Продукція > JAN
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|
| JANSF2N2221AUA | Microchip Technology | Description: RH SMALL-SIGNAL BJT Power - Max: 650 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Part Status: Active Supplier Device Package: UA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 50nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 4-SMD, No Lead Packaging: Bulk | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. |
| JANSF2N2221AUB | Microsemi Corporation | Description: TRANS NPN 50V 0.8A UB Packaging: Tray Package / Case: 3-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: UB Grade: Military Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 500 mW Qualification: MIL-PRF-19500/255 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. |
| JANSF2N2221AUB | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT BJTs | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. |
| JANSF2N2221AUB/TR | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 50V 800mA 650mW 3 Pin CER RH Small-Signal BJT TR | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. |
| JANSF2N2221AUB/TR | Microchip Technology | Description: RH SMALL-SIGNAL BJT Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. |
| JANSF2N2221AUBC | Microchip Technology | Description: RH SMALL-SIGNAL BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. |
| JANSF2N2221AUBC | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 50V 800mA 650mW 3 Pin CER RH Small-Signal BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3 шт В кошику од. на суму грн. |
| JANSF2N2221AUBC/TR | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 50V 800mA 650mW 3 Pin CER RH Small-Signal BJT TR | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3 шт В кошику од. на суму грн. |
| JANSF2N2221AUBC/TR | Microchip Technology | Description: RH SMALL-SIGNAL BJT Power - Max: 500 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Part Status: Active Supplier Device Package: UBC DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 50nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 3-SMD, No Lead Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. |
| JANSF2N2222A | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 50V 0.8A TO-18 Power - Max: 500 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Part Status: Active Supplier Device Package: TO-18 (TO-206AA) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 50nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Packaging: Tray Qualification: MIL-PRF-19500/255 Grade: Military | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. |
| JANSF2N2222A | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 40V 800mA 500mW RH Small-Signal BJT THT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. |
| JANSF2N2222A/TR | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT BJTs | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| JANSF2N2222AL | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 50V 0.8A TO-18 Qualification: MIL-PRF-19500/255 Grade: Military Power - Max: 500 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Part Status: Active Supplier Device Package: TO-18 (TO-206AA) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 50nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Packaging: Tray | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. |
| JANSF2N2222AL | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 40V 800mA 500mW Long-Lead RH Small-Signal BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. |
| JANSF2N2222AUA | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 50V 0.8A UA Packaging: Tray Package / Case: 4-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: UA Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 650 mW Grade: Military Qualification: MIL-PRF-19500/255 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. |
| JANSF2N2222AUA | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 40V 800mA 500mW RH Small-Signal BJT SMT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. |
| JANSF2N2222AUB | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 50V 0.8A UB Packaging: Bulk Package / Case: 4-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: UB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 500 mW Grade: Military Qualification: MIL-PRF-19500/255 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. |
| JANSF2N2222AUB | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 40V 800mA 500mW 3 Pin CER RH Small-Signal BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| JANSF2N2222AUB/TR | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 50V 0.8A UB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: UB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 500 mW Grade: Military Qualification: MIL-PRF-19500/255 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. |
| JANSF2N2222AUBC | Microchip Technology | Description: RH SMALL-SIGNAL BJT Packaging: Bulk Package / Case: 3-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: UBC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 500 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. |
| JANSF2N2222AUBC | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 40V 800mA 500mW 3 Pin CER RH Small-Signal BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| JANSF2N2222AUBC/TR | Microchip Technology | Description: RH SMALL-SIGNAL BJT Power - Max: 500 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Part Status: Active Supplier Device Package: UBC DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 50nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 3-SMD, No Lead Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. |
| JANSF2N2222AUBC/TR | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT RH Small-Signal BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. |
| JANSF2N2369A | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 15V 200mA 680mW RH Small-Signal BJT THT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. |
| JANSF2N2369A | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 15V 400NA TO18 Packaging: Bulk Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 400nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 100mA, 1V Supplier Device Package: TO-18 (TO-206AA) Grade: Military Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 400 nA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V Power - Max: 360 mW Qualification: MIL-PRF-19500/317 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. |
