Продукція > BCP
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BCP5616TA | Diodes INC. | Транзистор NPN, Uceo, В = 80, hFE = 250, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 50мА, 500мА, Р, Вт = 2, Тексп, °C = -55...+150,... Транзистори Корпус: SOT-223 Од. вим: шт кількість в упаковці: 1000 шт | на замовлення 3155 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCP5616TA BCP56-16 | Diodes | TRANS NPN 80V 1A SOT223 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCP5616TC | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - BCP5616TC - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-223 Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: BCP56 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 150MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 2598 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCP5616TC | DIODES INCORPORATED | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 2W; SOT223 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 1A Power dissipation: 2W Case: SOT223 Current gain: 25...250 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 150MHz Quantity in set/package: 4000pcs. | на замовлення 6 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCP5616TC | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - BCP5616TC - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-223 Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: BCP56 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 150MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 2598 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCP5616TC | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 80V 1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCP5616TC | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT NPN Medium Power | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCP5616TC | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 80V 1A SOT-223-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 125MHz Supplier Device Package: SOT-223-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 2 W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCP5616TQTA | Diodes Zetex | 80V NPN Medium Power Transistor In SOT223 | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCP5616TQTA | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor SOT223 T&R 1K | на замовлення 223 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCP5616TQTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 80V 1A SOT-223-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: SOT-223-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 2.5 W Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCP5616TQTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 80V 1A SOT-223-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: SOT-223-3 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 2.5 W Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCP5616TQTC | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 80V 1A SOT-223-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: SOT-223-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 2.5 W Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCP5616TQTC | Diodes Zetex | 80V NPN Medium Power Transistor Automotive AEC-Q101 | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCP5616TQTC | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor SOT223 T&R 4K | на замовлення 3213 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCP5616TTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 80V 1A SOT-223-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: SOT-223-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 2.5 W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCP5616TTA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - BCP5616TTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 2.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 1A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 150MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCP5616TTA | Diodes Zetex | 80V NPN Medium Power Transistor | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCP5616TTA | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor SOT223 T&R 1K | на замовлення 634 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCP5616TTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 80V 1A SOT-223-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: SOT-223-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 2.5 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCP5616TTA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - BCP5616TTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 2.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 1A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 150MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCP5616TTC | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 80V 1A SOT-223-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: SOT-223-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 2.5 W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCP5616TTC | Diodes Zetex | 80V NPN Medium Power Transistor | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCP5616TTC | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor SOT223 T&R 4K | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 9 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCP56F | Nexperia | Trans GP BJT NPN 80V 1A 1350mW 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R | на замовлення 3067 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCP56F | Nexperia | Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCP56F | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS NPN 80V 1A SOT-223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 155MHz Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 600 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCP56F | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT SOT223 80V 1A NPN BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 13 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCP56F | Nexperia | Trans GP BJT NPN 80V 1A 1350mW 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R | на замовлення 3067 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCP56F | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS NPN 80V 1A SOT-223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 155MHz Supplier Device Package: SOT-223 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 600 mW Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCP56H,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BCP56H,115 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCP56H,115 | Nexperia USA Inc. | Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR Packaging: Bulk Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 175°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 155MHz Supplier Device Package: SOT-223 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 2.2 W Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCP56H-QX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BCP56H-QX - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 2.2 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) rohsCompliant: YES euEccn: NLR isCanonical: N hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 | на замовлення 940 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCP56H-QX | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT 80 V, 1 A NPN medium power transistors | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 9 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCP56H-QX | Nexperia USA Inc. | Description: BCP56H-Q/SOT223/SC-73 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCP56H-QX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BCP56H-QX - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 2.2 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Verlustleistung: 2.2W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-223 Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: BCP56H-Q Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 155MHz Betriebstemperatur, max.: 175°C | на замовлення 940 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCP56H-QX | Nexperia USA Inc. | Description: BCP56H-Q/SOT223/SC-73 Qualification: AEC-Q101 Power - Max: 725 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Grade: Automotive Supplier Device Package: SOT-223 Frequency - Transition: 155MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Operating Temperature: 175°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCP56H115 | NXP USA Inc. | Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR Packaging: Bulk Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCP56HX | Nexperia | Trans GP BJT NPN 80V 1A 2200mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCP56HX | Nexperia | Trans GP BJT NPN 80V 1A 2200mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R | на замовлення 52329 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCP56HX | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS NPN 80V 1A SOT-223 Packaging: Bulk Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 175°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-223 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCP56HX | Nexperia | Trans GP BJT NPN 80V 1A 2200mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCP56HX | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS NPN 80V 1A SOT-223 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCP56HX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BCP56HX - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 5427 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCP56HX | Nexperia | Trans GP BJT NPN 80V 1A 2200mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCP56HX | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT SOT223 80V 1A NPN BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 8 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCP56HX | Nexperia | Trans GP BJT NPN 80V 1A 2200mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R | на замовлення 65427 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCP56HX | Nexperia | Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCP56HX | Nexperia | Trans GP BJT NPN 80V 1A 2200mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R | на замовлення 10250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCP56HX | NEXPERIA | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 2.2W; SC73,SOT223 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 1A Power dissipation: 2.2W Case: SC73; SOT223 Current gain: 63...250 