Продукція > BM3

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
BM36B-GHDS-TFJST Sales America Inc.Description: GHD HEADER (SMT/TOP TYPE/ WITH S
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BM36B-GHDS-TF(LF)(SN)JST CommercialHeaders & Wire Housings GHD HEADER (SMT/TOP TYPE/ WITH SUCKING A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BM3703BM GROUPCategory: Nuts for Glands
Description: Nut; PG36; polyamide; light grey; -20÷90°C
Operating temperature: -20...90°C
Type of cable accessories: nut
Body colour: light grey
Gland thread: PG36
Body material: polyamide
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BM3713N/A
на замовлення 1717 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BM3831.1BN09+ SOP28
на замовлення 1035 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BM3878N/A09+
на замовлення 518 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BM38B-GHDS-TFJST Sales America Inc.Description: GHD HEADER (SMT/TOP TYPE/ WITH S
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BM38B-GHDS-TF(LF)(SN)JSTCategory: Raster signal connectors 1,25mm
Description: Connector: wire-board; socket; PIN: 38; straight; soldering
Type of connector: wire-board
Number of pins: 38
Spatial orientation: straight
Electrical mounting: soldering
Connector variant: shrouded
Connector: socket
на замовлення 1072 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
37+108.38 грн
50+73.80 грн
100+67.93 грн
300+63.74 грн
500+56.19 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BM38B-GHDS-TF(LF)(SN)JST CommercialHeaders & Wire Housings GHD HEADER (SMT/TOP TYPE/ WITH SUCKING A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BM3G005MUV-EVK-003ROHM SemiconductorPower Management IC Development Tools Evaluation board consists of the BM3G005MUV (GaN FET (650 V 50 mohm), integrated driver and protection circuit) and A board on which peripheral components are mounted.
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BM3G005MUV-EVK-003Rohm SemiconductorDescription: EVAL BOARD FOR BM3G005
Packaging: Box
Function: Motor Controller/Driver
Type: Power Management
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: BM3G005
Embedded: No
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2623.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BM3G005MUV-EVK-003ROHMDescription: ROHM - BM3G005MUV-EVK-003 - Evaluationsboard, BM3G005MUV-LB, GaN-HEMT-Leistungsstufe, Power-Management
tariffCode: 90308900
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard BM3G005MUV-LB
Prozessorhersteller: Rohm Semiconductor
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: GaN-HEMT-Leistungsstufe
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Prozessorkern: BM3G005MUV-LB
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BM3G005MUV-LBE2ROHMDescription: ROHM - BM3G005MUV-LBE2 - GaN-HEMT-Leistungsstufe, VQFN046V8080, 6.83-30V, 1 Kanal, 1 Ausgang, TO252-J
tariffCode: 85423990
IC-Funktion: GaN-HEMT-Leistungsstufe
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Betriebstemperatur, min.: -40°C
IC-Bauform: VQFN046V8080
Versorgungsspannung, min.: 6.83V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 46Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 30V
Betriebstemperatur, max.: 105°C
на замовлення 97 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BM3G005MUV-LBE2ROHMDescription: ROHM - BM3G005MUV-LBE2 - GaN-HEMT-Leistungsstufe, VQFN046V8080, 6.83-30V, 1 Kanal, 1 Ausgang, TO252-J
tariffCode: 85423990
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
Versorgungsspannung, min.: 6.83V
Anzahl der Pins: 46Pin(s)
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Betriebstemperatur, min.: -40°C
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 30V
Betriebstemperatur, max.: 105°C
на замовлення 97 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BM3G005MUV-LBE2ROHM SemiconductorGaN FETs PMIC Power Switch/Driver, 650V, 5mohm, Low Side Nch
на замовлення 698 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BM3G007MUV-EVK-002ROHM SemiconductorPower Management IC Development Tools EVAL BOARD FOR BM3G007MUV-LBE2
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BM3G007MUV-EVK-002Rohm SemiconductorDescription: EVAL BOARD FOR BM3G007
Packaging: Bulk
Function: Power Factor Correction
Type: Power Management
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: BM3G007
Primary Attributes: 90 ~ 264VAC Input Voltage
Embedded: No
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+29274.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BM3G007MUV-EVK-002ROHMDescription: ROHM - BM3G007MUV-EVK-002 - Evaluationsboard, BM3G007MUV-LBE2, GaN-HEMT-Leistungsstufe, Power-Management
tariffCode: 84733020
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard BM3G007MUV-LBE2
Prozessorhersteller: Rohm Semiconductor
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: GaN-HEMT-Leistungsstufe
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Prozessorkern: BM3G007MUV-LBE2
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BM3G007MUV-EVK-003ROHM SemiconductorPower Management IC Development Tools EVAL BOARD FOR BM3G007MUV-LBE2
