Продукція > SPP
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SPP80N03S2-03 | infineon | 08+ | на замовлення 15000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPP80N03S2-03 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7020 pF @ 25 V | на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SPP80N03S2-03 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - SPP80N03S2-03 - SPP80N03 - OPTIMOS, 80A, 30V, 0.0034OHM, euEccn: TBC hazardous: true productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SPP80N03S2L | на замовлення 272 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SPP80N03S2L-03 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8180 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPP80N03S2L-03 | на замовлення 1250 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SPP80N03S2L-04 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 30V 80A TO220-3 | на замовлення 250 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPP80N03S2L-04 | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SPP80N03S2L-05 | на замовлення 23440 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SPP80N03S2L-05 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 30V 80A TO220-3 | на замовлення 482 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPP80N03S2L-06 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 80µA Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 80A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2530 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPP80N03S2L-06 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SPP80N03S2L03 | INFINEON | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| SPP80N03S2L04AKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPP80N03S2L04AKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 30V 80A TO220-3 | на замовлення 22 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPP80N03S2L04AKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 188W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 130µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPP80N03S2L04AKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPP80N03S2L05 | Infineon Technologies | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPP80N03S2L05 | на замовлення 3500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SPP80N03S2L05AKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 55A, 10V Power Dissipation (Max): 167W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 110µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3320 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPP80N04S2-04 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6980 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 80A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPP80N04S2-H4 | INFINEON | 09+ | на замовлення 5030 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPP80N04S2-H4 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3 Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 80A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5890 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 148 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPP80N04S2L-03 | INF | 09+ | на замовлення 5030 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPP80N04S2L-03 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 213 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7930 pF @ 25 V | на замовлення 2920 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SPP80N04S2L-03 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7930 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 213 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 80A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPP80N06S-08 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 55V 80A TO220-3 | на замовлення 204 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPP80N06S-08 | на замовлення 19489 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SPP80N06S-08 | Infineon Technologies | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 240µA Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 80A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Bulk Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3660 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 187 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Vgs (Max): ±20V | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SPP80N06S08AKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 55V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube Automotive AEC-Q101 | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SPP80N06S08AKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 187 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3660 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPP80N06S08AKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 55V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube Automotive AEC-Q101 | на замовлення 12200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SPP80N06S08AKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 55V 80A TO220-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPP80N06S08AKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 187 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3660 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 14000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SPP80N06S08NK | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3 Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PG-TO220-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 240µA Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 80A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3660 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 187 nC @ 10 V Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPP80N06S2-05 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6790 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 80A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPP80N06S2-05 | INFINEON | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| SPP80N06S2-07 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4540 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 180µA Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 68A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPP80N06S2-07 | на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SPP80N06S2-08 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 58A, 10V Power Dissipation (Max): 215W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPP80N06S2-08 | INFINEON | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| SPP80N06S2-09 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 55V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB | на замовлення 784 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SPP80N06S2-09 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 190W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 125µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3140 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPP80N06S2-09 | infineon | 07+ | на замовлення 2150 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPP80N06S2-H5 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 230µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPP80N06S205 | SIPEX | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| SPP80N06S209 | Infineon Technologies | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 190W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 125µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3140 pF @ 25 V | на замовлення 784 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SPP80N06S2L | на замовлення 18499 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SPP80N06S2L-05 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7530 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPP80N06S2L-05 | INFINEON | TO-220 10+ | на замовлення 600 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPP80N06S2L-06 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3 Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 180µA Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 69A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5050 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPP80N06S2L-06 | на замовлення 2344 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SPP80N06S2L-07 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4210 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 150µA Power Dissipation (Max): 210W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 60A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPP80N06S2L-07 | на замовлення 50 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SPP80N06S2L-09 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 52A, 10V Power Dissipation (Max): 190W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 125µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3480 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPP80N06S2L-09 | на замовлення 35000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SPP80N06S2L-11 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 40A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 93µA Power Dissipation (Max): 158W (Tc) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPP80N06S2L-11 | INFINEON | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| SPP80N06S2L-H5 | Infineon Technologies | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPP80N06S2L-H5 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6640 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 230µA Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 80A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPP80N06S2L-H5 | на замовлення 8000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SPP80N06S2LH5 | Infineon Technologies | MOSFET MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPP80N08S2-07 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 75V 80A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 66A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6130 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPP80N08S2-07 | на замовлення 8000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SPP80N08S2L-07 | Infineon Technologies | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPP80N08S2L-07 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 75V 80A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.1mOhm @ 67A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 233 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6820 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPP80N08S2L-07 | на замовлення 8000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SPP80N08S2L07 | Infineon Technologies | MOSFET MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPP80N08S2L07NK | Infineon Technologies | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPP80N10L | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 80A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 58A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 2mA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4540 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPP80N10L | на замовлення 8000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SPP80P06P | INFINEON | 06+ TQFP48 | на замовлення 140 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPP80P06P | Infineon Technologies | GaN FETs P-Ch -60V 80A TO220-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPP80P06P H | Infineon Technologies | MOSFETs P-Ch -60V -80A TO220-3 | на замовлення 930 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPP80P06PBKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 60V 80A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 64A, 10V Power Dissipation (Max): 340W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 5.5mA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 173 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5033 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPP80P06PH | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Automotive AEC-Q101 | на замовлення 92 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SPP80P06PH | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Automotive AEC-Q101 | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SPP80P06PHXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPP80P06PHXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube Automotive AEC-Q101 | на замовлення 476 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SPP80P06PHXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube Automotive AEC-Q101 | на замовлення 2749 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SPP80P06PHXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPP80P06PHXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -80A; 340W; PG-TO220-3 Type of transistor: P-MOSFET Technology: SIPMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -80A Power dissipation: 340W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 23mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | на замовлення 91 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SPP80P06PHXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs P-Ch -60V -80A TO220-3 | на замовлення 2340 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPP80P06PHXKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - SPP80P06PHXKSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 80 A, 0.023 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 340W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 198 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SPP80P06PHXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube Automotive AEC-Q101 | на замовлення 69 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SPP80P06PHXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube Automotive AEC-Q101 | на замовлення 2177 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SPP80P06PHXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 60V 80A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 64A, 10V Power Dissipation (Max): 340W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 5.5mA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 173 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5033 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 9794 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SPP80P06PHXKSA1 | Infineon | Trans MOSFET P-CH 60V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 SPP80P06PHXKSA1 TSPP80p06ph кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SPP80P06PHXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube Automotive AEC-Q101 | на замовлення 2380 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SPP80P06PHXKSA1 Код товару: 172970
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові P-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| SPP80P06PHXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube Automotive AEC-Q101 | на замовлення 69 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SPP8L1ES | на замовлення 265 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SPP8N80 | на замовлення 50 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SPP9435AS8RG | на замовлення 120000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SPP9435S8RG | SYNC | 06+ | на замовлення 366 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPP9435S8RGB | SYNC | на замовлення 381 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| SPP9435W | на замовлення 250 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SPP9437S8RG | на замовлення 4000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SPPA17HMRSN000 | Smiths Interconnect / IDI | Array | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPPB04N60S5 | на замовлення 8000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. |

