Продукція > 2SC

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 13 26 39 52 65 78 91 104 117 126 127 128 129 130 131 132 133 134  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
2SCR544RDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 2.5A; 500mW; SOT23
Mounting: SMD
Polarisation: bipolar
Frequency: 280MHz
Case: SOT23
Type of transistor: NPN
Kind of package: reel; tape
Collector current: 2.5A
Power dissipation: 0.5W
Collector-emitter voltage: 80V
Current gain: 120...390
на замовлення 570 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
19+24.16 грн
26+16.45 грн
50+11.33 грн
100+9.61 грн
500+6.71 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR544RDiotec SemiconductorDescription: BJT SOT23 80V 2500MA NPN 1W
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
Frequency - Transition: 280MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 2.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.96 грн
15+20.19 грн
25+17.71 грн
100+10.76 грн
250+8.91 грн
500+7.13 грн
1000+5.37 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR544RDiotec; 80В; 2,5А; 500мВт; SOT23 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR544RHZGTLRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 2.5A 1000mW 3-Pin TSMT Automotive AEC-Q101
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR544RHZGTLRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 2.5A 1000mW 3-Pin TSMT Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR544RHZGTLROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN, SOT-346T, 80V 2.5A, Driver Transistor
на замовлення 2394 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+26.98 грн
17+18.74 грн
100+12.50 грн
500+11.05 грн
1000+10.56 грн
3000+9.94 грн
6000+9.73 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR544RTLRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 2.5A 1000mW 3-Pin TSMT T/R
на замовлення 18610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
892+15.90 грн
899+15.78 грн
997+14.22 грн
1041+13.13 грн
2000+12.05 грн
3000+11.26 грн
6000+10.85 грн
12000+10.43 грн
Мінімальне замовлення: 892 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR544RTLROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 2.5A; 500mW; SC96
Mounting: SMD
Polarisation: bipolar
Frequency: 280MHz
Case: SC96
Type of transistor: NPN
Kind of package: reel; tape
Collector current: 2.5A
Power dissipation: 0.5W
Collector-emitter voltage: 80V
Current gain: 120...390
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR544RTLRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 2.5A 1000mW 3-Pin TSMT T/R
на замовлення 444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 341 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR544RTLROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN Digital Transtr Driver
на замовлення 1247 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+45.67 грн
10+42.16 грн
100+25.06 грн
500+20.43 грн
1000+17.95 грн
3000+15.95 грн
6000+14.84 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR544RTLROHMDescription: ROHM - 2SCR544RTL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 2.5 A, 500 mW, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 120hFE
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 500mW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80V
Dauerkollektorstrom: 2.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 2.5A
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 346 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+28.91 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR544RTLRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 2.5A 1000mW 3-Pin TSMT T/R
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
652+21.77 грн
676+20.99 грн
1000+20.31 грн
2500+19.00 грн
Мінімальне замовлення: 652 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR544RTLRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 80V 2.5A TSMT3
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2.5 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TSMT3
Frequency - Transition: 280MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-96
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR544RTLRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 2.5A 1000mW 3-Pin TSMT T/R
на замовлення 676 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
652+21.77 грн
676+20.99 грн
Мінімальне замовлення: 652 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR544RTLROHMDescription: ROHM - 2SCR544RTL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 2.5 A, 500 mW, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Dauerkollektorstrom: 2.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 346 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+71.12 грн
19+44.22 грн
100+28.91 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR544RTLRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 2.5A 1000mW 3-Pin TSMT T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
652+21.77 грн
676+20.99 грн
1000+20.31 грн
2500+19.00 грн
5000+17.12 грн
Мінімальне замовлення: 652 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR544RTLRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 80V 2.5A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
Frequency - Transition: 280MHz
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 2925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+76.11 грн
10+45.47 грн
100+29.71 грн
500+21.50 грн
1000+19.45 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR552P5T100ROHMDescription: ROHM - 2SCR552P5T100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 3 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 280MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+63.14 грн
21+39.06 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR552P5T100Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 30V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
на замовлення 1330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
742+19.11 грн
770+18.42 грн
1000+17.81 грн
Мінімальне замовлення: 742 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR552P5T100Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 30V 3A MPT3
Power - Max: 500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: MPT3
Frequency - Transition: 280MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 1A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 127000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+13.47 грн
2000+11.76 грн
3000+11.15 грн
5000+10.18 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR552P5T100Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 30V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
530+26.79 грн
Мінімальне замовлення: 530 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR552P5T100Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 30V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR552P5T100Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 30V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR552P5T100Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 30V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
478+29.68 грн
608+23.32 грн
1000+18.02 грн
2000+15.85 грн
Мінімальне замовлення: 478 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR552P5T100ROHMDescription: ROHM - 2SCR552P5T100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 3 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 280MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 90 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR552P5T100Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 30V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 184 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR552P5T100Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 30V 3A MPT3
