Продукція > NTM
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| NTMFS4837NT3G | ON Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 10A SO-8FL | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| NTMFS4839NHT1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 9.5A/64A 5DFN Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2354 pF @ 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43.5 nC @ 11.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 870mW (Ta), 42.4W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 30A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta), 64A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Packaging: Bulk | на замовлення 735321 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| NTMFS4839NHT1G | onsemi | MOSFET NFET S08FL 30V 66A 5.5mOhm | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| NTMFS4839NHT1G | на замовлення 1817 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| NTMFS4839NHT1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 9.5A/64A 5DFN Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 30A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta), 64A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2354 pF @ 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43.5 nC @ 11.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 870mW (Ta), 42.4W (Tc) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| NTMFS4839NHT3G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 9.5A/64A 5DFN Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2354 pF @ 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43.5 nC @ 11.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 870mW (Ta), 42.4W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 30A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta), 64A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Packaging: Bulk | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| NTMFS4839NHT3G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 9.5A/64A 5DFN Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2354 pF @ 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43.5 nC @ 11.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 870mW (Ta), 42.4W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 30A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta), 64A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| NTMFS4839NT1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 9.5A/64A 5DFN Packaging: Bulk Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta), 64A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 870mW (Ta), 41.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1588 pF @ 12 V | на замовлення 268110 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| NTMFS4839NT1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 9.5A/64A 5DFN Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1588 pF @ 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 870mW (Ta), 41.7W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 30A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta), 64A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| NTMFS4839NT3G | ON Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 9.5A SO-8FL | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| NTMFS4841N | onsemi | MOSFET NFET SO8FL 30V 57A 7MOHM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| NTMFS4841N | ON | 09+ | на замовлення 755 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| NTMFS4841NH | onsemi | MOSFET NFET SO8FL 30V 57A 7MOHM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| NTMFS4841NHG | на замовлення 93 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| NTMFS4841NHT1G | ON Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 8.6A/59A 5DFN | на замовлення 10500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| NTMFS4841NHT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 13.5A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R | на замовлення 45 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| NTMFS4841NHT1G | onsemi | MOSFET NFET S08FL 30V 57A 7mOhm | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| NTMFS4841NHT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 13.5A 5-Pin SO-FL EP T/R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| NTMFS4841NHT1G | ON Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 8.6A/59A 5DFN | на замовлення 11743 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| NTMFS4841NHT1G | на замовлення 289 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| NTMFS4841NHT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 13.5A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| NTMFS4841NHT3G | ON Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 8.6A SO-8FL | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| NTMFS4841NT1G | ON Semiconductor | MOSFET NFET 30V 57A 7MOHM | на замовлення 3972 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| NTMFS4841NT1G | ON Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 8.3A SO-8FL | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| NTMFS4841NT1G | ON Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 8.3A SO-8FL | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| NTMFS4841NT3G | ON Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 8.3A SO-8FL | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| NTMFS4841NT3G | VISHAY | 08+ QFN-8 | на замовлення 300 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| NTMFS4845NT1G | onsemi | Circular MIL Spec Backshells PROTECTIVE COVER ASSY | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| NTMFS4845NT1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 13.7A/115A 5DFN FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3720 pF @ 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 11.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±16V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 890mW (Ta), 62.5W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 30A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.7A (Ta), 115A (Tc) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| NTMFS4845NT1G | ON Semiconductor | на замовлення 180 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| NTMFS4845NT3G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 13.7A/115A 5DFN Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3720 pF @ 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 11.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±16V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 890mW (Ta), 62.5W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 30A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.7A (Ta), 115A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| NTMFS4846NT1G | onsemi | MOSFET NFET SO8FL 30V TR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| NTMFS4846NT1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 12.7A/100A 5DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.7A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 890mW (Ta), 55.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 11.