Продукція > BC8
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BC858B-TP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: TRANS PNP 30V 0.1A SOT-23 Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-23 Frequency - Transition: 200MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 15nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Power - Max: 200 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA | на замовлення 5156 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC858B-TP | MICRO COMMERCIAL COMPONENTS | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 0.1A; 200mW; SOT23 Mounting: SMD Power dissipation: 0.2W Polarisation: bipolar Type of transistor: PNP Current gain: 220...475 Kind of package: reel; tape Case: SOT23 Frequency: 200MHz Collector current: 0.1A Collector-emitter voltage: 30V | на замовлення 5850 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC858B/BS | Nexperia | BC858B/BS | на замовлення 290000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC858B/DG/B4215 | NXP USA Inc. | Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR Packaging: Bulk Part Status: Active | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC858BDW1T1 | ONSEMI | Description: ONSEMI - BC858BDW1T1 - BC858BDW1T1, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 90000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 13889 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC858BDW1T1 | onsemi | Description: TRANS 2PNP 30V 100MA SC88/SC70 Packaging: Bulk Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 380mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Part Status: Active | на замовлення 90000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC858BE6327 | Infineon Technologies | Description: TRANS PNP 30V 0.1A SOT23 Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 330 mW | на замовлення 121603 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC858BE6327 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 0.1A; 0.33W; SOT23 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 30V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.33W Case: SOT23 Mounting: SMD Frequency: 250MHz | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 20 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC858BE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC858BE6327HTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP Type of transistor: PNP | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC858BE6327HTSA1 | Infineon | Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 330mW Automotive 3-Pin SOT-23 BC858BE6327HTSA1 INF TBC858b INF кількість в упаковці: 500 шт | на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC858BE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 28080 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC858BE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC858BE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 111000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC858BE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC858BE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: TRANS PNP 30V 0.1A PG-SOT23 Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: PG-SOT23 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 330 mW | на замовлення 543066 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC858BE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC858BE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC858BE6327HTSA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BC858BE6327HTSA1 - BC858 - GENERAL PURPOSE TRANSISTOR tariffCode: 85412100 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: TBC hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 16618 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 7519 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC858BE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 135000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC858BE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 48000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC858BE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 45000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC858BE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - BJT NPN Silicon AF TRANSISTOR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC858BE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: TRANS PNP 30V 0.1A PG-SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Last Time Buy Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 330 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 45000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC858BE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 45000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC858BE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 200001 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC858BE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 69000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC858BE6433HTMA1 | Infineon Technologies | Description: TRANS PNP 30V 0.1A PG-SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Last Time Buy Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 330 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 40000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC858BE6433HTMA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 39000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC858BE6433HTMA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BC858BE6433HTMA1 - BC858 - GENERAL PURPOSE TRANSISTOR tariffCode: 85412100 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: TBC hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 39000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 7519 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC858BE6433HTMA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 40000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC858BE6433HTMA1 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - BJT AF TRANSISTORS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC858BE6433HTMA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 40000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC858BE6433HTMA1 | Infineon Technologies | Description: TRANS PNP 30V 0.1A PG-SOT23 Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: PG-SOT23 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 330 mW | на замовлення 69000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC858BE6433HTMA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC858BE6433HTMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP Type of transistor: PNP | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 40000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC858BF | INFINEON | 04+ROHS SOT-523 | на замовлення 15000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC858BHE3-TP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: TRANS PNP 30V 0.1A SOT-23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: SOT-23 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 310 mW Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC858BHE3-TP | Micro Commercial Components (MCC) | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC858BHZGT116 | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 350mW 3-Pin SST T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC858BHZGT116 | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 0.1A; 200mW; SOT23 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 30V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.2W Case: SOT23 Current gain: 210...480 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 250MHz | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC858BHZGT116 | ROHM | Description: ROHM - BC858BHZGT116 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 100 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 210hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 350mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 250MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 3293 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC858BHZGT116 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PNP 30V 0.1A SST3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 210 @ 2mA, 5V Supplier Device Package: SST3 Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 200 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 236 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC858BHZGT116 | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 350mW 3-Pin SST T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC858BHZGT116 | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT SOT-23 BIPOLAR BJT PNP | на замовлення 3374 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC858BHZGT116 | ROHM | Description: ROHM - BC858BHZGT116 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 100 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 210hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 350mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 250MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 3293 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC858BHZGT116 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PNP 30V 0.1A SST3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 210 @ 2mA, 5V Supplier Device Package: SST3 Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 200 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC858BHZGT116 | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 350mW 3-Pin SST T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 2800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 1924 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC858BL | onsemi | SS SOT23 GP XSTR PNP 30V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC858BL3-TP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: TRANS PNP 30V 0.1A DFN1006-3 Packaging: Bulk Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: DFN1006-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 150 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC858BL3-TP | Micro Commercial Components (MCC) | Bipolar Transistors - BJT PNP SILICON TRANSISTOR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC858BL3E6327 | Infineon Technologies | Description: TRANS PNP 30V 0.1A PG-SOT23 Power - Max: 250 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PG-SOT23 Frequency - Transition: 250MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC858BLT1 | onsemi | Description: TRANS PNP LP 100MA 30V SOT23 Packaging: Bulk Part Status: Obsolete | на замовлення 446496 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC858BLT1 | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 25109 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC858BLT1 | ON | SOT23 | на замовлення 855000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC858BLT1 Код товару: 1812
Додати до обраних
Обраний товар
| ON | Транзистори > Біполярні PNP Корпус: SOT-23 Гранична частота fT, МГц: 150 МГц Напруга Uке, В: 30 В Напруга Uкб, В: 30 В Струм Iк, А: 0,1 А Коефіцієнт підсилення h21, max: 475 УКТЗЕД: 8541 21 00 90 | у наявності: 2296 шт
|
| ||||||||||||||||||
| BC858BLT1 | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 417940 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC858BLT1 | ONSEMI | Description: ONSEMI - BC858BLT1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 100mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 19655 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC858BLT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 690000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC858BLT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 63621 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC858BLT1G | On Semiconductor | Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC858BLT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - BC858BLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 30 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 225mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BCxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 20668 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC858BLT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 299155 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC858BLT1G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 100mA 30V PNP | на замовлення 105 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC858BLT1G | onsemi | Description: TRANS PNP 30V 0.1A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 300 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC858BLT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 299155 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC858BLT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 63621 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC858BLT1G | BC858BLT1G Транзисторы | на замовлення 1096 шт: термін постачання 4 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BC858BLT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - BC858BLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 30 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 225mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BCxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 20668 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC858BLT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 690000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC858BLT1G | onsemi | Description: TRANS PNP 30V 0.1A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 300 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC858BLT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 66000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC858BLT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC858BLT1G | ONSEMI | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 0.1A; 0.225W; SOT23,TO236AB Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 30V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 220...475 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz | на замовлення 2050 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC858BLT1G | BC858BLT1G Транзисторы | на замовлення 104 шт: термін постачання 4 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BC858BLT3 | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 450000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC858BLT3 | On Semiconductor | Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC858BLT3 | ONSEMI | Description: ONSEMI - BC858BLT3 - BC858BLT3, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 450000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 20000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC858BLT3 | onsemi | Description: TRANS PNP GP 30V 100MA SOT-23 Packaging: Bulk Part Status: Obsolete | на замовлення 450000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC858BLT3G | onsemi | Description: TRANS PNP 30V 0.1A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 300 mW | на замовлення 7698 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC858BLT3G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC858BLT3G | ONSEMI | Description: ONSEMI - BC858BLT3G - Transistor, PNP, 30V, 0.1A, 150°C, 0.225W, SOT-23, 100MHz Transistormontage: Oberflächenmontage DC-Stromverstärkung hFE: 290 Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 100 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 225 Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30 Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 20000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC858BLT3G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 2800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC858BLT3G | ONSEMI | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 0.1A; 0.225W; SOT23,TO236AB Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 30V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 220...475 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC858BLT3G | onsemi | Description: TRANS PNP 30V 0.1A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 300 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC858BLT3G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 2800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 650 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC858BLT3G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 100mA 30V PNP | на замовлення 10402 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC858BLT3G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC858BM3-TP | Micro Commercial Components (MCC) | Bipolar Transistors - BJT PNP SIGNAL TRANSISTOR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC858BM3-TP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: TRANS PNP 30V 0.1A SOT-723 Power - Max: 265 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Supplier Device Package: SOT-723 Frequency - Transition: 100MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 1mA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-723 Packaging: Bulk | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 8000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC858BMTF | ON Semiconductor / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT SOT-23 PNP GP AMP | на замовлення 9980 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC858BMTF | FAIRCHILD | Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 48000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC858BMTF | Fairchild Semiconductor | Description: TRANS PNP 30V 0.1A SOT-23-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 310 mW | на замовлення 61020 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC858BMTF | FAIRCHILD | Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 23730 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC858BMTF | onsemi | Description: TRANS PNP 30V 0.1A SOT-23-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC858BMTF | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 310mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 57000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC858BMTF | FAIRCHILD | Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 19110 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC858BMTF | onsemi | Description: TRANS PNP 30V 0.1A SOT-23-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 310 mW | на замовлення 57000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC858BMTF | FAIRCHILD | Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC858BMTF | ONSEMI | Description: ONSEMI - BC858BMTF - BC858BMTF, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 61020 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 15000 шт В кошику од. на суму грн. |

