Продукція > 2SC
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2SCR533P5T100 | ROHM | Description: ROHM - 2SCR533P5T100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 3 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 500mW SVHC: Lead (23-Jan-2024) Bauform - Transistor: SOT-89 Dauerkollektorstrom: 3A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 660 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SCR533P5T100 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN 50V 3A MPT3 Power - Max: 500 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Part Status: Active Supplier Device Package: MPT3 Frequency - Transition: 320MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 50mA, 3V Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 50mA, 1A Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-243AA Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SCR533P5T100 | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 50V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SCR533PFRA | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SCR533PFRAT100 | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN SOT-89 3A 180 to 450hFE 50V | на замовлення 477 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SCR533PFRAT100 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN 50V 3A MPT3 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Power - Max: 500 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Part Status: Not For New Designs Supplier Device Package: MPT3 Frequency - Transition: 320MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 50mA, 3V Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 50mA, 1A Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-243AA Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SCR533PFRAT100 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN 50V 3A MPT3 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Power - Max: 500 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Part Status: Not For New Designs Supplier Device Package: MPT3 Frequency - Transition: 320MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 50mA, 3V Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 50mA, 1A Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-243AA Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 53 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SCR533PHZGT100 | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT TRANS-SS NPN SOT89 50V | на замовлення 343 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SCR533PHZGT100 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN 50V 3A SOT-89 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 50mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 50mA, 3V Frequency - Transition: 320MHz Supplier Device Package: SOT-89 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 500 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SCR533PHZGT100 | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 50V 3A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) MPT T/R | на замовлення 401 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SCR533PHZGT100 | ROHM | Description: ROHM - 2SCR533PHZGT100 - Transistor, Bipolartransistor, NPN, 50V, 3A, SOT-89, AEC-Q101, 180hFE tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 2W SVHC: Lead (23-Jan-2024) Bauform - Transistor: SOT-89 Dauerkollektorstrom: 3A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 320MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 437 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SCR533PHZGT100 | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 50V 3A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) MPT T/R | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SCR533PHZGT100 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN 50V 3A SOT-89 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 50mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 50mA, 3V Frequency - Transition: 320MHz Supplier Device Package: SOT-89 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 500 mW | на замовлення 114 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SCR533PHZGT100 | ROHM | Description: ROHM - 2SCR533PHZGT100 - Transistor, Bipolartransistor, NPN, 50V, 3A, SOT-89, AEC-Q101, 180hFE tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 180hFE Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 2W Verlustleistung: 2W SVHC: Lead (23-Jan-2024) Bauform - Transistor: SOT-89 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50V Dauerkollektorstrom: 3A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 DC-Kollektorstrom: 3A Übergangsfrequenz: 320MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 437 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SCR533PHZGT100 | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 50V 3A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) MPT T/R | на замовлення 398 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SCR533PT100 | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 50V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R | на замовлення 390 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 228 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SCR533PT100 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN 50V 3A MPT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 50mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 50mA, 3V Frequency - Transition: 320MHz Supplier Device Package: MPT3 Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 2 W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SCR533PT100 | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 50V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SCR533PT100 | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN 50V 3A Transistor | на замовлення 332 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SCR533PT100 | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 50V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R | на замовлення 3009 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SCR533PT100 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN 50V 3A MPT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 50mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 50mA, 3V Frequency - Transition: 320MHz Supplier Device Package: MPT3 Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 2 W | на замовлення 339 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SCR542DTL | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 30V 5A 10000mW 3-Pin(2+Tab) CPT T/R | на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SCR542DTL | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 30V 5A 10000mW 3-Pin(2+Tab) CPT T/R | на замовлення 2975 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SCR542F3TR | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN 30V 3A HUML2020L3 Power - Max: 1 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Part Status: Active