Продукція > STB

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
STB46NF30STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 300V 42A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB46NF30STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 300 V, 0.063 Ohm typ 42 A STripFET II Power MOSFET
на замовлення 2996 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB46NF30STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STB46NF30 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 42 A, 0.063 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET II
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.063ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2637 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB46NF30STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 300V 42A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB46NF30STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 300V 42A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 25 V
на замовлення 171 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+319.20 грн
10+203.50 грн
100+144.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB46NF30STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 300V 42A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB47N50DM6AGSTMicroelectronicsMOSFETs Automotive-grade N-channel 500 V, 61 mOhm typ., 38 A MDmesh DM6 Power MOSFET in
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB47N50DM6AGSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 38A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB47N50DM6AGSTMicroelectronicsDescription: AUTOMOTIVE-GRADE N-CHANNEL 500 V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 71mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+184.58 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB47N50DM6AGSTMicroelectronicsDescription: AUTOMOTIVE-GRADE N-CHANNEL 500 V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 71mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1434 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+479.96 грн
10+311.19 грн
100+225.80 грн
500+200.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB47N60DM6AGSTMicroelectronicsDescription: AUTOMOTIVE-GRADE N-CHANNEL 600 V
на замовлення 68 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+566.17 грн
10+369.45 грн
50+294.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB47N60DM6AGSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 36A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+683.24 грн
50+481.00 грн
100+472.50 грн
200+345.36 грн
500+303.75 грн
1000+254.18 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB47N60DM6AGSTMicroelectronicsDescription: AUTOMOTIVE-GRADE N-CHANNEL 600 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB47N60DM6AGSTMicroelectronicsMOSFETs Automotive-grade N-channel 600 V, 70 mOhm typ., 36 A MDmesh DM6 Power MOSFET in
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB47N60DM6AGSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 36A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB4N62K3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 620V 3.8A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95Ohm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 620 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB4N62K3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 620V 3.8A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95Ohm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 620 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 50 V
на замовлення 993 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+204.25 грн
10+127.29 грн
50+97.39 грн
100+82.34 грн
500+66.47 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB4N62K3STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 620V 3.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+87.19 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB4N80ET4onsemiDescription: RF MOSFET 800V D2PAK
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 38400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
185+106.86 грн
Мінімальне замовлення: 185 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB4NA60
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB4NB50ST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB4NB80ST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB4NB80FPSTTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB4NB80T4STMTO-263
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB4NC50ST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB4NC60ST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB4NC60-1STTO-263/D2-PAK
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB4NC60A-1STTO-263/D2-PAK
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB4NC80ZSTTO-263/D2-PAK
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB4NC80Z-1STTO-263/D2-PAK
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB4NK60S (біполярний транзистор NPN)
Код товару: 19150
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB4NK60Z
Код товару: 155603
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB4NK60ZST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB4NK60Z-1STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch, 600V-1.76ohms Zener SuperMESH 4A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB4NK60Z-1STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 4A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: I2PAK
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB4NK60Z-1STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Tube
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+27.30 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB4NK60Z-1STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 70W; TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 70W
Case: TO262-3
Mounting: THT
Gate charge: 26nC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB4NK60Z-1-HSTMicroelectronicsMOSFETs Power MOSFETs, N-Channel (>400V to 650V), POWER MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB4NK60ZT4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STB4NK60ZT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 2 A, 1.76 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
Verlustleistung: 70W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.76ohm
на замовлення 605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB4NK60ZT4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 4A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+65.20 грн
3000+56.10 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB4NK60ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+48.58 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB4NK60ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+48.58 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB4NK60ZT4
Код товару: 61457