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 12 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| NTMFS4846NT1G | ON Semiconductor | на замовлення 809 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| NTMFS4846NT1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 12.7A/100A 5DFN Packaging: Bulk Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.7A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 890mW (Ta), 55.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 11.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 12 V | на замовлення 50133 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| NTMFS4846NT3G | ON Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 12.7A SO-8FL | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| NTMFS4846NT3G | onsemi | MOSFET Power MOSFET 30V 100A 3.4 mOhm Single N-Channel SO-8FL | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| NTMFS4847N | onsemi | MOSFETs NFET SO8FL 30V 85A 4.1MOH | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| NTMFS4847NAG | на замовлення 91 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| NTMFS4847NAT1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 11.5A/85A 5DFN Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2614 pF @ 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±16V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 880mW (Ta), 48.4W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 30A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta), 85A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| NTMFS4847NAT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTMFS4847NAT1G - NTMFS4847NAT1G, SINGLE MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 164500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| NTMFS4847NAT1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 11.5A/85A 5DFN Packaging: Bulk Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta), 85A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 880mW (Ta), 48.4W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2614 pF @ 12 V | на замовлення 164500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| NTMFS4847NAT3G | ON Semiconductor | MOSFET 30V N-CH TRENCH 2.6 S0-8FL | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| NTMFS4847NAT3G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 11.5A/85A 5DFN Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2614 pF @ 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±16V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 880mW (Ta), 48.4W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 30A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta), 85A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| NTMFS4847NT1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 11.5A/85A 5DFN Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2614 pF @ 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±16V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 880mW (Ta), 48.4W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 30A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta), 85A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| NTMFS4847NT1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 11.5A/85A 5DFN Packaging: Bulk Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta), 85A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 880mW (Ta), 48.4W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2614 pF @ 12 V | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| NTMFS4847NT1G | на замовлення 2413 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| NTMFS4847NT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTMFS4847NT1G - NTMFS4847NT1G, SINGLE MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| NTMFS4847NT3G | ON Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 11.5A SO-8FL | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| NTMFS4849NT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 16.1A 5-Pin SO-FL EP T/R | на замовлення 67500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| NTMFS4849NT1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 10.2A/71A 5DFN Packaging: Bulk Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.2A (Ta), 71A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 870mW (Ta), 42.4W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2040 pF @ 12 V | на замовлення 67500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| NTMFS4849NT1G | ON Semiconductor | на замовлення 730 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| NTMFS4849NT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTMFS4849NT1G - NTMFS4849NT1G, SINGLE MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 67500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| NTMFS4849NT1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 10.2A/71A 5DFN Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2040 pF @ 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±16V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 870mW (Ta), 42.4W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 30A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.2A (Ta), 71A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| NTMFS4849NT3G | ON Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 10.2A SO-8FL | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| NTMFS4851NT1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 9.5A/66A 5DFN Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±16V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 870mW (Ta), 41.7W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 30A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta), 66A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| NTMFS4851NT1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 9.5A/66A 5DFN Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±16V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 870mW (Ta), 41.7W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 30A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta), 66A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Packaging: Bulk | на замовлення 83110 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| NTMFS4851NT1G | ON Semiconductor | MOSFET NFET SO8FL 30V TR | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| NTMFS4851NT1G | на замовлення 60 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| NTMFS4851NT3G | ON Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 9.5A SO-8FL | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| NTMFS4852NT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTMFS4852NT1G - MOSFET, N-CH, 30V, 25A, 150DEG C, 86.2W tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 2049 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| NTMFS4852NT1G | ON Semiconductor | MOSFET NFET SO8FL 30V 155A 2.1MO | на замовлення 349 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| NTMFS4852NT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 25A 5-Pin SO-FL EP T/R | на замовлення 855 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| NTMFS4852NT1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 16A/155A 5DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 155A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 900mW (Ta), 86.2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4970 