НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
BCP5616TCDIODES INC.Description: DIODES INC. - BCP5616TC - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 2W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: BCP56
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 4195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCP5616TCDIODES INCORPORATEDCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 2W; SOT223
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1A
Power dissipation: 2W
Case: SOT223
Current gain: 25...250
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 150MHz
Manufacturer standard package: 4000pcs.
на замовлення 2677 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
20+23.30 грн
50+11.91 грн
100+9.90 грн
250+7.97 грн
1000+6.12 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCP5616TCDiodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT NPN Medium Power
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCP5616TCDIODES INC.Description: DIODES INC. - BCP5616TC - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 2W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: BCP56
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 4195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCP5616TCDiodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 80V 1A SOT-223-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 125MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCP5616TQTADiodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 80V 1A SOT-223-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2.5 W
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCP5616TQTADiodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor SOT223 T&R 1K
на замовлення 82 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BCP5616TQTADiodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 80V 1A SOT-223-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2.5 W
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCP5616TQTADiodes Zetex80V NPN Medium Power Transistor In SOT223
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+8.25 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCP5616TQTCDiodes Zetex80V NPN Medium Power Transistor Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCP5616TQTCDiodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 80V 1A SOT-223-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2.5 W
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 24000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCP5616TQTCDiodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor SOT223 T&R 4K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCP5616TTADIODES INC.Description: DIODES INC. - BCP5616TTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 2.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCP5616TTADiodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 80V 1A SOT-223-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2.5 W
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+9.03 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCP5616TTADiodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor SOT223 T&R 1K
на замовлення 526 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BCP5616TTADIODES INC.Description: DIODES INC. - BCP5616TTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 2.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCP5616TTADiodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 80V 1A SOT-223-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2.5 W
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+35.27 грн
15+20.68 грн
25+17.15 грн
50+14.01 грн
100+12.25 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCP5616TTADiodes Zetex80V NPN Medium Power Transistor
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCP5616TTCDiodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 80V 1A SOT-223-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2.5 W
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 32000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCP5616TTCDiodes Zetex80V NPN Medium Power Transistor
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCP5616TTCDiodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor SOT223 T&R 4K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCP56FNexperiaTrans GP BJT NPN 80V 1A 1350mW 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
на замовлення 2617 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+34.10 грн
36+21.01 грн
100+12.95 грн
500+9.52 грн
1000+7.47 грн
2000+6.69 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCP56FNexperiaBipolar Transistors - BJT BCP56/SOT223/SC-73
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCP56FNexperiaTrans GP BJT NPN 80V 1A 1350mW 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
на замовлення 2617 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
674+21.01 грн
1093+12.95 грн
1433+9.87 грн
1692+8.06 грн
2000+6.97 грн
Мінімальне замовлення: 674 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCP56FNexperiaТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCP56H,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - BCP56H,115 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCP56H,115Nexperia USA Inc.Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 155MHz
Supplier Device Package: SOT-223
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2.2 W
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCP56H-QXNexperiaBipolar Transistors - BJT 80 V, 1 A NPN medium power transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCP56H-QXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BCP56H-QX - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 2.2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Verlustleistung: 2.2W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: BCP56H-Q Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 155MHz
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCP56H-QXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BCP56H-QX - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 2.2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCP56H115NXP USA Inc.Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCP56HXNexperiaTrans GP BJT NPN 80V 1A 2200mW 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
399+35.45 грн
439+32.23 грн
645+21.94 грн
838+16.29 грн
Мінімальне замовлення: 399 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCP56HXNexperiaTrans GP BJT NPN 80V 1A 2200mW 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2198+16.09 грн
10000+14.34 грн
Мінімальне замовлення: 2198 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCP56HXNEXPERIACategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 2.2W; SC73,SOT223