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB4NK60ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 983 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+64.55 грн
25+63.53 грн
100+60.27 грн
250+54.89 грн
500+51.81 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB4NK60ZT4STMMOSFET N-CH 600V 4A D2PAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB4NK60ZT4STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 600 Volt 4 Amp Zener SuperMESH
на замовлення 1463 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB4NK60ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+67.33 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB4NK60ZT4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STB4NK60ZT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 2 A, 1.76 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
Verlustleistung: 70W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.76ohm
на замовлення 605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB4NK60ZT4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 4A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V
на замовлення 4228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+197.26 грн
10+122.73 грн
50+93.77 грн
100+79.23 грн
500+63.86 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB4NK60ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 983 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
220+64.55 грн
224+63.53 грн
227+62.50 грн
250+59.28 грн
500+53.97 грн
Мінімальне замовлення: 220 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB4NK60ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+49.75 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB50N25M5STMicroelectronicsMOSFET N-Channel 150V to 400V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB50N25M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 250V 28A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB50N30M8AGSTMicroelectronicsDescription: D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB50N65DM6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 33A D2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB50N65DM6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB50NE08ST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB50NE10ST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB50NE10LSTTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB50NE10L-T4
на замовлення 3833 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB50NE10LT4STM07+ TO-263
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB50NE10T4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 100V 50A D2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB50NF25STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 250V 45A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2670 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB50NF25STMicroelectronicsMOSFET Hi Vltg Pwr SCHOTTKY RECTIF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB50NF25STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 250V 45A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2670 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB50NH02LST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB50NH02LT4
на замовлення 5500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB5100AUBSTMicroelectronicsSTMicroelectronics Set-Top-Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB5100AUBLSTMicroelectronicsSTMicroelectronics Set-Top-Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB5100AUCSTMicroelectronicsSTMicroelectronics Set-Top-Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB5100AUCLSTMicroelectronicsSTMicroelectronics Set-Top-Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB5100CUBSTMicroelectronicsSTMicroelectronics
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB5100CUBLSTMicroelectronicsSTMicroelectronics Set-Top-Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB5100CUCSTMicroelectronicsSTMicroelectronics Set-Top-Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB5100CUCLSTMicroelectronicsSTMicroelectronics Set-Top-Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB5100GUBSTMicroelectronicsSTMicroelectronics Set-Top-Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB5100GUBLSTMicroelectronicsSTMicroelectronics
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB5100GUCLSTMicroelectronicsSTMicroelectronics Set-Top-Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB5100HUBSTMicroelectronicsSTMicroelectronics Set-Top-Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB5100HUBLSTMicroelectronicsSTMicroelectronics
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB5100HUCSTMicroelectronicsSTMicroelectronics Set-Top-Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB5100HUCLSTMicroelectronicsSTMicroelectronics Set-Top-Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB5100IUBSTMicroelectronicsSTMicroelectronics
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB5100IUBLSTMicroelectronicsSTMicroelectronics
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB5100IUCSTMicroelectronicsSTMicroelectronics Set-Top-Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB5100IUCLSTMicroelectronicsSTMicroelectronics Set-Top-Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB5100KUBSTMicroelectronicsSTMicroelectronics
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB5100KUBLSTMicroelectronicsSTMicroelectronics
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB5100KUCSTMicroelectronicsSTMicroelectronics Set-Top-Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB5100KUCLSTMicroelectronicsSTMicroelectronics
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB5100LUBSTMicroelectronicsSTMicroelectronics Set-Top-Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB5100LUBLSTMicroelectronicsSTMicroelectronics
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB5100LUBTLSTMicroelectronicsSTMicroelectronics Set-Top-Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB5100LUCSTMicroelectronicsSTMicroelectronics Set-Top-Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB5100LUCLSTMicroelectronicsSTMicroelectronics Set-Top-Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB5100PUCLSTMicroelectronicsSTMicroelectronics Set-Top-Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB5100TRSMC DIODE SOLUTIONSCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SMD; 100V; 5A; reel,tape
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.1kV
Load current: 5A
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Case: D2PAK
Type of diode: Schottky rectifying
Max. forward impulse current: 120A
Max. forward voltage: 0.68V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB5100XUBSTMicroelectronicsSTMicroelectronics Set-Top-Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB5100ZUBSTMicroelectronicsSTMicroelectronics Set-Top-Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB5105-MB/NSST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.