Продукція > CSD
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| CSD13302W | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 12V 1.6A 4-Pin DSBGA T/R | на замовлення 2670 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| CSD13302W | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 12V 1.6A 4DSBGA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-UFBGA, DSBGA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.1mOhm @ 1A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA Supplier Device Package: 4-DSBGA (1x1) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 862 pF @ 6 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| CSD13302W | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 12V 1.6A 4-Pin DSBGA T/R | на замовлення 2670 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| CSD13302WT | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 12V 1.6A 4DSBGA Part Status: Active Supplier Device Package: 4-DSBGA (1x1) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.1mOhm @ 1A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 4-UFBGA, DSBGA Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 862 pF @ 6 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Vgs (Max): ±10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| CSD13302WT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 12V 1.6A 4-Pin DSBGA T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| CSD13302WT | Texas Instruments | MOSFETs 12-V N channel NexF ET power MOSFET sin A 595-CSD13302W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| CSD13302WT | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 12V 1.6A 4DSBGA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 862 pF @ 6 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Vgs (Max): ±10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Part Status: Active Supplier Device Package: 4-DSBGA (1x1) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.1mOhm @ 1A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 4-UFBGA, DSBGA Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 1237 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| CSD13302WT | TEXAS INSTRUMENTS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 1.6A; Idm: 29A; 1.8W; DSBGA4 Drain current: 1.6A Pulsed drain current: 29A Gate-source voltage: ±10V Drain-source voltage: 12V Polarisation: unipolar Case: DSBGA4 Kind of channel: enhancement Technology: NexFET™ Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Mounting: SMD On-state resistance: 25.8mΩ Power dissipation: 1.8W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| CSD13302WT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 12V 1.6A 4-Pin DSBGA T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| CSD13303W1015 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 12V 3.5A 6-Pin DSBGA T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| CSD13303W1015 | Texas Instruments | MOSFETs N-CH NexFET Pwr MOSF ET | на замовлення 1984 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| CSD13303W1015 | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 12V 31A 6DSBGA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UFBGA, DSBGA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 1.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.65W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: 6-DSBGA (1x1.5) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 715 pF @ 6 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| CSD13303W1015 | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 12V 31A 6DSBGA Packaging: Bulk Package / Case: 6-UFBGA, DSBGA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 1.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.65W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: 6-DSBGA (1x1.5) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 715 pF @ 6 V | на замовлення 143944 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| CSD13303W1015 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 12V 3.5A 6-Pin DSBGA T/R | на замовлення 2265 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| CSD13303W1015 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 12V 3.5A 6-Pin DSBGA T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| CSD13303W1015 | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 12V 31A 6DSBGA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-UFBGA, DSBGA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 1.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.65W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: 6-DSBGA (1x1.5) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 715 pF @ 6 V | на замовлення 2460 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| CSD13306W | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 12V 3.5A 6DSBGA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UFBGA, DSBGA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.2mOhm @ 1.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA Supplier Device Package: 6-DSBGA (1x1.5) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.2 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 6 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| CSD13306W | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 12V 3.5A 6DSBGA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-UFBGA, DSBGA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.2mOhm @ 1.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA Supplier Device Package: 6-DSBGA (1x1.5) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.2 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 6 V | на замовлення 2631 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| CSD13306W | Texas Instruments | MOSFETs 12-V N channel NexF ET power MOSFET sin A 595-CSD13306WT | на замовлення 902 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| CSD13306WT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 12V 3.5A 6-Pin DSBGA T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| CSD13306WT | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 12V 3.5A 6DSBGA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UFBGA, DSBGA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.2mOhm @ 1.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA Supplier Device Package: 6-DSBGA (1x1.5) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.2 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 6 V | на замовлення 750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| CSD13306WT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 12V 3.5A 6-Pin DSBGA T/R | на замовлення 204 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 15 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| CSD13306WT | Texas Instruments | MOSFETs 12V N-Channel NexFET Power MOSFET A 595- A 595-CSD13306W | на замовлення 492 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| CSD13306WT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 12V 3.5A 6-Pin DSBGA T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| CSD13306WT | TEXAS INSTRUMENTS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 3.5A; Idm: 44A; 1.9W; DSBGA6 Drain current: 3.5A Pulsed drain current: 44A Gate-source voltage: ±10V Drain-source voltage: 12V Polarisation: unipolar Case: DSBGA6 Kind of channel: enhancement Technology: NexFET™ Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Mounting: SMD On-state resistance: 15.5mΩ Power dissipation: 1.9W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| CSD13306WT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 12V 3.5A 6-Pin DSBGA T/R | на замовлення 250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| CSD13306WT | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 12V 3.5A 6DSBGA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-UFBGA, DSBGA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.2mOhm @ 1.