Продукція > BM3

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
BM3G007MUV-EVK-002ROHM SemiconductorPower Management IC Development Tools EVAL BOARD FOR BM3G007MUV-LBE2
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BM3G007MUV-EVK-002Rohm SemiconductorDescription: EVAL BOARD FOR BM3G007
Packaging: Bulk
Function: Power Factor Correction
Type: Power Management
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: BM3G007
Primary Attributes: 90 ~ 264VAC Input Voltage
Embedded: No
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+29274.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BM3G007MUV-EVK-002ROHMDescription: ROHM - BM3G007MUV-EVK-002 - Evaluationsboard, BM3G007MUV-LBE2, GaN-HEMT-Leistungsstufe, Power-Management
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: BM3G007MUV-LBE2
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Rohm Semiconductor
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard BM3G007MUV-LBE2
euEccn: NLR
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: GaN-HEMT-Leistungsstufe
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+29237.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BM3G007MUV-EVK-003ROHMDescription: ROHM - BM3G007MUV-EVK-003 - Evaluationsboard, BM3G007MUV-LBE2, GaN-HEMT-Leistungsstufe, Power-Management
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: BM3G007MUV-LBE2
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Rohm Semiconductor
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard BM3G007MUV-LBE2
euEccn: NLR
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: GaN-HEMT-Leistungsstufe
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1599.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BM3G007MUV-EVK-003ROHM SemiconductorPower Management IC Development Tools EVAL BOARD FOR BM3G007MUV-LBE2
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BM3G007MUV-EVK-003Rohm SemiconductorDescription: EVAL BOARD FOR BM3G007
Packaging: Bulk
Function: Motor Controller/Driver
Type: Power Management
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: BM3G007
Supplied Contents: Board(s)
Primary Attributes: 6.25 ~ 35V Supply
Embedded: No
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1787.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BM3G007MUV-LBE2ROHM SemiconductorMOSFET GAN HEMT PWR STAGE IC
на замовлення 1057 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BM3G007MUV-LBE2Rohm SemiconductorDescription: NANO CAP, ECOGAN, 650V 70M 2MHZ,
Features: Power Good, Slew Rate Controlled
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 46-VFQFN Exposed Pad
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Number of Outputs: 1
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Output Configuration: Low Side
Rds On (Typ): 70mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 650V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 6.25V ~ 30V
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: VQFN046V8080
Fault Protection: Over Temperature, UVLO
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BM3G007MUV-LBE2ROHMDescription: ROHM - BM3G007MUV-LBE2 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, GaN HEMT, MOSFET, 46 Pin(s), VQFN-EP
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: -
Treiberkonfiguration: -
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: GaN HEMT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: VQFN-EP
Eingang: Nicht invertierend
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: 6.25V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 46Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 30V
Eingabeverzögerung: 12ns
Ausgabeverzögerung: 15ns
Betriebstemperatur, max.: 105°C
на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1121.73 грн
10+878.69 грн
25+757.57 грн
50+646.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BM3G007MUV-LBE2ROHMDescription: ROHM - BM3G007MUV-LBE2 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, GaN HEMT, MOSFET, 46 Pin(s), VQFN-EP
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: -
Treiberkonfiguration: -
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: GaN HEMT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: VQFN-EP
Eingang: Nicht invertierend
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: 6.25V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 46Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 30V
Eingabeverzögerung: 12ns
Ausgabeverzögerung: 15ns
Betriebstemperatur, max.: 105°C
на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+878.69 грн
25+757.57 грн
50+646.85 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BM3G007MUV-LBE2Rohm SemiconductorDescription: NANO CAP, ECOGAN, 650V 70M 2MHZ,
Features: Power Good, Slew Rate Controlled
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 46-VFQFN Exposed Pad
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Number of Outputs: 1
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Output Configuration: Low Side
Rds On (Typ): 70mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 650V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 6.25V ~ 30V
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: VQFN046V8080
Fault Protection: Over Temperature, UVLO
на замовлення 868 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1011.12 грн
10+769.80 грн
25+718.95 грн
100+622.26 грн
250+597.26 грн
500+582.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BM3G015MUV-EVK-003ROHMDescription: ROHM - BM3G015MUV-EVK-003 - Evaluationsboard, BM3G015MUV-LBE2, GaN-HEMT-Leistungsstufe, Power-Management
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: BM3G015MUV-LBE2
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Rohm Semiconductor
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard BM3G015MUV-LBE2
