Продукція > 2SA
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2SA1015-GR(TE2FT | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SA1015-GR(TPE2) | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT TO-92 PLN(LF),DISCON(07-10)/PHASE-OUT(09-07)/OBSOLETE(10-04), | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SA1015-GR(TPE2,F) | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT Pb-F TO-92 PLN(LF),ACTIVE, | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SA1015-GR-AP | Micro Commercial Components (MCC) | Bipolar Transistors - BJT PNP Silicon Plastic-Encapsulate Transistor | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SA1015-GR-AP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: TRANS PNP 50V 0.15A TO-92 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V Frequency - Transition: 80MHz Supplier Device Package: TO-92 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 400 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SA1015-GR-BP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: TRANS PNP 50V 0.15A TO-92 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V Frequency - Transition: 80MHz Supplier Device Package: TO-92 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 400 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SA1015-GR-BP | Micro Commercial Components (MCC) | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SA1015-GR-TP | Micro Commercial Components (MCC) | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SA1015-GRY | на замовлення 50000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SA1015-O | Micro Commercial Components (MCC) | Bipolar Transistors - BJT PNP TRANSISTOR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SA1015-O(F,T) | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT Discrete Semiconductor Products - TRANS PNP 50V 150MA TO-92 - Transistors (BJT) - Single | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SA1015-O(TE2,F,T) | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT Discrete Semiconductor Products - TRANS PNP 50V 150MA TO-92 - Transistors (BJT) - Single | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SA1015-O-AP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: TRANS PNP 50V 0.15A TO-92 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 2mA, 6V Frequency - Transition: 80MHz Supplier Device Package: TO-92 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 400 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SA1015-O-AP | Micro Commercial Components (MCC) | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SA1015-O-BP | Micro Commercial Components (MCC) | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SA1015-O-TP | Micro Commercial Components (MCC) | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SA1015-TIB | на замовлення 1450 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SA1015-Y | Toshiba | Bipolar Junction Transistor, PNP Type, TO-92 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SA1015-Y | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT TO-92 PLN(LF),DISCON(07-10)/PHASE-OUT(10-04)/OBSOLETE(10-07), | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SA1015-Y | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SA1015-Y(F) | Toshiba | Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 400mW 3-Pin TO-92 | на замовлення 7600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| 2SA1015-Y(F) | TOSHIBA | TO92 | на замовлення 5400 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SA1015-Y(F,T) | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT Discrete Semiconductor Products - TRANS PNP 50V 150MA TO-92 - Transistors (BJT) - Single | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SA1015-Y(TE2) | TOSHIBA | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| 2SA1015-Y(TE2,F,T) | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT Discrete Semiconductor Products - TRANS PNP 50V 150MA TO-92 - Transistors (BJT) - Single | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SA1015-Y(TE2,T) | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT TO-92 PLN(LF),ACTIVE,DISCON(07-10)/PHASE-OUT(09-01)/OBSOLETE(09-04), | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SA1015-Y(TPE2) | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT TO-92 PLN(LF),DISCON(07-10)/PHASE-OUT(10-04)/OBSOLETE(10-07), | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SA1015-Y(TPE2,F) | Toshiba | Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 3-Pin TO-92 T/R | на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| 2SA1015-Y-AP | Micro Commercial Components | Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 3-Pin TO-92 Ammo | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 20000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SA1015-Y-AP | Micro Commercial Components (MCC) | Bipolar Transistors - BJT PNP Silicon Plastic-Encapsulate Transistor | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SA1015-Y-AP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: TRANS PNP 50V 0.15A TO-92 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V Frequency - Transition: 80MHz Supplier Device Package: TO-92 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 400 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SA1015-Y-BP | Micro Commercial Components (MCC) | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SA1015-Y-BP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: TRANS PNP 50V 0.15A TO-92 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V Frequency - Transition: 80MHz Supplier Device Package: TO-92 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 400 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SA1015-Y-TP | Micro Commercial Components (MCC) | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SA1015-Y/GR | TOSHIBA | на замовлення 60000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| 2SA1015-YT2SPT | TOS | 07+; | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SA1015GR | Toshiba | PNP TO-92 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SA1015GR Код товару: 25436
Додати до обраних
Обраний товар
| Toshiba | Транзистори > Біполярні PNP Корпус: TO-92 Гранична частота fT, МГц: 80 МГц Напруга Uке, В: 50 В Напруга Uкб, В: 50 В Струм Iк, А: 0,15 А Коефіцієнт підсилення h21, max: 200...400 | у наявності: 170 шт
|
| ||||||||||
| 2SA1015LT1 BA | SOT23/SOT323 | на замовлення 1578 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| 2SA1015OTE2T | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT x34 Pb Small Signal Transistor | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SA1015T | EVVO | Description: TO-92 PNP PLASTIC-ENCAPSULATED T | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| 2SA1015Y | Toshiba | PNP TO-92 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SA1015Y Код товару: 108505
Додати до обраних
Обраний товар
| Toshiba | Транзистори > Біполярні PNP Корпус: TO-92 Гранична частота fT, МГц: 80 МГц Напруга Uке, В: 50 В Напруга Uкб, В: 50 В Струм Iк, А: 0,15 А | товару немає в наявності
|
| ||||||||||
| 2SA1015Y | на замовлення 50000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SA1015YLEADFREE(BULK) | TOSHIBA | на замовлення 27000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| 2SA1016KG | на замовлення 3107 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SA1016KG-AA | onsemi | Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANS PNP Packaging: Bulk Part Status: Active | на замовлення 14820 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| 2SA1016KG-AA | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2SA1016KG-AA - 2SA1016KG-AA, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 15874 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SA1016KG-AA | ON Semiconductor | 2SA1016KG-AA | на замовлення 14820 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| 2SA1018 | Panasonic | TO-92 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SA10180RA | Panasonic Electronic Components | Description: TRANS PNP 200V 0.07A TO-92-B1 Power - Max: 750 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 200 V Current - Collector (Ic) (Max): 70 mA Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-92-B1 Frequency - Transition: 50MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 1µA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 5mA, 50mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Packaging: Tape & Box (TB) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SA1019 | на замовлення 16000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SA102 | NEC | CAN | на замовлення 461 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SA1020 Код товару: 36910
1
Додати до обраних
Обраний товар
| ON | Транзистори > Біполярні PNP Корпус: TO-92L Гранична частота fT, МГц: 100 МГц Напруга Uке, В: 50 В Напруга Uкб, В: 50 В Струм Iк, А: 2 А Коефіцієнт підсилення h21, max: 240 | у наявності: 767 шт
|
| ||||||||||
| 2SA1020 | LUGUANG ELECTRONIC | Category: PNP THT transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 2A; 0.9W; TO92L Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 2A Power dissipation: 0.9W Case: TO92L Mounting: THT Current gain: 40...240 Frequency: 100MHz | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SA1020 | Toshiba | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| 2SA1020 | onsemi | Description: TRANS PNP 50V 2A TO92 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 900 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SA1020 | LGE | Transistor PNP; Bipolar; Darlington; 240; -50V; -5V; 100MHz; -2A; 900mW; -55°C~150°C; 2SA1020-LGE; CJ 2SA1020(RANGE:120-240); UTC 2SA1020L-Y-T9N-B; 2SA1020 T2SA1020 LGE кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 500 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| 2SA1020 | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 1W High Current PNP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SA1020-LGE | LGE | 2SA1020-LGE 2SA1020 Транзистор: PNP; біполярний; 50В; 2А; 0,9Вт; TO92L Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SA1020-O(F,M) | Toshiba | Toshiba | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SA1020-O(F,M) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PNP 50V 2A TO-92MOD Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-92MOD Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 900 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SA1020-O(TE6,F,M) | Toshiba | Toshiba | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SA1020-O(TE6,F,M) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PNP 50V 2A TO-92MOD Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-92MOD Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 900 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SA1020-O,CKF(J | Toshiba | Toshiba | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SA1020-O,CKF(J | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PNP 50V 2A TO92MOD Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-92MOD Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 900 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SA1020-O,F(J | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PNP 50V 2A TO92MOD Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-92MOD Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 900 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SA1020-O,F(J | Toshiba | Toshiba | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SA1020-O,T6CSF(J | Toshiba | Toshiba | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SA1020-O,T6CSF(J | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PNP 50V 2A TO92MOD Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-92MOD Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 900 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SA1020-O-AP | Micro Commercial Components (MCC) | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SA1020-O-AP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: TRANS PNP 50V 2A TO-92MOD Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-92MOD Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 900 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SA1020-O-BP | Micro Commercial Components (MCC) | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SA1020-O-TP | Micro Commercial Components (MCC) | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SA1020-Y | TOSHIBA | 2007 TO-92 | на замовлення 3127 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SA1020-Y | LUGUANG ELECTRONIC | Category: PNP THT transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 2A; 0.9W; TO92L Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 2A Power dissipation: 0.9W Case: TO92L Mounting: THT Current gain: 120...240 Frequency: 100MHz | на замовлення 9540 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||
| 2SA1020-Y | Toshiba | BJT PNP -50V -2A 900mW TO-92 MOD Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SA1020-Y (TE6.F.M) | Toshiba | BJT PNP -50V -2A 900mW TO-92 MOD Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SA1020-Y(6MBH1,AF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PNP 50V 2A TO-92MOD Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-92MOD Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 900 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SA1020-Y(6MBH1,AF | Toshiba | Toshiba | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SA1020-Y(F,M) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PNP 50V 2A TO-92MOD Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-92MOD Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 900 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SA1020-Y(F,M) | Toshiba | Toshiba | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SA1020-Y(HIT,F,M) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PNP 50V 2A TO92MOD Power - Max: 900 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-92MOD Frequency - Transition: 100MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SA1020-Y(HIT,F,M) | Toshiba | Toshiba | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SA1020-Y(ND1,AF) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PNP 50V 2A TO-92MOD Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-92MOD Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 900 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SA1020-Y(ND1,AF) | Toshiba | Toshiba | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SA1020-Y(T6CANO,C | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT LSTM PLSPW PLN-N,DISCON(07-10)/PHASE-OUT(09-01)/OBSOLETE(10-04), | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SA1020-Y(T6CANOAF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PNP 50V 2A TO92MOD Power - Max: 900 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-92MOD Frequency - Transition: 100MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SA1020-Y(T6CANOAF | Toshiba | Toshiba | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SA1020-Y(T6CANOFM | Toshiba | Toshiba | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SA1020-Y(T6CANOFM | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PNP 50V 2A TO-92MOD Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-92MOD Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 900 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SA1020-Y(T6CN,A,F | Toshiba | Toshiba | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SA1020-Y(T6CN,A,F | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PNP 50V 2A TO-92MOD Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-92MOD Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 900 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SA1020-Y(T6FJT,AF | Toshiba | Toshiba | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SA1020-Y(T6FJT,AF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PNP 50V 2A TO-92MOD Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-92MOD Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 900 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SA1020-Y(T6ND1,AF | Toshiba | Toshiba | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SA1020-Y(T6ND1,AF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PNP 50V 2A TO92MOD Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-92MOD Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 900 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SA1020-Y(T6ND3,AF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PNP 50V 2A TO-92MOD Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-92MOD Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 900 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SA1020-Y(T6ND3,AF | Toshiba | Toshiba | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SA1020-Y(T6OMI,FM | Toshiba | Toshiba | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |

