Продукція > IAU
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IAUZN04S7N026ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IAUZN04S7N026ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 2690 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2690µohm rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 | на замовлення 436 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IAUZN04S7N026ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IAUZN04S7N026ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 2690 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 65W Bauform - Transistor: TSDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 7 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2690µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 436 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IAUZN04S7N032ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs OptiMOS 7 Power-Transistor | на замовлення 702 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IAUZN04S7N049ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET_(20V 40V) Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 70A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.93mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 10µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-44 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 922 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 10251 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IAUZN04S7N049ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IAUZN04S7N049ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 4930 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 45W Bauform - Transistor: TSDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 7 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4930µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 4820 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IAUZN04S7N049ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET_(20V 40V) Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 70A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.93mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 10µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-44 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 922 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IAUZN04S7N049ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IAUZN04S7N049ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 4930 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4930µohm rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 | на замовлення 4820 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IAUZN08S7L177ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs OptiMOS 7 Power-Transistor | на замовлення 3493 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IAUZN08S7N046ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs OptiMOS 7 Power-Transistor | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IAUZN10S7L289ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs OptiMOS 7 Power-Transistor | на замовлення 3493 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IAUZN10S7N078ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET_(75V 120V( Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 94W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 33µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-39 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1839 pF @ 50 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 4138 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IAUZN10S7N078ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET_(75V 120V( Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 94W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 33µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-39 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1839 pF @ 50 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IAUZN10S7N078ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs OptiMOS 7 Power-Transistor | на замовлення 6527 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. |