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: GaN-HEMT-Leistungsstufe
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1288.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BM3G015MUV-EVK-003Rohm SemiconductorDescription: EVALUATION BOARD FOR BM3G015MUV-
Packaging: Bulk
Function: Motor Controller/Driver
Type: Power Management
Utilized IC / Part: BM3G015
Supplied Contents: Board(s)
Primary Attributes: 6.25 ~ 35V Supply
Embedded: No
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BM3G015MUV-EVK-003ROHM SemiconductorPower Management IC Development Tools EVAL BOARD FOR BM3G015MUV-LBE2
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BM3G015MUV-LBE2ROHMDescription: ROHM - BM3G015MUV-LBE2 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, GaN HEMT, MOSFET, 46 Pin(s), VQFN-EP
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: -
Treiberkonfiguration: -
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: GaN HEMT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: VQFN-EP
Eingang: Nicht invertierend
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: 6.25V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 46Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 30V
Eingabeverzögerung: 11ns
Ausgabeverzögerung: 15ns
Betriebstemperatur, max.: 105°C
на замовлення 87 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+439.75 грн
10+339.77 грн
25+314.57 грн
50+286.06 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BM3G015MUV-LBE2ROHM SemiconductorMOSFET GAN HEMT PWR STAGE IC
на замовлення 2084 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BM3G015MUV-LBE2ROHMDescription: ROHM - BM3G015MUV-LBE2 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, GaN HEMT, MOSFET, 46 Pin(s), VQFN-EP
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: -
Treiberkonfiguration: -
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: GaN HEMT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: VQFN-EP
Eingang: Nicht invertierend
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: 6.25V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 46Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 30V
Eingabeverzögerung: 11ns
Ausgabeverzögerung: 15ns
Betriebstemperatur, max.: 105°C
на замовлення 87 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+339.77 грн
25+314.57 грн
50+286.06 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BM3G107MUV-EVK-003ROHM SemiconductorPower Management IC Development Tools Eval Board for PMIC Power Switch/Driver, 650V, 7m
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BM3G107MUV-LBE2ROHMDescription: ROHM - BM3G107MUV-LBE2 - GaN-HEMT-Leistungsstufen-IC, 6.83V bis 30V, -40°C bis 105°C, 70 mOhm, VQFN046V8080-46
tariffCode: 85423990
IC-Funktion: GaN-HEMT-Leistungsstufe
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Betriebstemperatur, min.: -40°C
IC-Bauform: VQFN046V8080
Versorgungsspannung, min.: 6.83V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 46Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 30V
Betriebstemperatur, max.: 105°C
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1046.94 грн
10+809.59 грн
25+773.02 грн
50+683.83 грн
100+599.88 грн
250+588.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BM3G107MUV-LBE2ROHMDescription: ROHM - BM3G107MUV-LBE2 - GaN-HEMT-Leistungsstufen-IC, 6.83V bis 30V, -40°C bis 105°C, 70 mOhm, VQFN046V8080-46
tariffCode: 85423990
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+809.59 грн
25+773.02 грн
50+683.83 грн
100+599.88 грн
250+588.04 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BM3G115MUV-EVK-003ROHM SemiconductorPower Management IC Development Tools Eval Board for PMIC Power Switch/Driver, 650V, 15mohm
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BM3G115MUV-LBE2ROHMDescription: ROHM - BM3G115MUV-LBE2 - GaN-HEMT-Leistungsstufen-IC, 6.83V bis 30V, -40°C bis 105°C, 150 mOhm, VQFN046V8080-46
tariffCode: 85423990
IC-Funktion: GaN-HEMT-Leistungsstufe
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Betriebstemperatur, min.: -40°C
IC-Bauform: VQFN046V8080
Versorgungsspannung, min.: 6.83V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 46Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 30V
Betriebstemperatur, max.: 105°C
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+659.22 грн
10+476.33 грн
25+460.07 грн
50+412.11 грн
100+366.48 грн
250+358.81 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BM3G115MUV-LBE2ROHM SemiconductorGaN FETs HEMT POWER STAGE IC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BM3G115MUV-LBE2Rohm SemiconductorPower Stage 46-Pin VQFN EP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BM3G115MUV-LBE2ROHMDescription: ROHM - BM3G115MUV-LBE2 - GaN-HEMT-Leistungsstufen-IC, 6.83V bis 30V, -40°C bis 105°C, 150 mOhm, VQFN046V8080-46
tariffCode: 85423990
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+476.33 грн
25+460.07 грн
50+412.11 грн
100+366.48 грн
250+358.81 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BM3G115MUV-LBE2Rohm SemiconductorPower Stage 46-Pin VQFN EP
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+725.51 грн
25+694.34 грн
50+667.88 грн
100+622.18 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BM3M-TDT1,2Autonics USADescription: SENSOR, PHOTO, THROUGH BEAM, DAR
Part Status: Active
Light Source: Infrared (940nm)
Connection Method: Cable
Cable Length: 78.7" (2000.00mm)
Response Time: 3ms
Voltage - Supply: 12V ~ 24V
Output Configuration: NPN - Open Collector/Dark-ON
Operating Temperature: -10°C ~ 60°C (TA)
Sensing Method: Through-Beam
Sensing Distance: 118.110" (3m)
Adjustment Type: Adjustable
Packaging: Box
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5173.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2