Продукція > 2N5
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2N5308_D75Z | onsemi | Description: TRANS NPN DARL 40V 1.2A TO92-3 Power - Max: 625 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Current - Collector (Ic) (Max): 1.2 A Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-92-3 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 7000 @ 2mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 200µA, 200mA Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: NPN - Darlington Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Packaging: Tape & Box (TB) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N5308_Q | onsemi / Fairchild | Darlington Transistors NPN Transistor Darlington | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N530A | MOTOROLA | на замовлення 1200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| 2N531 | MOTOROLA | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| 2N5312 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N5312 | Microchip Technology | Description: TRANS PNP 80V 5A TO-61 Packaging: Bulk Package / Case: TO-211MA, TO-210AC, TO-61-4, Stud Mounting Type: Stud Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Supplier Device Package: TO-61 Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 87 W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N5313 | Microchip Technology | Description: TRANS PNP 80V 20A TO-61 Packaging: Bulk Package / Case: TO-211MA, TO-210AC, TO-61-4, Stud Mounting Type: Stud Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 10mA Supplier Device Package: TO-61 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 20 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 87 W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N5313 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N5314 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N5314 | Microchip Technology | Description: TRANS PNP 100V 20A TO-61 Packaging: Bulk Package / Case: TO-211MA, TO-210AC, TO-61-4, Stud Mounting Type: Stud Mount Transistor Type: PNP Supplier Device Package: TO-61 Current - Collector (Ic) (Max): 20 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 87.5 W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N5315 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N5315 | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 100V 20A TO-61 Packaging: Bulk Package / Case: TO-211MA, TO-210AC, TO-61-4, Stud Mounting Type: Stud Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 10mA Supplier Device Package: TO-61 Current - Collector (Ic) (Max): 20 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 87 W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N5316 | Microchip Technology | Description: TRANS PNP 80V 10A TO-61 Packaging: Bulk Package / Case: TO-211MA, TO-210AC, TO-61-4, Stud Mounting Type: Stud Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Supplier Device Package: TO-61 Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 87 W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N5316 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N5317 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N5317 | Microchip Technology | Description: TRANS PNP 80V 10A TO-61 Packaging: Bulk Package / Case: TO-211MA, TO-210AC, TO-61-4, Stud Mounting Type: Stud Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Supplier Device Package: TO-61 Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 87 W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N5318 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N5319 | Microchip Technology | Description: TRANS PNP 100V 10A TO-61 Packaging: Bulk Package / Case: TO-211MA, TO-210AC, TO-61-4, Stud Mounting Type: Stud Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Supplier Device Package: TO-61 Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 87 W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N5319 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N531A | MOTOROLA | на замовлення 1200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| 2N532 | MOTOROLA | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| 2N5320 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Custom | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N5320 | Central Semiconductor | Trans GP BJT NPN 75V 2A 10000mW 3-Pin TO-39 Box | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 300 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N5320 | STMicroelectronics | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N5320 Код товару: 49495
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Біполярні PNP Корпус: TO-39 Гранична частота fT, МГц: 50 МГц Напруга Uке, В: 100 В Напруга Uкб, В: 100 В Струм Iк, А: 1,2 А | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| 2N5320 | Central Semiconductor Corp. | Транзистор NPN, Ptot, Вт = 10, Uceo, В = 75, Ic = 2 А, Тип монт. = вивідний, ft, МГц = 50, hFE = 30 @ 500 мA, 4 В, Icutoff-max = 500 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 50 мA, 500 мА, Тексп, °С = -65...+200,... Транзистори Корпус: TO-39-3 Од. вим: шт кількість в упаковці: 500 шт | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N5320 | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 75V 2A TO-5AA Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 500mA, 4V Supplier Device Package: TO-5AA Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 75 V Power - Max: 10 W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N5320 | Microchip Technology | Trans GP BJT NPN 75V 2A 10000mW 3-Pin TO-39 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N5320 | MULTICOMP PRO | Description: MULTICOMP PRO - 2N5320 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 75 V, 2 A, 10 W, TO-39, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage DC-Stromverstärkung hFE: 30 Verlustleistung Pd: 10 Übergangsfrequenz ft: - Bauform - Transistor: TO-39 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 75 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 2 Betriebstemperatur, max.: 200 SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) | на замовлення 669 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N5320 | onsemi | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| 2N5320 | Welwyn Components / TT Electronics | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N5320 | onsemi | Description: TRANS NPN 75V 2A TO-39 Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 500mA, 4V