Продукція > Jan
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||
|---|---|---|---|---|---|---|
| JANS1N827-1 | Microchip / Microsemi | Zener Diodes 5.9-6.5V 7.5mA 15 OhmsTemperature Compensated THT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| JANS1N827-1/TR | Microchip / Microsemi | Zener Diodes 5.9-6.5V 7.5mA 15 OhmsTemperature Compensated THT TR | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| JANS1N827-1/TR | Microchip Technology | Description: DIODE ZENER 6.2V 500MW DO204AH Tolerance: ±5% Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Voltage - Zener (Nom) (Vz): 6.2 V Impedance (Max) (Zzt): 15 Ohms Supplier Device Package: DO-204AH (DO-35) Grade: Military Power - Max: 500 mW Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 3 V Qualification: MIL-PRF-19500/159 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| JANS1N827UR-1 | Microchip / Microsemi | Zener Diodes 5.9-6.5V 7.5mA 15 OhmsTemperature Compensated Round-End | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| JANS1N827UR-1 | Microchip Technology | Zener Diode Single 6.2V 5% 15Ohm 500mW 2-Pin DO-213AA Waffle | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| JANS1N827UR-1 | Microchip Technology | Description: DIODE ZENER 6.2V 500MW DO213AA Packaging: Bulk Tolerance: ±5% Package / Case: DO-213AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Voltage - Zener (Nom) (Vz): 6.2 V Impedance (Max) (Zzt): 15 Ohms Supplier Device Package: DO-213AA Grade: Military Power - Max: 500 mW Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 3 V Qualification: MIL-PRF-19500/159 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| JANS1N827UR-1-TR | Microchip / Microsemi | Zener Diodes | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| JANS1N827UR-1-TR | Microchip Technology | Single Zener Diode | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| JANS1N827UR-1/TR | Microchip Technology | Description: DIODE ZENER 6.2V 500MW DO213AA Packaging: Tape & Reel (TR) Tolerance: ±5% Package / Case: DO-213AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Voltage - Zener (Nom) (Vz): 6.2 V Impedance (Max) (Zzt): 15 Ohms Supplier Device Package: DO-213AA Grade: Military Power - Max: 500 mW Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 3 V Qualification: MIL-PRF-19500/159 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| JANS1N827UR-1/TR | Microchip / Microsemi | Zener Diodes 5.9-6.5V 7.5mA 15 OhmsTemperature Compensated Round-End TR | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| JANS1N829-1 | Microchip Technology | Description: ZENER DIODE Tolerance: ±5% Packaging: Bulk Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Voltage - Zener (Nom) (Vz): 6.2 V Impedance (Max) (Zzt): 15 Ohms Supplier Device Package: DO-204AH (DO-35) Grade: Military Part Status: Active Power - Max: 500 mW Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 3 V Qualification: MIL-PRF-19500/159 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| JANS1N829-1/TR | Microchip Technology | Description: DIODE ZENER TEMP COMPENSATED Tolerance: ±5% Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Voltage - Zener (Nom) (Vz): 6.2 V Impedance (Max) (Zzt): 15 Ohms Supplier Device Package: DO-204AH (DO-35) Grade: Military Part Status: Active Power - Max: 500 mW Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 3 V Qualification: MIL-PRF-19500/159 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| JANS1N829-1/TR | Microchip / Microsemi | Zener Diodes 5.9V 7.5MA 15 Ohms Temperature Compensated TR | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| JANS1N829UR-1 | Microchip Technology | Description: ZENER DIODE Tolerance: ±5% Packaging: Bulk Package / Case: DO-213AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Voltage - Zener (Nom) (Vz): 6.2 V Impedance (Max) (Zzt): 15 Ohms Supplier Device Package: DO-213AA Grade: Military Part Status: Active Power - Max: 500 mW Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 3 V Qualification: MIL-PRF-19500/159 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| JANS1N829UR-1/TR | Microchip / Microsemi | Zener Diodes 5.9V 7.5MA 15 Ohms Round-End Temperature Compensated TR | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| JANS1N829UR-1/TR | Microchip Technology | Description: DIODE ZENER TEMP COMPENSATED Tolerance: ±5% Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-213AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Voltage - Zener (Nom) (Vz): 6.2 V Impedance (Max) (Zzt): 15 Ohms Supplier Device Package: DO-213AA Grade: Military Part Status: Active Power - Max: 500 mW Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 3 V Qualification: MIL-PRF-19500/159 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| JANS1N935B-1 | Microchip Technology | Description: ZENER DIODE Tolerance: ±5% Packaging: Bulk Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ) Voltage - Zener (Nom) (Vz): 9 V Impedance (Max) (Zzt): 20 Ohms Supplier Device Package: DO-35 (DO-204AH) Power - Max: 500 mW Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 6 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| JANS1N935B-1/TR | Microchip Technology | Description: DIODE ZENER TEMP COMPENSATED Tolerance: ±5% Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ) Voltage - Zener (Nom) (Vz): 9 V Impedance (Max) (Zzt): 20 Ohms Supplier Device Package: DO-35 (DO-204AH) Power - Max: 500 mW Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 6 