Продукція > NSV
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| NSVJ3557SA3T1G | onsemi | Description: JFET N-CH 15V 50MA SC59-3/CP3 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Supplier Device Package: SC-59-3/CP3 Current Drain (Id) - Max: 50 mA Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10pF @ 5V FET Type: N-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 10 mA @ 5 V Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 300 mV @ 100 µA Power - Max: 200 mW Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V | на замовлення 10281 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NSVJ3557SA3T1G | ON Semiconductor | Trans JFET N-CH 15V 50mA Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-59 T/R | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NSVJ3557SA3T1G | onsemi | JFET NCH J-FET | на замовлення 31093 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NSVJ3910SB3 | onsemi | NCH J-FET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NSVJ3910SB3T1G | ON Semiconductor | Trans JFET N-CH 25V 50mA Automotive AEC-Q101 3-Pin CPH T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NSVJ3910SB3T1G | onsemi | JFETs N-Channel JFET, -25 V, 20 to 40 mA, 40 mS | на замовлення 13964 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NSVJ3910SB3T1G | onsemi | Description: JFET N-CH 25V 50MA 3CPH Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) FET Type: N-Channel Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6pF @ 5V Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 25 V Current Drain (Id) - Max: 50 mA Supplier Device Package: 3-CPH Grade: Automotive Part Status: Active Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Power - Max: 400 mW Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 600 mV @ 100 µA Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 20 mA @ 5 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 531000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NSVJ3910SB3T1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSVJ3910SB3T1G - JFET-Transistor, -25 V, 40 mA, -1.8 V, CPH, 3 Pins, 150 °C tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 40mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: CPH Anzahl der Pins: 3 Pins Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -25V Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Gate-Source-Sperrspannung, max.: -1.8V | на замовлення 3053 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NSVJ3910SB3T1G | ON Semiconductor | Trans JFET N-CH 25V 50mA Automotive AEC-Q101 3-Pin CPH T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NSVJ3910SB3T1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSVJ3910SB3T1G - JFET-Transistor, -25 V, 40 mA, -1.8 V, CPH, 3 Pins, 150 °C tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 40mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 20mA SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: CPH Anzahl der Pins: 3 Pins Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -25V Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Transistortyp: JFET Betriebstemperatur, max.: 150°C Gate-Source-Sperrspannung, max.: -1.8V | на замовлення 3053 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NSVJ3910SB3T1G | onsemi | Description: JFET N-CH 25V 50MA 3CPH Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) FET Type: N-Channel Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6pF @ 5V Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 25 V Current Drain (Id) - Max: 50 mA Supplier Device Package: 3-CPH Grade: Automotive Part Status: Active Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Power - Max: 400 mW Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 600 mV @ 100 µA Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 20 mA @ 5 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 531904 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NSVJ5908DSG5T1G | onsemi | Description: JFET 2N-CH 15V 50MA SC88AFL/MCPH Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 10 mA @ 5 V Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 300 mV @ 100 µA Power - Max: 300 mW Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V Part Status: Active Supplier Device Package: SC-88AFL/MCPH5 Current Drain (Id) - Max: 50 mA Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10.5pF @ 5V (Typ) FET Type: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 5-SMD, Flat Leads Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 3191 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NSVJ5908DSG5T1G | ON Semiconductor | Trans JFET N-CH 15V 50mA 5-Pin MCPH T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NSVJ5908DSG5T1G | onsemi | Description: JFET 2N-CH 15V 50MA SC88AFL/MCPH Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 10 mA @ 5 V Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 300 mV @ 100 µA Power - Max: 300 mW Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V Part Status: Active Supplier Device Package: SC-88AFL/MCPH5 Current Drain (Id) - Max: 50 mA Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10.5pF @ 5V (Typ) FET Type: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 5-SMD, Flat Leads Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NSVJ5908DSG5T1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSVJ5908DSG5T1G - JFET-Transistor, -15 V, 32 mA, -1.5 V, MCPH, 5 Pins, 150 °C tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 32mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Durchbruchspannung Vbr: -15V euEccn: NLR Bauform - Transistor: MCPH Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 5 Pins Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -15V Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Gate-Source-Sperrspannung, max.: -1.5V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 2691 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NSVJ5908DSG5T1G | onsemi | JFETs NCH+NCH J-FET | на замовлення 15112 