Продукція > JAN
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| JANS2N2219 | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 30V 800mA 800mW NPN Small-Signal BJT THT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| JANS2N2219/TR | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| JANS2N2219A | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 30V 800mA 800mW NPN Small-Signal BJT THT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| JANS2N2219A | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 50V 0.8A TO39 Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 800 mW Grade: Military Qualification: MIL-PRF-19500/251 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| Jans2N2219A/TR | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| JANS2N2219AL | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 50V 0.8A TO-5AA Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 1mA, 10V Supplier Device Package: TO-5AA Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 800 mW Grade: Military Qualification: MIL-PRF-19500/251 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| JANS2N2219AL | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 30V 800mA 800mW NPN Long-Lead Small-Signal BJT THT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| JANS2N2219AL/TR | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| JANS2N2221 | Microchip Technology | Description: SMALL-SIGNAL BJT Packaging: Bulk Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: TO-18 (TO-206AA) Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| JANS2N2221 | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 40 V Small-Signal BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| JANS2N2221A | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT BJTs | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| JANS2N2221A | Microsemi Corporation | Description: TRANS NPN 50V 0.8A TO-18 Qualification: MIL-PRF-19500/255 Power - Max: 500 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Grade: Military Supplier Device Package: TO-18 (TO-206AA) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 50nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Packaging: Bulk | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| JANS2N2221A/TR | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT BJTs | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| JANS2N2221AL | Microsemi Corporation | Description: TRANS NPN 50V 0.8A TO-18 Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Packaging: Bulk Qualification: MIL-PRF-19500/255 Power - Max: 500 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Grade: Military Supplier Device Package: TO-18 (TO-206AA) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 50nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: NPN | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| JANS2N2221AL | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT BJTs | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| JANS2N2221AL/TR | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT BJTs | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| JANS2N2221AUA | Microsemi Corporation | Description: TRANS NPN 50V 0.8A UA Packaging: Bulk Package / Case: 4-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: UA Grade: Military Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 650 mW Qualification: MIL-PRF-19500/255 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| JANS2N2221AUA | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 50V 800mA 650mW Small-Signal BJT SMT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| JANS2N2221AUB | Microsemi Corporation | Description: TRANS NPN 50V 0.8A UB Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 4-SMD, No Lead Packaging: Bulk Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Grade: Military Supplier Device Package: UB DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 50nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: NPN Qualification: MIL-PRF-19500/255 Power - Max: 500 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| JANS2N2221AUB | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 50V 800mA 650mW 3 Pin CER Small-Signal BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| JANS2N2221AUB/TR | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 50V 0.8A UB Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Part Status: Active Supplier Device Package: UB DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 50nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 3-SMD, No Lead Packaging: Tape & Reel (TR) Power - Max: 500 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Qualification: MIL-PRF-19500/255 Grade: Military | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| JANS2N2221AUB/TR | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 50V 800mA 650mW 3 Pin CER Small-Signal BJT TR | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| JANS2N2221AUBC | Microsemi Corporation | Description: TRANS NPN 50V 0.8A UBC Packaging: Bulk Package / Case: 3-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: UBC Grade: Military Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 500 mW Qualification: MIL-PRF-19500/255 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| JANS2N2221AUBC | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT BJTs | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| JANS2N2221AUBC/TR | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 50V 0.8A UBC Power - Max: 500 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Part Status: Active Supplier Device Package: UBC DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 50nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 3-SMD, No Lead Packaging: Tape & Reel (TR) Qualification: MIL-PRF-19500/255 Grade: Military | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| JANS2N2221AUBC/TR | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 50V 800mA 650mW 3 Pin CER Small-Signal BJT TR | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| JANS2N2221UA | Microchip Technology | Description: SMALL-SIGNAL BJT Packaging: Bulk Package / Case: 4-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: UA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| JANS2N2221UA | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 40 V Small-Signal BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| JANS2N2221UA/TR | Microchip Technology | Description: SMALL-SIGNAL BJT Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| JANS2N2221UB | Microchip Technology | Description: SMALL-SIGNAL BJT Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Supplier Device Package: UB Frequency - Transition: 250MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 3-SMD, No Lead Packaging: Bulk | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| JANS2N2221UB/TR | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 40 V Small-Signal BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| JANS2N2221UB/TR | Microchip Technology | Description: SMALL-SIGNAL BJT Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: UB Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| JANS2N2222A | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 40V 800mA 500mW Small-Signal BJT THT | на замовлення 129 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||
| JANS2N2222A | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 50V 0.8A TO-18 Packaging: Bulk Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: TO-18 (TO-206AA) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 500 mW Grade: Military Qualification: MIL-PRF-19500/255 | на замовлення 757 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||
| JANS2N2222A/TR | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT BJTs | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| JANS2N2222AL | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 50 V Small-Signal BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| JANS2N2222AL | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 50V 0.8A TO-18 Power - Max: 500 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Part Status: Active Supplier Device Package: TO-18 (TO-206AA) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 50nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Packaging: Bulk Qualification: MIL-PRF-19500/255 Grade: Military | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| JANS2N2222AL/TR | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||
