Продукція > 71V
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 71V416L15BEI8 | IDT | SRAM 256Kx16 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS SRAM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 71V416L15BEI8 | IDT, Integrated Device Technology Inc | Description: IC SRAM 4MBIT 15NS 48CABGA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 71V416L15PHG | Renesas Electronics Corporation | Description: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II Packaging: Tray Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 4Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA) Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V Technology: SRAM - Asynchronous Memory Format: SRAM Supplier Device Package: 44-TSOP II Write Cycle Time - Word, Page: 15ns Memory Interface: Parallel Access Time: 15 ns Memory Organization: 256K x 16 DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 120 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 71V416L15PHG | Renesas Electronics | SRAM 256Kx16 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS SRAM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 71V416L15PHG8 | Renesas Electronics Corporation | Description: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II DigiKey Programmable: Not Verified Memory Organization: 256K x 16 Access Time: 15 ns Memory Interface: Parallel Write Cycle Time - Word, Page: 15ns Supplier Device Package: 44-TSOP II Memory Format: SRAM Technology: SRAM - Asynchronous Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA) Memory Type: Volatile Memory Size: 4Mbit Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 71V416L15PHG8 | Renesas Electronics | SRAM 256Kx16 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS SRAM | на замовлення 482 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 71V416L15PHGI | Renesas Electronics | SRAM 256Kx16 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS SRAM | на замовлення 170 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 71V416L15PHGI | Renesas | SRAM Chip Async Single 3.3V 4M-bit 256K x 16 15ns 44-Pin TSOP-II Tube | на замовлення 135 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 71V416L15PHGI | RENESAS | Description: RENESAS - 71V416L15PHGI - SRAM, Asynchroner SRAM, 4 Mbit, 256K x 16 Bit, TSOP, 44 Pin(s), 3 V tariffCode: 85423245 euEccn: NLR rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: TSOP Speicherdichte: 4Mbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden Versorgungsspannung, nom.: 3.3V Taktfrequenz, max.: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 3V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) Anzahl der Pins: 44Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: 3A991.b.2.a Versorgungsspannung, max.: 3.6V Betriebstemperatur, max.: 85°C SRAM: Asynchroner SRAM Speicherkonfiguration: 256K x 16 Bit | на замовлення 405 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 71V416L15PHGI | Renesas Electronics Corporation | Description: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II Packaging: Tray Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 4Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V Technology: SRAM - Asynchronous Memory Format: SRAM Supplier Device Package: 44-TSOP II Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 15ns Memory Interface: Parallel Access Time: 15 ns Memory Organization: 256K x 16 DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 91 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 71V416L15PHGI8 | Renesas Electronics Corporation | Description: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 4Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V Technology: SRAM - Asynchronous Memory Format: SRAM Supplier Device Package: 44-TSOP II Write Cycle Time - Word, Page: 15ns Memory Interface: Parallel Access Time: 15 ns Memory Organization: 256K x 16 DigiKey Programmable: Not Verified | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 71V416L15PHGI8 | Renesas Electronics | SRAM 256Kx16 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS SRAM | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 71V416L15PHI | Rochester Electronics, LLC | Description: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II | на замовлення 358 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 125 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 71V416L15YG | Rochester Electronics, LLC | Description: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ | на замовлення 159 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 125 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 71V416L15YGI | IDT, Integrated Device Technology Inc | Description: IC SRAM 4MBIT 15NS 44SOJ | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 256 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 71V416L15YGI | IDT | SRAM 256Kx16 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS SRAM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 71V416L15YGI8 | IDT, Integrated Device Technology Inc | Description: IC SRAM 4MBIT 15NS 44SOJ | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 71V416L15YGI8 | IDT | SRAM 256Kx16 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS SRAM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 71V416S10BE | Renesas Electronics | SRAM 256Kx16 