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NSVJ5908DSG5T1G | ON Semiconductor | Trans JFET N-CH 15V 50mA 5-Pin MCPH T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 93000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NSVJ5908DSG5T1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSVJ5908DSG5T1G - JFET-Transistor, -15 V, 32 mA, -1.5 V, MCPH, 5 Pins, 150 °C tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 32mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Bauform - Transistor: MCPH Anzahl der Pins: 5 Pins Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -15V Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Gate-Source-Sperrspannung, max.: -1.5V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 2690 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NSVJ6904DSB6 | onsemi | onsemi JFET -25V 20 TO 40MA DUA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NSVJ6904DSB6T1G | ON Semiconductor | Trans JFET N-CH 25V 50mA 6-Pin CPH T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NSVJ6904DSB6T1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSVJ6904DSB6T1G - JFET-Transistor, -25 V, 40 mA, -1.8 V, CPH, 6 Pins, 150 °C tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 40mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 20mA SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: CPH Anzahl der Pins: 6 Pins Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -25V Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Transistortyp: JFET Betriebstemperatur, max.: 150°C Gate-Source-Sperrspannung, max.: -1.8V | на замовлення 3502 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NSVJ6904DSB6T1G | onsemi | Description: JFET 2N-CH 25V 50MA 6CPH Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) FET Type: 2 N-Channel (Dual) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6pF @ 5V Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 25 V Current Drain (Id) - Max: 50 mA Supplier Device Package: 6-CPH Grade: Automotive Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Power - Max: 700 mW Resistance - RDS(On): 25 Ohms Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 600 mV @ 100 µA Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 20 mA @ 5 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 536 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NSVJ6904DSB6T1G | ON Semiconductor | Trans JFET N-CH 25V 50mA 6-Pin CPH T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NSVJ6904DSB6T1G | onsemi | Description: JFET 2N-CH 25V 50MA 6CPH Qualification: AEC-Q101 Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 20 mA @ 5 V Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 600 mV @ 100 µA Resistance - RDS(On): 25 Ohms Power - Max: 700 mW Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Grade: Automotive Supplier Device Package: 6-CPH Current Drain (Id) - Max: 50 mA Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 25 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6pF @ 5V FET Type: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NSVJ6904DSB6T1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSVJ6904DSB6T1G - JFET-Transistor, -25 V, 40 mA, -1.8 V, CPH, 6 Pins, 150 °C tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 40mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 20mA Durchbruchspannung Vbr: -25V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: CPH Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 6 Pins Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -25V Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Transistortyp: JFET Betriebstemperatur, max.: 150°C Gate-Source-Sperrspannung, max.: -1.8V | на замовлення 3502 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NSVJ6904DSB6T1G | onsemi | JFETs JFET -25V, 20 TO 40MA DUA | на замовлення 7515 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NSVJ6904DSB6T1G | ONSEMI | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-JFET x2; unipolar; 25V; 20mA; 0.7W; CPH6; Igt: 10mA Polarisation: unipolar Semiconductor structure: common source Case: CPH6 Type of transistor: N-JFET x2 Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Gate-source voltage: -25V Gate current: 10mA Drain current: 20mA Power dissipation: 0.7W Drain-source voltage: 25V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NSVM1MA141WAT1G | onsemi | Small Signal Switching Diodes SS SC70 SWCH DIO 40V TR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NSVM1MA141WAT1G | ON Semiconductor | Diodes - General Purpose, Power, Switching SS SC70 SWCH DIO 40V TR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NSVM1MA141WAT1G | ON Semiconductor | Description: DIODE SW 40V DUAL CA SC70-3 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 15000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NSVM1MA152WAT1G | ON Semiconductor | Description: DIODE SW 80V DUAL CA SC59-3 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 9000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NSVM1MA152WAT1G | onsemi | Diodes - General Purpose, Power, Switching SS SC59 SWCH DIO 80V TR | на замовлення 1933 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NSVM1MA152WKT1G | onsemi | Description: DIODE ARRAY GP 80V 100MA SC59 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Reverse Recovery Time (trr): 10 ns Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA (DC) Supplier Device Package: SC-59 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 75 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NSVM1MA152WKT1G | onsemi | Small Signal Switching Diodes SS SC59 SWCH DIO 80V TR | на замовлення 7669 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NSVM1MA152WKT1G | onsemi | Description: DIODE ARRAY GP 80V 100MA SC59 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Reverse Recovery Time (trr): 10 ns Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA (DC) Supplier Device Package: SC-59 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 75 