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1A
Power dissipation: 2.2W
Case: SC73; SOT223
Current gain: 63...250
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 155MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCP56HXNexperia USA Inc.Description: TRANS NPN 80V 1A SOT-223
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-223
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1459+15.45 грн
Мінімальне замовлення: 1459 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCP56HXNexperiaTrans GP BJT NPN 80V 1A 2200mW 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 6800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
607+23.34 грн
677+20.89 грн
1148+12.32 грн
Мінімальне замовлення: 607 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCP56HXNexperiaTrans GP BJT NPN 80V 1A 2200mW 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 63292 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2198+16.09 грн
10000+14.34 грн
Мінімальне замовлення: 2198 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCP56HXNexperiaТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCP56HXNexperia USA Inc.Description: TRANS NPN 80V 1A SOT-223
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCP56HXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BCP56HX - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5427 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCP56HXNexperiaTrans GP BJT NPN 80V 1A 2200mW 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCP56HXNexperiaTrans GP BJT NPN 80V 1A 2200mW 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 10250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2198+16.09 грн
10000+14.34 грн
Мінімальне замовлення: 2198 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCP56HXNexperiaTrans GP BJT NPN 80V 1A 2200mW 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCP56HXNexperiaTrans GP BJT NPN 80V 1A 2200mW 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+58.35 грн
22+35.45 грн
50+32.23 грн
100+21.16 грн
500+15.09 грн
1000+9.20 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCP56HXNexperiaBipolar Transistors - BJT BCP56H/SOT223/SC-73
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCP56HXNexperia USA Inc.Description: TRANS NPN 80V 1A SOT-223
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCP56HXNexperiaTrans GP BJT NPN 80V 1A 2200mW 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 6800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+61.17 грн
21+37.55 грн
50+33.78 грн
100+22.50 грн
500+18.66 грн
1000+10.56 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCP56HXNexperiaTrans GP BJT NPN 80V 1A 2200mW 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 52329 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2198+16.09 грн
10000+14.34 грн
Мінімальне замовлення: 2198 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCP56MTWGON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 1A 1500mW 3-Pin WDFNW EP T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCP56MTWGonsemiBipolar Transistors - BJT 80V1A NPNWDFNW3 2X2
на замовлення 12886 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BCP56MTWGON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 1A 1500mW 3-Pin WDFNW EP T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCP56MTWGonsemiDescription: TRANS NPN 80V 1A 3WDFNW
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: 3-WDFNW (2x2)
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.5 W
на замовлення 870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+50.95 грн
10+30.57 грн
100+19.72 грн
500+14.11 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCP56TNexperiaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCP56T,115Nexperia USA Inc.Description: 1A, 80V, NPN, SILICON
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCP56T-QFNexperia USA Inc.Description: TRANS NPN 80V 1A SOT-223
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCP56T-QFNexperiaBipolar Transistors - BJT BCP56T-Q/SOT223/SC-73
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCP56T-QFNexperia USA Inc.Description: TRANS NPN 80V 1A SOT-223
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCP56T-QXNexperiaBipolar Transistors - BJT BCP56T-Q/SOT223/SC-73
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BCP56T-QXNEXPERIACategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 1.8W; SC73,SOT223
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1A
Power dissipation: 1.8W
Case: SC73; SOT223
Current gain: 63...250
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 155MHz
Application: automotive industry
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCP56T1
Код товару: 35895
Додати до обраних Обраний товар
PhilipsТранзистори > Біполярні NPN
Корпус: SOT-223
Гранична частота fT: 130 МГц
Напруга колектор-емітер Uceo, В: 80 В
Напруга колектор-база Ucbo, В: 100 В
Струм колектора Ic, А: 1 А
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
5+4.00 грн
10+3.50 грн
100+3.10 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCP56T1ON SemiconductorDescription: TRANS NPN 80V 1A SOT223
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCP56T1onsemiBipolar Transistors - BJT 1A 100V NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCP56T1ONSOT-223
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BCP56T1ON SemiconductorDescription: TRANS NPN 80V 1A SOT223
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCP56T1GON SemiconductorТранзистор NPN, Ptot, Вт = 1,5, Uceo, В = 80, Ic = 1 А, Тип монт. = smd, ft, МГц = 130, hFE = 40 @ 150 мА, 2 В, Icutoff-max = 100 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 50 мА, 500 мА, Тексп, °С = -65...+150,... Транзистори Корпус: SOT-223 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 1000 шт
на замовлення 380 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
1000+29.49 грн
Мінімальне замовлення: 380 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCP56T1GonsemiDescription: TRANS NPN 80V 1A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.5 W
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCP56T1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 1A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 439 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
378+37.44 грн
Мінімальне замовлення: 378 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCP56T1GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 1.5W; SOT223-4,TO261-4
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT223-4; TO261-4
Current gain: 40...250
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 130MHz
на замовлення 799 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
11+44.25 грн
14+32.20 грн
15+28.35 грн
50+20.38 грн
100+17.44 грн
250+13.84 грн