Power - Max: 500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: MPT3
Frequency - Transition: 280MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 1A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 128344 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+61.35 грн
10+36.35 грн
100+23.55 грн
500+16.89 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR552P5T100Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 30V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
на замовлення 920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
324+43.84 грн
487+29.16 грн
637+22.28 грн
Мінімальне замовлення: 324 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR552P5T100Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 30V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
636+22.29 грн
640+22.17 грн
790+17.96 грн
1000+16.27 грн
Мінімальне замовлення: 636 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR552P5T100ROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 30V Vceo 3A Ic MPT3
на замовлення 1477 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+60.24 грн
10+36.76 грн
100+20.64 грн
500+15.81 грн
1000+14.22 грн
2000+12.15 грн
5000+10.98 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR552PFRAT100Rohm SemiconductorDescription: NPN DRIVER TRANSISTOR (CORRESPON
на замовлення 713 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+42.71 грн
10+35.22 грн
100+26.34 грн
500+19.42 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR552PFRAT100ROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN SOT-89 3A 200 to 500hFE 30V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR552PFRAT100ROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 3A; 500mW; SC62,SOT89
Mounting: SMD
Polarisation: bipolar
Frequency: 280MHz
Case: SC62; SOT89
Type of transistor: NPN
Kind of package: reel; tape
Collector current: 3A
Power dissipation: 0.5W
Collector-emitter voltage: 30V
Current gain: 200...500
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR552PFRAT100Rohm SemiconductorDescription: NPN DRIVER TRANSISTOR (CORRESPON
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR552PHZGT100Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 30V 3A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
905+15.67 грн
912+15.55 грн
949+14.94 грн
Мінімальне замовлення: 905 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR552PHZGT100Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 30V 3A SOT-89
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 280MHz
Supplier Device Package: SOT-89
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 742 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+74.56 грн
10+44.80 грн
100+29.34 грн
500+21.32 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR552PHZGT100ROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN, SOT-89, 30V 3A, Middle Power Transistor
на замовлення 798 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+77.56 грн
10+47.71 грн
100+27.27 грн
500+21.06 грн
1000+18.92 грн
2000+16.57 грн
5000+15.05 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR552PHZGT100ROHMDescription: ROHM - 2SCR552PHZGT100 - Transistor, Bipolartransistor, NPN, 30V, 3A, SOT-89, AEC-Q101, 200hFE
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 2W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 280MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 286 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+86.98 грн
16+51.30 грн
100+33.67 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR552PHZGT100Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 30V 3A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
263+53.96 грн
290+48.88 грн
293+48.39 грн
379+36.13 грн
395+32.10 грн
661+18.40 грн
Мінімальне замовлення: 263 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR552PHZGT100Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 30V 3A SOT-89
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 280MHz
Supplier Device Package: SOT-89
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 500 mW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR552PHZGT100Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 30V 3A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
499+28.44 грн
518+27.41 грн
1000+26.52 грн
Мінімальне замовлення: 499 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR552PHZGT100ROHMDescription: ROHM - 2SCR552PHZGT100 - Transistor, Bipolartransistor, NPN, 30V, 3A, SOT-89, AEC-Q101, 200hFE
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2W
Verlustleistung: 2W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: SOT-89
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30V
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 3A
Übergangsfrequenz: 280MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 286 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+33.67 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR552PT100Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 30V 3A MPT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 280MHz
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 2 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR552PT100Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 30V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
467+30.36 грн
Мінімальне замовлення: 467 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR552PT100Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 30V 3A MPT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 280MHz
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 2 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR552PT100ROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT I2C BUS 2Kbit EEPROM
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR552PT100Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 30V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
на замовлення 586 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 451 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR553P5T100ROHMDescription: ROHM - 2SCR553P5T100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 2 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 360MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+22.07 грн
500+15.63 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR553P5T100Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
611+23.22 грн
Мінімальне замовлення: 611 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR553P5T100Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
на замовлення 524 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
59+12.97 грн
60+12.77 грн
61+12.56 грн
62+11.92 грн
100+10.86 грн
250+10.25 грн
500+10.08 грн
Мінімальне замовлення: 59 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR553P5T100Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
на замовлення 6544 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
338+41.98 грн
352+40.29 грн
500+38.84 грн
1000+36.23 грн
2500+32.55 грн
5000+30.41 грн
Мінімальне замовлення: 338 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR553P5T100ROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 50V Vceo 2A Ic MPT3
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+49.21 грн
11+29.61 грн
100+16.98 грн
500+12.91 грн
1000+11.32 грн
2000+9.94 грн
5000+8.91 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR553P5T100ROHMDescription: ROHM - 2SCR553P5T100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 2 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 360MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+54.69 грн
25+33.42 грн
100+22.07 грн
500+15.63 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR553P5T100ROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 2A; 500mW; SC62,SOT89