| JANS2N2222AUA | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 50V 0.8A UA Packaging: Bulk Package / Case: 4-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: UA Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 650 mW Grade: Military Qualification: MIL-PRF-19500/255 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| JANS2N2222AUA | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 40V 800mA 500mW Small-Signal BJT SMT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||
| JANS2N2222AUA/TR | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 40V 800mA 500mW Small-Signal BJT SMT TR | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| JANS2N2222AUA/TR | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 50V 0.8A UA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: UA Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 650 mW Grade: Military Qualification: MIL-PRF-19500/255 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| JANS2N2222AUB | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 50V 0.8A UB Packaging: Bulk Package / Case: 4-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: UB Grade: Military Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 500 mW Qualification: MIL-PRF-19500/255 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| JANS2N2222AUB | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 40V 800mA 500mW 3 Pin CER Small-Signal BJT | на замовлення 29 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||
| JANS2N2222AUB/TR | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 50V 0.8A UB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: UB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 500 mW Grade: Military Qualification: MIL-PRF-19500/255 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| JANS2N2222AUB/TR | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 40V 800mA 500mW 3 Pin CER Small-Signal BJT TR | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| JANS2N2222AUBC | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 50V 0.8A UBC Qualification: MIL-PRF-19500/255 Grade: Military Power - Max: 500 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Part Status: Active Supplier Device Package: UBC DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 50nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 3-SMD, No Lead Packaging: Bulk | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| JANS2N2222AUBC | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT BJTs | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| JANS2N2222AUBC/TR | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 50V 0.8A UBC Qualification: MIL-PRF-19500/255 Grade: Military Power - Max: 500 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Part Status: Active Supplier Device Package: UBC DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 50nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 3-SMD, No Lead Packaging: Bulk | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| JANS2N2222AUBC/TR | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 40V 800mA 500mW 3 Pin CER Small-Signal BJT TR | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| JANS2N2369A | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 15V 200mA 680mW NPN Small-Signal BJT THT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| JANS2N2369A | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 15V 400NA TO18 Packaging: Bulk Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 400nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 1V Supplier Device Package: TO-18 (TO-206AA) Grade: Military Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 400 nA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V Power - Max: 360 mW Qualification: MIL-PRF-19500/317 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| JANS2N2369A/TR | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT BJTs | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| JANS2N2369AU | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 15V 6LCC Packaging: Bulk Package / Case: 6-CLCC Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 400nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 1V Supplier Device Package: 6-LCC Part Status: Active Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V Power - Max: 500 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||
| JANS2N2369AUA | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 15V UA Packaging: Bulk Package / Case: 4-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 400nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 1V Supplier Device Package: UA Grade: Military Part Status: Active Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V Power - Max: 360 mW Qualification: MIL-PRF-19500/317 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| JANS2N2369AUA | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 15V 200mA 680mW NPN Small-Signal BJT SMT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| JANS2N2369AUA/TR | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 15V 400NA UA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 400nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 1V Supplier Device Package: UA Grade: Military Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 400 nA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V Power - Max: 360 mW Qualification: MIL-PRF-19500/317 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| JANS2N2369AUA/TR | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 15V 200mA 680mW NPN Small-Signal BJT SMT TR | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| JANS2N2369AUB | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 20V UB Packaging: Bulk Package / Case: 3-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 400nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 100mA, 1V Supplier Device Package: UB Part Status: Active Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Power - Max: 360 mW Grade: Military Qualification: MIL-PRF-19500/317 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| JANS2N2369AUB | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 20V 200mA 680mW 3 Pin CER Small-Signal BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||
| JANS2N2369AUB/TR | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 20V UB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 400nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 100mA, 1V Supplier Device Package: UB Grade: Military Part Status: Active Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Power - Max: 360 mW Qualification: MIL-PRF-19500/317 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| JANS2N2369AUB/TR | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 20V 200mA 680mW 3 Pin CER Small-Signal BJT TR | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| JANS2N2369AUBC | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 20V 3SMD Packaging: Bulk Package / Case: 3-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 400nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 100mA, 1V Supplier Device Package: UBC Grade: Military Part Status: Active Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Power - Max: 360 mW Qualification: MIL-PRF-19500/317 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| JANS2N2369AUBC | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 20V 200mA 680mW 3 Pin CER Small-Signal BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||