Supplier Device Package: HUML2020L3 Frequency - Transition: 250MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 50mA, 1A Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad Packaging: Cut Tape (CT) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SCR542F3TR | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 30V 3A 2100mW 3-Pin HUML EP T/R | на замовлення 1658 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SCR542F3TR | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN 3A Ic 30V Vceo HUML2020L3 | на замовлення 2989 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SCR542F3TR | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN 30V 3A HUML2020L3 Power - Max: 1 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Part Status: Active Supplier Device Package: HUML2020L3 Frequency - Transition: 250MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 50mA, 1A Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SCR542P | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT Trans Darlington NPN 2A 3-Pin ATV T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SCR542PFRA | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SCR542PFRAT100 | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 5A; 500mW; SC62,SOT89 Mounting: SMD Polarisation: bipolar Frequency: 250MHz Case: SC62; SOT89 Type of transistor: NPN Kind of package: reel; tape Collector current: 5A Power dissipation: 0.5W Collector-emitter voltage: 30V Current gain: 200...500 | на замовлення 789 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SCR542PFRAT100 | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN SOT-89 5A 200 to 500hFE 30V | на замовлення 582 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SCR542PFRAT100 | ROHM | Description: ROHM - 2SCR542PFRAT100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 5 A, 2 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-89 Dauerkollektorstrom: 5A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 250MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) | на замовлення 638 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SCR542PFRAT100 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN 30V 5A MPT3 Power - Max: 500 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Part Status: Active Supplier Device Package: MPT3 Frequency - Transition: 250MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 100mA, 2A Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-243AA Packaging: Tape & Reel (TR) Transistor Type: NPN Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SCR542PFRAT100 | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 30V 5A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) MPT T/R | на замовлення 492 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SCR542PFRAT100 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN 30V 5A MPT3 Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-243AA Packaging: Cut Tape (CT) Power - Max: 500 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Part Status: Active Supplier Device Package: MPT3 Frequency - Transition: 250MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 100mA, 2A Operating Temperature: 150°C (TJ) Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive | на замовлення 3301 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SCR542PFRAT100 | ROHM | Description: ROHM - 2SCR542PFRAT100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 5 A, 2 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-89 Dauerkollektorstrom: 5A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 250MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) | на замовлення 638 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SCR542PFRAT100 | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 30V 5A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) MPT T/R | на замовлення 764 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SCR542PFRAT100 | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 30V 5A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) MPT T/R | на замовлення 192 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 9 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SCR542PT100 | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 30V 5A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R | на замовлення 1359 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SCR542PT100 | ROHM | Description: ROHM - 2SCR542PT100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 5 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-89 Dauerkollektorstrom: 5A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) | на замовлення 68 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SCR542PT100 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN 30V 5A MPT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 100mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: MPT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 2 W | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SCR542PT100 | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 30V 5A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SCR542PT100 | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 5A; 500mW; SC62,SOT89 Mounting: SMD Polarisation: bipolar Frequency: 250MHz Case: SC62; SOT89 Type of transistor: NPN Kind of package: reel; tape Collector current: 5A Power dissipation: 0.5W Collector-emitter voltage: 30V Current gain: 200...500 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SCR542PT100 | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT Bipolar Transistors BJT I2C BUS 2Kbit | на замовлення 1038 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SCR542PT100 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN 30V 5A MPT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 100mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: MPT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 2 W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SCR542PT100 | ROHM | Description: ROHM - 2SCR542PT100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 5 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 500mW euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-89 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30V Dauerkollektorstrom: 5A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 5A Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) | на замовлення 68 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 68 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SCR543DTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN 50V 4A CPT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 100mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 100mA, 3V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: CPT3 Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 10 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SCR543DTL | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT Trans GP BJT NPN 50V 4A | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SCR543DTL | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 50V 4A 10000mW 3-Pin(2+Tab) CPT T/R | на замовлення 636 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SCR543DTL | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 50V 4A 10000mW 3-Pin(2+Tab) CPT T/R | на замовлення 2400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SCR543DTL | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 50V 4A 10000mW 3-Pin(2+Tab) CPT T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SCR543RHZGTL | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 50V 3A 1000mW 3-Pin TSMT Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SCR543RHZGTL | ROHM | Description: ROHM - 2SCR543RHZGTL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 3 A, 1 W, SOT-346T, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: SOT-346T Dauerkollektorstrom: 3A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SCR543RHZGTL | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 50V 3A 1000mW 3-Pin TSMT Automotive AEC-Q101 | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SCR543RHZGTL | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN, SOT-346T, 50V 3A, Driver Transistor | на замовлення 2252 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SCR543RTL | ROHM | Description: ROHM - 2SCR543RTL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 3 A, 500 mW, SOT-346T, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 180hFE Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 3A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-346T Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 355 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SCR543RTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN 50V 3A TSMT3 Power - Max: 1 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Part Status: Active Supplier Device Package: TSMT3 Frequency - Transition: 300MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 100mA, 3V Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 100mA, 2A Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-96 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SCR543RTL | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 3A; 500mW; SC96 Mounting: SMD Polarisation: bipolar Frequency: 300MHz Case: SC96 Type of transistor: NPN Kind of package: reel; tape Collector current: 3A Power dissipation: 0.5W Collector-emitter voltage: 50V Current gain: 180...450 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SCR543RTL | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 50V 3A 3-Pin TSMT T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SCR543RTL | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT Isolated AC/DC Converter | на замовлення 1222 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SCR543RTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN 50V 3A TSMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-96 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 100mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 100mA, 3V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: TSMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 1 W | на замовлення 1914 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SCR543RTL | ROHM | Description: ROHM - 2SCR543RTL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 3 A, 500 mW, SOT-346T, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 productTraceability: No Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V rohsCompliant: YES Verlustleistung: 500mW euEccn: NLR DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Dauer-Kollektorstrom: 3A SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 355 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SCR543RTL | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 50V 3A 3-Pin TSMT T/R | на замовлення 15660 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SCR544DTL | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 80V 2.5A 10000mW 3-Pin(2+Tab) CPT T/R | на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SCR544DTL | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 80V 2.5A 10000mW 3-Pin(2+Tab) CPT T/R | на замовлення 1645 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SCR544P | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SCR544P5T100 | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 80V 2.5A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R | на замовлення 621 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SCR544P5T100 | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 80V 2.5A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SCR544P5T100 | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 80V 2.5A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SCR544P5T100 | ROHM | Description: ROHM - 2SCR544P5T100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 2.5 A, 2 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-89 Dauerkollektorstrom: 2.5A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 280MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) | на замовлення 196 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SCR544P5T100 | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 80V 2.5A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R | на замовлення 1696 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SCR544P5T100 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN 80V 2.5A MPT3 Power - Max: 500 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Current - Collector (Ic) (Max): 2.5 A Part Status: Active Supplier Device Package: MPT3 Frequency - Transition: 280MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-243AA Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 939 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SCR544P5T100 | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 80V 2.5A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SCR544P5T100 | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN 80V Vceo 2.5A Ic MPT3 | на замовлення 1833 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SCR544P5T100 | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 80V 2.5A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SCR544P5T100 | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 80V 2.5A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R | на замовлення 220 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 181 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SCR544P5T100 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN 80V 2.5A MPT3 Power - Max: 500 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Current - Collector (Ic) (Max): 2.5 A Part Status: Active Supplier Device Package: MPT3 Frequency - Transition: 280MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-243AA Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SCR544P5T100 | ROHM | Description: ROHM - 2SCR544P5T100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 