Продукція > ES1
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ES1DHE3 | VISHAY | 09+ | на замовлення 7518 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ES1DHE3-LTP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: DIODE STANDARD 200V 1A DO214AC Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 1 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Current - Average Rectified (Io): 1A Capacitance @ Vr, F: 200pF @ 4V, 1MHz Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DO-214AC, SMA Packaging: Bulk | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ES1DHE3-LTP | Micro Commercial Components (MCC) | Rectifiers | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ES1DHE3-LTP | Micro Commercial Components | Diode Switching 200V 1A 2-Pin SMA T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ES1DHE3/5AT | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ES1DHE3/61T | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ES1DHE3/61T | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ES1DHE3_A/H | Vishay | Diode Switching 200V 1A 2-Pin SMA T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 3493 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| ES1DHE3_A/H | Vishay Semiconductors | Rectifiers 1.0 Amp 200 Volt 30 Amp IFSM | на замовлення 3987 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ES1DHE3_A/H | Vishay | DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC Діоди та діодні збірки | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ES1DHE3_A/H | Vishay | Diode Switching 200V 1A 2-Pin SMA T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 3493 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| ES1DHE3_A/H | VISHAY | Description: VISHAY - ES1DHE3_A/H - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 1 A, Einfach, 920 mV, 25 ns, 30 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AC (SMA) Durchlassstoßstrom: 30A euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 920mV Sperrverzögerungszeit: 25ns Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A SVHC: Lead (04-Feb-2026) Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Periodische Spitzensperrspannung: 200V Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 4340 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| ES1DHE3_A/H | VISHAY | Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 1A; 15ns; DO214AC,SMA; Ufmax: 920mV Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 200V Load current: 1A Reverse recovery time: 15ns Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: glass passivated; ultrafast switching Case: DO214AC; SMA Max. forward voltage: 0.92V Max. forward impulse current: 30A Leakage current: 5µA Application: automotive industry | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ES1DHE3_A/H | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE STANDARD 200V 1A DO214AC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920 mV @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 5645 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| ES1DHE3_A/H | Vishay | Diode Switching 200V 1A 2-Pin SMA T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 10800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| ES1DHE3_A/H | Vishay | Diode Switching 200V 1A 2-Pin SMA T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 10800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| ES1DHE3_A/H | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE STANDARD 200V 1A DO214AC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920 mV @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 5400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| ES1DHE3_A/H | VISHAY | Description: VISHAY - ES1DHE3_A/H - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 1 A, Einfach, 920 mV, 25 ns, 30 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AC (SMA) Durchlassstoßstrom: 30A euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Durchlassspannung, max.: 920mV Sperrverzögerungszeit: 25ns Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A SVHC: Lead (04-Feb-2026) Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Periodische Spitzensperrspannung: 200V Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 4490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| ES1DHE3_A/I | Vishay | Diode Switching 200V 1A 2-Pin SMA T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| ES1DHE3_A/I | Vishay | Diode Switching 200V 1A 2-Pin SMA T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| ES1DHE3_A/I | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE STANDARD 200V 1A DO214AC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920 mV @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 18838 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| ES1DHE3_A/I | Vishay Semiconductors | Rectifiers 1.0 Amp 200 Volt 30 Amp IFSM | на замовлення 443 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ES1DHE3_A/I | Vishay | Diode Switching 200V 1A 2-Pin SMA T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 7500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ES1DHE3_A/I | VISHAY | Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 1A; 35ns; DO214AC,SMA; Ufmax: 0.92V Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 200V Load current: 1A Reverse recovery time: 35ns Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: glass passivated; ultrafast switching Case: DO214AC; SMA Max. forward voltage: 0.92V Max. forward impulse current: 30A Kind of package: 13 inch reel Leakage current: 0.1mA Capacitance: 10pF Quantity in set/package: 7500pcs. | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ES1DHE3_A/I | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE STANDARD 200V 1A DO214AC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920 mV @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| ES1DHE3_A\H | Vishay | Rectifiers 1A, 200V, 15NS, SMA, UF RECT. SMD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ES1DHE3_A\I | Vishay | Rectifiers 1A, 200V, 15NS, SMA, UF RECT. SMD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ES1DHF2 | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 1A, 200V, SUPER FAST SM RECTIFIER | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ES1DHF2G | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 1A, 200V, SUPER FAST SM RECTIFIER | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ES1DHF3 | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 1A, 200V, SUPER FAST SM RECTIFIER | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3600 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ES1DHF3G | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 35ns, 1A, 200V, Super Fast Recovery Rectifier | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3600 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ES1DHL-TP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: DIODE STANDARD 200V 1A SOD123HL Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOD-123H Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: SOD-123HL Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ES1DHL-TP | Micro Commercial Components (MCC) | Rectifiers | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ES1DHM2G | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 35ns 1A 200V Super F ast Recovery Rect | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 15000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ES1DHM2G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 15000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ES1DHM3-A/H | Vishay | Rectifiers RECT 200V 1A SM ULTRA FST | на замовлення 