Продукція > Jan

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
JANS2N2904A/TRMicrochip TechnologyBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JANS2N2904ALMicrochip TechnologyDescription: TRANS PNP 60V 0.6A TO-5AA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: TO-5AA
Grade: Military
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 800 mW
Qualification: MIL-PRF-19500/290
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JANS2N2904ALMicrochip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT 40V 600mA 600mW PNP Long-Lead Small-Signal BJT THT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JANS2N2905Microchip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT 60V 600mA 800mW NPN Small-Signal BJT THT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JANS2N2905Microchip TechnologyDescription: TRANS PNP 60V 0.6A TO39
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD)
Grade: Military
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 800 mW
Qualification: MIL-PRF-19500/290
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JANS2N2905AMicrochip TechnologyDescription: TRANS PNP 60V 0.6A TO-39
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: TO-39
Grade: Military
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 800 mW
Qualification: MIL-PRF-19500/290
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JANS2N2905AMicrochip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT 60V 600mA 800mW NPN Small-Signal BJT THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
JANS2N2905A/TRMicrochip TechnologyBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JANS2N2905ALMicrochip TechnologyDescription: TRANS PNP 60V 0.6A TO-5AA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: TO-5AA
Grade: Military
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 800 mW
Qualification: MIL-PRF-19500/290
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JANS2N2905ALMicrochip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT 60V 600mA 800mW NPN Long-Lead Small-Signal BJT THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
JANS2N2905AL/TRMicrochip TechnologyBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JANS2N2906AMicrochip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT 40V 600mA 400mW PNP Small-Signal BJT THT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JANS2N2906AMicrochip TechnologyTrans GP BJT PNP 60V 0.6A 500mW 3-Pin TO-18 Tray
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JANS2N2906AMicrochip TechnologyDescription: TRANS PNP 60V 0.6A TO-18
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: TO-18 (TO-206AA)
Grade: Military
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 500 mW
Qualification: MIL-PRF-19500/291
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JANS2N2906A/TRMicrochip TechnologyBipolar Transistors - BJT BJTs
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JANS2N2906ALMicrochip TechnologyBipolar Transistors - BJT BJTs
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JANS2N2906ALMicrochip TechnologyDescription: TRANS PNP 60V 0.6A TO-18
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: TO-18 (TO-206AA)
Grade: Military
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 500 mW
Qualification: MIL-PRF-19500/291
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JANS2N2906AUAMicrochip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT BJTs
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JANS2N2906AUAMicrochip TechnologyDescription: TRANS PNP 60V 0.6A UA
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: UA
Grade: Military
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 500 mW
Qualification: MIL-PRF-19500/291
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JANS2N2906AUBMicrochip TechnologyBipolar Transistors - BJT BJTs
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JANS2N2906AUBMicrochip TechnologyDescription: TRANS PNP 60V 0.6A UB
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: UB
Grade: Military
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 500 mW
Qualification: MIL-PRF-19500/291
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JANS2N2906AUBMicrochip TechnologyTrans GP BJT PNP 60V 0.6A 500mW 4-Pin Case UB Waffle
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JANS2N2906AUB/TRMicrochip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT 40V 600mA 400mW PNP 3 Pin CER Small-Signal BJT TR
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JANS2N2906AUB/TRMicrochip TechnologyDescription: TRANS PNP 60V 0.6A UB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 500mA, 10V
Supplier Device Package: UB
Grade: Military
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 500 mW
Qualification: MIL-PRF-19500/291
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JANS2N2906AUBCMicrochip TechnologyTrans GP BJT PNP 60V 0.6A 500mW 4-Pin Case UBC Waffle
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JANS2N2906AUBCMicrochip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT 40V 600mA 400mW PNP 3 Pin CER Small-Signal BJT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JANS2N2906AUBCMicrochip TechnologyDescription: TRANS PNP 60V 0.6A UBC
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-CLCC
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: UBC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 500 mW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JANS2N2906AUBC/TRMicrochip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT 40V 600mA 400mW PNP 3 Pin CER Small-Signal BJT TR
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JANS2N2906AUBC/TRMicrochip TechnologyDescription: TRANS PNP 60V 0.6A UBC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-CLCC
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: UBC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 500 mW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JANS2N2907AMICROCHIP TECHNOLOGYCategory: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 600mA; 500mW; TO18
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.5W
Case: TO18
Mounting: THT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JANS2N2907AMicrochip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT 60V 600mA 500mW PNP Small-Signal BJT THT
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
JANS2N2907AMicrochip TechnologyDescription: TRANS PNP 60V 0.6A TO206AA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: TO-206AA (TO-18)
Grade: Military
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 500 mW
Qualification: MIL-PRF-19500/291
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JANS2N2907A/TRMicrochip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT BJTs
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JANS2N2907ALMICROCHIP TECHNOLOGYCategory: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 600mA; 500mW; TO18
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.5W
Case: TO18
Mounting: THT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JANS2N2907ALMicrochip TechnologyDescription: TRANS PNP 60V 0.6A TO-18
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: TO-18 (TO-206AA)
Grade: Military
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 500 mW
Qualification: MIL-PRF-19500/291
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JANS2N2907ALMicrochip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT BJTs
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JANS2N2907AL/TRMicrochip TechnologyBipolar Transistors - BJT BJTs
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JANS2N2907AUAMICROCHIP TECHNOLOGYCategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 600mA; 500mW
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.5W
Mounting: SMD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JANS2N2907AUAMicrochip TechnologyDescription: TRANS PNP 60V 0.6A UA
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 10V
Supplier Device Package: UA
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 500 mW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JANS2N2907AUA/TRMicrochip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT 60V 600mA 500mW PNP Small-Signal BJT SMT TR
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JANS2N2907AUA/TRMICROCHIP TECHNOLOGYCategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 600mA; 500mW
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.5W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JANS2N2907AUA/TRMicrochip TechnologyDescription: TRANS PNP 60V 0.6A UA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 10V
Supplier Device Package: UA
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 500 mW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JANS2N2907AUBMicrochip TechnologyDescription: TRANS PNP 60V 0.6A UB
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: UB
Grade: Military
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 500 mW
Qualification: MIL-PRF-19500/291
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JANS2N2907AUBMICROCHIP TECHNOLOGYCategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 600mA; 500mW
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.5W
Mounting: SMD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JANS2N2907AUB/TRMICROCHIP TECHNOLOGYCategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 600mA; 500mW
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.5W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JANS2N2907AUB/TRMicrochip TechnologyDescription: TRANS PNP 60V 0.6A UB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: UB
Grade: Military
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 500 mW
Qualification: MIL-PRF-19500/291
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JANS2N2907AUBCMicrochip TechnologyDescription: TRANS PNP 60V 0.6A UBC
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-CLCC
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: UBC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 500 mW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JANS2N2907AUBCMicrochip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT 60V 600mA 500mW PNP 3 Pin CER Small-Signal BJT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JANS2N2907AUBC/TRMicrochip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT 60V 600mA 500mW PNP 3 Pin CER Small-Signal BJT TR
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JANS2N2907AUBC/TRMicrochip TechnologyDescription: TRANS PNP 60V 0.6A UBC
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-CLCC
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: UBC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 500 mW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JANS2N2919MicrosemiBipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
JANS2N2919/TRMicrosemiBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
JANS2N2919LMicrosemiBipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
JANS2N2919L/TRMicrosemiBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
JANS2N2919UMicrosemiBipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
JANS2N2919U/TRMicrosemiBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
JANS2N2920Microchip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT Dual Small-Signal BJT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JANS2N2920Microchip TechnologyDescription: TRANS 2NPN 60V 0.03A TO-18
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-78-6 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: 200°C (TJ)
Power - Max: 350mW
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: TO-78-6
Grade: Military
Qualification: MIL-PRF-19500/355
на замовлення 248 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+13194.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
JANS2N2920LMicrochip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT Dual Small-Signal BJT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JANS2N2920LMicrochip TechnologyDescription: NPN SMALL SIGNAL SILICON TRANSIS
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-78-6 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Power - Max: 350mW
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: TO-78-6
Grade: Military
Qualification: MIL-PRF-19500/355
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JANS2N2920LMicrosemiBipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
JANS2N2920L/TRMicrochip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
JANS2N2920UMicrosemiBipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
JANS2N2920UMicrochip TechnologyDescription: NPN SMALL SIGNAL SILICON TRANSIS
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Power - Max: 350mW
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: 6-SMD
Grade: Military
Qualification: MIL-PRF-19500/355
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JANS2N2920UMicrochip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT Dual Small-Signal BJT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JANS2N2920U/TRMicrochip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT Dual Small-Signal BJT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JANS2N2920U/TRMicrochip TechnologyDescription: TRANSISTOR DUAL SMALL-SIGNAL BJT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Power - Max: 350mW
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: 6-SMD
Grade: Military
Qualification: MIL-PRF-19500/355
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JANS2N2920U/TRMicrosemiBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
