Продукція > NSV

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
NSVMMBD1501ALT3GonsemiDescription: DIODE STANDARD 200V 200MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 nA @ 180 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 40065 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+20.38 грн
25+12.23 грн
50+8.74 грн
100+7.14 грн
500+5.26 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBD1501ALT3GonsemiSmall Signal Switching Diodes 180V FAST RECTIFIER GP
на замовлення 9909 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBD1501ALT3GonsemiDescription: DIODE STANDARD 200V 200MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 nA @ 180 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+3.57 грн
20000+3.13 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBD1504ALT1GonsemiDescription: HIGH CONDUCTANCE LOW LEAKAGE DIO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 nA @ 180 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+24.30 грн
22+14.11 грн
50+10.13 грн
100+8.28 грн
500+6.12 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBD1504ALT1GonsemiDescription: HIGH CONDUCTANCE LOW LEAKAGE DIO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 nA @ 180 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBD352WT1GonsemiDescription: DIODE SCHOTTKY 7V 200MW SC-70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Diode Type: Schottky - 1 Pair Series Connection
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 1pF @ 0V, 1MHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 7V
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Grade: Automotive
Power Dissipation (Max): 200 mW
на замовлення 20362 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+14.11 грн
32+9.66 грн
36+8.51 грн
100+6.81 грн
250+6.26 грн
500+5.92 грн
1000+5.55 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBD352WT1GONSEMICategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SC70,SOT323; SMD; 7V; 10mA; reel,tape
Type of diode: Schottky switching
Case: SC70; SOT323
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 7V
Load current: 10mA
Semiconductor structure: double series
Max. forward voltage: 0.6V
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBD352WT1GonsemiDescription: DIODE SCHOTTKY 7V 200MW SC-70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Diode Type: Schottky - 1 Pair Series Connection
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 1pF @ 0V, 1MHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 7V
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Grade: Automotive
Power Dissipation (Max): 200 mW
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.75 грн
6000+5.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBD352WT1GonsemiSchottky Diodes & Rectifiers SS SHKY DIO 7V TR
на замовлення 2308 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBD353LT1
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBD353LT1GonsemiDescription: DIODE SCHOTTKY 7V 225MW SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Diode Type: Schottky - 1 Pair Series Connection
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 1pF @ 0V, 1MHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 7V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Power Dissipation (Max): 225 mW
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBD353LT1GONSEMICategory: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 7V; 10ns; SOT23; Ufmax: 0.6V; 300mW; reel,tape
Type of diode: switching
Case: SOT23
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 7V
Semiconductor structure: double series
Max. forward voltage: 0.6V
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Application: automotive industry
Reverse recovery time: 10ns
Power dissipation: 0.3W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBD353LT1GonsemiSchottky Diodes & Rectifiers SS SHKY DIO 7V TR
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBD353LT1GonsemiDescription: DIODE SCHOTTKY 7V 225MW SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Diode Type: Schottky - 1 Pair Series Connection
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 1pF @ 0V, 1MHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 7V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Power Dissipation (Max): 225 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+10.19 грн
46+6.57 грн
53+5.77 грн
100+4.60 грн
250+4.20 грн
500+3.96 грн
1000+3.70 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBD354LT1GON SemiconductorSchottky Diodes & Rectifiers SS SOT23 SHKY DIO 7V TR
на замовлення 5625 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBD354LT1GonsemiDescription: DIODE SCHOTTKY 7V 300MW SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Diode Type: Schottky - 1 Pair Common Cathode
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 1pF @ 0V, 1MHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 7V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Power Dissipation (Max): 300 mW
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBD354LT1GonsemiSchottky Diodes & Rectifiers SS SOT23 SHKY DIO 7V TR
на замовлення 5111 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBD354LT1GonsemiDescription: DIODE SCHOTTKY 7V 300MW SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Diode Type: Schottky - 1 Pair Common Cathode
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 1pF @ 0V, 1MHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 7V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Power Dissipation (Max): 300 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1065 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.08 грн
19+16.68 грн
25+14.85 грн
100+12.04 грн
250+11.13 грн
500+10.58 грн
1000+9.96 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBD354LT1GONSEMICategory: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 7V; SOT23; Ufmax: 0.6V; 300mW; reel,tape
Type of diode: switching
Case: SOT23
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 7V
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. forward voltage: 0.6V
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Application: automotive industry
Power dissipation: 0.3W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBD717LT1GonsemiSchottky Diodes & Rectifiers SS SC70 SHKY DIO 20V TR
на замовлення 2841 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBD717LT1GON SemiconductorDescription: DIODE SCHOTTKY 20V SC70-3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBT2222AM3T5GonsemiDescription: TRANS NPN 40V 0.6A SOT-723
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-723
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 640 mW
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBT2222AM3T5GonsemiDescription: TRANS NPN 40V 0.6A SOT-723
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
55+401.86 грн
Мінімальне замовлення: 55 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBT2222AM3T5GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.64W; SOT723
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.64W
Case: SOT723
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBT2222AM3T5GonsemiDescription: TRANS NPN 40V 0.6A SOT-723
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-723
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 640 mW
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBT2222AM3T5GonsemiBipolar Transistors - BJT SS SOT-723 GP TRANSISTOR
на замовлення 30119 шт:
термін постачання 386-395 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBT2222ATT1GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.15W; SC75,SOT416
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC75; SOT416
Current gain: 100
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBT2222ATT1GonsemiDescription: TRANS NPN 40V 0.6A SC75 SOT416
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+22.73 грн
23+13.59 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBT2222ATT1GonsemiBipolar Transistors - BJT SS SC75 GP XSTR NPN 75V