pF @ 12 V | на замовлення 213 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| NTMFS4852NT1G | ONN | на замовлення 1300 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| NTMFS4852NT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 25A 5-Pin SO-FL EP T/R | на замовлення 1324 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| NTMFS4852NT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 25A 5-Pin SO-FL EP T/R | на замовлення 855 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| NTMFS4852NT1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 16A/155A 5DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 155A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 900mW (Ta), 86.2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4970 pF @ 12 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| NTMFS4852NT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 25A 5-Pin SO-FL EP T/R | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| NTMFS4852NT3G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 25A 5-Pin SO-FL EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| NTMFS4852NT3G | ON Semiconductor | MOSFET NFET SO8FL 30V 155A 2.1MO | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| NTMFS4852NT3G | ON Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 16A SO8FL | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| NTMFS4854NSGEVB | onsemi | Power Management IC Development Tools LOADSWITCH CURRENT SENSE | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| NTMFS4854NSGEVB | ON Semiconductor | Power Management IC Development Tools LOADSWITCH CURRENT SENSE | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| NTMFS4854NSGEVB | onsemi | Description: EVAL BOARD NTMFS4854NSG Packaging: Box Function: Special Purpose Type: Power Management Utilized IC / Part: NTMFS4854NS Supplied Contents: Board(s) Primary Attributes: 1-Channel (Single) Embedded: No | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| NTMFS4854NST1G | ON Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 25V 15.2A/149A SO8FL | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| NTMFS4854NST3G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 25V 15.2A/149A SO8FL Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.2A (Ta), 149A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 900mW (Ta), 86.2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SO-8FL Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.2V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 11.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4830 pF @ 12 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| NTMFS4854NST3G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 25V 15.2A/149A SO8FL Packaging: Bulk Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.2A (Ta), 149A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 900mW (Ta), 86.2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SO-8FL Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.2V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 11.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4830 pF @ 12 V | на замовлення 14828 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| NTMFS4897NFT1G | ON Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 17A/171A 5DFN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| NTMFS4897NFT1G | ON Semiconductor | MOSFET NFET SO8FL 30V 191A 2MOHM | на замовлення 1477 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| NTMFS4897NFT1G | ON Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 17A/171A 5DFN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| NTMFS4897NFT3G | ON Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 17A/171A 5DFN | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| NTMFS4897NFT3G | ON Semiconductor | MOSFET NFET SO8FL 30V 191A 2MOHM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| NTMFS4898NFT1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V SO-8FL Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.2A (Ta), 117A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 30A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3233 pF @ 12 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| NTMFS4898NFT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 22.5A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| NTMFS4898NFT1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V SO-8FL Packaging: Bulk Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.2A (Ta), 117A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 30A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3233 pF @ 12 V | на замовлення 23815 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| NTMFS4898NFT3G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 22.5A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R | на замовлення 1790 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 1790 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| NTMFS4898NFT3G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 13.2A/117A 5DFN Packaging: Bulk Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.2A (Ta), 117A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 930mW (Ta), 73.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3233 pF @ 12 V | на замовлення 5671 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| NTMFS4898NFT3G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTMFS4898NFT3G - MOSFET,N CH,W DIODE,30V,13.2A,SO8 FL tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 5671 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| NTMFS4898NFT3G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 13.2A/117A 5DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.2A (Ta), 117A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 930mW (Ta), 73.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3233 pF @ 12 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| NTMFS4899NFT1G | ON Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V SO-8FL | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| NTMFS4899NFT1G | ON Semiconductor | на замовлення 54 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| NTMFS4899NFT1G | ON Semiconductor | MOSFET NFET SO8FL 30V 75A 5MOHM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| NTMFS4921NBT1G | onsemi | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| NTMFS4921NBT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 13.8A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R | на замовлення 113250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| NTMFS4921NT1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 8.8A/58.5A 5DFN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| NTMFS4921NT1G Код товару: 43590
Додати до обраних
Обраний товар
| Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2 | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| NTMFS4921NT1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 8.8A/58.5A 5DFN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| NTMFS4921NT1G | на замовлення 1200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| NTMFS4921NT1G | onsemi | MOSFET NFET SO8FL 30V TR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |

