Продукція > BC8
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BC856B,215 | NEXPERIA | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 65V; 0.1A; 250mW; SOT23,TO236AB Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 65V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.25W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 220...475 Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Frequency: 100MHz | на замовлення 14685 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
| BC856B,215 | NXP | PNP, Uкэ=65V, Iк=0.1A, h21=220...475, 0.225Вт, 100МГц, SOT-23 (SMD) Транзистори | на замовлення 2561 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
| ||||||||||||
| BC856B,215 | BC856B,215 Транзисторы | на замовлення 11 шт: термін постачання 4 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| BC856B,215 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BC856B,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 65 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BC856 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BC856B,215 | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT BC856B/SOT23/TO-236AB | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BC856B,215 | BC856B,215 Транзисторы | на замовлення 97 шт: термін постачання 4 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| BC856B,215 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 65V 0.1A TO-236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V Power - Max: 250 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BC856B,235 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 955780 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| BC856B,235 | NEXPERIA | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 65V; 0.1A; 250mW; SOT23,TO236AB Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 65V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.25W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 220...475 Mounting: SMD Kind of package: 11 inch reel; tape Frequency: 100MHz | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BC856B,235 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 65V 0.1A TO-236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-236AB Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V Power - Max: 250 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BC856B,235 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 200000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| BC856B,235 | NXP Semiconductors | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| BC856B,235 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 40000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| BC856B,235 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BC856B,235 | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT BC856B/SOT23/TO-236AB | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BC856B,235 | NXP | Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BC856B,235 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BC856B,235 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 65V 0.1A TO-236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-236AB Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V Power - Max: 250 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BC856B,235 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| BC856B,235 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 170000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| BC856B,235 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 350000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| BC856B,235 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 440000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| BC856B,235 | NXP/Nexperia/We-En | Транзистор PNP, Uceo, В = 65, Ic = 100 мА, ft, МГц = 100, hFE = 220 @ 2 мА, 5 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0.65 @ 5 мА, 100 мА, Р, Вт = 0,25 Вт, Тексп, °C = -65...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт кількість в упаковці: 3000 шт | на замовлення 245 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
| ||||||||||||
| BC856B,235 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| BC856B,235 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 690000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| BC856B-13-F | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 410000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| BC856B-13-F | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 250000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| BC856B-13-F | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 410000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| BC856B-13-F | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 470000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| BC856B-13-F | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 410000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| BC856B-13-F | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 500000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| BC856B-13-F | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 170000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| BC856B-13-F | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 380000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| BC856B-13-F | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| BC856B-13-F | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 380000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| BC856B-13-F | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 380000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| BC856B-13-F | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 410000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| BC856B-13-F | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 65V 0.1A SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V Power - Max: 310 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BC856B-13-F | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 410000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| BC856B-13-F | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 470000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| BC856B-13-F | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 410000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| BC856B-13-F | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 500000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| BC856B-13-F | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 410000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| BC856B-13-F | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 380000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| BC856B-13-F | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 130000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| BC856B-13-F | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 380000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| BC856B-13-F | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BC856B-13-F | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 380000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| BC856B-13-F | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 380000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| BC856B-13-F | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 410000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| BC856B-13-F | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 280000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| BC856B-13-F | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 410000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| BC856B-13-F | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 500000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| BC856B-13-F | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 410000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| BC856B-13-F | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - BC856B-13-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BC856 Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 200MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 622 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BC856B-13-F | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 500000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| BC856B-13-F | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 170000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| BC856B-13-F | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 380000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| BC856B-13-F | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| BC856B-13-F | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 380000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| BC856B-13-F | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 380000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| BC856B-13-F | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 410000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| BC856B-13-F | DIODES INCORPORATED | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 65V; 0.1A; 350mW; SOT23 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 65V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.35W Case: SOT23 Current gain: 220...475 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100...200MHz Manufacturer standard package: 10000pcs. Pulsed collector current: 0.2A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BC856B-13-F | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 65V 0.1A SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V Power - Max: 310 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BC856B-13-F | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 130000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| BC856B-13-F | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 410000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| BC856B-13-F | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 470000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| BC856B-13-F | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 410000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| BC856B-13-F | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 500000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| BC856B-13-F | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 410000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| BC856B-13-F | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 380000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| BC856B-13-F | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| BC856B-13-F | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 380000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| BC856B-13-F | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 130000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| BC856B-13-F | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 380000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| BC856B-13-F | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 410000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| BC856B-13-F | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 410000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| BC856B-13-F | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 470000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| BC856B-13-F | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 410000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| BC856B-13-F | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 500000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| BC856B-13-F | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 410000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| BC856B-13-F | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - BC856B-13-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BC856 Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 200MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 622 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BC856B-13-F | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 500000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| BC856B-13-F | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 170000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| BC856B-13-F | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 380000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| BC856B-13-F | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 440000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| BC856B-13-F | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 380000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| BC856B-13-F | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT NPN Small SIG -80V -65V VCEO -5.0 VEBO | на замовлення 79955 шт: термін постачання 329-338 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BC856B-13-F | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 380000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| BC856B-13-F | Diodes | Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BC856B-7-F | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - BC856B-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 330hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 300mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 200MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 43 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BC856B-7-F | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BC856B-7-F | Diodes | Транзистори | на замовлення 1 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
| ||||||||||||
| BC856B-7-F | DIODES INCORPORATED | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 65V; 0.1A; 350mW; SOT23 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 65V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.35W Case: SOT23 Current gain: 220...475 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 200MHz Manufacturer standard package: 3000pcs. | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BC856B-7-F | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BC856B-7-F | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 65V 0.1A SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V Power - Max: 300 mW | на замовлення 2790 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| BC856B-7-F | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 72000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| BC856B-7-F | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT PNP BIPOLAR | на замовлення 90000 шт: термін постачання 329-338 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BC856B-7-F | Diodes INC. | Транзистор PNP, Uceo, В = 65, Ic = 100 мА, ft, МГц = 200, hFE = 220 @ 2 мA, 5 В, Icutoff-max = 15 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,65 @ 5 мA, 100 мА, Р, Вт = 0,3, Тексп, °C = -65...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт кількість в упаковці: 3000 шт | на замовлення 48570 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
| ||||||||||||
| BC856B-7-F | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - BC856B-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 330hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 300mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 200MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 43 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 43 шт В кошику од. на суму грн. |

