Обрати Сторінку:    << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24 25  Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
71V416L15BEI8IDTSRAM 256Kx16 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS SRAM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
71V416L15BEI8IDT, Integrated Device Technology IncDescription: IC SRAM 4MBIT 15NS 48CABGA
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
71V416L15PHGRenesas Electronics CorporationDescription: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II
Packaging: Tray
Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 44-TSOP II
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 15 ns
Memory Organization: 256K x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+610.59 грн
10+546.31 грн
25+529.62 грн
50+485.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
71V416L15PHGRenesas ElectronicsSRAM 256Kx16 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS SRAM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
71V416L15PHG8Renesas Electronics CorporationDescription: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 256K x 16
Access Time: 15 ns
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Supplier Device Package: 44-TSOP II
Memory Format: SRAM
Technology: SRAM - Asynchronous
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 4Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
71V416L15PHG8Renesas ElectronicsSRAM 256Kx16 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS SRAM
на замовлення 482 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
71V416L15PHGIRenesas ElectronicsSRAM 256Kx16 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS SRAM
на замовлення 170 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
71V416L15PHGIRenesasSRAM Chip Async Single 3.3V 4M-bit 256K x 16 15ns 44-Pin TSOP-II Tube
на замовлення 135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+927.81 грн
17+845.78 грн
50+806.18 грн
100+743.75 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
71V416L15PHGIRENESASDescription: RENESAS - 71V416L15PHGI - SRAM, Asynchroner SRAM, 4 Mbit, 256K x 16 Bit, TSOP, 44 Pin(s), 3 V
tariffCode: 85423245
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Speicherdichte: 4Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Anzahl der Pins: 44Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 256K x 16 Bit
на замовлення 405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
71V416L15PHGIRenesas Electronics CorporationDescription: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II
Packaging: Tray
Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 44-TSOP II
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 15 ns
Memory Organization: 256K x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 91 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+700.73 грн
10+626.47 грн
25+607.21 грн
50+556.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
71V416L15PHGI8Renesas Electronics CorporationDescription: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 44-TSOP II
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 15 ns
Memory Organization: 256K x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
71V416L15PHGI8Renesas ElectronicsSRAM 256Kx16 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS SRAM
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
71V416L15PHIRochester Electronics, LLCDescription: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II
на замовлення 358 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 125 шт
В кошику  од. на суму  грн.
71V416L15YGRochester Electronics, LLCDescription: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ
на замовлення 159 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 125 шт
В кошику  од. на суму  грн.
71V416L15YGIIDT, Integrated Device Technology IncDescription: IC SRAM 4MBIT 15NS 44SOJ
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 256 шт
В кошику  од. на суму  грн.
71V416L15YGIIDTSRAM 256Kx16 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS SRAM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
71V416L15YGI8IDT, Integrated Device Technology IncDescription: IC SRAM 4MBIT 15NS 44SOJ
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
71V416L15YGI8IDTSRAM 256Kx16 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS SRAM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
71V416S10BERenesas ElectronicsSRAM 256Kx16 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS SRAM
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
71V416S10BEIDT, Integrated Device Technology IncDescription: IC SRAM 4MBIT 10NS 48CABGA
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
71V416S10BEIDTSRAM 256Kx16 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS SRAM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
71V416S10BE8Renesas ElectronicsSRAM 256Kx16 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS SRAM
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
71V416S10BE8IDTSRAM 256Kx16 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS SRAM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