500+11.49 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCP56T1GonsemiBipolar Transistors - BJT 1A 100V NPN
на замовлення 18839 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BCP56T1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 1A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+15.94 грн
2000+14.97 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCP56T1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 1A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCP56T1GON-SemiconductorNPN 1A 80V 2W BCP56T1G , BCP56,115 ; BCP56T1 smd ONS TBCP56t1
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 414 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+9.56 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCP56T1GonsemiDescription: TRANS NPN 80V 1A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.5 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCP56T1GONSEMIDescription: ONSEMI - BCP56T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 80 V, 1 A, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 1.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: BCxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 130MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 6896 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCP56T1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 1A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 439 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+59.72 грн
21+37.44 грн
100+24.31 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCP56T1GOn SemiconductorTRANS NPN 80V 1A SOT223-4 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCP56T1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 1A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+15.85 грн
2000+14.89 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCP56T1GONSEMIDescription: ONSEMI - BCP56T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 80 V, 1 A, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 1.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: BCxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 130MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 6896 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCP56T1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 1A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 59000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+18.27 грн
3000+17.81 грн
5000+17.53 грн
8000+16.69 грн
25000+15.26 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCP56T3
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BCP56T3GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 1A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCP56T3GONSEMIDescription: ONSEMI - BCP56T3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 1.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 130MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 4049 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCP56T3GonsemiDescription: TRANS NPN 80V 1A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.5 W
на замовлення 3981 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+45.46 грн
12+27.32 грн
100+17.50 грн
500+12.44 грн
1000+11.16 грн
2000+10.07 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCP56T3GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 1A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
373+37.97 грн
594+23.84 грн
773+18.31 грн
1000+15.36 грн
Мінімальне замовлення: 373 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCP56T3GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 1A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCP56T3GonsemiDescription: TRANS NPN 80V 1A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.5 W
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCP56T3GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 1A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+61.03 грн
20+37.97 грн
100+23.84 грн
500+17.66 грн
1000+14.22 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCP56T3GONSEMIDescription: ONSEMI - BCP56T3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 1.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 130MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 4049 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCP56T3GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 1.5W; SOT223-4,TO261-4
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT223-4; TO261-4
Current gain: 40...250
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 130MHz
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCP56T3GOn SemiconductorTRANSISTOR NPN 80V 1A SOT-223 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCP56T3GonsemiBipolar Transistors - BJT 1A 100V NPN
на замовлення 43146 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BCP56T3GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 1A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCP56T3GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 1A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+23.55 грн
38+20.07 грн
100+16.13 грн
250+14.86 грн
500+9.59 грн
Мінімальне замовлення: 33 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCP56TADiodesBCP56TA NPN 80V 1A 2W SOT-223 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCP56TADiodes ZetexTrans GP BJT NPN 80V 1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 9015 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1364+10.37 грн
1875+7.54 грн
3000+7.47 грн
Мінімальне замовлення: 1364 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCP56TADIODES INC.Description: DIODES INC. - BCP56TA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 2W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCP56 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCP56TADIODES INCORPORATEDCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 2W; SOT223
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1A
Power dissipation: 2W
Case: SOT223
Current gain: 25...250
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 150MHz
Manufacturer standard package: 1000pcs.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCP56TADIODES/ZETEXTrans GP BJT NPN 80V 1A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R BCP56TA DIODES TBCP56TA Diodes
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 870 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
300+2.87 грн
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCP56TADiodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor SOT223 T&R 1K
на замовлення 4996 шт:
термін постачання 329-338 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BCP56TADiodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 80V 1A SOT-223-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.