11231 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ES1DHM3_A/H | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE STANDARD 200V 1A DO214AC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920 mV @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 12600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| ES1DHM3_A/H | Vishay | Diode Switching 200V 1A 2-Pin SMA T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 14400 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ES1DHM3_A/H | Vishay Semiconductors | Rectifiers 1A, 200V, 15NS, SMA, UF RECT. SMD | на замовлення 17845 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ES1DHM3_A/H | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE STANDARD 200V 1A DO214AC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920 mV @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 16005 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| ES1DHM3_A/I | Vishay | Diode Switching 200V 1A 2-Pin SMA T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 15000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ES1DHM3_A/I | Vishay Semiconductors | Rectifiers 1A, 200V, 15NS, SMA, UF RECT. SMD | на замовлення 10195 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ES1DHM3_A/I | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920 mV @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 15000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ES1DHM3_A\H | Vishay | Rectifiers 1A, 200V, 15NS, SMA, UF RECT. SMD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ES1DHM3_A\I | Vishay | Rectifiers 1A, 200V, 15NS, SMA, UF RECT. SMD | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 15000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ES1DHR2 | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 35ns, 1A, 200V, Super Fast Recovery Rectifier | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 15000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ES1DHR2G | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 1A, 200V, SUPER FAST SM RECTIFIER | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 15000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ES1DHR3 | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 1A, 200V, SUPER FAST SM RECTIFIER | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ES1DHR3G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 1 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Part Status: Discontinued at Digi-Key Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Current - Average Rectified (Io): 1A Capacitance @ Vr, F: 16pF @ 4V, 1MHz Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DO-214AC, SMA Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ES1DHR3G | Taiwan Semiconductor | Rectifier Diode Switching 200V 1A 35ns Automotive 2-Pin SMA T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3600 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ES1DHR3G | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 35ns, 1A, 200V, Super Fast Recovery Rectifier | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3600 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ES1DJ | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - ES1DJ - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 1 A, Einfach, 950 mV, 22 ns, 30 A tariffCode: 85411000 productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: Lead (25-Jun-2025) rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR isCanonical: N hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 | на замовлення 3625 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| ES1DJ | Nexperia USA Inc. | Description: ES1D/SOD1001/SMA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: SMA Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V | на замовлення 4005 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| ES1DJ | Nexperia | Diode Switching 200V 1.4A 2-Pin SMA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ES1DJ | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - ES1DJ - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 1 A, Einfach, 950 mV, 22 ns, 30 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AC (SMA) Durchlassstoßstrom: 30A euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 950mV Sperrverzögerungszeit: 22ns Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A SVHC: Lead (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Periodische Spitzensperrspannung: 200V Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 3625 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| ES1DJ | Nexperia | Rectifiers ES1D/SOD1001/SMA | на замовлення 1285 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ES1DJ | Nexperia USA Inc. | Description: ES1D/SOD1001/SMA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: SMA Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ES1DL | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 35ns, 1A, 200V, Super Fast Recovery Rectifier | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 20000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ES1DL | MULTICOMP PRO | Description: MULTICOMP PRO - ES1DL - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 1 A, Einfach, 950 mV, 35 ns, 25 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-123FL Durchlassstoßstrom: 25A euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 950mV Sperrverzögerungszeit: 35ns Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A SVHC: Lead (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: Multicomp Pro Rectifier Diodes productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Periodische Spitzensperrspannung: 200V Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 14044 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| ES1DL | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE STANDARD 200V 1A SUB SMA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-219AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: Sub SMA Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V | на замовлення 12214 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| ES1DL | TAIWAN SEMICONDUCTOR | Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 1A; 35ns; subSMA; Ufmax: 0.95V Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 200V Load current: 1A Reverse recovery time: 35ns Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: superfast switching Case: subSMA Max. forward voltage: 0.95V Kind of package: reel; tape | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ES1DL | Taiwan Semiconductor | Diode Switching 200V 1A 2-Pin Sub SMA T/R | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| ES1DL | MULTICOMP PRO | Description: MULTICOMP PRO - ES1DL - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 1 A, Einfach, 950 mV, 35 ns, 25 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-123FL Durchlassstoßstrom: 25A euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: N Durchlassspannung, max.: 950mV Sperrverzögerungszeit: 35ns Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A SVHC: Lead (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: Multicomp Pro Rectifier Diodes productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Periodische Spitzensperrspannung: 200V Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 14044 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| ES1DL | Taiwan Semiconductor | Super Fast, 1.0A, 200V, Vf=0.95V@1.0A, Trr=35ns, SubSMA (SMD) Діоди та діодні збірки | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ES1DL | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE STANDARD 200V 1A SUB