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS SRAM | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 71V416S10BE | IDT, Integrated Device Technology Inc | Description: IC SRAM 4MBIT 10NS 48CABGA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 71V416S10BE | IDT | SRAM 256Kx16 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS SRAM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 71V416S10BE8 | Renesas Electronics | SRAM 256Kx16 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS SRAM | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 71V416S10BE8 | IDT | SRAM 256Kx16 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS SRAM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 71V416S10BE8 | IDT, Integrated Device Technology Inc | Description: IC SRAM 4MBIT 10NS 48CABGA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 71V416S10BEG | Renesas Electronics Corporation | Description: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA DigiKey Programmable: Not Verified Memory Organization: 256K x 16 Access Time: 10 ns Memory Interface: Parallel Write Cycle Time - Word, Page: 10ns Supplier Device Package: 48-CABGA (9x9) Memory Format: SRAM Technology: SRAM - Asynchronous Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA) Memory Type: Volatile Memory Size: 4Mbit Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 48-TFBGA Packaging: Tray | на замовлення 250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 71V416S10BEG | Renesas Electronics | SRAM 256Kx16 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS SRAM | на замовлення 225 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 71V416S10BEG | Renesas / IDT | SRAM 256Kx16 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS SRAM | на замовлення 7 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 71V416S10BEG8 | Renesas / IDT | SRAM 256Kx16 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS SRAM | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 71V416S10BEG8 | Renesas Electronics | SRAM 256Kx16 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS SRAM | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 71V416S10BEG8 | Renesas Electronics America Inc. | Description: IC SRAM 4M PARALLEL 48CABGA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 71V416S10PHG | Renesas Electronics | SRAM 256Kx16 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS SRAM | на замовлення 1045 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 71V416S10PHG | IDT, Integrated Device Technology Inc | Description: IC SRAM 4MBIT 10NS 44TSOP | на замовлення 775 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 71V416S10PHG8 | RENESAS | Description: RENESAS - 71V416S10PHG8 - SRAM, Asynchroner SRAM, 4 Mbit, 256K x 16 Bit, TSOP-II, 44 Pin(s), 3 V tariffCode: 85423290 euEccn: NLR rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II Speicherdichte: 4Mbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden Versorgungsspannung, nom.: 3.3V Taktfrequenz, max.: - Betriebstemperatur, min.: 0°C Versorgungsspannung, min.: 3V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 44Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: 3A991.b.2.a Versorgungsspannung, max.: 3.6V Betriebstemperatur, max.: 70°C SRAM: Asynchroner SRAM Speicherkonfiguration: 256K x 16 Bit | на замовлення 297 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 71V416S10PHG8 | Renesas Electronics Corporation | Description: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II DigiKey Programmable: Not Verified Memory Organization: 256K x 16 Access Time: 10 ns Memory Interface: Parallel Write Cycle Time - Word, Page: 10ns Supplier Device Package: 44-TSOP II Memory Format: SRAM Technology: SRAM - Asynchronous Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA) Memory Type: Volatile Memory Size: 4Mbit Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 71V416S10PHG8 | RENESAS | Description: RENESAS - 71V416S10PHG8 - SRAM, Asynchroner SRAM, 4 Mbit, 256K x 16 Bit, TSOP-II, 44 Pin(s), 3 V tariffCode: 85423290 euEccn: NLR rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II Speicherdichte: 4Mbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden Versorgungsspannung, nom.: 3.3V Taktfrequenz, max.: - Betriebstemperatur, min.: 0°C Versorgungsspannung, min.: 3V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 44Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: 3A991.b.2.a Versorgungsspannung, max.: 3.6V Betriebstemperatur, max.: 70°C SRAM: Asynchroner SRAM Speicherkonfiguration: 256K x 16 Bit | на замовлення 297 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 71V416S10PHG8 | Renesas Electronics Corporation | Description: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 4Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA) Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V Technology: SRAM - Asynchronous Memory Format: SRAM Supplier Device Package: 44-TSOP II Write Cycle Time - Word, Page: 10ns Memory Interface: Parallel Access Time: 10 ns Memory Organization: 256K x 16 DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 71V416S10PHG8 | Renesas Electronics | SRAM 256Kx16 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS SRAM | на замовлення 1155 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 71V416S10PHGI | Renesas