Обрати Сторінку:    << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18  Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
NSVJ3557SA3T1GonsemiDescription: JFET N-CH 15V 50MA SC59-3/CP3
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: SC-59-3/CP3
Current Drain (Id) - Max: 50 mA
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10pF @ 5V
FET Type: N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 10 mA @ 5 V
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 300 mV @ 100 µA
Power - Max: 200 mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V
на замовлення 10281 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+38.75 грн
11+27.31 грн
100+20.40 грн
500+15.98 грн
1000+14.37 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVJ3557SA3T1GON SemiconductorTrans JFET N-CH 15V 50mA Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVJ3557SA3T1GonsemiJFET NCH J-FET
на замовлення 31093 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVJ3910SB3onsemi NCH J-FET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVJ3910SB3T1GON SemiconductorTrans JFET N-CH 25V 50mA Automotive AEC-Q101 3-Pin CPH T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVJ3910SB3T1GonsemiJFETs N-Channel JFET, -25 V, 20 to 40 mA, 40 mS
на замовлення 13964 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVJ3910SB3T1GonsemiDescription: JFET N-CH 25V 50MA 3CPH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6pF @ 5V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 25 V
Current Drain (Id) - Max: 50 mA
Supplier Device Package: 3-CPH
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Power - Max: 400 mW
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 600 mV @ 100 µA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 20 mA @ 5 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 531000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.83 грн
6000+14.75 грн
9000+14.22 грн
15000+13.12 грн
21000+12.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVJ3910SB3T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVJ3910SB3T1G - JFET-Transistor, -25 V, 40 mA, -1.8 V, CPH, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 40mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: CPH
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -25V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: -1.8V
на замовлення 3053 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+27.89 грн
500+19.92 грн
1500+16.67 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVJ3910SB3T1GON SemiconductorTrans JFET N-CH 25V 50mA Automotive AEC-Q101 3-Pin CPH T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVJ3910SB3T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVJ3910SB3T1G - JFET-Transistor, -25 V, 40 mA, -1.8 V, CPH, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 40mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 20mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: CPH
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -25V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Transistortyp: JFET
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: -1.8V
на замовлення 3053 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+63.16 грн
50+40.90 грн
100+27.89 грн
500+19.92 грн
1500+16.67 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVJ3910SB3T1GonsemiDescription: JFET N-CH 25V 50MA 3CPH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6pF @ 5V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 25 V
Current Drain (Id) - Max: 50 mA
Supplier Device Package: 3-CPH
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Power - Max: 400 mW
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 600 mV @ 100 µA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 20 mA @ 5 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 531904 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+61.22 грн
10+38.80 грн
100+25.90 грн
500+19.26 грн
1000+17.40 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVJ5908DSG5T1GonsemiDescription: JFET 2N-CH 15V 50MA SC88AFL/MCPH
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 10 mA @ 5 V
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 300 mV @ 100 µA
Power - Max: 300 mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-88AFL/MCPH5
Current Drain (Id) - Max: 50 mA
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10.5pF @ 5V (Typ)
FET Type: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 5-SMD, Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3191 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+48.04 грн
10+32.61 грн
25+29.28 грн
100+24.05 грн
250+22.41 грн
500+21.43 грн
1000+20.28 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVJ5908DSG5T1GON SemiconductorTrans JFET N-CH 15V 50mA 5-Pin MCPH T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVJ5908DSG5T1GonsemiDescription: JFET 2N-CH 15V 50MA SC88AFL/MCPH
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 10 mA @ 5 V
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 300 mV @ 100 µA
Power - Max: 300 mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-88AFL/MCPH5
Current Drain (Id) - Max: 50 mA
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10.5pF @ 5V (Typ)
FET Type: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 5-SMD, Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+21.71 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVJ5908DSG5T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVJ5908DSG5T1G - JFET-Transistor, -15 V, 32 mA, -1.5 V, MCPH, 5 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 32mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Durchbruchspannung Vbr: -15V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: MCPH
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 5 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -15V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: -1.5V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2691 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+36.00 грн
500+26.12 грн
1000+22.52 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVJ5908DSG5T1GonsemiJFETs NCH+NCH J-FET
на замовлення 15112 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVJ5908DSG5T1GON SemiconductorTrans JFET N-CH 15V 50mA 5-Pin MCPH T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 93000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+27.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVJ5908DSG5T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVJ5908DSG5T1G - JFET-Transistor, -15 V, 32 mA, -1.5 V, MCPH, 5 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 32mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: MCPH
Anzahl der Pins: 5 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -15V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: -1.5V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+40.34 грн
100+30.86 грн
500+25.45 грн
1000+20.94 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVJ6904DSB6onsemionsemi JFET -25V 20 TO 40MA DUA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVJ6904DSB6T1GON SemiconductorTrans JFET N-CH 25V 50mA 6-Pin CPH T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVJ6904DSB6T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVJ6904DSB6T1G - JFET-Transistor, -25 V, 40 mA, -1.8 V, CPH, 6 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 40mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 20mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: CPH
Anzahl der Pins: 6 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -25V
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Transistortyp: JFET
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: -1.8V
на замовлення 3502 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+94.83 грн
11+73.29 грн
100+56.41 грн
500+40.07 грн
1000+34.65 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVJ6904DSB6T1GonsemiDescription: JFET 2N-CH 25V 50MA 6CPH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: 2 N-Channel (Dual)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6pF @ 5V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 25 V
Current Drain (Id) - Max: 50 mA
Supplier Device Package: 6-CPH
Grade: Automotive
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Power - Max: 700 mW
Resistance - RDS(On): 25 Ohms
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 600 mV @ 100 µA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 20 mA @ 5 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 536 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+77.49 грн
10+50.89 грн
100+36.15 грн
500+26.91 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVJ6904DSB6T1GON SemiconductorTrans JFET N-CH 25V 50mA 6-Pin CPH T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVJ6904DSB6T1GonsemiDescription: JFET 2N-CH 25V 50MA 6CPH
Qualification: AEC-Q101
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 20 mA @ 5 V
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 600 mV @ 100 µA
Resistance - RDS(On): 25 Ohms
Power - Max: 700 mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 6-CPH
Current Drain (Id) - Max: 50 mA
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 25 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6pF @ 5V
FET Type: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVJ6904DSB6T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVJ6904DSB6T1G - JFET-Transistor, -25 V, 40 mA, -1.8 V, CPH, 6 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 40mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 20mA
Durchbruchspannung Vbr: -25V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: CPH
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 6 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -25V
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Transistortyp: JFET
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: -1.8V
на замовлення 3502 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+56.41 грн
500+40.07 грн
1000+34.65 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVJ6904DSB6T1GonsemiJFETs JFET -25V, 20 TO 40MA DUA
на замовлення 7515 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVJ6904DSB6T1GONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-JFET x2; unipolar; 25V; 20mA; 0.7W; CPH6; Igt: 10mA
Polarisation: unipolar
Semiconductor structure: common source
Case: CPH6
Type of transistor: N-JFET x2
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Gate-source voltage: -25V
Gate current: 10mA
Drain current: 20mA
Power dissipation: 0.7W
Drain-source voltage: 25V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVM1MA141WAT1GonsemiSmall Signal Switching Diodes SS SC70 SWCH DIO 40V TR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVM1MA141WAT1GON SemiconductorDiodes - General Purpose, Power, Switching SS SC70 SWCH DIO 40V TR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVM1MA141WAT1GON SemiconductorDescription: DIODE SW 40V DUAL CA SC70-3
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 15000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVM1MA152WAT1GON SemiconductorDescription: DIODE SW 80V DUAL CA SC59-3
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 9000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVM1MA152WAT1GonsemiDiodes - General Purpose, Power, Switching SS SC59 SWCH DIO 80V TR
на замовлення 1933 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVM1MA152WKT1GonsemiDescription: DIODE ARRAY GP 80V 100MA SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 10 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA (DC)
Supplier Device Package: SC-59
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 75 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVM1MA152WKT1GonsemiSmall Signal Switching Diodes SS SC59 SWCH DIO 80V TR
на замовлення 7669 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVM1MA152WKT1GonsemiDescription: DIODE ARRAY GP 80V 100MA SC59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 10 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA (DC)
Supplier Device Package: SC-59
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 75 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+26.35 грн
17+18.36 грн
100+9.24 грн
500+7.69 грн
1000+5.98 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMBD54DWT1GON SemiconductorDescription: DIODE SCHOTTKY DUAL 30V SOT363
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMBD54DWT1GON SemiconductorSchottky Diodes & Rectifiers SMALL SIGNAL SCHOTTK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMBD770DW1T1GonsemiSchottky Diodes & Rectifiers 100 mA, 7 V, Schottky Diode, Dual Isolated
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMBD770DW1T1GonsemiDescription: DIODE ARR SCHOTT 70V 100MA SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 70 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 1 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 nA @ 35 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+30.22 грн
17+17.76 грн
25+14.75 грн
100+10.53 грн
250+8.90 грн
500+7.89 грн
1000+6.93 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMBD770DW1T1GonsemiDescription: DIODE ARR SCHOTT 70V 100MA SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 70 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 1 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 nA @ 35 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.63 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMBT3904DW1T3GonsemiBipolar Transistors - BJT SS SC88 GP XSTR NPN 40V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMBT3904DW1T3GonsemiDescription: TRANS 2NPN 40V 0.2A SC88/SC70
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Frequency - Transition: 300MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V
Current - Collector (Ic) (Max): 200mA
Power - Max: 150mW
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+7.24 грн
20000+6.42 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMBT3904DW1T3GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 0.2A 150mW Automotive 6-Pin SC-88 T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMBT3904DW1T3GonsemiDescription: TRANS 2NPN 40V 0.2A SC88/SC70