на замовлення 6437 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBT2222ATT1GonsemiDescription: TRANS NPN 40V 0.6A SC75 SOT416
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 150 mW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBT2907AM3T5GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVMMBT2907AM3T5G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 600 mA, 640 mW, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 640mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-723
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBT2907AM3T5GonsemiDescription: TRANS PNP 60V 0.6A SOT-723
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SOT-723
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 640 mW
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBT2907AM3T5GonsemiBipolar Transistors - BJT SS GP PNP TRANSISTOR
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 378-387 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBT2907AM3T5GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVMMBT2907AM3T5G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 600 mA, 640 mW, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 640mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-723
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBT2907AM3T5GonsemiDescription: TRANS PNP 60V 0.6A SOT-723
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SOT-723
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 640 mW
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBT2907AM3T5GONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 0.64W; SOT723
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.64W
Case: SOT723
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBT2907AWT1GonsemiDescription: TRANS PNP 60V 0.6A SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 150 mW
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBT2907AWT1GONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 0.15W; SC70,SOT323
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 100
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBT2907AWT1GonsemiBipolar Transistors - BJT SS SC70 GP XSTR PNP 60V
на замовлення 6644 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBT2907AWT1GonsemiDescription: TRANS PNP 60V 0.6A SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 150 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 85 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+24.30 грн
22+14.19 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBT3906TT1GonsemiBipolar Transistors - BJT SMALL SIGNAL GENERAL
на замовлення 12437 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBT3906TT1GonsemiDescription: TRANS PNP 40V 0.2A SC75 SOT416
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.83 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBT3906TT1GONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 0.2A; 0.2W; SC75,SOT416
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC75; SOT416
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBT3906TT1GonsemiDescription: TRANS PNP 40V 0.2A SC75 SOT416
на замовлення 5288 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+22.73 грн
23+13.59 грн
100+8.50 грн
500+5.90 грн
1000+5.22 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBT4401WT1GonsemiDescription: TRANS NPN 40V 0.6A SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 150 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+23.51 грн
22+13.89 грн
100+8.69 грн
500+6.03 грн
1000+5.35 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBT4401WT1GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.15W; SC70,SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBT4401WT1GonsemiDescription: TRANS NPN 40V 0.6A SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 150 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.67 грн
6000+4.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBT4401WT1GonsemiBipolar Transistors - BJT SS SC70 GP XSTR NPN 40V
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBT5087LT1GONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 0.05A; 0.25W; SOT23,TO236AB
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 50V
Power dissipation: 0.25W
Polarisation: bipolar
Application: automotive industry
Type of transistor: PNP
Current gain: 250...800
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23; TO236AB
Frequency: 40MHz
Collector current: 50mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBT5087LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVMMBT5087LT1G - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 153000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 9000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBT5087LT1GonsemiDescription: TRANS PNP 50V 0.05A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100µA, 5V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 225 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 123729 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+23.51 грн
22+13.89 грн
100+8.70 грн
500+6.04 грн
1000+5.35 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBT5087LT1GonsemiBipolar Transistors - BJT SS SOT23 LN XSTR PNP 50V
на замовлення 10657 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBT5087LT1GonsemiDescription: TRANS PNP 50V 0.05A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100µA, 5V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 225 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 123000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.67 грн
6000+4.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBT5087LT3GonsemiBipolar Transistors - BJT SS SOT23 LN XSTR PNP 50V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBT5087LT3GonsemiDescription: TRANS PNP 50V 0.05A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100µA, 5V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 225 mW
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBT5088LT3GonsemiDescription: TRANS NPN 30V 0.05A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100µA, 5V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 225 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBT5088LT3GonsemiDescription: TRANS NPN 30V 0.05A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100µA, 5V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 225 mW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBT5088LT3GonsemiBipolar Transistors - BJT SS SOT23 LN XSTR NPN 35V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBT5401LT3GonsemiBipolar Transistors - BJT SS SOT23 HV XSTR PNP 150V
на замовлення 10002 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBT5401LT3GonsemiDescription: TRANS PNP 150V 0.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 3550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+13.32 грн
39+7.85 грн
100+4.88 грн
500+3.34 грн
1000+2.94 грн
2000+2.60 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBT5401LT3GonsemiDescription: TRANS PNP 150V 0.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 225 mW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBT5401M3T5GonsemiDescription: TRANS PNP 150V 0.06A SOT-723
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: SOT-723
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 130 mW
на замовлення 3324 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+19.60 грн
26+11.62 грн
100+7.23 грн
500+4.99 грн
1000+4.41 грн
2000+3.92 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBT5401M3T5GONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 150V; 0.06A; 0.25W; SOT723
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 150V
Collector current: 60mA
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT723
Current gain: 60...240
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBT5401M3T5GonsemiBipolar Transistors - BJT 150 V, 60 mA
на замовлення 6767 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBT5401M3T5GonsemiDescription: TRANS PNP 150V 0.06A SOT-723
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: SOT-723