SMA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-219AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: Sub SMA Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| ES1DL | Taiwan Semiconductor | Diode Switching 200V 1A 2-Pin Sub SMA T/R | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| ES1DL M2G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE STANDARD 200V 1A SUB SMA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-219AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: Sub SMA Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 15000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ES1DL M2G | Taiwan Semiconductor | Rectifier Diode Switching 200V 1A 35ns 2-Pin Sub SMA T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 15000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ES1DL M2G | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 35ns 1A 200V Super F ast Recovery Rect | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ES1DL MHG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMA Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 1 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: Sub SMA Current - Average Rectified (Io): 1A Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 1V, 1MHz Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DO-219AB Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ES1DL MQG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMA Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 1 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: Sub SMA Current - Average Rectified (Io): 1A Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 1V, 1MHz Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DO-219AB Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ES1DL MTG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ES1DL R2 | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 35ns, 1A, 200V, Super Fast Recovery Rectifier | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 15000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ES1DL R2 | Taiwan Semiconductor | Diode Switching 200V 1A 2-Pin Sub SMA T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 15000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ES1DL R2G | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 35ns, 1A, 200V, Super Fast Recovery Rectifier | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 15000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ES1DL R3 | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 35ns 1A 200V Super F ast Recovery Rect | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3600 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ES1DL R3G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMA | на замовлення 788 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| ES1DL R3G | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 35ns, 1A, 200V, Super Fast Recovery Rectifier | на замовлення 10282 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ES1DL R3G | TAIWAN SEMICONDUCTOR | Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; 200V; 1A; subSMA; Ufmax: 950mV; Ifsm: 30A Type of diode: rectifying Max. off-state voltage: 200V Load current: 1A Case: subSMA Max. forward voltage: 0.95V Max. forward impulse current: 30A | на замовлення 114200 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| ES1DL R3G | Taiwan Semiconductor | Rectifier Diode Switching 200V 1A 35ns 2-Pin Sub SMA T/R | на замовлення 17 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ES1DL R3G | TAIWAN SEMICONDUCTOR | Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - ES1DL R3G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 1 A, Einfach, 950 mV, 35 ns, 30 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: Sub-SMA Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 950mV Sperrverzögerungszeit: 35ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: ES1D productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ES1DL R3G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ES1DL R3G | TAIWAN SEMICONDUCTOR | Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - ES1DL R3G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 1 A, Einfach, 950 mV, 35 ns, 30 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: Sub-SMA Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 950mV Sperrverzögerungszeit: 35ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: ES1D productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ES1DL RFG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ES1DL RHG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ES1DL RQ | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 35ns, 1A, 200V, Super Fast Recovery Rectifier | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 20000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ES1DL RQ | Taiwan Semiconductor | Diode Switching 200V 1A 2-Pin Sub SMA T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 20000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ES1DL RQG | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 35ns, 1A, 200V, Super Fast Recovery Rectifier | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 20000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ES1DL RQG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-219AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: Sub SMA Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ES1DL RT | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 35ns, 1A, 200V, Super Fast Recovery Rectifier | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ES1DL RTG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMA Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 1 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: Sub SMA Current - Average Rectified (Io): 1A Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 1V, 1MHz Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DO-219AB Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ES1DL RU | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 35ns, 1A, 200V, Super Fast Recovery Rectifier | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ES1DL RUG | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 35ns 1A 200V Super F ast Recovery Rect | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ES1DL RUG | Taiwan Semiconductor | Diode Switching 200V 1A 2-Pin Sub SMA T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3600 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ES1DL RUG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMA Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 1 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: Sub SMA Current - Average Rectified (Io): 1A Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 1V, 1MHz Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DO-219AB Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ES1DL RVG | Taiwan Semiconductor | Rectifier Diode Switching 200V 1A 35ns 2-Pin Sub SMA T/R | на замовлення 860 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| ES1DL RVG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMA | на замовлення 2800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| ES1DL RVG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ES1DL RVG | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 35ns 1A 200V Super F ast Recovery Rect | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| ES1DLH | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 35ns, 1A, 200V, Super Fast Recovery Rectifier | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 20000 шт В кошику од. на суму грн. |