Electronics Corporation | Description: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II Packaging: Tray Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 4Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V Technology: SRAM - Asynchronous Memory Format: SRAM Supplier Device Package: 44-TSOP II Write Cycle Time - Word, Page: 10ns Memory Interface: Parallel Access Time: 10 ns Memory Organization: 256K x 16 DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 286 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 71V416S10PHGI | Renesas Electronics | SRAM 256Kx16 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS SRAM | на замовлення 371 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 71V416S10PHGI8 | IDT | SRAM 256Kx16 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS SRAM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 71V416S10PHGI8 | IDT, Integrated Device Technology Inc | Description: IC SRAM 4MBIT 10NS 44TSOP | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 71V416S10YG | IDT, Integrated Device Technology Inc | Description: IC SRAM 4MBIT 10NS 44SOJ | на замовлення 256 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 256 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 71V416S10YG | IDT | SRAM 256Kx16 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS SRAM | на замовлення 156 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 71V416S10YG8 | IDT, Integrated Device Technology Inc | Description: IC SRAM 4MBIT 10NS 44SOJ | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 71V416S10YG8 | IDT | SRAM 256Kx16 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS SRAM | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 71V416S12BE | IDT, Integrated Device Technology Inc | Description: IC SRAM 4MBIT 12NS 48CABGA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 71V416S12BE | IDT | SRAM 256Kx16 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS SRAM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 71V416S12BE8 | IDT, Integrated Device Technology Inc | Description: IC SRAM 4MBIT 12NS 48CABGA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 71V416S12BE8 | IDT | SRAM 256Kx16 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS SRAM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 71V416S12BEG | IDT | SRAM 256Kx16 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS SRAM | на замовлення 250 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 71V416S12BEG | IDT, Integrated Device Technology Inc | Description: IC SRAM 4MBIT 12NS 48CABGA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 71V416S12BEG8 | IDT, Integrated Device Technology Inc | Description: IC SRAM 4MBIT 12NS 48CABGA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 71V416S12BEG8 | IDT | SRAM 256Kx16 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS SRAM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 71V416S12BEI | Renesas Electronics America Inc | Description: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 71V416S12BEI | Renesas Electronics | SRAM 256Kx16 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS SRAM | на замовлення 195 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 71V416S12BEI8 | IDT, Integrated Device Technology Inc | Description: IC SRAM 4MBIT 12NS 48CABGA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 71V416S12BEI8 | IDT | SRAM 256Kx16 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS SRAM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 71V416S12PHG | Renesas Electronics Corporation | Description: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II Packaging: Tray Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 4Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA) Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V Technology: SRAM - Asynchronous Memory Format: SRAM Supplier Device Package: 44-TSOP II Write Cycle Time - Word, Page: 12ns Memory Interface: Parallel Access Time: 12 ns Memory Organization: 256K x 16 DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 125 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 71V416S12PHG | Renesas Electronics | SRAM 256Kx16 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS SRAM | на замовлення 260 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 71V416S12PHG8 | RENESAS | Description: RENESAS - 71V416S12PHG8 - SRAM, Asynchroner SRAM, 4 Mbit, 256K x 16 Bit, TSOP-II, 44 Pin(s), 3 V tariffCode: 85423290 euEccn: NLR rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II Speicherdichte: 4Mbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden Versorgungsspannung, nom.: 3.3V Taktfrequenz, max.: - Betriebstemperatur, min.: 0°C Versorgungsspannung, min.: 3V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 44Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: 3A991.b.2.a Versorgungsspannung, max.: 3.6V Betriebstemperatur, max.: 70°C SRAM: Asynchroner SRAM Speicherkonfiguration: 256K x 16 Bit | на замовлення 1421 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 71V416S12PHG8 | Renesas Electronics Corporation | Description: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 4Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA) Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V Technology: SRAM - Asynchronous Memory Format: SRAM Supplier