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| JANS1N935BUR-1 | Microchip Technology | Description: ZENER DIODE Tolerance: ±5% Packaging: Bulk Package / Case: DO-213AA (Glass) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ) Voltage - Zener (Nom) (Vz): 9 V Impedance (Max) (Zzt): 20 Ohms Supplier Device Package: DO-213AA Power - Max: 500 mW Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 6 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| JANS1N935BUR-1/TR | Microchip Technology | Description: DIODE ZENER TEMP COMPENSATED Tolerance: ±5% Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-213AA (Glass) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ) Voltage - Zener (Nom) (Vz): 9 V Impedance (Max) (Zzt): 20 Ohms Supplier Device Package: DO-213AA Power - Max: 500 mW Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 6 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| JANS1N936B-1 | Microchip / Microsemi | Zener Diodes 8.55-9.45V 7.5mA 20 Ohms Temperature Compensated THT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| JANS1N936B-1 | Microchip Technology | Description: TEMPERATURE COMPENSATED Tolerance: ±5% Packaging: Bulk Power - Max: 500 mW Part Status: Active Supplier Device Package: DO-35 (DO-204AH) Impedance (Max) (Zzt): 20 Ohms Voltage - Zener (Nom) (Vz): 9 V Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| JANS1N936BUR-1 | Microchip / Microsemi | Zener Diodes 8.55-9.45V 7.5mA 20 Ohms Temperature Compensated Round-End | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| JANS1N936BUR-1/TR | Microchip / Microsemi | Zener Diodes 8.55-9.45V 7.5mA 20 Ohms Temperature Compensated Round-End TR | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| JANS1N937B-1 | Microchip Technology | Description: ZENER DIODE Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 6 V Power - Max: 500 mW Part Status: Active Supplier Device Package: DO-35 (DO-204AH) Impedance (Max) (Zzt): 20 Ohms Voltage - Zener (Nom) (Vz): 9 V Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial Tolerance: ±5% Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| JANS1N937B-1/TR | Microchip Technology | Description: DIODE ZENER TEMP COMPENSATED Tolerance: ±5% Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ) Voltage - Zener (Nom) (Vz): 9 V Impedance (Max) (Zzt): 20 Ohms Supplier Device Package: DO-35 (DO-204AH) Part Status: Active Power - Max: 500 mW Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 6 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| JANS1N937BUR-1 | Microchip Technology | Description: ZENER DIODE | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| JANS1N937BUR-1/TR | Microchip Technology | Description: DIODE ZENER TEMP COMPENSATED | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| JANS1N938B-1 | Microchip Technology | Description: DIODE ZENER 9V 500MW DO35 Qualification: MIL-PRF-19500/156 Grade: Military Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 6 V Power - Max: 500 mW Part Status: Active Supplier Device Package: DO-204AH (DO-35) Impedance (Max) (Zzt): 20 Ohms Voltage - Zener (Nom) (Vz): 9 V Operating Temperature: -65°C ~ 175°C Mounting Type: Through Hole Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial Tolerance: ±5% Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| JANS1N938B-1/TR | Microchip Technology | Description: DIODE ZENER TEMP COMPENSATED Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 6 V Power - Max: 500 mW Qualification: MIL-PRF-19500/156 Grade: Military Impedance (Max) (Zzt): 20 Ohms Voltage - Zener (Nom) (Vz): 9 V Operating Temperature: -65°C ~ 175°C Mounting Type: Through Hole Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial Tolerance: ±5% Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active Supplier Device Package: DO-204AH (DO-35) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| JANS1N938BUR-1 | Microchip Technology | Description: DIODE ZENER 9V 500MW DO35 Qualification: MIL-PRF-19500/156 Grade: Military Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 6 V Power - Max: 500 mW Part Status: Active Supplier Device Package: DO-204AH (DO-35) Impedance (Max) (Zzt): 20 Ohms Voltage - Zener (Nom) (Vz): 9 V Operating Temperature: -65°C ~ 175°C Mounting Type: Through Hole Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial Tolerance: ±5% Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| JANS1N938BUR-1/TR | Microchip Technology | Description: DIODE ZENER TEMP COMPENSATED Qualification: MIL-PRF-19500/156 Grade: Military Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 6 V Power - Max: 500 mW Part Status: Active Supplier Device Package: DO-204AH (DO-35) Impedance (Max) (Zzt): 20 Ohms Voltage - Zener (Nom) (Vz): 9 V Operating Temperature: -65°C ~ 175°C Mounting Type: Through Hole Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial Tolerance: ±5% Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| JANS1N941B-1 | Microsemi HI-REL [MIL] | Description: DIODE ZENER 12.28V 500MW DO35 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 40 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| JANS1N943BUR-1 | Microsemi HI-REL [MIL] | Description: DIODE ZENER 12.28V 500MW DO35 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 34 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| JANS2N2218 | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 30V 800mA 800mW NPN Small-Signal BJT THT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| JANS2N2218 | Microchip Technology | Description: SMALL-SIGNAL BJT Qualification: MIL-PRF-19500/251 Grade: Military Power - Max: 800 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Part Status: Active Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 10nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Packaging: Bulk | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| JANS2N2218A | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 30V 800mA 800mW NPN Small-Signal BJT THT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| JANS2N2218A | Microchip Technology | Description: SMALL-SIGNAL BJT Qualification: MIL-PRF-19500/251 Grade: Military Power - Max: 800 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Part Status: Active Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 10nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Packaging: Bulk | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| JANS2N2218AL | Microchip Technology | Description: SMALL-SIGNAL BJT Qualification: MIL-PRF-19500/251 Grade: Military Power - Max: 800 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Part Status: Active Supplier Device Package: TO-5AA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 10nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can Packaging: Bulk | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| JANS2N2218AL | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 30V 800mA 800mW NPN Long-Lead Small-Signal BJT THT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| JANS2N2219 | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 30V 800mA 800mW NPN Small-Signal BJT THT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| JANS2N2219 | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 50V 0.8A TO39 Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 800 mW Grade: Military Qualification: MIL-PRF-19500/251 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| JANS2N2219/TR | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| JANS2N2219A | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 50V 0.8A TO39 Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 800 mW Grade: Military Qualification: MIL-PRF-19500/251 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| JANS2N2219A | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 30V 800mA 800mW NPN Small-Signal BJT THT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| Jans2N2219A/TR | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| JANS2N2219AL | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 50V 0.8A TO-5AA Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 1mA, 10V Supplier Device Package: TO-5AA Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 800 mW Grade: Military Qualification: MIL-PRF-19500/251 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| JANS2N2219AL | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 30V 800mA 800mW NPN Long-Lead Small-Signal BJT THT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| JANS2N2219AL/TR | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| JANS2N2221 | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 40 V Small-Signal BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| JANS2N2221 | Microchip Technology | Description: SMALL-SIGNAL BJT Packaging: Bulk Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: TO-18 (TO-206AA) Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| JANS2N2221A | Microsemi Corporation | Description: TRANS NPN 50V 0.8A TO-18 Qualification: MIL-PRF-19500/255 Power - Max: 500 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Grade: Military Supplier Device Package: TO-18 (TO-206AA) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 50nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Packaging: Bulk | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| JANS2N2221A | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT BJTs | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| JANS2N2221A/TR | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT BJTs | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| JANS2N2221AL | Microsemi Corporation | Description: TRANS NPN 50V 0.8A TO-18 Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Packaging: Bulk Qualification: MIL-PRF-19500/255 Power - Max: 500 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Grade: Military Supplier Device Package: TO-18 (TO-206AA) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 50nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: NPN | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| JANS2N2221AL | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT BJTs | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| JANS2N2221AL/TR | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT BJTs | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| JANS2N2221AUA | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 50V 800mA 650mW Small-Signal BJT SMT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| JANS2N2221AUA | Microsemi Corporation | Description: TRANS NPN 50V 0.8A UA Packaging: Bulk Package / Case: 4-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: UA Grade: Military Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 650 mW Qualification: MIL-PRF-19500/255 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| JANS2N2221AUB | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 50V 800mA 650mW 3 Pin CER Small-Signal BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| JANS2N2221AUB | Microsemi Corporation | Description: TRANS NPN 50V 0.8A