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 130 mW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBT5401WT1GonsemiDescription: TRANS PNP 150V 0.5A SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 400 mW
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBT5401WT1GONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 150V; 0.5A; 0.2W; SC70,SOT323
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 150V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 60...240
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBT5401WT1GonsemiBipolar Transistors - BJT PNP HIGH VOLTAGE TRA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBT5401WT1GonsemiDescription: TRANS PNP 150V 0.5A SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 400 mW
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBT5401WT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVMMBT5401WT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 150 V, 500 mA, 400 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBT5550LT1GonsemiBipolar Transistors - BJT SS SOT23 HV XSTR NPN 160V
на замовлення 5569 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBT5550LT1GonsemiDescription: TRANS NPN 140V 0.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 225 mW
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBT5550LT1GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 140V; 0.6A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 140V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 60...250
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBT5550LT1GonsemiDescription: TRANS NPN 140V 0.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 225 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.08 грн
21+14.64 грн
100+9.13 грн
500+6.35 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBT5551M3T5GonsemiDescription: TRANS NPN 160V 0.06A SOT-723
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-723
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 265 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBT5551M3T5GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.06A; 0.64W; SOT723
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 60mA
Power dissipation: 0.64W
Case: SOT723
Current gain: 80...250
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBT5551M3T5GonsemiDescription: TRANS NPN 160V 0.06A SOT-723
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-723
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 265 mW
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBT5551M3T5GonsemiBipolar Transistors - BJT SOT-723 GP NPN TRANS
на замовлення 15951 шт:
термін постачання 386-395 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBT589LT1GONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 1A; 0.31W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 1A
Power dissipation: 0.31W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBT589LT1GonsemiBipolar Transistors - BJT SS LS XSTR PNP 50V
на замовлення 621 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBT589LT1GonsemiDescription: TRANS PNP 30V 1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 310 mW
на замовлення 2613 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+63.49 грн
10+37.89 грн
100+24.59 грн
500+17.68 грн
1000+15.95 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBT589LT1GonsemiDescription: TRANS PNP 30V 1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 310 mW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBT6429LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVMMBT6429LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 200 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 500hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 200mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 700MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 7165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBT6429LT1GonsemiDescription: TRANS NPN 45V 0.2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500 @ 100µA, 5V
Frequency - Transition: 700MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+21.16 грн
25+12.45 грн
100+7.80 грн
500+5.41 грн
1000+4.79 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBT6429LT1GonsemiBipolar Transistors - BJT NPN Bipolar Trnsistr
на замовлення 7654 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBT6429LT1GonsemiDescription: TRANS NPN 45V 0.2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500 @ 100µA, 5V
Frequency - Transition: 700MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBT6429LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVMMBT6429LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 200 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 500hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 200mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 700MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 7315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBT6517LT1GON SemiconductorDescription: TRANS NPN 350V 0.1A SOT23
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBT6520LT1GonsemiDescription: TRANS PNP 350V 0.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 50mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 225 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6379 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+47.81 грн
11+28.53 грн
100+18.37 грн
500+13.10 грн
1000+11.77 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBT6520LT1GonsemiBipolar Transistors - BJT High Voltage PNP Bipolar Transistor
на замовлення 2662 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBT6520LT1GonsemiDescription: TRANS PNP 350V 0.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 50mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 225 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBTA05LT1GonsemiBipolar Transistors - BJT SS SOT23 DR XSTR NPN
на замовлення 8204 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBTA05LT1GonsemiDescription: TRANS NPN 60V 0.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 422 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.87 грн
20+15.47 грн
100+9.72 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBTA05LT1GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 0.5A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBTA05LT1GonsemiDescription: TRANS NPN 60V 0.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 225 mW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBTA28LT1GonsemiDescription: NPN DARLINGTON TRANSISTOR 80V AE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Frequency - Transition: 125MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBTH10LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVMMBTH10LT1G - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 25 V, 650 MHz, 300 mW, 999 A, SOT-23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 999A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 650MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 3010 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBTH10LT1GonsemiDescription: RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 225mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V
Frequency - Transition: 650MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
на замовлення 11713 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+17.24 грн
26+11.62 грн
30+10.27 грн
100+8.25 грн
250+7.60 грн
500+7.20 грн
1000+6.76 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBTH10LT1GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 25V; 0.3W; SOT23; automotive industry
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 25V
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 650MHz
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBTH10LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NSVMMBTH10LT1G - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 25 V, 650 MHz, 300 mW, 999 A, SOT-23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 999A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 650MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 3010 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.