Supplier Device Package: TO-39 Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 75 V Power - Max: 10 W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 200 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N5320 PBFREE | Central Semiconductor Corp | Description: TRANS NPN 75V 2A TO-39 Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 500mA, 4V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: TO-39 Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 75 V Power - Max: 10 W | на замовлення 1769 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| 2N5320 PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN Ampl/Switch | на замовлення 3777 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N5320 PBFREE | Central Semiconductor | Trans GP BJT NPN 75V 2A 10000mW 3-Pin TO-39 | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 2 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N5320 PBFREE | Central Semiconductor | Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 75V; 2A; 10W; TO39 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 75V Collector current: 2A Power dissipation: 10W Case: TO39 Current gain: 10...200 Mounting: THT Kind of package: bulk Frequency: 50MHz | на замовлення 520 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||
| 2N5320 TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN 100Vcbo 100Vcev 75Vceo 6.0Vebo 10W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N5320 TIN/LEAD | Central Semiconductor | Trans GP BJT NPN 75V 2A 10000mW 3-Pin TO-39 Box | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N5320 TIN/LEAD | Central Semiconductor Corp | Description: 75V 2A 10W TH TRANSISTOR-BIPOLAR Packaging: Box Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 500µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 500mA, 4V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: TO-39 Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 75 V Power - Max: 10 W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N5320-CEN | Central Semiconductor Corp. | 2N5320-CEN 2N5320 TRANS NPN 75V 2A TO-39 Тиристори та симістори (TRIAC) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N5320.. | MULTICOMP PRO | Description: MULTICOMP PRO - 2N5320.. - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 75 V, 2 A, 1 W, TO-39, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 2A MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: TO-39 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 75V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 200°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 1355 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N5321 | Microchip Technology | Description: NPN TRANSISTOR Packaging: Bulk | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 103 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N5321 | Microchip Technology | Trans GP BJT NPN 50V 2A 10000mW 3-Pin TO-5 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 103 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N5321 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT 75 V Power BJT | на замовлення 172 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N5321 | MOTOROLA | на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| 2N5321 | SOLID STATE | Description: SOLID STATE - 2N5321 - BJT, NPN, 50V, 2A, TO-39 tariffCode: 85412900 Transistormontage: Through Hole rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 2A MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 10W Bauform - Transistor: TO-39 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 200°C directShipCharge: 25 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 31 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N5321 | Central Semiconductor | Trans GP BJT NPN 50V 2A 10000mW 3-Pin TO-39 Box | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N5321 PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT . . | на замовлення 385 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N5321 TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN 75Vcbo 75Vcev 50Vceo 5.0Vebo 10W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N5322 | onsemi | onsemi | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N5322 | Microchip Technology | Trans GP BJT PNP 75V 2A 10000mW 3-Pin TO-5 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N5322 | Central Semiconductor | Trans GP BJT PNP 75V 2A 10000mW 3-Pin TO-39 Box | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N5322 | MULTICOMP PRO | Description: MULTICOMP PRO - 2N5322 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 75 V, 2 A, 10 W, TO-39, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Verlustleistung: 10W SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: TO-39 Dauerkollektorstrom: 2A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 75V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 200°C | на замовлення 6740 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N5322 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N5322 | STMicroelectronics | Bipolar Transistors - BJT TO-39 PNP GEN PUR SS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N5322 | Microchip Technology | Trans GP BJT PNP 75V 2A 10000mW 3-Pin TO-5 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N5322 | Semelab (TT electronics) | Trans GP BJT PNP 75V 1.2A 3-Pin TO-39 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 60 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N5322 | onsemi | Description: TRANS PNP 75V 2A TO39 Power - Max: 10 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 75 V Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Supplier Device Package: TO-39 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 500mA, 4V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 50mA Transistor Type: PNP Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Packaging: Bulk | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 200 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N5322 PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 100Vcbo 100Vcev 2A 75Vceo 6.0Vebo 10W | на замовлення 523 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N5322 PBFREE | Central Semiconductor | Category: PNP THT transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 75V; 2A; 10W; TO39 Polarisation: bipolar Kind of package: bulk Mounting: THT Type of transistor: PNP Case: TO39 Collector current: 2A Power dissipation: 10W Collector-emitter voltage: 75V Frequency: 50MHz | на замовлення 56 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||