JANS2N2946AMicrochip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JANS2N2946AMicrochip TechnologyDescription: SMALL-SIGNAL BJT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AB, TO-46-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 1mA, 500mV
Supplier Device Package: TO-46
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 35 V
Power - Max: 400 mW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JANS2N3019MICROCHIP TECHNOLOGYCategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 800mW
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1A
Power dissipation: 0.8W
Mounting: THT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JANS2N3019Microchip TechnologyDescription: TRANS NPN 80V 1A TO-5
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 500mA, 10V
Supplier Device Package: TO-5
Grade: Military
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 800 mW
Qualification: MIL-PRF-19500/391
на замовлення 933 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+6906.56 грн
100+6175.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
JANS2N3019Microchip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT 80V 1A 800mW Small-Signal BJT THT
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
JANS2N3019/TRMicrochip TechnologyBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JANS2N3019SMicrochip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT 80V 1A 800mW Small-Signal BJT THT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JANS2N3019SMicrochip TechnologyDescription: TRANS NPN 80V 1A TO39
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 500mA, 10V
Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD)
Grade: Military
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 800 mW
Qualification: MIL-PRF-19500/391
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JANS2N3019SMICROCHIP TECHNOLOGYCategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 800mW; TO39
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1A
Power dissipation: 0.8W
Case: TO39
Mounting: THT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JANS2N3057AMicrochip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT 80V 1A 500mW Small-Signal BJT THT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JANS2N3057AMicrochip TechnologyDescription: TRANS NPN 80V 1A TO46
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AB, TO-46-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 500mA, 10V
Supplier Device Package: TO-46 (TO-206AB)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 500 mW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JANS2N3057A/TRMicrochip TechnologyBipolar Transistors - BJT BJTs
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JANS2N3421Microchip TechnologyDescription: VOLTAGE REGULATOR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 5µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 1A, 2V
Supplier Device Package: TO-5AA
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JANS2N3421Microchip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT Voltage Regulator
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JANS2N3421SMicrochip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT Power BJT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JANS2N3421SMicrochip TechnologyDescription: POWER BJT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 5µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 1A, 2V
Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD)
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JANS2N3439Microchip TechnologyDescription: TRANS NPN 350V 1A TO39
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 2µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V
Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD)
Grade: Military
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 800 mW
Qualification: MIL-PRF-19500/368
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JANS2N3439Microchip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT 350V 1A 800mW Power BJT THT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JANS2N3439LMicrochip TechnologyDescription: POWER BJT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JANS2N3439LMicrochip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT 350V 1A 800mW Long-Lead Power BJT THT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JANS2N3439U4Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JANS2N3439U4Microchip TechnologyDescription: TRANS NPN 350V 1A UA
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
JANS2N3439UAMicrochip TechnologyDescription: TRANS NPN 350V 1A UA
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 2µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V
Supplier Device Package: UA
Grade: Military
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 800 mW
Qualification: MIL-PRF-19500/368
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
JANS2N3439UAMicrochip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT 350 V Power BJT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JANS2N3439UA/TRMicrochip TechnologyDescription: TRANS NPN 350V 1A UA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 2µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V
Supplier Device Package: UA
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 800 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
JANS2N3440Microchip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT 250V 1A 800mW Power BJT THT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JANS2N3440Microchip TechnologyDescription: TRANS NPN 250V 1A TO39
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 2µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V
Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD)
Grade: Military
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 800 mW
Qualification: MIL-PRF-19500/368
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JANS2N3440MIT04+
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
JANS2N3440LMicrochip TechnologyDescription: POWER BJT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 2µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V
Supplier Device Package: TO-5AA
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 800 mW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JANS2N3440LMicrochip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT 250V 1A 800mW Long-Lead Power BJT THT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JANS2N3440U4Microchip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT 250 V Power BJT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JANS2N3440U4Microchip TechnologyDescription: TRANS NPN 250V 1A TO-5
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.