UB Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 4-SMD, No Lead Packaging: Bulk Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Grade: Military Supplier Device Package: UB DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 50nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: NPN Qualification: MIL-PRF-19500/255 Power - Max: 500 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| JANS2N2221AUB/TR | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 50V 800mA 650mW 3 Pin CER Small-Signal BJT TR | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| JANS2N2221AUB/TR | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 50V 0.8A UB Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Part Status: Active Supplier Device Package: UB DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 50nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 3-SMD, No Lead Packaging: Tape & Reel (TR) Power - Max: 500 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Qualification: MIL-PRF-19500/255 Grade: Military | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| JANS2N2221AUBC | Microsemi Corporation | Description: TRANS NPN 50V 0.8A UBC Packaging: Bulk Package / Case: 3-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: UBC Grade: Military Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 500 mW Qualification: MIL-PRF-19500/255 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| JANS2N2221AUBC | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT BJTs | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| JANS2N2221AUBC/TR | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 50V 800mA 650mW 3 Pin CER Small-Signal BJT TR | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| JANS2N2221AUBC/TR | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 50V 0.8A UBC Power - Max: 500 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Part Status: Active Supplier Device Package: UBC DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 50nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 3-SMD, No Lead Packaging: Tape & Reel (TR) Qualification: MIL-PRF-19500/255 Grade: Military | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| JANS2N2221UA | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 40 V Small-Signal BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| JANS2N2221UA | Microchip Technology | Description: SMALL-SIGNAL BJT Packaging: Bulk Package / Case: 4-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: UA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| JANS2N2221UA/TR | Microchip Technology | Description: SMALL-SIGNAL BJT Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| JANS2N2221UB | Microchip Technology | Description: SMALL-SIGNAL BJT Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Supplier Device Package: UB Frequency - Transition: 250MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 3-SMD, No Lead Packaging: Bulk | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| JANS2N2221UB/TR | Microchip Technology | Description: SMALL-SIGNAL BJT Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: UB Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| JANS2N2221UB/TR | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 40 V Small-Signal BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| JANS2N2222A | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 40V 800mA 500mW Small-Signal BJT THT | на замовлення 129 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||
| JANS2N2222A | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 50V 0.8A TO-18 Packaging: Bulk Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: TO-18 (TO-206AA) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 500 mW Grade: Military Qualification: MIL-PRF-19500/255 | на замовлення 745 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||
| JANS2N2222A/TR | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT BJTs | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| JANS2N2222AL | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 50V 0.8A TO-18 Power - Max: 500 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Part Status: Active Supplier Device Package: TO-18 (TO-206AA) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 50nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Packaging: Bulk Qualification: MIL-PRF-19500/255 Grade: Military | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| JANS2N2222AL/TR | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| JANS2N2222AUA | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 50V 0.8A UA Packaging: Bulk Package / Case: 4-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: UA Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 650 mW Grade: Military Qualification: MIL-PRF-19500/255 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| JANS2N2222AUA/TR | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 50V 0.8A UA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: UA Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 650 mW Grade: Military Qualification: MIL-PRF-19500/255 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| JANS2N2222AUB | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 40V 800mA 500mW 3 Pin CER Small-Signal BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| JANS2N2222AUB | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 50V 0.8A UB Packaging: Bulk Package / Case: 4-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: UB Grade: Military Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 500 mW Qualification: MIL-PRF-19500/255 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| JANS2N2222AUB/TR | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 50V 0.8A UB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: UB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 500 mW Grade: Military Qualification: MIL-PRF-19500/255 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| JANS2N2222AUB/TR | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 40V 800mA 500mW 3 Pin CER Small-Signal BJT TR | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| JANS2N2222AUBC | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 50V 0.8A UBC Qualification: MIL-PRF-19500/255 Grade: Military Power - Max: 500 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Part Status: Active Supplier Device Package: UBC DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 50nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 3-SMD, No Lead Packaging: Bulk | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| JANS2N2222AUBC | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT BJTs | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| JANS2N2222AUBC/TR | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 50V 0.8A UBC Qualification: MIL-PRF-19500/255 Grade: Military Power - Max: 500 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Part Status: Active Supplier Device Package: UBC DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 50nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 3-SMD, No Lead Packaging: Bulk | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| JANS2N2222AUBC/TR | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 40V 800mA 500mW 3 Pin CER Small-Signal BJT TR | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| JANS2N2369A | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 15V 400NA TO18 Packaging: Bulk Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 400nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 1V Supplier Device Package: TO-18 (TO-206AA) Grade: Military Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 400 nA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V Power - Max: 360 mW Qualification: MIL-PRF-19500/317 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| JANS2N2369A | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 15V 200mA 680mW NPN Small-Signal BJT THT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| JANS2N2369A/TR | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT BJTs | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| JANS2N2369AU | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 15V 6LCC Packaging: Bulk Package / Case: 6-CLCC Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 400nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 1V Supplier Device Package: 6-LCC Part Status: Active Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V Power - Max: 500 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| JANS2N2369AUA | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 15V UA Packaging: Bulk Package / Case: 4-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 400nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 1V Supplier Device Package: UA Grade: Military Part Status: Active Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V Power - Max: 360 mW Qualification: MIL-PRF-19500/317 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| JANS2N2369AUA | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 15V 200mA 680mW NPN Small-Signal BJT SMT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| JANS2N2369AUA/TR | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 15V 400NA UA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 400nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 1V Supplier Device Package: UA Grade: Military Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 400 nA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V Power - Max: 360 mW Qualification: MIL-PRF-19500/317 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| JANS2N2369AUA/TR | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 15V 200mA 680mW NPN Small-Signal BJT SMT TR | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| JANS2N2369AUB | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 20V UB Packaging: Bulk Package / Case: 3-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 400nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 100mA, 1V Supplier Device Package: UB Part Status: Active Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Power - Max: 360 mW Grade: Military Qualification: MIL-PRF-19500/317 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| JANS2N2369AUB | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 20V 200mA 680mW 3 Pin CER Small-Signal BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| JANS2N2369AUB/TR | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 20V UB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 400nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 100mA, 1V Supplier Device Package: UB Grade: Military Part Status: Active Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Power - Max: 360 mW Qualification: MIL-PRF-19500/317 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| JANS2N2369AUB/TR | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 20V 200mA 680mW 3 Pin CER Small-Signal BJT TR | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. |