| JANSF2N2369AU | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 15V 6LCC Packaging: Bulk Package / Case: 6-CLCC Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 400nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 100mA, 1V Supplier Device Package: 6-LCC Grade: Military Part Status: Active Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V Power - Max: 500 mW Qualification: MIL-PRF-19500/317 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. |
| JANSF2N2369AU | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 15V 200mA 680mW RH Dual - Small-Signal BJT SQ SMT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. |
| JANSF2N2369AU/TR | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 15V 200mA 680mW RH Dual - Small-Signal BJT SQ SMT TR | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. |
| JANSF2N2369AU/TR | Microchip Technology | Description: RH DUAL - SMALL-SIGNAL BJT Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 400nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 1V Supplier Device Package: U Part Status: Active Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V Power - Max: 500 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. |
| JANSF2N2369AUA | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 15V UA Packaging: Bulk Package / Case: 4-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 400nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 100mA, 1V Supplier Device Package: UA Grade: Military Part Status: Active Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V Power - Max: 360 mW Qualification: MIL-PRF-19500/317 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. |
| JANSF2N2369AUA | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 15V 200mA 680mW RH Small-Signal BJT SMT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. |
| JANSF2N2369AUA/TR | Microchip Technology | Description: RH SMALL-SIGNAL BJT Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 400nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 1V Supplier Device Package: UA Part Status: Active Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V Power - Max: 500 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. |
| JANSF2N2369AUA/TR | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 15V 200mA 680mW RH Small-Signal BJT SMT TR | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. |
| JANSF2N2369AUB | Semicoa Semiconductors | Trans GP BJT NPN 15V 0.2A 3-Pin CSOT-23 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. |
| JANSF2N2369AUB | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 20V 200mA 680mW 3 Pin CER RH Small-Signal BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. |
| JANSF2N2369AUB | Microsemi | Trans GP BJT NPN 15V 360mW 4-Pin Case UB Waffle | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. |
| JANSF2N2369AUB | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 15V 400NA UB Packaging: Bulk Package / Case: 4-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 400nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 100mA, 1V Supplier Device Package: UB Grade: Military Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 400 nA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V Power - Max: 360 mW Qualification: MIL-PRF-19500/317 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. |
| JANSF2N2369AUB/TR | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 15V 400NA UB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 400nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 100mA, 1V Supplier Device Package: UB Grade: Military Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 400 nA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V Power - Max: 360 mW Qualification: MIL-PRF-19500/317 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. |
| JANSF2N2369AUB/TR | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 20V 200mA 680mW 3 Pin CER RH Small-Signal BJT TR | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. |
| JANSF2N2369AUBC | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 20V 200mA 680mW 3 Pin CER RH Small-Signal BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3 шт В кошику од. на суму грн. |
| JANSF2N2369AUBC | Semicoa Semiconductors | Switching Silicon NPN Transistor | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| JANSF2N2369AUBC | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 15V 400NA 3SMD Packaging: Bulk Package / Case: 3-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 400nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 100mA, 1V Supplier Device Package: 3-SMD Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 400 nA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V Power - Max: 360 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. |
| JANSF2N2369AUBC/TR | Microchip Technology | Description: RH SMALL-SIGNAL BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. |
| JANSF2N2369AUBC/TR | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 20V 200mA 680mW 3 Pin CER RH Small-Signal BJT TR | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3 шт В кошику од. на суму грн. |
| JANSF2N2484 | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 60V 0.05A TO18 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Supplier Device Package: TO-18 (TO-206AA) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 225 @ 10mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 2nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Packaging: Tray | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. |
| JANSF2N2484 | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 60V 50mA 360mW NPN RH Small-Signal BJT THT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. |
| JANSF2N2484/TR | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT BJTs | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| JANSF2N2906A | Microchip Technology | Description: RH SMALL-SIGNAL BJT Power - Max: 500 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Supplier Device Package: TO-18 (TO-206AA) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 50nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Operating Temperature: -65°C ~ 200°C Transistor Type: PNP Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Packaging: Bulk | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. |