Device Package: 44-TSOP II Write Cycle Time - Word, Page: 12ns Memory Interface: Parallel Access Time: 12 ns Memory Organization: 256K x 16 DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 1475 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 71V416S12PHG8 | RENESAS | Description: RENESAS - 71V416S12PHG8 - SRAM, Asynchroner SRAM, 4 Mbit, 256K x 16 Bit, TSOP-II, 44 Pin(s), 3 V tariffCode: 85423290 euEccn: NLR rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II Speicherdichte: 4Mbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden Versorgungsspannung, nom.: 3.3V Taktfrequenz, max.: - Betriebstemperatur, min.: 0°C Versorgungsspannung, min.: 3V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 44Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: 3A991.b.2.a Versorgungsspannung, max.: 3.6V Betriebstemperatur, max.: 70°C SRAM: Asynchroner SRAM Speicherkonfiguration: 256K x 16 Bit | на замовлення 1421 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 71V416S12PHG8 | Renesas Electronics Corporation | Description: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 4Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA) Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V Technology: SRAM - Asynchronous Memory Format: SRAM Supplier Device Package: 44-TSOP II Write Cycle Time - Word, Page: 12ns Memory Interface: Parallel Access Time: 12 ns Memory Organization: 256K x 16 DigiKey Programmable: Not Verified | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 71V416S12PHG8 | Renesas Electronics | SRAM 256Kx16 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS SRAM | на замовлення 2292 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 71V416S12PHGI | Renesas Electronics Corporation | Description: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II Packaging: Tray Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 4Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V Technology: SRAM - Asynchronous Memory Format: SRAM Supplier Device Package: 44-TSOP II Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 12ns Memory Interface: Parallel Access Time: 12 ns Memory Organization: 256K x 16 DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 260 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 71V416S12PHGI | Renesas Electronics | SRAM 256Kx16 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS SRAM | на замовлення 203 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 71V416S12PHGI | IDT | SRAM 256Kx16 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS SRAM | на замовлення 374 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 71V416S12PHGI8 | RENESAS | Description: RENESAS - 71V416S12PHGI8 - SRAM, Asynchroner SRAM, 4 Mbit, 256K x 16 Bit, TSOP, 44 Pin(s), 3 V tariffCode: 85423990 euEccn: NLR rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N IC-Gehäuse / Bauform: TSOP Speicherdichte: 4Mbit Versorgungsspannung, nom.: 3.3V Taktfrequenz, max.: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 3V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 44Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: 3A991.b.2.a Versorgungsspannung, max.: 3.6V Betriebstemperatur, max.: 85°C SRAM: Asynchroner SRAM Speicherkonfiguration: 256K x 16 Bit | на замовлення 5990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 71V416S12PHGI8 | Renesas Electronics Corporation | Description: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II Supplier Device Package: 44-TSOP II Memory Format: SRAM Technology: SRAM - Asynchronous Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Memory Type: Volatile Memory Size: 4Mbit Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Packaging: Cut Tape (CT) DigiKey Programmable: Not Verified Memory Organization: 256K x 16 Access Time: 12 ns Memory Interface: Parallel Write Cycle Time - Word, Page: 12ns Part Status: Active | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 71V416S12PHGI8 | RENESAS | Description: RENESAS - 71V416S12PHGI8 - SRAM, Asynchroner SRAM, 4 Mbit, 256K x 16 Bit, TSOP, 44 Pin(s), 3 V tariffCode: 85423990 euEccn: NLR rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: TSOP Speicherdichte: 4Mbit Versorgungsspannung, nom.: 3.3V Taktfrequenz, max.: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 3V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 44Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: 3A991.b.2.a Versorgungsspannung, max.: 3.6V Betriebstemperatur, max.: 85°C SRAM: Asynchroner SRAM Speicherkonfiguration: 256K x 16 Bit | на замовлення 5990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 71V416S12PHGI8 | Renesas Electronics Corporation | Description: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II Memory Organization: 256K x 16 Access Time: 12 ns Memory Interface: Parallel Write Cycle Time - Word, Page: 12ns Part Status: Active Supplier Device Package: 44-TSOP II Memory Format: SRAM Technology: SRAM - Asynchronous Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Memory Type: Volatile Memory Size: 4Mbit Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Packaging: Tape & Reel (TR) DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 71V416S12PHGI8 | Renesas Electronics | SRAM 256Kx16 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS SRAM | на замовлення 1035 