| 2N5322 PBFREE | Central Semiconductor | Trans GP BJT PNP 75V 2A 10000mW 3-Pin TO-39 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N5322 PBFREE | Central Semiconductor Corp | Description: TRANS PNP 75V 2A TO-39 Power - Max: 10 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 75 V Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Supplier Device Package: TO-39 Frequency - Transition: 50MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 500mA, 4V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Packaging: Bulk | на замовлення 372 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| 2N5322 TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 100Vcbo 100Vcev 2A 75Vceo 6.0Vebo 10W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N5322E3 | Microchip Technology | Description: POWER BJT Power - Max: 10 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 75 V Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Supplier Device Package: TO-5AA Transistor Type: PNP Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can Packaging: Bulk | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N5322E3 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N5323 | Microchip Technology | Trans GP BJT PNP 50V 2A 10000mW 3-Pin TO-5 | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| 2N5323 | STMicroelectronics | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N5323 | onsemi | onsemi | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N5323 | Microchip Technology | Trans GP BJT PNP 50V 2A 10000mW 3-Pin TO-5 | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N5323 | onsemi | Description: TRANS PNP 50V 2A TO5 Power - Max: 10 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Supplier Device Package: TO-5 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 500mA, 4V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 50mA, 500mA Transistor Type: PNP Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can Packaging: Bulk | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 200 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N5323 | MULTICOMP PRO | Description: MULTICOMP PRO - 2N5323 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 2 A, 10 W, TO-39, Durchsteckmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 10W Bauform - Transistor: TO-39 Dauerkollektorstrom: 2A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 200°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 1046 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N5323 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N5323 PBFREE | Central Semiconductor | Trans GP BJT PNP 50V 2A 10000mW 3-Pin TO-39 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N5323 PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT . . | на замовлення 119 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N5323 TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT PNP 75Vcbo 75Vceo 50Vceo 5.0V 10W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N5324 | MOTOROLA | на замовлення 5500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| 2N5325 | MOTOROLA | на замовлення 5500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| 2N5326 | Microchip Technology | Description: POWER BJT Power - Max: 30 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Supplier Device Package: TO-111 Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 500µA, 1mA Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Stud Mount Package / Case: TO-111-4, Stud Packaging: Bulk | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N5326 | MOTOROLA | на замовлення 5500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| 2N5326 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N5327 | MOTOROLA | на замовлення 5500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| 2N5327 | Microchip Technology / Atmel | Bipolar Transistors - BJT NPN Transistor | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N5327 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N5327 | Microchip Technology | Description: POWER BJT Power - Max: 7.5 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Supplier Device Package: TO-5AA Transistor Type: PNP Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can Packaging: Bulk | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N5328 | Microchip Technology | Description: POWER BJT Power - Max: 30 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Supplier Device Package: TO-111 Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Stud Mount Package / Case: TO-111-4, Stud Packaging: Bulk | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N5328 | MOTOROLA | на замовлення 5500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| 2N5328 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N5329 | MOTOROLA | на замовлення 5500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| 2N5329 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N532A | MOTOROLA | на замовлення 1200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| 2N533 | MOTOROLA | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| 2N5330 | MOT | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| 2N5330 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N5331 | Microchip Technology | Description: POWER BJT Packaging: Bulk Package / Case: TO-211MB, TO-63-4, Stud Mounting Type: Stud Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Supplier Device Package: TO-63 Current - Collector (Ic) (Max): 30 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 90 V Power - Max: 175 W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N5331 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N5332 | MOTOROLA | на замовлення 5500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| 2N5332A | MOTOROLA | на замовлення 5100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| 2N5333 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N5333 | Semelab (TT electronics) | Trans GP BJT PNP 80V 2A 3-Pin TO-39 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 60 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N5333 | Microchip Technology | Description: TRANS PNP 80V 2A TO5 Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Supplier Device Package: TO-5AA Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1 W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |