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BM3G007MUV-EVK-003Rohm SemiconductorDescription: EVAL BOARD FOR BM3G007
Packaging: Bulk
Function: Motor Controller/Driver
Type: Power Management
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: BM3G007
Supplied Contents: Board(s)
Primary Attributes: 6.25 ~ 35V Supply
Embedded: No
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1787.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BM3G007MUV-EVK-003ROHMDescription: ROHM - BM3G007MUV-EVK-003 - Evaluationsboard, BM3G007MUV-LBE2, GaN-HEMT-Leistungsstufe, Power-Management
tariffCode: 84733020
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard BM3G007MUV-LBE2
Prozessorhersteller: Rohm Semiconductor
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: GaN-HEMT-Leistungsstufe
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Prozessorkern: BM3G007MUV-LBE2
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BM3G007MUV-LBE2Rohm SemiconductorDescription: NANO CAP, ECOGAN, 650V 70M 2MHZ,
Features: Power Good, Slew Rate Controlled
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 46-VFQFN Exposed Pad
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Number of Outputs: 1
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Output Configuration: Low Side
Rds On (Typ): 70mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 650V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 6.25V ~ 30V
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: VQFN046V8080
Fault Protection: Over Temperature, UVLO
на замовлення 868 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1011.12 грн
10+769.80 грн
25+718.95 грн
100+622.26 грн
250+597.26 грн
500+582.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BM3G007MUV-LBE2ROHMDescription: ROHM - BM3G007MUV-LBE2 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, GaN HEMT, MOSFET, 46 Pin(s), VQFN-EP
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: -
Treiberkonfiguration: -
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: GaN HEMT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: VQFN-EP
Eingang: Nicht invertierend
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: 6.25V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 46Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 30V
Eingabeverzögerung: 12ns
Ausgabeverzögerung: 15ns
Betriebstemperatur, max.: 105°C
на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BM3G007MUV-LBE2ROHM SemiconductorMOSFET GAN HEMT PWR STAGE IC
на замовлення 1057 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BM3G007MUV-LBE2Rohm SemiconductorDescription: NANO CAP, ECOGAN, 650V 70M 2MHZ,
Features: Power Good, Slew Rate Controlled
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 46-VFQFN Exposed Pad
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Number of Outputs: 1
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Output Configuration: Low Side
Rds On (Typ): 70mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 650V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 6.25V ~ 30V
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: VQFN046V8080
Fault Protection: Over Temperature, UVLO
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BM3G007MUV-LBE2ROHMDescription: ROHM - BM3G007MUV-LBE2 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, GaN HEMT, MOSFET, 46 Pin(s), VQFN-EP
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: -
Treiberkonfiguration: -
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: GaN HEMT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: VQFN-EP
Eingang: Nicht invertierend
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: 6.25V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 46Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 30V
Eingabeverzögerung: 12ns
Ausgabeverzögerung: 15ns
Betriebstemperatur, max.: 105°C
на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BM3G015MUV-EVK-003ROHMDescription: ROHM - BM3G015MUV-EVK-003 - Evaluationsboard, BM3G015MUV-LBE2, GaN-HEMT-Leistungsstufe, Power-Management
tariffCode: 84733020
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard BM3G015MUV-LBE2
Prozessorhersteller: Rohm Semiconductor
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: GaN-HEMT-Leistungsstufe
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Prozessorkern: BM3G015MUV-LBE2
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BM3G015MUV-EVK-003ROHM SemiconductorPower Management IC Development Tools EVAL BOARD FOR BM3G015MUV-LBE2
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BM3G015MUV-EVK-003Rohm SemiconductorDescription: EVALUATION BOARD FOR BM3G015MUV-
Packaging: Bulk
Function: Motor Controller/Driver
Type: Power Management
Utilized IC / Part: BM3G015
Supplied Contents: Board(s)
Primary Attributes: 6.25 ~ 35V Supply
Embedded: No
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BM3G015MUV-LBE2ROHMDescription: ROHM - BM3G015MUV-LBE2 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, GaN HEMT, MOSFET, 46 Pin(s), VQFN-EP
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: -
Treiberkonfiguration: -
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: GaN HEMT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: VQFN-EP
Eingang: Nicht invertierend
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: 6.25V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 46Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 30V
Eingabeverzögerung: 11ns
Ausgabeverzögerung: 15ns
Betriebstemperatur, max.: 105°C
на замовлення 87 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BM3G015MUV-LBE2ROHMDescription: ROHM - BM3G015MUV-LBE2 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, GaN HEMT, MOSFET, 46 Pin(s), VQFN-EP
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: -
Treiberkonfiguration: -
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: GaN HEMT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: VQFN-EP
Eingang: Nicht invertierend
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: 6.25V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 46Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 30V
Eingabeverzögerung: 11ns
Ausgabeverzögerung: 15ns
Betriebstemperatur, max.: 105°C
на замовлення 87 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 87 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BM3G015MUV-LBE2ROHM SemiconductorMOSFET GAN HEMT PWR STAGE IC
на замовлення 2084 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BM3G107MUV-EVK-003ROHM SemiconductorPower Management IC Development Tools Eval Board for PMIC Power Switch/Driver, 650V, 7m
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BM3G107MUV-EVK-003ROHMDescription: ROHM - BM3G107MUV-EVK-003 - Evaluationsboard, BM3G107MUV-LB, GaN-HEMT-Leistungsstufe, Power-Management
tariffCode: 90308900
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard BM3G107MUV-LB
Prozessorhersteller: Rohm Semiconductor
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: GaN-HEMT-Leistungsstufe
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Prozessorkern: BM3G107MUV-LB
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BM3G107MUV-LBE2ROHMDescription: ROHM - BM3G107MUV-LBE2 - GaN-HEMT-Leistungsstufen-IC, 6.83V bis 30V, -40°C bis 105°C, 70 mOhm, VQFN046V8080-46
tariffCode: 85423990
IC-Funktion: GaN-HEMT-Leistungsstufe
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Betriebstemperatur, min.: -40°C
IC-Bauform: VQFN046V8080
Versorgungsspannung, min.: 6.83V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 46Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 30V
Betriebstemperatur, max.: 105°C
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BM3G107MUV-LBE2ROHMDescription: ROHM - BM3G107MUV-LBE2 - GaN-HEMT-Leistungsstufen-IC, 6.83V bis 30V, -40°C bis 105°C, 70 mOhm, VQFN046V8080-46
tariffCode: 85423990
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BM3G115MUV-EVK-003ROHMDescription: ROHM - BM3G115MUV-EVK-003 - Evaluationsboard, BM3G115MUV-LB, GaN-HEMT-Leistungsstufe, Power-Management
tariffCode: 90308900
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard BM3G115MUV-LB
Prozessorhersteller: Rohm Semiconductor
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: GaN-HEMT-Leistungsstufe
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Prozessorkern: BM3G115MUV-LB
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BM3G115MUV-EVK-003ROHM SemiconductorPower Management IC Development Tools Eval Board for PMIC Power Switch/Driver, 650V, 15mohm
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BM3G115MUV-LBE2ROHMDescription: ROHM - BM3G115MUV-LBE2 - GaN-HEMT-Leistungsstufen-IC, 6.83V bis 30V, -40°C bis 105°C, 150 mOhm, VQFN046V8080-46
tariffCode: 85423990
IC-Funktion: GaN-HEMT-Leistungsstufe
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Betriebstemperatur, min.: -40°C
IC-Bauform: VQFN046V8080
Versorgungsspannung, min.: 6.83V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 46Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 30V
Betriebstemperatur, max.: 105°C
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BM3G115MUV-LBE2Rohm SemiconductorPower Stage 46-Pin VQFN EP
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+725.51 грн
25+694.34 грн
50+667.88 грн
100+622.18 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BM3G115MUV-LBE2ROHM SemiconductorGaN FETs HEMT POWER STAGE IC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BM3G115MUV-LBE2ROHMDescription: ROHM - BM3G115MUV-LBE2 - GaN-HEMT-Leistungsstufen-IC, 6.83V bis 30V, -40°C bis 105°C, 150 mOhm, VQFN046V8080-46
tariffCode: 85423990
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BM3G115MUV-LBE2Rohm SemiconductorPower Stage 46-Pin VQFN EP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BM3M-TDT1,2Autonics USADescription: SENSOR, PHOTO, THROUGH BEAM, DAR
Part Status: Active
Light Source: Infrared (940nm)
Connection Method: Cable
Cable Length: 78.7" (2000.00mm)
Response Time: 3ms
Voltage - Supply: 12V ~ 24V
Output Configuration: NPN - Open Collector/Dark-ON
Operating Temperature: -10°C ~ 60°C (TA)
Sensing Method: Through-Beam
Sensing Distance: 118.110" (3m)
Adjustment Type: Adjustable
Packaging: Box
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5173.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.