2SC5886A(T6L1,NQ) Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS NPN 50V 5A PW-MOLD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 32mA, 1.6A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 500mA, 2V
Supplier Device Package: PW-MOLD
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2000+ | 18.33 грн |
| 4000+ | 16.23 грн |
| 6000+ | 15.50 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SC5886A(T6L1,NQ) Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TOSHIBA - 2SC5886A(T6L1,NQ) - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 5 A, 20 W, New PW-Mold, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 400hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 20W, Bauform - Transistor: New PW-Mold, Dauerkollektorstrom: 5A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції 2SC5886A(T6L1,NQ) за ціною від 18.72 грн до 83.23 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
2SC5886A(T6L1,NQ) | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS NPN 50V 5A PW-MOLD Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 32mA, 1.6A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 500mA, 2V Supplier Device Package: PW-MOLD Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 1 W |
на замовлення 7897 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
2SC5886A(T6L1,NQ) | Виробник : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - 2SC5886A(T6L1,NQ) - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 5 A, 20 W, New PW-Mold, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 400hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 20W Bauform - Transistor: New PW-Mold Dauerkollektorstrom: 5A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 2085 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
2SC5886A(T6L1,NQ) | Виробник : Toshiba |
Trans GP BJT NPN 50V 5A 1000mW 3-Pin(2+Tab) New PW-Mold T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
2SC5886A(T6L1,NQ) | Виробник : Toshiba |
Trans GP BJT NPN 50V 5A 1000mW 3-Pin(2+Tab) New PW-Mold T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
2SC5886A(T6L1,NQ) | Виробник : Toshiba |
Bipolar Transistors - BJT NPN VCE 0.22V 95ns 400 to 1000 hFE 5A |
товару немає в наявності |