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 4800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NSVMBD54DWT1G | ON Semiconductor | Description: DIODE SCHOTTKY DUAL 30V SOT363 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NSVMBD54DWT1G | ON Semiconductor | Schottky Diodes & Rectifiers SMALL SIGNAL SCHOTTK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NSVMBD770DW1T1G | onsemi | Schottky Diodes & Rectifiers 100 mA, 7 V, Schottky Diode, Dual Isolated | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NSVMBD770DW1T1G | onsemi | Description: DIODE ARR SCHOTT 70V 100MA SC88 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Technology: Schottky Diode Configuration: 2 Independent Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 70 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 1 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 nA @ 35 V | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NSVMBD770DW1T1G | onsemi | Description: DIODE ARR SCHOTT 70V 100MA SC88 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Technology: Schottky Diode Configuration: 2 Independent Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 70 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 1 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 nA @ 35 V | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NSVMBT3904DW1T3G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT SS SC88 GP XSTR NPN 40V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NSVMBT3904DW1T3G | onsemi | Description: TRANS 2NPN 40V 0.2A SC88/SC70 Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Frequency - Transition: 300MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V Current - Collector (Ic) (Max): 200mA Power - Max: 150mW Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: 2 NPN (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NSVMBT3904DW1T3G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 40V 0.2A 150mW Automotive 6-Pin SC-88 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NSVMBT3904DW1T3G | onsemi | Description: TRANS 2NPN 40V 0.2A SC88/SC70 Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V Current - Collector (Ic) (Max): 200mA Power - Max: 150mW Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: 2 NPN (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Packaging: Cut Tape (CT) Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Frequency - Transition: 300MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NSVMMBD1403LT1G | onsemi | Description: 175V FAST RECT TO-236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Series Connection Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200mA Operating Temperature - Junction: 150°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 175 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NSVMMBD1403LT1G | onsemi | Small Signal Switching Diodes 175V FAST RECT TO-236AB | на замовлення 4491 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NSVMMBD1403LT1G | onsemi | Description: 175V FAST RECT TO-236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Series Connection Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200mA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Operating Temperature - Junction: 150°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 175 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 2890 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NSVMMBD1501ALT3G | onsemi | Description: DIODE STANDARD 200V 200MA SOT233 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 200mA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 nA @ 180 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 79065 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NSVMMBD1501ALT3G | onsemi | Small Signal Switching Diodes 180V FAST RECTIFIER GP | на замовлення 9909 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NSVMMBD1501ALT3G | onsemi | Description: DIODE STANDARD 200V 200MA SOT233 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 200mA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 nA @ 180 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 70000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NSVMMBD1504ALT1G | onsemi | Description: HIGH CONDUCTANCE LOW LEAKAGE DIO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200mA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 nA @ 180 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 2925 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NSVMMBD1504ALT1G | onsemi | Description: HIGH CONDUCTANCE LOW LEAKAGE DIO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200mA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 nA @ 180 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NSVMMBD352WT1G | onsemi | Description: DIODE SCHOTTKY 7V 200MW SC-70-3 Power Dissipation (Max): 200 mW Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323) Voltage - Peak Reverse (Max): 7V Capacitance @ Vr, F: 1pF @ 0V, 1MHz Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Diode Type: Schottky - 1 Pair Series Connection Package / Case: SC-70, SOT-323 Packaging: Cut Tape (CT) Grade: Automotive | на замовлення 62473 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NSVMMBD352WT1G | onsemi | Description: DIODE SCHOTTKY 7V 200MW SC-70-3 Power Dissipation (Max): 200 mW Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323) Voltage - Peak Reverse (Max): 7V Capacitance @ Vr, F: 1pF @ 0V, 1MHz Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Diode Type: Schottky - 1 Pair Series Connection Package / Case: SC-70, SOT-323 Packaging: Tape & Reel (TR) Grade: Automotive | на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NSVMMBD352WT1G | onsemi | Schottky Diodes & Rectifiers SS SHKY DIO 7V TR | на замовлення 2383 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NSVMMBD353LT1 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NSVMMBD353LT1G | onsemi | Description: DIODE SCHOTTKY 7V 225MW SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Diode Type: Schottky - 1 Pair Series Connection Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Capacitance @ Vr, F: 1pF @ 0V, 1MHz Voltage - Peak Reverse (Max): 7V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Power Dissipation (Max): 225 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NSVMMBD353LT1G | ONN | на замовлення 18000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| NSVMMBD353LT1G | onsemi | Schottky Diodes & Rectifiers SS SHKY DIO 7V TR | на замовлення 294 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NSVMMBD353LT1G | onsemi | Description: DIODE SCHOTTKY 7V 225MW SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Diode Type: Schottky - 1 Pair Series Connection Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Capacitance @ Vr, F: 1pF @ 0V, 1MHz Voltage - Peak Reverse (Max): 7V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Power Dissipation (Max): 225 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 1869 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NSVMMBD354LT1G | ON Semiconductor | Schottky Diodes & Rectifiers SS SOT23 SHKY DIO 7V TR | на замовлення 5625 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NSVMMBD354LT1G | onsemi | Description: DIODE SCHOTTKY 7V 300MW SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Diode Type: Schottky - 1 Pair Common Cathode Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Capacitance @ Vr, F: 1pF @ 0V, 1MHz Voltage - Peak Reverse (Max): 7V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Grade: Automotive Power Dissipation (Max): 300 mW Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 45000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NSVMMBD354LT1G | onsemi | Schottky Diodes & Rectifiers SS SOT23 SHKY DIO 7V TR | на замовлення 5111 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NSVMMBD354LT1G | onsemi | Description: DIODE SCHOTTKY 7V 300MW SOT23-3 Power Dissipation (Max): 300 mW Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Voltage - Peak Reverse (Max): 7V Capacitance @ Vr, F: 1pF @ 0V, 1MHz Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Diode Type: Schottky - 1 Pair Common Cathode Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive | на замовлення 46691 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NSVMMBD717LT1G | onsemi | Schottky Diodes & Rectifiers SS SC70 SHKY DIO 20V TR | на замовлення 2841 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NSVMMBD717LT1G | ON Semiconductor | Description: DIODE SCHOTTKY 20V SC70-3 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NSVMMBT2222AM3T5G | onsemi | Description: TRANS NPN 40V 0.6A SOT-723 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: SOT-723 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 640 mW Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 8000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NSVMMBT2222AM3T5G | onsemi | Description: TRANS NPN 40V 0.6A SOT-723 Packaging: Bulk Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: SOT-723 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 640 mW Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 55 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NSVMMBT2222AM3T5G | ONSEMI | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.64W; SOT723 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 40V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.64W Case: SOT723 Current gain: 100...300 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 300MHz Application: automotive industry | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NSVMMBT2222AM3T5G | onsemi | Description: TRANS NPN 40V 0.6A SOT-723 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: SOT-723 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 640 mW Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NSVMMBT2222AM3T5G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT SS SOT-723 GP TRANSISTOR | на замовлення 5203 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NSVMMBT2222ATT1G | ONSEMI | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.15W; SC75,SOT416 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 40V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.15W Case: SC75; SOT416 Current gain: 100 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 300MHz Application: automotive industry | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NSVMMBT2222ATT1G | onsemi | Description: TRANS NPN 40V 0.6A SC75 SOT416 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: SC-75, SOT-416 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 150 mW | на замовлення 76 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NSVMMBT2222ATT1G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT SS SC75 GP XSTR NPN 75V | на замовлення 295 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NSVMMBT2222ATT1G | onsemi | Description: TRANS NPN 40V 0.6A SC75 SOT416 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: SC-75, SOT-416 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 150 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NSVMMBT2222ATT1G | ON Semiconductor | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| NSVMMBT2907AM3T5G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT SS GP PNP TRANSISTOR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NSVMMBT2907AM3T5G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSVMMBT2907AM3T5G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 600 mA, 640 mW, SOT-723, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 640mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-723 Dauerkollektorstrom: 600mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 200MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 35 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NSVMMBT2907AM3T5G | onsemi | Description: TRANS PNP 60V 0.6A SOT-723 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: SOT-723 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 640 mW Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 1898 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NSVMMBT2907AM3T5G | ONSEMI | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 0.64W; SOT723 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.64W Case: SOT723 Current gain: 100...300 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 200MHz Application: automotive industry | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NSVMMBT2907AM3T5G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSVMMBT2907AM3T5G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 600 mA, 640 mW, SOT-723, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 640mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-723 Dauerkollektorstrom: 600mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 200MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 35 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 35 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NSVMMBT2907AM3T5G | onsemi | Description: TRANS PNP 60V 0.6A SOT-723 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: SOT-723 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 640 mW Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 8000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NSVMMBT2907AWT1G | onsemi | Description: TRANS PNP 60V 0.6A SC70-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 150 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NSVMMBT2907AWT1G | ONSEMI | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 0.15W; SC70,SOT323 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.15W Case: SC70; SOT323 Current gain: 100 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 200MHz Application: automotive industry | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NSVMMBT2907AWT1G | ONN | на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| NSVMMBT2907AWT1G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT SS SC70 GP XSTR PNP 60V | на замовлення 6657 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NSVMMBT2907AWT1G | onsemi | Description: TRANS PNP 60V 0.6A SC70-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 150 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 8220 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NSVMMBT3906TT1G | ONN | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| NSVMMBT3906TT1G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT SMALL SIGNAL GENERAL | на замовлення 12447 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NSVMMBT3906TT1G | onsemi | Description: TRANS PNP 40V 0.2A SC75 SOT416 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: SC-75, SOT-416 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 200 mW Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NSVMMBT3906TT1G | ONSEMI | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 0.2A; 0.2W; SC75,SOT416 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 40V Collector current: 0.2A Power dissipation: 0.2W Case: SC75; SOT416 Current gain: 100...300 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 250MHz Application: automotive industry | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NSVMMBT3906TT1G | onsemi | Description: TRANS PNP 40V 0.2A SC75 SOT416 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: SC-75, SOT-416 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 200 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 6152 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NSVMMBT4401WT1G | onsemi | Description: TRANS NPN 40V 0.6A SC70-3 Packaging: Cut Tape (CT) Part Status: Active Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 1V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323) Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 150 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 8620 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NSVMMBT4401WT1G | ONSEMI | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.15W; SC70,SOT323 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 40V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.15W Case: SC70; SOT323 Current gain: 100...300 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 250MHz Application: automotive industry | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NSVMMBT4401WT1G | onsemi | Description: TRANS NPN 40V 0.6A SC70-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 1V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323) Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 150 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NSVMMBT4401WT1G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT SS SC70 GP XSTR NPN 40V | на замовлення 2990 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NSVMMBT5087LT1G | ONSEMI | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 0.05A; 0.25W; SOT23,TO236AB Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 50mA Power dissipation: 0.25W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 250...800 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 40MHz Application: automotive industry | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NSVMMBT5087LT1G | onsemi | Description: TRANS PNP 50V 0.05A SOT23-3 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Power - Max: 225 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Frequency - Transition: 40MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100µA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 147729 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NSVMMBT5087LT1G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT SS SOT23 LN XSTR PNP 50V | на замовлення 10657 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NSVMMBT5087LT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NSVMMBT5087LT1G - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 153000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|