71V416S10BE8IDT, Integrated Device Technology IncDescription: IC SRAM 4MBIT 10NS 48CABGA
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
71V416S10BEGRenesas Electronics CorporationDescription: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 256K x 16
Access Time: 10 ns
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 10ns
Supplier Device Package: 48-CABGA (9x9)
Memory Format: SRAM
Technology: SRAM - Asynchronous
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 4Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 48-TFBGA
Packaging: Tray
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+638.81 грн
10+571.52 грн
25+553.95 грн
50+507.44 грн
100+495.06 грн
250+478.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
71V416S10BEGRenesas ElectronicsSRAM 256Kx16 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS SRAM
на замовлення 225 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
71V416S10BEGRenesas / IDTSRAM 256Kx16 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS SRAM
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
71V416S10BEG8Renesas / IDTSRAM 256Kx16 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS SRAM
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
71V416S10BEG8Renesas ElectronicsSRAM 256Kx16 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS SRAM
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
71V416S10BEG8Renesas Electronics America Inc.Description: IC SRAM 4M PARALLEL 48CABGA
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
71V416S10PHGRenesas ElectronicsSRAM 256Kx16 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS SRAM
на замовлення 1045 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
71V416S10PHGIDT, Integrated Device Technology IncDescription: IC SRAM 4MBIT 10NS 44TSOP
на замовлення 775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
71V416S10PHG8RENESASDescription: RENESAS - 71V416S10PHG8 - SRAM, Asynchroner SRAM, 4 Mbit, 256K x 16 Bit, TSOP-II, 44 Pin(s), 3 V
tariffCode: 85423290
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II
Speicherdichte: 4Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 44Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 70°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 256K x 16 Bit
на замовлення 297 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
71V416S10PHG8Renesas Electronics CorporationDescription: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 256K x 16
Access Time: 10 ns
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 10ns
Supplier Device Package: 44-TSOP II
Memory Format: SRAM
Technology: SRAM - Asynchronous
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 4Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+619.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
71V416S10PHG8RENESASDescription: RENESAS - 71V416S10PHG8 - SRAM, Asynchroner SRAM, 4 Mbit, 256K x 16 Bit, TSOP-II, 44 Pin(s), 3 V
tariffCode: 85423290
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II
Speicherdichte: 4Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 44Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 70°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 256K x 16 Bit
на замовлення 297 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
71V416S10PHG8Renesas Electronics CorporationDescription: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 44-TSOP II
Write Cycle Time - Word, Page: 10ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 10 ns
Memory Organization: 256K x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+457.15 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
71V416S10PHG8Renesas ElectronicsSRAM 256Kx16 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS SRAM
на замовлення 1155 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
71V416S10PHGIRenesas Electronics CorporationDescription: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II
Packaging: Tray
Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 44-TSOP II
Write Cycle Time - Word, Page: 10ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 10 ns
Memory Organization: 256K x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 286 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+729.73 грн
10+623.23 грн
25+594.29 грн
40+544.27 грн
135+510.93 грн
270+492.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
71V416S10PHGIRenesas ElectronicsSRAM 256Kx16 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS SRAM
на замовлення 371 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
71V416S10PHGI8IDTSRAM 256Kx16 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS SRAM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
71V416S10PHGI8IDT, Integrated Device Technology IncDescription: IC SRAM 4MBIT 10NS 44TSOP
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
71V416S10YGIDT, Integrated Device Technology IncDescription: IC SRAM 4MBIT 10NS 44SOJ
на замовлення 256 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 256 шт
В кошику  од. на суму  грн.