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 155MHz | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCP56HX | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS NPN 80V 1A SOT-223 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCP56MTWG | onsemi | Description: TRANS NPN 80V 1A 3WDFNW Packaging: Bulk Package / Case: 3-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 140MHz Supplier Device Package: 3-WDFNW (2x2) Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1.5 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCP56MTWG | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 80V 1A 1500mW 3-Pin WDFNW EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCP56MTWG | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 80V1A NPNWDFNW3 2X2 | на замовлення 3331 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCP56T | Nexperia | Array | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCP56T,115 | Nexperia USA Inc. | Description: 1A, 80V, NPN, SILICON Packaging: Bulk Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCP56T-QF | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT SOT223 80V 1A NPN BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 12 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCP56T-QF | NEXPERIA | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 1.8W; SC73,SOT223 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 1A Power dissipation: 1.8W Case: SC73; SOT223 Current gain: 63...250 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 155MHz Application: automotive industry | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCP56T-QF | Nexperia | Trans GP BJT NPN 80V 1A 1800mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R | на замовлення 72000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCP56T-QX | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT SOT223 80V 1A NPN BJT | на замовлення 37 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCP56T-QX | NEXPERIA | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 1.8W; SC73,SOT223 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 1A Power dissipation: 1.8W Case: SC73; SOT223 Current gain: 63...250 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 155MHz Application: automotive industry | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCP56T-QX | Nexperia | Trans GP BJT NPN 80V 1A 1800mW 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 139000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCP56T1 | ON Semiconductor | Description: TRANS NPN 80V 1A SOT223 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCP56T1 | ON | SOT-223 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCP56T1 Код товару: 35895
Додати до обраних
Обраний товар
| Philips | Транзистори > Біполярні NPN Корпус: SOT-223 fT: 130 MHz Uceo,V: 80 V Ucbo,V: 100 V Ic,A: 1 A Монтаж: SMD | товару немає в наявності
|
| ||||||||||||||||||
| BCP56T1 | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 1A 100V NPN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCP56T1 | ON Semiconductor | Description: TRANS NPN 80V 1A SOT223 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCP56T1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 80V 1A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 149000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCP56T1G | onsemi | Description: TRANS NPN 80V 1A SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 130MHz Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1.5 W | на замовлення 11000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCP56T1G | ON-Semiconductor | NPN 1A 80V 2W BCP56T1G , BCP56,115 ; BCP56T1 smd ONS TBCP56t1 кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 414 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCP56T1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - BCP56T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 80 V, 1 A, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 1.5W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-223 Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: BCxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 130MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 771 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCP56T1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 80V 1A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 439 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCP56T1G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 1A 100V NPN | на замовлення 25804 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCP56T1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - BCP56T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 80 V, 1 A, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 1.5W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-223 Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: BCxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 130MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 771 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCP56T1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 80V 1A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 439 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCP56T1G | onsemi | Description: TRANS NPN 80V 1A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 130MHz Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1.5 W | на замовлення 11525 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCP56T1G | ON Semiconductor | Транзистор NPN, Ptot, Вт = 1,5, Uceo, В = 80, Ic = 1 А, Тип монт. = smd, ft, МГц = 130, hFE = 40 @ 150 мА, 2 В, Icutoff-max = 100 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 50 мА, 500 мА, Тексп, °С = -65...+150,... Транзистори Корпус: SOT-223 Од. вим: шт кількість в упаковці: 1000 шт | на замовлення 280 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCP56T1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 80V 1A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 59000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCP56T1G | ONSEMI | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 1.5W; SOT223-4,TO261-4 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 1A Power dissipation: 1.5W Case: SOT223-4; TO261-4 Current gain: 40...250 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 130MHz | на замовлення 3537 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCP56T1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - BCP56T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 80 V, 1 A, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 1.5W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-223 Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 130MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCP56T1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 80V 1A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 149000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCP56T1G | On Semiconductor | TRANS NPN 80V 1A SOT223-4 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCP56T3 | на замовлення 50000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| BCP56T3G | ONSEMI | Description: ONSEMI - BCP56T3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 1.5W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-223 Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 130MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 1774 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCP56T3G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 80V 1A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 725 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCP56T3G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 80V 1A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCP56T3G | onsemi | Description: TRANS NPN 80V 1A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 130MHz Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1.5 W | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCP56T3G | ONSEMI | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 1.5W; SOT223-4,TO261-4 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 1A Power dissipation: 1.5W Case: SOT223-4; TO261-4 Current gain: 40...250 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 130MHz | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCP56T3G | On Semiconductor | TRANSISTOR NPN 80V 1A SOT-223 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCP56T3G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 80V 1A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 1620 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCP56T3G | ONSEMI | Description: ONSEMI - BCP56T3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 1.5W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-223 Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 130MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 1774 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCP56T3G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 80V 1A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCP56T3G | onsemi | Description: TRANS NPN 80V 1A SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 130MHz Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1.5 W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCP56T3G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 80V 1A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 725 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCP56T3G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 1A 100V NPN | на замовлення 1150 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCP56T3G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 80V 1A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 1620 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCP56TA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 80V 1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 43000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCP56TA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - BCP56TA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 2W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-223 Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BCP56 Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 150MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 29 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BCP56TA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 80V 1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BCP56TA | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor SOT223 T&R 1K | на замовлення 160 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|