| JANSF2N2906AL | Microchip Technology | Description: RH SMALL-SIGNAL BJT Packaging: Bulk Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: TO-18 (TO-206AA) Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 500 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. |
| JANSF2N2906AUA | Microchip Technology | Description: RH SMALL-SIGNAL BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. |
| JANSF2N2906AUB | Microchip Technology | Description: RH SMALL-SIGNAL BJT Power - Max: 500 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Supplier Device Package: UB DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 50nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Operating Temperature: -65°C ~ 200°C Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 3-SMD, No Lead Packaging: Bulk | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. |
| JANSF2N2906AUB | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 40V 600mA 400mW PNP 3 Pin CER RH Small-Signal BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. |
| JANSF2N2906AUB/TR | Microchip Technology | Description: RH SMALL-SIGNAL BJT Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. |
| JANSF2N2906AUB/TR | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT RH Small-Signal BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. |
| JANSF2N2906AUBC/TR | Microchip Technology | Description: RH SMALL-SIGNAL BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. |
| JANSF2N2906AUBC/TR | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 40V 600mA 400mW PNP 3 Pin CER RH Small-Signal BJT TR | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3 шт В кошику од. на суму грн. |
| JANSF2N2907A | Microchip Technology | Description: TRANS PNP 60V 0.6A TO-18 Packaging: Bulk Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: TO-18 (TO-206AA) Grade: Military Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 500 mW Qualification: MIL-PRF-19500/291 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. |
| JANSF2N2907A | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 60V 600mA 500mW PNP RH Small-Signal BJT THT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. |
| JANSF2N2907AL | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 60V 600mA 500mW PNP RH Small-Signal BJT THT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. |
| JANSF2N2907AL | Microchip Technology | Description: RH SMALL-SIGNAL BJT Transistor Type: PNP Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Packaging: Bulk Power - Max: 500 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Part Status: Active Supplier Device Package: TO-18 (TO-206AA) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 50nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. |
| JANSF2N2907AUA | Microchip Technology | Description: RH SMALL-SIGNAL BJT Power - Max: 500 mW Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Part Status: Active Supplier Device Package: UA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 50nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Operating Temperature: -65°C ~ 200°C Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 4-SMD, No Lead Packaging: Bulk Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. |
| JANSF2N2907AUA | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 60V 600mA 500mW PNP RH Small-Signal BJT SMT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. |
| JANSF2N2907AUB | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT RH Small-Signal BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. |
| JANSF2N2907AUB | Microchip Technology | Description: TRANS PNP 60V 0.6A 3SMD Power - Max: 500 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Part Status: Active Supplier Device Package: UBC DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 50nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 3-SMD, No Lead Packaging: Bulk | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. |
| JANSF2N2907AUB/TR | Microchip Technology | Description: TRANS PNP 60V 0.6A 3SMD Power - Max: 500 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Part Status: Active Supplier Device Package: UBC DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 50nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 3-SMD, No Lead Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. |
| JANSF2N2907AUB/TR | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT RH Small-Signal BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. |
| JANSF2N2907AUBC | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 60V 600mA 500mW PNP 3 Pin CER RH Small-Signal BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| JANSF2N2920 | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT RH Small-Signal BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. |
| JANSF2N2920 | Microchip Technology | Description: RH SMALL-SIGNAL BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. |
| JANSF2N2920L | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT RH Small-Signal BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. |
| JANSF2N2920L | Microchip Technology | Description: RH SMALL-SIGNAL BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. |
| JANSF2N3019 | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 80V 1A 800mW RH Small-Signal BJT THT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. |
| JANSF2N3019 | Microchip Technology | Description: RH SMALL-SIGNAL BJT Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: TO-5AA Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 800 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. |
| JANSF2N3019S | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 80V 1A 800mW RH Small-Signal BJT THT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. |
| JANSF2N3019S | Microchip Technology | Description: RH SMALL-SIGNAL BJT Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 800 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. |
| JANSF2N3057A | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 80V 1A 500mW RH Small-Signal BJT THT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. |
| JANSF2N3057A | Microchip Technology | Description: RH SMALL-SIGNAL BJT Packaging: Bulk Package / Case: TO-206AB, TO-46-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: TO-46 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 500 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. |
| JANSF2N3439U4 | Microchip Technology | Description: RH POWER BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. |
| JANSF2N3439U4 | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT RH Power BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. |
| JANSF2N3634UB | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 140V RH Small-Signal BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
| JANSF2N3634UB | Microchip Technology | Description: TRANS PNP 140V 1A UB DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 50mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 10µA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 3-SMD, No Lead Packaging: Bulk Qualification: MIL-PRF-19500 Power - Max: 1 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Grade: Military Supplier Device Package: UB | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
| JANSF2N3634UB/TR | Microchip Technology | Description: 140V RH SMALL-SIGNAL BJT Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
| JANSF2N3635UB | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 140 V RH Small-Signal BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. |
| JANSF2N3637UB | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 175V 1A 1W3 Pin CER RH Small-Signal BJT THT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. |
| JANSF2N3637UB/TR | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 175V 1A 1W3 Pin CER RH Small-Signal BJT THT TR | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. |
| JANSF2N3700 | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 80V 1A TO-18 Packaging: Bulk Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: TO-18 (TO-206AA) Grade: Military Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 500 mW Qualification: MIL-PRF-19500/391 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. |
| JANSF2N3700 | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 80V 1A 500mW RH Small-Signal BJT THT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. |
| JANSF2N3700UB | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 80V 1A UB Packaging: Bulk Package / Case: 3-LCC Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 500mA, 10V Supplier Device Package: UB Grade: Military Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 500 mW Qualification: MIL-PRF-19500/391 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. |
| JANSF2N3700UB | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 80V 1A 500mW Round-End RH Small-Signal BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| JANSF2N3700UB/TR | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 80V 1A UB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-LCC Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 500mA, 10V Supplier Device Package: UB Grade: Military Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 500 mW Qualification: MIL-PRF-19500/391 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. |
| JANSF2N3700UB/TR | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 80V 1A 500mW Round-End RH Small-Signal BJT TR | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. |
| JANSF2N3810 | Microchip Technology | Description: NPN TRANSISTOR Packaging: Bulk Package / Case: TO-78-6 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: 2 PNP (Dual) Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Power - Max: 350mW Current - Collector (Ic) (Max): 50mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 100µA, 1mA Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V Supplier Device Package: TO-78-6 Grade: Military Qualification: MIL-PRF-19500/336 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. |
| JANSF2N3810 | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Dual RH Small-Signal BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. |
| JANSF2N3810L | Microchip Technology | Description: NPN TRANSISTOR Packaging: Bulk Package / Case: TO-78-6 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: 2 PNP (Dual) Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Power - Max: 350mW Current - Collector (Ic) (Max): 50mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 100µA, 1mA Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V Supplier Device Package: TO-78-6 Grade: Military Qualification: MIL-PRF-19500/336 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. |
| JANSF2N3810L | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT BJTs | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. |
| JANSF2N3810U | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Dual RH Small-Signal BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. |
| JANSF2N3810U | Microchip Technology | Description: NPN TRANSISTOR Packaging: Bulk Package / Case: 6-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP (Dual) Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Power - Max: 350mW Current - Collector (Ic) (Max): 50mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 100µA, 1mA Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V Supplier Device Package: 6-SMD Grade: Military Qualification: MIL-PRF-19500/336 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. |
| JANSF2N3810U | Microsemi | Bipolar Transistors - BJT RH Small-Signal BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| JANSF2N3810U/TR | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Dual RH Small-Signal BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. |
| JANSF2N4449 | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 20V TO46 Qualification: MIL-PRF-19500/317 Grade: Military Power - Max: 360 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Supplier Device Package: TO-46 (TO-206AB) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 100mA, 1V Current - Collector Cutoff (Max): 400nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 10mA, 100mA Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-206AB, TO-46-3 Metal Can Packaging: Bulk | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. |