71V416S10YGIDTSRAM 256Kx16 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS SRAM
на замовлення 156 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
71V416S10YG8IDT, Integrated Device Technology IncDescription: IC SRAM 4MBIT 10NS 44SOJ
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
71V416S10YG8IDTSRAM 256Kx16 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS SRAM
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
71V416S12BEIDT, Integrated Device Technology IncDescription: IC SRAM 4MBIT 12NS 48CABGA
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
71V416S12BEIDTSRAM 256Kx16 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS SRAM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
71V416S12BE8IDT, Integrated Device Technology IncDescription: IC SRAM 4MBIT 12NS 48CABGA
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
71V416S12BE8IDTSRAM 256Kx16 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS SRAM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
71V416S12BEGIDTSRAM 256Kx16 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS SRAM
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
71V416S12BEGIDT, Integrated Device Technology IncDescription: IC SRAM 4MBIT 12NS 48CABGA
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
71V416S12BEG8IDT, Integrated Device Technology IncDescription: IC SRAM 4MBIT 12NS 48CABGA
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
71V416S12BEG8IDTSRAM 256Kx16 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS SRAM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
71V416S12BEIRenesas Electronics America IncDescription: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
71V416S12BEIRenesas ElectronicsSRAM 256Kx16 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS SRAM
на замовлення 195 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
71V416S12BEI8IDT, Integrated Device Technology IncDescription: IC SRAM 4MBIT 12NS 48CABGA
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
71V416S12BEI8IDTSRAM 256Kx16 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS SRAM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
71V416S12PHGRenesas Electronics CorporationDescription: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II
Packaging: Tray
Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 44-TSOP II
Write Cycle Time - Word, Page: 12ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 12 ns
Memory Organization: 256K x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+691.32 грн
10+591.15 грн
25+563.82 грн
40+516.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
71V416S12PHGRenesas ElectronicsSRAM 256Kx16 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS SRAM
на замовлення 260 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
71V416S12PHG8RENESASDescription: RENESAS - 71V416S12PHG8 - SRAM, Asynchroner SRAM, 4 Mbit, 256K x 16 Bit, TSOP-II, 44 Pin(s), 3 V
tariffCode: 85423290
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II
Speicherdichte: 4Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 44Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 70°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 256K x 16 Bit
на замовлення 1421 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
71V416S12PHG8Renesas Electronics CorporationDescription: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 44-TSOP II
Write Cycle Time - Word, Page: 12ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 12 ns
Memory Organization: 256K x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 1475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+659.19 грн
10+563.22 грн
25+537.17 грн
50+486.33 грн
100+469.16 грн
250+447.35 грн
500+424.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
71V416S12PHG8RENESASDescription: RENESAS - 71V416S12PHG8 - SRAM, Asynchroner SRAM, 4 Mbit, 256K x 16 Bit, TSOP-II, 44 Pin(s), 3 V
tariffCode: 85423290
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II
Speicherdichte: 4Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 44Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 70°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 256K x 16 Bit
на замовлення 1421 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
71V416S12PHG8Renesas Electronics CorporationDescription: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 44-TSOP II
Write Cycle Time - Word, Page: 12ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 12 ns
Memory Organization: 256K x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
71V416S12PHG8Renesas ElectronicsSRAM 256Kx16 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS SRAM
на замовлення 2292 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
71V416S12PHGIRenesas Electronics CorporationDescription: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II
Packaging: Tray
Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 44-TSOP II
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 12ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 12 ns
Memory Organization: 256K x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+710.14 грн
10+629.34 грн
25+616.30 грн
40+576.37 грн
135+517.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
71V416S12PHGIRenesas ElectronicsSRAM 256Kx16 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS SRAM
на замовлення 203 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
71V416S12PHGIIDTSRAM 256Kx16 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS SRAM
на замовлення 374 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
71V416S12PHGI8RENESASDescription: RENESAS - 71V416S12PHGI8 - SRAM, Asynchroner SRAM, 4 Mbit, 256K x 16 Bit, TSOP, 44 Pin(s), 3 V
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Speicherdichte: 4Mbit
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 44Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 256K x 16 Bit
на замовлення 5990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
71V416S12PHGI8Renesas Electronics CorporationDescription: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II
Supplier Device Package: 44-TSOP II
Memory Format: SRAM
Technology: SRAM - Asynchronous
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 4Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 256K x 16
Access Time: 12 ns
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 12ns
Part Status: Active
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+708.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
71V416S12PHGI8RENESASDescription: RENESAS - 71V416S12PHGI8 - SRAM, Asynchroner SRAM, 4 Mbit, 256K x 16 Bit, TSOP, 44 Pin(s), 3 V
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Speicherdichte: 4Mbit
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 44Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 256K x 16 Bit
на замовлення 5990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
71V416S12PHGI8Renesas Electronics CorporationDescription: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II
Memory Organization: 256K x 16
Access Time: 12 ns
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 12ns
Part Status: Active
Supplier Device Package: 44-TSOP II
Memory Format: SRAM
Technology: SRAM - Asynchronous
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 4Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+444.58 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
71V416S12PHGI8Renesas ElectronicsSRAM 256Kx16 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS SRAM
на замовлення 1035 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
71V416S12YGRenesas / IDTSRAM 256Kx16 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS SRAM
на замовлення 149 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
71V416S12YGIDT, Integrated Device Technology IncDescription: IC SRAM 4MBIT 12NS 44SOJ
на замовлення 256 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 256 шт
В кошику  од. на суму  грн.
71V416S12YGIDT0624
на замовлення 80 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
71V416S12YG8IDT, Integrated Device Technology IncDescription: IC SRAM 4MBIT 12NS 44SOJ
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
71V416S12YG8Renesas ElectronicsSRAM 256Kx16 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS SRAM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
71V416S12YGIIDT, Integrated Device Technology IncDescription: IC SRAM 4MBIT 12NS 44SOJ
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 256 шт
В кошику  од. на суму  грн.
71V416S12YGIIDTSRAM 256Kx16 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS SRAM
на замовлення 251 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
71V416S12YGI8IDTSRAM 256Kx16 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS SRAM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
71V416S12YGI8IDT, Integrated Device Technology IncDescription: IC SRAM 4MBIT 12NS 44SOJ
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
71V416S15BEIDT, Integrated Device Technology IncDescription: IC SRAM 4M PARALLEL 48CABGA
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
71V416S15BEIDTSRAM 256Kx16 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS SRAM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
71V416S15BE8IDTSRAM 256Kx16 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS SRAM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
71V416S15BE8IDT, Integrated Device Technology IncDescription: IC SRAM 4M PARALLEL 48CABGA
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
71V416S15BEGRenesas Electronics CorporationDescription: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 256K x 16
Access Time: 15 ns
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Supplier Device Package: 48-CABGA (9x9)
Memory Format: SRAM
Technology: SRAM - Asynchronous
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 4Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 48-TFBGA
Packaging: Tray
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
71V416S15BEGRenesas / IDTSRAM 256Kx16 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS SRAM
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
71V416S15BEG8IDT, Integrated Device Technology IncDescription: IC SRAM 4M PARALLEL 48CABGA
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
71V416S15BEG8Renesas ElectronicsHeat Sinks heat sink, stamping, TO-220, 23.4 x 28.1
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5040 шт
В кошику  од. на суму  грн.
71V416S15BEGIIDTSRAM 256Kx16 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS SRAM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
71V416S15BEGIIDT, Integrated Device Technology IncDescription: IC SRAM 4M PARALLEL 48CABGA
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
71V416S15BEGI8IDT, Integrated Device Technology IncDescription: IC SRAM 4M PARALLEL 48CABGA
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
71V416S15BEGI8IDTSRAM 256Kx16 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS SRAM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
71V416S15BEIIDTSRAM 256Kx16 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS SRAM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
71V416S15BEIRenesas Electronics America IncDescription: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
71V416S15BEI8IDT, Integrated Device Technology IncDescription: IC SRAM 4M PARALLEL 48CABGA
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
71V416S15BEI8IDTSRAM 256Kx16 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS SRAM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
71V416S15PHIDTIDT71V416S15PH Мікросхеми пам'яті
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
71V416S15PHGRenesas ElectronicsSRAM 256Kx16 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS SRAM
на замовлення 318 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
71V416S15PHGRenesas Electronics CorporationDescription: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 256K x 16
Access Time: 15 ns
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Supplier Device Package: 44-TSOP II
Memory Format: SRAM
Technology: SRAM - Asynchronous
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 4Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Packaging: Tray
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+674.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:    << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24 25  Наступна Сторінка >> ]