Mounting: SMD
Polarisation: bipolar
Frequency: 360MHz
Case: SC62; SOT89
Type of transistor: NPN
Kind of package: reel; tape
Collector current: 2A
Power dissipation: 0.5W
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 180...450
на замовлення 896 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
10+45.64 грн
13+34.07 грн
100+19.61 грн
250+15.54 грн
500+13.30 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR553P5T100Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
на замовлення 930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
325+43.62 грн
Мінімальне замовлення: 325 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR553P5T100Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 50V 2A MPT3
Power - Max: 500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: MPT3
Frequency - Transition: 360MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 50mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 35mA, 700mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2018 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+53.59 грн
10+31.93 грн
100+20.53 грн
500+14.65 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR553P5T100Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
на замовлення 241 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 182 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR553P5T100Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
на замовлення 655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
325+43.62 грн
Мінімальне замовлення: 325 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR553P5T100Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 50V 2A MPT3
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 35mA, 700mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power - Max: 500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: MPT3
Frequency - Transition: 360MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 50mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+14.56 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR553PFRAT100ROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 2A; 500mW; SC62,SOT89
Mounting: SMD
Polarisation: bipolar
Frequency: 360MHz
Case: SC62; SOT89
Type of transistor: NPN
Kind of package: reel; tape
Collector current: 2A
Power dissipation: 0.5W
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 180...450
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR553PFRAT100Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 50V 2A MPT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 35mA, 700mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 50mA, 2V
Frequency - Transition: 360MHz
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+12.67 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR553PFRAT100ROHMDescription: ROHM - 2SCR553PFRAT100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 2 A, 2 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 360MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 94 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 94 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR553PFRAT100ROHMDescription: ROHM - 2SCR553PFRAT100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 2 A, 2 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 360MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 94 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+50.26 грн
26+31.09 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR553PFRAT100Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 50V 2A MPT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 35mA, 700mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 50mA, 2V
Frequency - Transition: 360MHz
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+41.16 грн
10+31.86 грн
100+21.69 грн
500+15.27 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR553PFRAT100ROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN SOT-89 2A 180 to 450hFE 50V
на замовлення 4495 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+45.02 грн
12+27.47 грн
100+15.33 грн
500+11.67 грн
1000+11.60 грн
2000+10.63 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR553PHZGT100Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 2A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
на замовлення 278 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 278 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR553PHZGT100Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 50V 2A SOT-89
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 35mA, 700mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 50mA, 2V
Frequency - Transition: 360MHz
Supplier Device Package: SOT-89
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR553PHZGT100ROHMDescription: ROHM - 2SCR553PHZGT100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 2 A, 2 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 180hFE
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung Pd: 2W
Verlustleistung: 2W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: SOT-89
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50V
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 2A
Übergangsfrequenz: 360MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 133 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+27.06 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR553PHZGT100ROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN, SOT-89, 50V 2A, Medium Power Transistor for Automotive
на замовлення 1101 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+68.14 грн
10+42.24 грн
100+24.23 грн
500+20.57 грн
1000+17.26 грн
2000+13.05 грн
10000+12.50 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR553PHZGT100Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 2A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
на замовлення 1015 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 232 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR553PHZGT100ROHMDescription: ROHM - 2SCR553PHZGT100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 2 A, 2 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 2W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 360MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 133 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+67.17 грн
20+41.72 грн
100+27.06 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR553PHZGT100Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 2A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
на замовлення 575 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
300+47.36 грн
433+32.75 грн
570+24.89 грн
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR553PHZGT100Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 50V 2A SOT-89
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 35mA, 700mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 50mA, 2V
Frequency - Transition: 360MHz
Supplier Device Package: SOT-89
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 613 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+60.58 грн
10+36.35 грн
100+23.62 грн
500+17.02 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR553PT100Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
709+20.00 грн
736+19.28 грн
1000+18.64 грн
Мінімальне замовлення: 709 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR553PT100Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 50V 2A MPT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 35mA, 700mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 50mA, 2V
Frequency - Transition: 360MHz
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+63.68 грн