2.5 A, 2 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-89 Dauerkollektorstrom: 2.5A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 280MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) | на замовлення 196 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SCR544P5T100 | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 80V 2.5A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R | на замовлення 196 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 196 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SCR544PFRAT100 | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN SOT-89 2.5A 120 to 390hFE 80V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SCR544PFRAT100 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN 80V 2.5A MPT3 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Power - Max: 500 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Current - Collector (Ic) (Max): 2.5 A Part Status: Not For New Designs Supplier Device Package: MPT3 Frequency - Transition: 280MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-243AA Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SCR544PFRAT100 | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 2.5A; 500mW; SC96 Mounting: SMD Polarisation: bipolar Frequency: 280MHz Case: SC96 Type of transistor: NPN Kind of package: reel; tape Collector current: 2.5A Power dissipation: 0.5W Collector-emitter voltage: 80V Current gain: 120...390 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SCR544PFRAT100 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN 80V 2.5A MPT3 Grade: Automotive Power - Max: 500 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Current - Collector (Ic) (Max): 2.5 A Part Status: Not For New Designs Supplier Device Package: MPT3 Frequency - Transition: 280MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-243AA Packaging: Cut Tape (CT) Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SCR544PHZGT100 | ROHM | Description: ROHM - 2SCR544PHZGT100 - Transistor, Bipolartransistor, NPN, 80V, 2.5A, SOT-89, AEC-Q101, 120hFE tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 120hFE Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 2W Verlustleistung: 2W SVHC: Lead (23-Jan-2024) Bauform - Transistor: SOT-89 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80V Dauerkollektorstrom: 2.5A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 DC-Kollektorstrom: 2.5A Übergangsfrequenz: 280MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 508 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SCR544PHZGT100 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN 30V 2A SOT-89 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V Frequency - Transition: 320MHz Supplier Device Package: SOT-89 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 500 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SCR544PHZGT100 | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 80V 2.5A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) MPT T/R | на замовлення 745 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SCR544PHZGT100 | ROHM | Description: ROHM - 2SCR544PHZGT100 - Transistor, Bipolartransistor, NPN, 80V, 2.5A, SOT-89, AEC-Q101, 120hFE tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 2W SVHC: Lead (23-Jan-2024) Bauform - Transistor: SOT-89 Dauerkollektorstrom: 2.5A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 280MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 508 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SCR544PHZGT100 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN 30V 2A SOT-89 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V Frequency - Transition: 320MHz Supplier Device Package: SOT-89 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 500 mW | на замовлення 707 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SCR544PHZGT100 | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT SOT-89 NPN 80V 2.5A MID-PWR | на замовлення 2943 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SCR544PHZGT100 | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 80V 2.5A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) MPT T/R | на замовлення 980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SCR544PHZGT100 | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 80V 2.5A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) MPT T/R | на замовлення 445 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SCR544PT100 | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 80V 2.5A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R | на замовлення 528 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SCR544PT100 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN 80V 2.5A MPT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V Frequency - Transition: 280MHz Supplier Device Package: MPT3 Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 2.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 2 W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SCR544PT100 | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN 80V 2.5A Transistor | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SCR544PT100 | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 80V 2.5A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R | на замовлення 190 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 157 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SCR544PT100 | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 80V 2.5A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R | на замовлення 900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SCR544PT100 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN 80V 2.5A MPT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V Frequency - Transition: 280MHz Supplier Device Package: MPT3 Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 2.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 2 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SCR544R | Diotec Semiconductor | Description: BJT SOT23 80V 2500MA NPN 1W Power - Max: 500 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Current - Collector (Ic) (Max): 2.5 A Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Frequency - Transition: 280MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Bulk | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SCR544R | Diotec Semiconductor | Trans GP BJT NPN 80V 2.5A 1000mW T/R | на замовлення 645 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 372 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SCR544R | DIOTEC SEMICONDUCTOR | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 2.5A; 500mW; SOT23 Mounting: SMD Polarisation: bipolar Frequency: 280MHz Case: SOT23 Type of transistor: NPN Kind of package: reel; tape Collector current: 2.5A Power dissipation: 0.5W Collector-emitter voltage: 80V Current gain: 120...390 | на замовлення 570 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|