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 71V416S12YG | Renesas / IDT | SRAM 256Kx16 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS SRAM | на замовлення 149 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 71V416S12YG | IDT, Integrated Device Technology Inc | Description: IC SRAM 4MBIT 12NS 44SOJ | на замовлення 256 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 256 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 71V416S12YG | IDT | 0624 | на замовлення 80 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 71V416S12YG8 | IDT, Integrated Device Technology Inc | Description: IC SRAM 4MBIT 12NS 44SOJ | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 71V416S12YG8 | Renesas Electronics | SRAM 256Kx16 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS SRAM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 71V416S12YGI | IDT, Integrated Device Technology Inc | Description: IC SRAM 4MBIT 12NS 44SOJ | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 256 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 71V416S12YGI | IDT | SRAM 256Kx16 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS SRAM | на замовлення 251 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 71V416S12YGI8 | IDT | SRAM 256Kx16 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS SRAM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 71V416S12YGI8 | IDT, Integrated Device Technology Inc | Description: IC SRAM 4MBIT 12NS 44SOJ | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 71V416S15BE | IDT, Integrated Device Technology Inc | Description: IC SRAM 4M PARALLEL 48CABGA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 71V416S15BE | IDT | SRAM 256Kx16 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS SRAM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 71V416S15BE8 | IDT | SRAM 256Kx16 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS SRAM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 71V416S15BE8 | IDT, Integrated Device Technology Inc | Description: IC SRAM 4M PARALLEL 48CABGA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 71V416S15BEG | Renesas Electronics Corporation | Description: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA DigiKey Programmable: Not Verified Memory Organization: 256K x 16 Access Time: 15 ns Memory Interface: Parallel Write Cycle Time - Word, Page: 15ns Supplier Device Package: 48-CABGA (9x9) Memory Format: SRAM Technology: SRAM - Asynchronous Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA) Memory Type: Volatile Memory Size: 4Mbit Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 48-TFBGA Packaging: Tray | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 71V416S15BEG | Renesas / IDT | SRAM 256Kx16 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS SRAM | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 71V416S15BEG8 | IDT, Integrated Device Technology Inc | Description: IC SRAM 4M PARALLEL 48CABGA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 71V416S15BEG8 | Renesas Electronics | Heat Sinks heat sink, stamping, TO-220, 23.4 x 28.1 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5040 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 71V416S15BEGI | IDT | SRAM 256Kx16 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS SRAM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 71V416S15BEGI | IDT, Integrated Device Technology Inc | Description: IC SRAM 4M PARALLEL 48CABGA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 71V416S15BEGI8 | IDT, Integrated Device Technology Inc | Description: IC SRAM 4M PARALLEL 48CABGA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 71V416S15BEGI8 | IDT | SRAM 256Kx16 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS SRAM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 71V416S15BEI | IDT | SRAM 256Kx16 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS SRAM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 71V416S15BEI | Renesas Electronics America Inc | Description: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA | на замовлення 250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 71V416S15BEI8 | IDT, Integrated Device Technology Inc | Description: IC SRAM 4M PARALLEL 48CABGA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 71V416S15BEI8 | IDT | SRAM 256Kx16 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS SRAM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 71V416S15PH | IDT | IDT71V416S15PH Мікросхеми пам'яті | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 71V416S15PHG | Renesas Electronics | SRAM 256Kx16 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS SRAM | на замовлення 318 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 71V416S15PHG | Renesas Electronics Corporation | Description: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II DigiKey Programmable: Not Verified Memory Organization: 256K x 16 Access Time: 15 ns Memory Interface: Parallel Write Cycle Time - Word, Page: 15ns Supplier Device Package: 44-TSOP II Memory Format: SRAM Technology: SRAM - Asynchronous Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA) Memory Type: Volatile Memory Size: 4Mbit Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Packaging: Tray | на замовлення 7 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|

