Продукція > 2SC
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2SC5886A(T6L1,NQ) | Toshiba | Trans GP BJT NPN 50V 5A 1000mW 3-Pin(2+Tab) New PW-Mold T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SC5886A(T6L1,NQ) | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - 2SC5886A(T6L1,NQ) - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 5 A, 20 W, New PW-Mold, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 400hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Verlustleistung: 20W SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) Bauform - Transistor: New PW-Mold Dauerkollektorstrom: 5A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 6082 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SC5886A(T6L1,NQ) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS NPN 50V 5A PW-MOLD Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 32mA, 1.6A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 500mA, 2V Supplier Device Package: PW-MOLD Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 1 W | на замовлення 7897 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SC5886A(T6L1,NQ) | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT NPN VCE 0.22V 95ns 400 to 1000 hFE 5A | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SC5886A(T6L1,NQ) | Toshiba | Trans GP BJT NPN 50V 5A 1000mW 3-Pin(2+Tab) New PW-Mold T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SC5886A(T6L1,NQ) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS NPN 50V 5A PW-MOLD Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 32mA, 1.6A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 500mA, 2V Supplier Device Package: PW-MOLD Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 1 W | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SC5886A,L1XHQ(O | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANSISTOR NPN BIPO PWMOLD Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SC5887 | ISC | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2SC5888 | на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2SC5888 | onsemi | Description: TRANS NPN 50V 10A TO-220ML Packaging: Bag Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 360mV @ 250mA, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: TO-220ML Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 2 W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1200 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SC5888 | Toshiba | NPN 50V 10A TO-220ML Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SC5888 | onsemi | Bipolar Transistors - BJT HIGH-CURRENT SWITCHING | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SC5888 (транзистор біполярний NPN) Код товару: 31996
Додати до обраних
Обраний товар
| Sanyo | Транзистори > Біполярні NPN Корпус: TO-220F fT: 200 MHz Uceo,V: 50 V Ucbo,V: 60 V Ic,A: 10 A h21: 700 Монтаж: THT | товару немає в наявності
|
| ||||||||||||||
| 2SC5889-AC | Rochester Electronics, LLC | Description: BIP NPN 5A 10V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SC589 | TOSHIBA | на замовлення 5600 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2SC5890FS-TL-E | Renesas Electronics Corporation | Description: RF TRANS NPN 12V 7.8GHZ 3-MPAK Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 12dB Power - Max: 700mW Current - Collector (Ic) (Max): 75mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 20mA, 5V Frequency - Transition: 7.8GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB @ 900MHz Supplier Device Package: 3-MPAK | на замовлення 138000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SC5890FS-TL-E | RENESAS | SOT23 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SC589N | на замовлення 3560 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2SC58A | на замовлення 17400 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2SC59 | NEC | на замовлення 28500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2SC590 | TOSHIBA | на замовлення 5600 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2SC5905 Код товару: 87030
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Біполярні NPN | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2SC590N | на замовлення 3550 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2SC591 | TOSHIBA | на замовлення 5600 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2SC5916 | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SC5916TLQ | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN 30V 2A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SC5916TLQ | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN 30V 2A TSMT3 Power - Max: 500 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Supplier Device Package: TSMT3 Frequency - Transition: 250MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 100mA, 1A Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-96 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SC5916TLQ | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SC5916TLQ | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN 30V 2A TSMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-96 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: TSMT3 Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 500 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SC5916TLR | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN 30V 2A TSMT3 | на замовлення 2945 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SC5916TLR | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SC5916TLR | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN 30V 2A TSMT3 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SC5916TLR | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN 30V 2A TSMT3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SC5916TLR | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN 30V 2A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SC5918 T100Q | ROHM | SOT89 | на замовлення 744 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SC591N | на замовлення 3540 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2SC592 | TOSHIBA | на замовлення 5600 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2SC5928 | PANASONIC | 08+ TO3P | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SC5929 | на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2SC593 | TOSHIBA | на замовлення 5600 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2SC5938-T112-1B | ISAHAYA | 04+ SOT-23 | на замовлення 18000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SC5938A-T112-1B | ISAHAYA | 06+ SOT-23 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SC593900L | Panasonic Electronic Components | Description: TRANS NPN 10V 0.05A SSSMINI-3 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SC593900L | Panasonic Electronic Components | Description: TRANS NPN 10V 0.05A SSSMINI-3 | на замовлення 8726 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SC593900L | Panasonic Electronic Components | Description: TRANS NPN 10V 0.05A SSSMINI-3 | на замовлення 8726 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SC5939G0L | Panasonic Electronic Components | Description: TRANS NPN 10V 0.05A SSSMINI-3 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SC5939G0L | Panasonic Electronic Components | Description: TRANS NPN 10V 0.05A SSSMINI-3 | на замовлення 6550 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SC5939G0L | Panasonic Electronic Components | Description: TRANS NPN 10V 0.05A SSSMINI-3 | на замовлення 6550 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SC594 | TOSHIBA | на замовлення 5600 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2SC5946 | panasonic | 09+ | на замовлення 90018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SC594600L | Panasonic Electronic Components | Description: RF TRANS NPN 20V 0.05A SSSMINI3 Operating Temperature: 125°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-723 Packaging: Tape & Reel (TR) Power - Max: 100 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Part Status: Obsolete Supplier Device Package: SSSMini3-F1 Frequency - Transition: 1.6GHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 2mA, 10V Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V Current - Collector (Ic) (Max): 50mA Power - Max: 100mW Gain: 20dB | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SC5946G0L | Panasonic Electronic Components | Description: RF TRANS NPN 20V 0.05A SSSMINI3 Operating Temperature: 125°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-723 Packaging: Tape & Reel (TR) Power - Max: 100 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Part Status: Obsolete Supplier Device Package: SSSMini3-F2 Frequency - Transition: 1.6GHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 2mA, 10V Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V Current - Collector (Ic) (Max): 50mA Power - Max: 100mW Gain: 20dB | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SC5946G0L | Panasonic Electronic Components | Description: RF TRANS NPN 20V 0.05A SSSMINI3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 125°C (TJ) Gain: 20dB Power - Max: 100mW Current - Collector (Ic) (Max): 50mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 2mA, 10V Frequency - Transition: 1.6GHz Supplier Device Package: SSSMini3-F2 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Power - Max: 100 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SC5948-O(Q) | Toshiba | Trans GP BJT NPN 200V 12A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PN | на замовлення 90 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SC5948-O(Q) | Toshiba | Trans GP BJT NPN 200V 12A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PN | на замовлення 200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SC5948-O(Q) | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT Transistor NPN 200V 12A | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SC5948-O(Q) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS NPN 200V 12A TO-3PN | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SC5948-O(Q) | Toshiba | Trans GP BJT NPN 200V 12A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PN | на замовлення 1900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SC5948-R(Q) | Toshiba | Trans GP BJT NPN 200V 12A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PN | на замовлення 60 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SC5948-R(Q) | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT Transistor NPN 200V 12A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SC5949 | EVVO | Description: TRANS NPN 200V 15A TO-3PL Power - Max: 220 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 200 V Current - Collector (Ic) (Max): 15 A Supplier Device Package: TO-3PL Frequency - Transition: 25MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 55 @ 1A, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 1A, 10A Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Packaging: Tube | на замовлення 53 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SC5949 | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SC5949-0 | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT | на замовлення 20 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SC5949-O | Toshiba | Toshiba | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SC5949-O (Q) | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SC5949-O(Q) | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT Transistor NPN 200V 15A | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SC5949-O(Q) | Toshiba | Trans GP BJT NPN 200V 15A 220000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PL Tray | на замовлення 515 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SC5949-O(Q) | Toshiba | Trans GP BJT NPN 200V 15A 220000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PL Tray | на замовлення 126 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SC5949-O(Q) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS NPN 200V 15A TO-3PL | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SC5949-R(Q) | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT Transistor NPN 200V 15A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SC5949-R(Q) | Toshiba | Trans GP BJT NPN 200V 15A 220000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PL | на замовлення 37 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 37 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SC594M | на замовлення 3667 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2SC594N | на замовлення 3557 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2SC594X | на замовлення 3365 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2SC595 | TOSHIBA | на замовлення 5600 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2SC5950GSL | SANYO | SOT25/ | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SC59540Q | Panasonic Electronic Components | Description: TRANS NPN 60V 3A TO-220D-A1 Power - Max: 2 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Supplier Device Package: TO-220D-A1 Frequency - Transition: 200MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500 @ 500mA, 4V Current - Collector Cutoff (Max): 100µA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 20mA, 1A Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Bulk | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 300 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SC595N | на замовлення 3625 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2SC596 | TOSHIBA | на замовлення 5600 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2SC5964 | onsemi | BIP NPN 3A 50V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SC5964-S-TD-E | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 50V 3A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 7000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SC5964-S-TD-E | onsemi | Description: TRANS NPN 50V 3A PCP Packaging: Bulk Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 290mV @ 100mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 380MHz Supplier Device Package: PCP Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 1.3 W | на замовлення 16999 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SC5964-S-TD-E | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2SC5964-S-TD-E - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SC5964-S-TD-E | ON Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 3A 50V | на замовлення 875 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SC5964-S-TD-E | onsemi | Description: TRANS NPN 50V 3A PCP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 290mV @ 100mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 380MHz Supplier Device Package: PCP Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 1.3 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SC5964-S-TD-H | onsemi | Description: TRANS NPN 50V 3A PCP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 290mV @ 100mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 380MHz Supplier Device Package: PCP Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 1.3 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SC5964-TD-E | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 50V 3A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SC5964-TD-E | SANYO | SOT89 | на замовлення 208000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SC5964-TD-E | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 50V 3A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | на замовлення 36 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SC5964-TD-E | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2SC5964-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 3 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 3.5W Bauform - Transistor: SOT-89 Dauerkollektorstrom: 3A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 380MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (25-Jun-2025) | на замовлення 2510 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SC5964-TD-E | onsemi | Description: TRANS NPN 50V 3A PCP Power - Max: 3.5 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Part Status: Active Supplier Device Package: PCP Frequency - Transition: 380MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 290mV @ 100mA, 2A Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-243AA Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 5658 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SC5964-TD-E | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 50V 3A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | на замовлення 4293 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SC5964-TD-E | onsemi | Bipolar Transistors - BJT HIGH-CURRENT SWITCHING | на замовлення 3567 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SC5964-TD-E | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 50V 3A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SC5964-TD-E | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 50V 3A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SC5964-TD-E | onsemi | Description: TRANS NPN 50V 3A PCP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 290mV @ 100mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 380MHz Supplier Device Package: PCP Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 3.5 W | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SC5964-TD-E | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 50V 3A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | на замовлення 336 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 45 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SC5964-TD-E | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2SC5964-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 3 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 3.5W Bauform - Transistor: SOT-89 Dauerkollektorstrom: 3A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 380MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (25-Jun-2025) | на замовлення 2510 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SC5964-TD-E | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 50V 3A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | на замовлення 1291 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SC5964-TD-E | ONSEMI | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 3A; 1.3W; SOT89 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 3A Power dissipation: 1.3W Case: SOT89 Current gain: 200...560 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 380MHz | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |

