Продукція > BC8
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BC856BLT1G | On Semiconductor | SOT-23, PNP Silicon, Vceo=45V, Ic=100mA, hfe=290, -55...+150 Транзистори | на замовлення 1 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC856BLT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC856BLT3 | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 100mA 80V PNP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC856BLT3 | onsemi | Description: TRANS PNP 65V 0.1A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V Power - Max: 300 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 40000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC856BLT3G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 100mA 80V PNP | на замовлення 49693 шт: термін постачання 329-338 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC856BLT3G | ONN | на замовлення 3464 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BC856BLT3G | ONSEMI | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 65V; 0.1A; 0.225W; SOT23,TO236AB Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 65V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 220...475 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC856BLT3G | onsemi | Description: TRANS PNP 65V 0.1A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V Power - Max: 300 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC856BLT3G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC856BLT3G | ONSEMI | Description: ONSEMI - BC856BLT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 225mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC856BLT3G | onsemi | Description: TRANS PNP 65V 0.1A SOT23-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V Power - Max: 300 mW | на замовлення 12 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC856BLT3G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 365000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC856BLT3G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 10561 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC856BLT3G | ONSEMI | Description: ONSEMI - BC856BLT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 225mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC856BLT3G | ON Semiconductor | Транзистор PNP, Ptot, Вт = 0,3, Uceo, В = 65, Ic = 100 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 100, hFE = 220 @ 2 мA, 5 В, Icutoff-max = 15 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,65 @ 5 мA, 100 мА, Тексп, °С = -55...+150,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт кількість в упаковці: 10000 шт | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC856BLT3G | onsemi | Description: TRANS PNP 65V 0.1A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V Power - Max: 300 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC856BLT3G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 10561 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 556 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC856BLT3G Код товару: 216566
Додати до обраних
Обраний товар
| ON | Транзистори > Біполярні PNP Корпус: SOT-23 fT: 100 MHz Uке, В: 65 V Uкб, В: 80 V Iк, А: 0,1 A h21,max: 150 | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC856BM-QYL | Nexperia USA Inc. | Description: BC856BM-Q/SOT883/XQFN3 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC856BM-QYL | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT BC856BM-Q/SOT883/XQFN3 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 23 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC856BM-TP | Micro Commercial Co | Description: TRANS PNP 65V 100MA SOT883 | на замовлення 24694 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC856BM-TP | Micro Commercial Components (MCC) | Bipolar Transistors - BJT PNP Plastic-Encapsulate Biploar Transistors,SOT-883 package | на замовлення 15384 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC856BM-TP | Micro Commercial Co | Description: TRANS PNP 65V 100MA SOT883 | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC856BM-TP | Micro Commercial Co | Description: TRANS PNP 65V 100MA SOT883 | на замовлення 24694 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC856BM3-TP | Micro Commercial Components | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 265mW 3-Pin SOT-723 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 8000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC856BM3-TP | Micro Commercial Components | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 265mW 3-Pin SOT-723 T/R | на замовлення 568000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC856BM3-TP | Micro Commercial Components (MCC) | Bipolar Transistors - BJT PNP -80Vcbo -65Vceo 310mW -5Vebo -100mA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 22 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC856BM315 | NXP USA Inc. | Description: 60 V, 100MA PNP GENERAL PURPOSE Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC856BM3T5G | onsemi | Description: TRANS PNP 65V 0.1A SOT-723 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-723 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V Power - Max: 265 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 8000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC856BM3T5G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 640mW 3-Pin SOT-723 T/R | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC856BM3T5G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 640mW 3-Pin SOT-723 T/R | на замовлення 480000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC856BM3T5G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 640mW 3-Pin SOT-723 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 8000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC856BM3T5G | ON | SOT723 | на замовлення 16500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC856BM3T5G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 640mW 3-Pin SOT-723 T/R | на замовлення 4646 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC856BM3T5G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 100mA 65V PNP | на замовлення 40000 шт: термін постачання 378-387 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC856BM3T5G | ONSEMI | Description: ONSEMI - BC856BM3T5G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 265 mW, SOT-723, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 265mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-723 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 4279 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC856BM3T5G | onsemi | Description: TRANS PNP 65V 0.1A SOT-723 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-723 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V Power - Max: 265 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC856BM3T5G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 640mW 3-Pin SOT-723 T/R | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC856BM3T5G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 640mW 3-Pin SOT-723 T/R | на замовлення 28946 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC856BM3T5G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 640mW 3-Pin SOT-723 T/R | на замовлення 4646 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC856BM3T5G | ONSEMI | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 65V; 0.1A; 0.265W; SOT723 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 65V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.265W Case: SOT723 Current gain: 220...475 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz | на замовлення 1800 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC856BM3T5G | ONSEMI | Description: ONSEMI - BC856BM3T5G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 265 mW, SOT-723, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 265mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-723 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 4279 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC856BMB315 | NXP USA Inc. | Description: BC856B Packaging: Bulk Part Status: Active | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC856BMBYL | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT SOT883B 65V .1A PNP BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 16 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC856BMBYL | Nexperia | Trans GP BJT PNP 60V 0.1A 250mW 3-Pin DFN-B T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC856BMBYL | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 60V 0.1A DFN1006B-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: DFN1006B-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 250 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 2970 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC856BMBYL | Nexperia | Trans GP BJT PNP 60V 0.1A 250mW 3-Pin DFN-B T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC856BMBYL | Nexperia | Trans GP BJT PNP 60V 0.1A 250mW 3-Pin DFN-B T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC856BMBYL | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 60V 0.1A DFN1006B-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: DFN1006B-3 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 250 mW Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC856BMBYL | NXP Semiconductors | Trans GP BJT PNP 60V 0.1A 250mW Automotive 3-Pin DFN-B T/R | на замовлення 21618 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC856BMTF | ONSEMI | Description: ONSEMI - BC856BMTF - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 310 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 310mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 150MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C directShipCharge: 25 SVHC: No SVHC (15-Jan-2019) | на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC856BMTF | onsemi | Description: TRANS PNP 65V 0.1A SOT-23-3 Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Power - Max: 310 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Supplier Device Package: SOT-23-3 Frequency - Transition: 150MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC856BMTF | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT SOT-23 PNP GP AMP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC856BMTF | ONS/FAI | SOT-23 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC856BMTF | onsemi | Description: TRANS PNP 65V 0.1A SOT-23-3 Power - Max: 310 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Supplier Device Package: SOT-23-3 Frequency - Transition: 150MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC856BMYL | Nexperia | Trans GP BJT PNP 60V 0.1A 250mW 3-Pin DFN T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 4434 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 2778 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC856BMYL | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 60V 0.1A SOT-883 Packaging: Bulk Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-883 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 250 mW | на замовлення 163601 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC856BMYL | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT SOT883 65V .1A PNP BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 18 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC856BMYL | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BC856BMYL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 100 mA, 250 mW, SOT-883, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-883 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 188 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC856BMYL | NXP Semiconductors | Trans GP BJT PNP 60V 0.1A 250mW 3-Pin DFN T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 15560 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC856BMYL | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 60V 0.1A SOT-883 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC856BMYL | Nexperia | Trans GP BJT PNP 60V 0.1A 250mW 3-Pin DFN T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 50000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC856BMYL | NEXPERIA | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 65V; 0.1A; 250mW; DFN1006-3,SOT883 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 65V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.25W Case: DFN1006-3; SOT883 Current gain: 220...475 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC856BMYL | Nexperia | Trans GP BJT PNP 60V 0.1A 250mW 3-Pin DFN T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 9500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC856BMYL | Nexperia | Trans GP BJT PNP 60V 0.1A 250mW 3-Pin DFN T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 163601 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC856BMYL | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BC856BMYL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 100 mA, 250 mW, SOT-883, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-883 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 188 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC856BMYL | Nexperia | Trans GP BJT PNP 60V 0.1A 250mW 3-Pin DFN T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC856BMYL | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 60V 0.1A SOT-883 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC856BMYL | Nexperia | Trans GP BJT PNP 60V 0.1A 250mW 3-Pin DFN T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 40000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC856BMYL | Nexperia | Trans GP BJT PNP 60V 0.1A 250mW 3-Pin DFN T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC856BMYL | Nexperia | Trans GP BJT PNP 60V 0.1A 250mW 3-Pin DFN T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC856BQ | Yangjie Electronic Technology | PNP General Purpose Amplifier | на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC856BQ | Yangjie Technology | Description: Transistors - Bipolar (BJT) - Si Part Status: Active Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 300000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC856BQ-13-F | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC856BQ-13-F | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT General Purpose Transistor SOT23 T&R 10K | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 13 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC856BQ-7-F | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 1629000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC856BQ-7-F | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 2535000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC856BQ-7-F | DIODES INCORPORATED | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 65V; 0.1A; 350mW; SOT23 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 65V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.35W Case: SOT23 Current gain: 220...475 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100...200MHz Application: automotive industry Pulsed collector current: 0.2A Quantity in set/package: 3000pcs. | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC856BQ-7-F | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 1422000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC856BQ-7-F | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 2358000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC856BQ-7-F | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 1734000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC856BQ-7-F | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 2787000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC856BQ-7-F | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 2004000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC856BQ-7-F | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 2010000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC856BQ-7-F | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 65V 0.1A SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V Power - Max: 310 mW Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC856BQ-7-F | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 963000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC856BQ-7-F | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 2424000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC856BQ-7-F | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 1575000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC856BQ-7-F | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 2457000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC856BQ-7-F | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 1467000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC856BQ-7-F | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 2205000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC856BQ-7-F | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 1506000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC856BQ-7-F | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 2535000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC856BQ-7-F | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 1908000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC856BQ-7-F | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 6000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC856BQ-7-F | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 2010000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC856BQ-7-F | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 483000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC856BQ-7-F | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 2385000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC856BQ-7-F | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 1596000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC856BQ-7-F | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 2457000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|