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V
Current - Collector (Ic) (Max): 200mA
Power - Max: 150mW
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Frequency - Transition: 300MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+38.75 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBD1403LT1GonsemiDescription: 175V FAST RECT TO-236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200mA
Operating Temperature - Junction: 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 175 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBD1403LT1GonsemiSmall Signal Switching Diodes 175V FAST RECT TO-236AB
на замовлення 4491 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBD1403LT1GonsemiDescription: 175V FAST RECT TO-236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Operating Temperature - Junction: 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 175 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+20.92 грн
24+12.46 грн
100+7.78 грн
500+5.39 грн
1000+4.77 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBD1501ALT3GonsemiDescription: DIODE STANDARD 200V 200MA SOT233
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 nA @ 180 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 79065 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+19.37 грн
26+11.72 грн
100+7.31 грн
500+5.05 грн
1000+4.47 грн
2000+3.97 грн
5000+3.38 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBD1501ALT3GonsemiSmall Signal Switching Diodes 180V FAST RECTIFIER GP
на замовлення 9909 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBD1501ALT3GonsemiDescription: DIODE STANDARD 200V 200MA SOT233
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 nA @ 180 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 70000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+3.18 грн
20000+2.78 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBD1504ALT1GonsemiDescription: HIGH CONDUCTANCE LOW LEAKAGE DIO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 nA @ 180 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+23.25 грн
22+13.58 грн
100+8.48 грн
500+5.88 грн
1000+5.21 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBD1504ALT1GonsemiDescription: HIGH CONDUCTANCE LOW LEAKAGE DIO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 nA @ 180 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBD352WT1GonsemiDescription: DIODE SCHOTTKY 7V 200MW SC-70-3
Power Dissipation (Max): 200 mW
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Voltage - Peak Reverse (Max): 7V
Capacitance @ Vr, F: 1pF @ 0V, 1MHz
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Diode Type: Schottky - 1 Pair Series Connection
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
Grade: Automotive
на замовлення 62473 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+13.95 грн
33+9.25 грн
37+8.15 грн
100+6.53 грн
250+5.99 грн
500+5.67 грн
1000+5.31 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBD352WT1GonsemiDescription: DIODE SCHOTTKY 7V 200MW SC-70-3
Power Dissipation (Max): 200 mW
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Voltage - Peak Reverse (Max): 7V
Capacitance @ Vr, F: 1pF @ 0V, 1MHz
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Diode Type: Schottky - 1 Pair Series Connection
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Grade: Automotive
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.61 грн
6000+5.23 грн
9000+5.15 грн
15000+4.74 грн
21000+4.69 грн
30000+4.64 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBD352WT1GonsemiSchottky Diodes & Rectifiers SS SHKY DIO 7V TR
на замовлення 2383 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBD353LT1
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBD353LT1GonsemiDescription: DIODE SCHOTTKY 7V 225MW SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Diode Type: Schottky - 1 Pair Series Connection
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 1pF @ 0V, 1MHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 7V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Power Dissipation (Max): 225 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBD353LT1GONN
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBD353LT1GonsemiSchottky Diodes & Rectifiers SS SHKY DIO 7V TR
на замовлення 294 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBD353LT1GonsemiDescription: DIODE SCHOTTKY 7V 225MW SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Diode Type: Schottky - 1 Pair Series Connection
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 1pF @ 0V, 1MHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 7V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Power Dissipation (Max): 225 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1869 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+10.07 грн
48+6.34 грн
54+5.55 грн
100+4.42 грн
250+4.04 грн
500+3.81 грн
1000+3.56 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBD354LT1GON SemiconductorSchottky Diodes & Rectifiers SS SOT23 SHKY DIO 7V TR
на замовлення 5625 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBD354LT1GonsemiDescription: DIODE SCHOTTKY 7V 300MW SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Diode Type: Schottky - 1 Pair Common Cathode
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 1pF @ 0V, 1MHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 7V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Power Dissipation (Max): 300 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.05 грн
6000+14.46 грн
15000+13.46 грн
30000+11.98 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBD354LT1GonsemiSchottky Diodes & Rectifiers SS SOT23 SHKY DIO 7V TR
на замовлення 5111 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBD354LT1GonsemiDescription: DIODE SCHOTTKY 7V 300MW SOT23-3
Power Dissipation (Max): 300 mW
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Voltage - Peak Reverse (Max): 7V
Capacitance @ Vr, F: 1pF @ 0V, 1MHz
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Diode Type: Schottky - 1 Pair Common Cathode
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 46691 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+45.72 грн
10+37.38 грн
25+34.92 грн
100+26.20 грн
250+24.33 грн
500+20.59 грн
1000+15.65 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBD717LT1GonsemiSchottky Diodes & Rectifiers SS SC70 SHKY DIO 20V TR
на замовлення 2841 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBD717LT1GON SemiconductorDescription: DIODE SCHOTTKY 20V SC70-3
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBT2222AM3T5GonsemiDescription: TRANS NPN 40V 0.6A SOT-723
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-723
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 640 mW
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBT2222AM3T5GonsemiDescription: TRANS NPN 40V 0.6A SOT-723
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-723
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 640 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
55+361.81 грн
Мінімальне замовлення: 55 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBT2222AM3T5GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.64W; SOT723
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.64W
Case: SOT723
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBT2222AM3T5GonsemiDescription: TRANS NPN 40V 0.6A SOT-723
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-723
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 640 mW
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBT2222AM3T5GonsemiBipolar Transistors - BJT SS SOT-723 GP TRANSISTOR
на замовлення 5203 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBT2222ATT1GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.15W; SC75,SOT416
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC75; SOT416
Current gain: 100
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBT2222ATT1GonsemiDescription: TRANS NPN 40V 0.6A SC75 SOT416
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 76 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+22.47 грн
23+13.43 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBT2222ATT1GonsemiBipolar Transistors - BJT SS SC75 GP XSTR NPN 75V
на замовлення 295 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBT2222ATT1GonsemiDescription: TRANS NPN 40V 0.6A SC75 SOT416
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 150 mW
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBT2222ATT1GON Semiconductor
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBT2907AM3T5GonsemiBipolar Transistors - BJT SS GP PNP TRANSISTOR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBT2907AM3T5GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVMMBT2907AM3T5G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 600 mA, 640 mW, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 640mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-723
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBT2907AM3T5GonsemiDescription: TRANS PNP 60V 0.6A SOT-723
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SOT-723
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 640 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1898 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+24.80 грн
21+14.48 грн
100+9.06 грн
500+6.30 грн
1000+5.59 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBT2907AM3T5GONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 0.64W; SOT723
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.64W
Case: SOT723
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBT2907AM3T5GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVMMBT2907AM3T5G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 600 mA, 640 mW, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 640mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-723
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBT2907AM3T5GonsemiDescription: TRANS PNP 60V 0.6A SOT-723
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SOT-723
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 640 mW
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBT2907AWT1GonsemiDescription: TRANS PNP 60V 0.6A SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 150 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.75 грн
6000+4.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBT2907AWT1GONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 0.15W; SC70,SOT323
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 100
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBT2907AWT1GONN
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBT2907AWT1GonsemiBipolar Transistors - BJT SS SC70 GP XSTR PNP 60V
на замовлення 6657 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBT2907AWT1GonsemiDescription: TRANS PNP 60V 0.6A SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 150 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+24.02 грн
22+14.03 грн
100+8.81 грн
500+6.13 грн
1000+5.43 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBT3906TT1GONN
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBT3906TT1GonsemiBipolar Transistors - BJT SMALL SIGNAL GENERAL
на замовлення 12447 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBT3906TT1GonsemiDescription: TRANS PNP 40V 0.2A SC75 SOT416
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 200 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.51 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBT3906TT1GONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 0.2A; 0.2W; SC75,SOT416
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC75; SOT416
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBT3906TT1GonsemiDescription: TRANS PNP 40V 0.2A SC75 SOT416
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 200 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6152 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+23.25 грн
22+13.66 грн
100+8.57 грн
500+5.94 грн
1000+5.27 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBT4401WT1GonsemiDescription: TRANS NPN 40V 0.6A SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 150 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+23.25 грн
22+13.73 грн
100+8.59 грн
500+5.97 грн
1000+5.29 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBT4401WT1GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.15W; SC70,SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBT4401WT1GonsemiDescription: TRANS NPN 40V 0.6A SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 150 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.62 грн
6000+4.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBT4401WT1GonsemiBipolar Transistors - BJT SS SC70 GP XSTR NPN 40V
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBT5087LT1GONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 0.05A; 0.25W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 50mA
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 250...800
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 40MHz
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBT5087LT1GonsemiDescription: TRANS PNP 50V 0.05A SOT23-3
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Power - Max: 225 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Frequency - Transition: 40MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100µA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 147729 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+22.47 грн
23+13.43 грн
100+8.41 грн
500+5.83 грн
1000+5.17 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBT5087LT1GonsemiBipolar Transistors - BJT SS SOT23 LN XSTR PNP 50V
на замовлення 10657 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBT5087LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVMMBT5087LT1G - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 153000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9000+4.07 грн
Мінімальне замовлення: 9000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:    << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18  Наступна Сторінка >> ]