10+38.22 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR553PT100ROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 50V 2A Transistor
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR553PT100Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
на замовлення 2930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1256+11.29 грн
1315+10.78 грн
1336+10.61 грн
2000+10.19 грн
Мінімальне замовлення: 1256 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR553PT100Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 50V 2A MPT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 35mA, 700mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 50mA, 2V
Frequency - Transition: 360MHz
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 2 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR553RHZGTLRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 50V 2A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 35mA, 700mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 50mA, 2V
Frequency - Transition: 360MHz
Supplier Device Package: TSMT3
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+56.69 грн
10+32.68 грн
25+26.95 грн
100+19.22 грн
250+16.24 грн
500+14.40 грн
1000+12.65 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR553RHZGTLROHMDescription: ROHM - 2SCR553RHZGTL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 2 A, 1 W, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Übergangsfrequenz: 360MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+16.35 грн
500+11.82 грн
1000+9.60 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR553RHZGTLRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 50V 2A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 35mA, 700mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 50mA, 2V
Frequency - Transition: 360MHz
Supplier Device Package: TSMT3
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR553RHZGTLROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN, SOT-346T, 50V 2A, Middle Power Transistor for Automotive
на замовлення 2824 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+49.21 грн
11+29.53 грн
100+16.50 грн
500+12.84 грн
1000+11.25 грн
3000+9.53 грн
6000+8.97 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR553RHZGTLROHMDescription: ROHM - 2SCR553RHZGTL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 2 A, 1 W, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-346T
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 360MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+41.80 грн
32+25.45 грн
100+16.35 грн
500+11.82 грн
1000+9.60 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR553RTLROHMDescription: ROHM - 2SCR553RTL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 2 A, 500 mW, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-346T
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 360MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+49.37 грн
27+30.44 грн
100+19.57 грн
500+12.79 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR553RTLRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 2A 1000mW 3-Pin TSMT T/R
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
851+16.66 грн
930+15.24 грн
1091+12.99 грн
1143+11.96 грн
2000+10.34 грн
Мінімальне замовлення: 851 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR553RTLROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 2A Ic 50V Vceo TSMT3
на замовлення 2707 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+51.95 грн
10+31.76 грн
100+17.74 грн
500+13.46 грн
1000+12.08 грн
3000+10.36 грн
6000+9.46 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR553RTLRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 2A 1000mW 3-Pin TSMT T/R
на замовлення 2200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
794+17.86 грн
Мінімальне замовлення: 794 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR553RTLRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 50V 2A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 35mA, 700mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 50mA, 2V
Frequency - Transition: 360MHz
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 1769 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+52.81 грн
10+31.41 грн
100+20.22 грн
500+14.42 грн
1000+12.95 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR553RTLRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 2A 1000mW 3-Pin TSMT T/R
на замовлення 334 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 199 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR553RTLROHMDescription: ROHM - 2SCR553RTL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 2 A, 500 mW, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-346T
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 360MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+19.57 грн
500+12.79 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR553RTLRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 2A 1000mW 3-Pin TSMT T/R
на замовлення 1491 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
626+22.66 грн
649+21.85 грн
1000+21.13 грн
Мінімальне замовлення: 626 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR553RTLRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 50V 2A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 35mA, 700mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 50mA, 2V
Frequency - Transition: 360MHz
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR553RTLRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 2A 1000mW 3-Pin TSMT T/R
на замовлення 2355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
361+39.27 грн
567+25.03 грн
754+18.81 грн
1000+16.13 грн
Мінімальне замовлення: 361 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR554P5T100Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 80V 1.5A MPT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 25mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+13.99 грн
2000+12.20 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR554P5T100Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 1.5A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
на замовлення 694 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
614+23.11 грн
637+22.27 грн
Мінімальне замовлення: 614 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR554P5T100Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 1.5A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR554P5T100ROHMDescription: ROHM - 2SCR554P5T100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1.5 A, 2 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1.5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+42.93 грн
23+35.36 грн
100+22.07 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR554P5T100Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 1.5A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
на замовлення 296 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 209 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR554P5T100ROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1.5A; 500mW; SC62,SOT89
Mounting: SMD
Polarisation: bipolar
Frequency: 300MHz
Case: SC62; SOT89
Type of transistor: NPN
Kind of package: reel; tape
Collector current: 1.5A
Power dissipation: 0.5W
Collector-emitter voltage: 80V
Current gain: 120...390
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR554P5T100Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 80V 1.5A MPT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 25mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 3435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+50.48 грн
10+30.44 грн
100+19.62 грн
500+14.05 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 13 26 39 52 65 78 91 104 117 126 127 128 129 130 131 132 133 134  [ Наступна Сторінка >> ]