Продукція > BUJ
Обрати Сторінку:
[ << Попередня Сторінка ]
1
2
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BUJ403A,127 | WeEn Semiconductors | Description: TRANS NPN 550V 6A TO220AB Power - Max: 100 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 550 V Current - Collector (Ic) (Max): 6 A Supplier Device Package: TO-220AB DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 500mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 100µA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 2A Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUJ403A,127 | WeEn Semiconductors | Bipolar Transistors - BJT Trans GP BJT NPN 550V 6A 3-Pin(3+Tab) | на замовлення 3884 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUJ403A/DG,127 | WeEn Semiconductors | Description: TRANS NPN 550V 6A TO-220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 500mA, 5V Supplier Device Package: TO-220AB Current - Collector (Ic) (Max): 6 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 550 V Power - Max: 100 W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUJ403A/DG,127 | WeEn Semiconductors | Bipolar Transistors - BJT NPN POWER TRANSISTOR | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUJ403A/DG,127 | NXP Semiconductors | Trans GP BJT NPN 550V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUJ403BX | PHILIPS | 02+ | на замовлення 1888 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUJD103AD,118 | NXP USA Inc. | Description: NOW WEEN - BUJD103AD - POWER BIP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUJD103AD,118 | WeEn Semiconductors | Bipolar Transistors - BJT TRANS NPN 700V 4A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUJD105AD,118 | WeEn Semiconductors | Description: TRANS NPN 400V 8A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 800mA, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 100µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 13 @ 500mA, 5V Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V Power - Max: 80 W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 7500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUJD105AD,118 | WeEn Semiconductors | Bipolar Transistors - BJT TRANS NPN 700V 8A | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 7500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUJD203A,127 | WeEn Semiconductors | Bipolar Transistors - BJT NPN 425 V 4 A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUJD203A,127 | WeEn Semiconductors | Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 425V; 4A; 80W; TO220AB Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Type of transistor: NPN Kind of package: tube Collector current: 4A Current gain: 11...22 Collector-emitter voltage: 425V Power dissipation: 80W Polarisation: bipolar Case: TO220AB Mounting: THT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUJD203A,127 | WeEn Semiconductors | Description: TRANS NPN 425V 4A TO-220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 600mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 100µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 11 @ 2A, 5V Supplier Device Package: TO-220AB Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 425 V Power - Max: 80 W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUJD203A,127 | NXP USA Inc. | Description: TRANS NPN 425V 4A TO-220AB Power - Max: 80 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 425 V Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Supplier Device Package: TO-220AB DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 11 @ 2A, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 100µA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 600mA, 3A Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Bulk | на замовлення 1499 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUJD203AD,118 | WeEn Semiconductors | Description: TRANS NPN 425V 4A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 600mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 100µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 11 @ 2A, 5V Supplier Device Package: DPAK Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 425 V Power - Max: 80 W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 7500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUJD203AD,118 | WeEn Semiconductors | Bipolar Transistors - BJT NPN 425 V 4 A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUJD203AD,118 | WeEn Semiconductors | Description: TRANS NPN 425V 4A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 600mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 100µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 11 @ 2A, 5V Supplier Device Package: DPAK Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 425 V Power - Max: 80 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUJD203AX,127 | WeEn Semiconductors | Bipolar Transistors - BJT NPN 425 V 4 A | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUJD203AX,127 | WeEn Semiconductors | Description: NOW WEEN - BUJD203AX - POWER BIP Packaging: Bulk | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
Обрати Сторінку:
[ << Попередня Сторінка ]
1
2