| JANS2N2369AUBC/TR | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 20V 200mA 680mW 3 Pin CER Small-Signal BJT TR | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| JANS2N2484 | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 60V 0.05A TO-18 Packaging: Bulk Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA Current - Collector Cutoff (Max): 2nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 225 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: TO-18 (TO-206AA) Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 360 mW Grade: Military Qualification: MIL-PRF-19500/376 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| JANS2N2484 | Microchip Technology | Trans GP BJT NPN 60V 0.05A 3-Pin TO-18 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| JANS2N2484 | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 60V 50mA 360mW NPN Small-Signal BJT THT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| JANS2N2484/TR | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT BJTs | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| JANS2N2484UA | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 60V 0.05A UA Packaging: Bulk Package / Case: 4-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA Current - Collector Cutoff (Max): 2nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 1mA, 5V Supplier Device Package: UA Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 360 mW Grade: Military Qualification: MIL-PRF-19500/376 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| JANS2N2484UA | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 60V 50mA 360mW NPN Small-Signal BJT SMT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| JANS2N2484UB | Microchip Technology | Trans GP BJT NPN 60V 0.05A 360mW 4-Pin Case UB Waffle | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| JANS2N2484UB | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 60V 0.05A UB Packaging: Bulk Package / Case: 4-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA Current - Collector Cutoff (Max): 2nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 1mA, 5V Supplier Device Package: UB Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 360 mW Grade: Military Qualification: MIL-PRF-19500/376 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| JANS2N2484UB | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 60V 50mA 360mW 3-Pin CER NPN Small-Signal BJT | на замовлення 40 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||
| JANS2N2484UB/TR | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 60V 50mA 360mW 3-Pin CER NPN Small-Signal BJT TR | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| JANS2N2484UB/TR | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 60V 0.05A UB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA Current - Collector Cutoff (Max): 2nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 1mA, 5V Supplier Device Package: UB Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 360 mW Grade: Military Qualification: MIL-PRF-19500/376 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| JANS2N2484UBC | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 60V 0.05A UB Qualification: MIL-PRF-19500/376 Grade: Military Power - Max: 360 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Supplier Device Package: UB DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 1mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 2nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 4-SMD, No Lead Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||
| JANS2N2484UBC | Microchip Technology | Trans GP BJT NPN 60V 0.05A 360mW 4-Pin Case UBC Waffle | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| JANS2N2484UBC | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 60V 50mA 360mW 3-Pin CER NPN Small-Signal BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 7 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| JANS2N2484UBC/TR | Microchip Technology | Description: SMALL-SIGNAL BJT Power - Max: 360 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Supplier Device Package: UBC DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 1mA, 5V Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 3-SMD, No Lead Packaging: Tape & Reel (TR) Current - Collector Cutoff (Max): 2nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| JANS2N2484UBC/TR | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 60V 50mA 360mW 3-Pin CER NPN Small-Signal BJT TR | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 7 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| JANS2N2857 | Semicoa Semiconductors | Polarity NPN Low power, ultra-high frequency transistor. | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| JANS2N2857 | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||
| JANS2N2857UB | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||
| JANS2N2857UB | Semicoa Semiconductors | Trans RF BJT NPN 15V 0.04A 200mW 4-Pin Case UB | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| JANS2N2857UB-LC | Microsemi Corporation | Description: RF TRANS NPN 15V UB Packaging: Tray Package / Case: 3-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Gain: 21dB Power - Max: 200mW Current - Collector (Ic) (Max): 40mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 3mA, 1V Noise Figure (dB Typ @ f): 4.5dB @ 450MHz Supplier Device Package: UB Grade: Military Part Status: Active Qualification: MIL-PRF-19500/343 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||
| JANS2N2904 | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 40V 600mA 600mW PNP Small-Signal BJT THT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| JANS2N2904 | Microchip Technology | Description: TRANS PNP 60V 0.6A TO39 Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD) Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 800 mW Grade: Military Qualification: MIL-PRF-19500/290 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| JANS2N2904A | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 40V 600mA 600mW PNP Small-Signal BJT THT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||
| JANS2N2904A | Microchip Technology | Description: TRANS PNP 60V 0.6A TO39 Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD) Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 800 mW Grade: Military Qualification: MIL-PRF-19500/290 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| JANS2N2904A/TR | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| JANS2N2904AL | Microchip Technology | Description: TRANS PNP 60V 0.6A TO-5AA Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: TO-5AA Grade: Military Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 800 mW Qualification: MIL-PRF-19500/290 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| JANS2N2904AL | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 40V 600mA 600mW PNP Long-Lead Small-Signal BJT THT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| JANS2N2905 | Microchip Technology | Description: TRANS PNP 60V 0.6A TO39 Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD) Grade: Military Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 800 mW Qualification: MIL-PRF-19500/290 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| JANS2N2905 | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 60V 600mA 800mW NPN Small-Signal BJT THT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| JANS2N2905A | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 60V 600mA 800mW NPN Small-Signal BJT THT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||
| JANS2N2905A | Microchip Technology | Description: TRANS PNP 60V 0.6A TO-39 Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: TO-39 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 800 mW Grade: Military Qualification: MIL-PRF-19500/290 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| JANS2N2905A/TR | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| JANS2N2905AL | Microchip Technology | Description: TRANS PNP 60V 0.6A TO-5AA Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: TO-5AA Grade: Military Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 800 mW Qualification: MIL-PRF-19500/290 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| JANS2N2905AL | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 60V 600mA 800mW NPN Long-Lead Small-Signal BJT THT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |