлення 1700 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCR133TE6327 | Infineon Technologies | Description: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR Packaging: Bulk Resistor - Base (R1): 10 kOhms Frequency - Transition: 130 MHz Power - Max: 200 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Part Status: Active Supplier Device Package: PG-SOT23-3-11 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Transistor Type: NPN - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCR133TE6327 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BCR133TE6327 - BCR133 - DIGITAL TRANSISTOR tariffCode: 85412100 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: TBC hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCR133U | INFINEON | 09+ | на замовлення 174018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCR133U E6327 | INFINEON | SOT163-WC PB-FRE | на замовлення 42000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCR133UE6327SOT163-WCPB-FREE | INFINEON | на замовлення 42000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| BCR133W | infineon | SOT323 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCR133WE6327 | Infineon Technologies | Description: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR Packaging: Bulk Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCR133WE6327 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BCR133WE6327 - BCR133 - DIGITAL TRANSISTOR tariffCode: 85412100 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: TBC hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 8500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 8500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCR133WE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT323 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: PG-SOT323 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Frequency - Transition: 130 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCR133WE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - Pre-Biased | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCR133WH6327 | Infineon Technologies | Description: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistor - Base (R1): 10 kOhms Frequency - Transition: 130 MHz Power - Max: 250 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Part Status: Active Supplier Device Package: PG-SOT323-3-1 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Transistor Type: NPN - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-70, SOT-323 Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCR133WH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Digital Transistors AF DIGITAL TRANSISTOR | на замовлення 1770 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCR133WH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-323 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCR133WH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT323 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: PG-SOT323 Part Status: Last Time Buy Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Frequency - Transition: 130 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 36000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCR133WH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-323 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 45000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCR133WH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-323 T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 36000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCR133WH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT323 Resistors Included: R1 and R2 Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistor - Base (R1): 10 kOhms Frequency - Transition: 130 MHz Power - Max: 250 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Supplier Device Package: PG-SOT323 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Transistor Type: NPN - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-70, SOT-323 Packaging: Bulk | на замовлення 6828 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCR135 | INFINEON | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| BCR135 | Infineon Technologies | Digital Transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCR135-E6327 | Infineon | на замовлення 39000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| BCR135E6327 Код товару: 119637
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Біполярні NPN | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| BCR135E6327 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SOT23; R1: 10kΩ Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.2W Case: SOT23 Mounting: SMD Frequency: 150MHz Kind of transistor: BRT Base resistor: 10kΩ Base-emitter resistor: 47kΩ | на замовлення 372 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCR135E6327 : BCR135E6327HTSA1 BCR135E6327 | Infineon | TRANSISTOR NPN DGTL AF SOT-23 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCR135E6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Last Time Buy Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 150 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | на замовлення 76 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCR135E6327HTSA1 | Infineon | TRANS PREBIAS NPN 0.2W SOT23-3 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCR135E6327HTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BCR135E6327HTSA1 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm Verlustleistung: 200mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - | на замовлення 26213 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCR135E6327HTSA1 | Infineon Technologies | Digital Transistors NPN Silicon Digital TRANSISTOR | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 15 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCR135E6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 39000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCR135E6327HTSA1 | Infineon | NPN 100mA 50V 200mW 150MHz w/ res. 10k+47k BCR135 TBCR135 кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCR135E6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCR135E6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Last Time Buy Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 150 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 39000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCR135E6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 39000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCR135E6327HTSA1 | Infineon Technologies | Транзистор цифровий smd, Тип стр. = NPN, Ic = 100 мА, ft, МГц = 150, hFE = 70 @ 5 мA, 5 В, Icutoff-max = 100 нА, R1, кОм = 10, R2, кОм = 47, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,3 @ 500 мкA, 10 мА, Uсe, B = 50, Р, Вт = 0,2, Тексп, °C = -65...+150,... Транзистори Кор кількість в упаковці: 3000 шт | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCR135E6327HTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BCR135E6327HTSA1 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm Verlustleistung: 200mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - | на замовлення 26213 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCR135E6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCR135E6327HTSA1 | Infineon | NPN 100mA 50V 200mW 150MHz w/ res. 10k+47k BCR135 TBCR135 кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 2220 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCR135E6359HTMA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BCR135E6359HTMA1 - BCR135 - DIGITAL TRANSISTOR tariffCode: 85412100 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: TBC hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 7880 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 7880 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCR135E6359HTMA1 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: PG-SOT23 Grade: Automotive Part Status: Last Time Buy Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 150 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Qualification: AEC-Q101 Resistors Included: R1 and R2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCR135E6433 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: PG-SOT23-3-11 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 150 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCR135E6433HTMA1 | Infineon Technologies | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 40000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCR135E6433HTMA1 | Infineon Technologies | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 200000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCR135E6433HTMA1 | Infineon Technologies | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 13900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCR135E6433HTMA1 | Infineon Technologies | Digital Transistors NPN Silicon Digital TRANSISTOR | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 40000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCR135E6433HTMA1 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Discontinued at Digi-Key Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 150 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 Resistors Included: R1 and R2 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 40000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCR135F | infinen | SOT523 | на замовлення 4000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCR135F/DTC114YM | INFINEON | 09+ | на замовлення 51018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCR135S | infinen | на замовлення 5456 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| BCR135S-E6327 | Infineon | на замовлення 18000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| BCR135SE6327 | INF | 07+; | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCR135SE6327BTSA1 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT363 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Frequency - Transition: 150MHz Resistor - Base (R1): 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: PG-SOT363-PO Part Status: Obsolete | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCR135SH6327 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.25W; SOT363; R1: 10kΩ Mounting: SMD Collector-emitter voltage: 50V Base-emitter resistor: 47kΩ Base resistor: 10kΩ Frequency: 150MHz Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Type of transistor: NPN x2 Case: SOT363 Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.25W | на замовлення 1530 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCR135SH6327 | Infineon | 2NPN 50V 100mA 150MHz 250mW BCR135SH6327XTSA1 BCR135SH6327 Infineon TBCR135s кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCR135SH6327XT | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - Pre-Biased AF DIGITAL TRANSISTOR | на замовлення 690 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCR135SH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Digital Transistors AF DIGITAL TRANSISTOR | на замовлення 14290 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCR135SH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT363 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Frequency - Transition: 150MHz Resistor - Base (R1): 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: PG-SOT363-PO Part Status: Last Time Buy | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 15000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCR135SH6327XTSA1 | Infineon | на замовлення 24000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| BCR135SH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 250mW 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 45000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCR135SH6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BCR135SH6327XTSA1 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm Verlustleistung: 250mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-363 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 6 Pins Produktpalette: BCR135 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach npn usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - | на замовлення 14405 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCR135SH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT363 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Frequency - Transition: 150MHz Resistor - Base (R1): 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: PG-SOT363-PO Part Status: Last Time Buy | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCR135SH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 250mW 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 15000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCR135SH6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BCR135SH6327XTSA1 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm Verlustleistung: 250mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-363 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 6 Pins Produktpalette: BCR135 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach npn usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - | на замовлення 14405 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCR135SH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 250mW 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 51000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCR135SH6827XTSA1 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT363 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Frequency - Transition: 150MHz Resistor - Base (R1): 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: PG-SOT363-PO Part Status: Last Time Buy | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCR135T | 1NF | 10+ SOT-523 | на замовлення 99000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCR135TE6327 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BCR135TE6327 - BCR135 - DIGITAL TRANSISTOR tariffCode: 85412100 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: TBC hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCR135TE6327 | INFINEON | 07+ | на замовлення 6010 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCR135TE6327 | Infineon Technologies | Description: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Transistor Type: NPN - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Bulk Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Resistor - Base (R1): 10 kOhms Frequency - Transition: 150 MHz Power - Max: 200 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Part Status: Active Supplier Device Package: PG-SOT23-3-11 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCR135W | Infineon Technologies | Digital Transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCR135W | INFINEON | 09+ | на замовлення 3018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCR135W E6327 | Infineon | SOT-323 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCR135WE6327 | INFINEON | 2000 TO23-3 | на замовлення 3050 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCR135WE6327 | Infineon Technologies | Description: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR Packaging: Bulk Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: PG-SOT323-3-1 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Frequency - Transition: 150 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2900 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCR135WE6327BTSA1 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT323 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: PG-SOT323 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Frequency - Transition: 150 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCR135WH6327 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.25W; SOT323; R1: 10kΩ Mounting: SMD Collector-emitter voltage: 50V Base-emitter resistor: 47kΩ Base resistor: 10kΩ Frequency: 150MHz Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Type of transistor: NPN Case: SOT323 Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.25W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCR135WH6327 Код товару: 167649
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Біполярні NPN | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| BCR135WH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 250mW Automotive 3-Pin SOT-323 T/R | на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCR135WH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT323 Packaging: Bulk Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: PG-SOT323 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Frequency - Transition: 150 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | на замовлення 9690 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCR135WH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Digital Transistors AF DIGITAL TRANSISTOR | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 18 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCR135WH6327XTSA1 | Infineon | NPN 50V 100mA SMT Silicon Digital Transistor BCR135WH6327 BCR135WH6327XTSA1 TBCR135wh кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 30 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCR135WH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 250mW Automotive 3-Pin SOT-323 T/R | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCR135WH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 250mW Automotive 3-Pin SOT-323 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 36000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCR135WH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT323 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: PG-SOT323 Part Status: Last Time Buy Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Frequency - Transition: 150 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 36000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCR135WH6327XTSA1 | BCR135WH6327XTSA1 Микросхемы | на замовлення 4920 шт: термін постачання 4 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| BCR135WH6327XTSA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BCR135WH6327XTSA1 - BCR135 - DIGITAL TRANSISTOR tariffCode: 85412100 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: TBC hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 3016 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 3016 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCR135WH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 250mW Automotive 3-Pin SOT-323 T/R | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCR135WH6327XTSA1 | Infineon | NPN 50V 100mA SMT Silicon Digital Transistor BCR135WH6327 BCR135WH6327XTSA1 TBCR135wh кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 500 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCR135WH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 250mW Automotive 3-Pin SOT-323 T/R | на замовлення 8850 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCR135WJ | Infineon | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| BCR139 E6327 | INFINEON | SOT23 | на замовлення 1296 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCR139F | INFINEON | SOT23 | на замовлення 1258 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCR139F 6327 | INFINEON | SOT523-WY PB-FRE | на замовлення 135000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. |