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA Supplier Device Package: 6-DSBGA (1x1.5) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.2 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 6 V | на замовлення 1126 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| CSD13306WT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 12V 3.5A 6-Pin DSBGA T/R | на замовлення 204 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| CSD13380F3 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 12V 3.6A 3-Pin PicoStar T/R | на замовлення 39 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| CSD13380F3 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 12V 3.6A 3-Pin PicoStar T/R | на замовлення 1479 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| CSD13380F3 | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 12V 3.6A 3PICOSTAR Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XFLGA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 76mOhm @ 400mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA Supplier Device Package: 3-PICOSTAR (0.69x0.60) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): 8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 156 pF @ 6 V | на замовлення 84000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| CSD13380F3 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 12V 3.6A 3-Pin PicoStar T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| CSD13380F3 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 12V 3.6A 3-Pin PicoStar T/R | на замовлення 132000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| CSD13380F3 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 12V 3.6A 3-Pin PicoStar T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| CSD13380F3 | Texas Instruments | MOSFETs 12-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD13380F3T | на замовлення 10375 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| CSD13380F3 | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 12V 3.6A 3PICOSTAR Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XFLGA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 76mOhm @ 400mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA Supplier Device Package: 3-PICOSTAR (0.69x0.60) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): 8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 156 pF @ 6 V | на замовлення 85174 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| CSD13380F3T | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 12V 3.6A 3-Pin PicoStar T/R | на замовлення 217 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| CSD13380F3T | TEXAS INSTRUMENTS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 3.6A; Idm: 13.5A; 1.4W Drain current: 3.6A Pulsed drain current: 13.5A Gate-source voltage: ±8V Drain-source voltage: 12V Polarisation: unipolar Case: PICOSTAR3 Kind of channel: enhancement Technology: NexFET™ Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Mounting: SMD On-state resistance: 135mΩ Power dissipation: 1.4W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| CSD13380F3T | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 12V 3.6A 3PICOSTAR Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 76mOhm @ 400mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA Supplier Device Package: 3-PICOSTAR Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): 8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 156 pF @ 6 V | на замовлення 21216 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| CSD13380F3T | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 12V 3.6A 3-Pin PicoStar T/R | на замовлення 217 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| CSD13380F3T | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 12V 3.6A 3-Pin PicoStar T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| CSD13380F3T | Texas Instruments | MOSFETs 12-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD13380F3 | на замовлення 44281 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| CSD13380F3T | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 12V 3.6A 3PICOSTAR Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 76mOhm @ 400mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA Supplier Device Package: 3-PICOSTAR Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): 8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 156 pF @ 6 V | на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| CSD13380F3T | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 12V 3.6A 3-Pin PicoStar T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| CSD13381F4 | Texas Instruments | MOSFETs 12V N-CH Pwr MOSFET A 595-CSD13381F4T A A 595-CSD13381F4T | на замовлення 63965 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| CSD13381F4 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 12V 2.1A 3-Pin PicoStar T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| CSD13381F4 | Texas Instruments | MOSFET N-CH 12V 2.1A 3PICOSTAR Діоди та діодні збірки | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| CSD13381F4 | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 12V 2.1A 3PICOSTAR Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 500mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Supplier Device Package: 3-PICOSTAR (1x0.60) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): 8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 6 V | на замовлення 314161 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| CSD13381F4 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 12V 2.1A 3-Pin PicoStar T/R | на замовлення 629 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| CSD13381F4 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 12V 2.1A 3-Pin PicoStar T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| CSD13381F4 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 12V 2.1A 3-Pin PicoStar T/R | на замовлення 629 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 118 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| CSD13381F4 | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 12V 2.1A 3PICOSTAR Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 500mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Supplier Device Package: 3-PICOSTAR (1x0.60) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): 8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 6 V | на замовлення 312000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| CSD13381F4 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 12V 2.1A 3-Pin PicoStar T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| CSD13381F4 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 12V 2.1A 3-Pin PicoStar T/R | на замовлення 2958000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| CSD13381F4T | TEXAS INSTRUMENTS | Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD13381F4T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 2.1 A, 0.14 ohm, LGA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 12V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 850mV euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: LGA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 140 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| CSD13381F4T | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 12V 2.1A 3-Pin PicoStar T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| CSD13381F4T | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 12V 2.1A 3-Pin PicoStar T/R | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| CSD13381F4T | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 12V 2.1A 3PICOSTAR Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 500mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Supplier Device Package: 3-PICOSTAR Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): 8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 6 V | на замовлення 1884 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| CSD13381F4T | TEXAS INSTRUMENTS | Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD13381F4T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 2.1 A, 0.14 ohm, LGA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 12V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 850mV euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: LGA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 140 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| CSD13381F4T | TEXAS INSTRUMENTS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 2.1A; Idm: 7A; 500mW; PICOSTAR3 Drain current: 2.1A Pulsed drain current: 7A Gate-source voltage: ±8V Drain-source voltage: 12V Polarisation: unipolar Case: PICOSTAR3 Kind of channel: enhancement Technology: NexFET™ Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Mounting: SMD On-state resistance: 0.4Ω Power dissipation: 0.5W | на замовлення 218 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| CSD13381F4T | Texas Instruments | MOSFETs 12V N-Ch FemtoFET MO SFET A 595-CSD13381 A 595-CSD13381F4 | на замовлення 5181 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| CSD13381F4T | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 12V 2.1A 3-Pin PicoStar T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| CSD13381F4T | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 12V 2.1A 3PICOSTAR Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 500mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Supplier Device Package: 3-PICOSTAR Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): 8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 6 V | на замовлення 1750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| CSD13383F4 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 12V 2.9A 3-Pin PicoStar T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| CSD13383F4 | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 12V 2.9A 3PICOSTAR Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 500mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA Supplier Device Package: 3-PICOSTAR Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 291 pF @ 6 V | на замовлення 978000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| CSD13383F4 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 12V 2.9A 3-Pin PicoStar T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| CSD13383F4 | Texas Instruments | MOSFETs CSD13383F4 12-V Ncha MOSFET 3-PICOSTAR A A 595-CSD13383F4T | на замовлення 67952 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| CSD13383F4 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 12V 2.9A 3-Pin PicoStar T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| CSD13383F4 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 12V 2.9A 3-Pin PicoStar T/R | на замовлення 1948 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| CSD13383F4 | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 12V 2.9A 3PICOSTAR Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 500mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA Supplier Device Package: 3-PICOSTAR Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 291 pF @ 6 V | на замовлення 980187 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| CSD13383F4 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 12V 2.9A 3-Pin PicoStar T/R | на замовлення 1948 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| CSD13383F4T | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 12V 2.9A 3-Pin PicoStar T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| CSD13383F4T | TEXAS INSTRUMENTS | Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD13383F4T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 2.9 A, 0.037 ohm, PICOSTAR, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 12 Dauer-Drainstrom Id: 2.9 Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 500 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1 Verlustleistung: 500 Bauform - Transistor: PICOSTAR Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.037 Rds(on)-Prüfspannung: 4.5 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| CSD13383F4T | TEXAS INSTRUMENTS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 2.9A; Idm: 18.5A; 500mW Drain current: 2.9A Pulsed drain current: 18.5A Gate-source voltage: ±10V Drain-source voltage: 12V Polarisation: unipolar Case: PICOSTAR3 Kind of channel: enhancement Technology: NexFET™ Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Mounting: SMD On-state resistance: 65mΩ Power dissipation: 0.5W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| CSD13383F4T | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 12V 2.9A 3PICOSTAR Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 500mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA Supplier Device Package: 3-PICOSTAR Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 291 pF @ 6 V | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| CSD13383F4T | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 12V 2.9A 3-Pin PicoStar T/R | на замовлення 248 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| CSD13383F4T | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 12V 2.9A 3-Pin PicoStar T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| CSD13383F4T | TEXAS INSTRUMENTS | Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD13383F4T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 2.9 A, 0.037 ohm, PICOSTAR, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 12 Dauer-Drainstrom Id: 2.9 Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 500 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1 Verlustleistung: 500 Bauform - Transistor: PICOSTAR Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.037 Rds(on)-Prüfspannung: 4.5 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| CSD13383F4T | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 12V 2.9A 3-Pin PicoStar T/R | на замовлення 248 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 18 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| CSD13383F4T | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 12V 2.9A 3PICOSTAR Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 500mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA Supplier Device Package: 3-PICOSTAR Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 291 pF @ 6 V | на замовлення 4147 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| CSD13383F4T | Texas Instruments | MOSFETs 12V N-Channel FemtoF ET MOSFET A 595-CSD A 595-CSD13383F4 | на замовлення 511 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| CSD13385F5 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 12V 7.1A 3-Pin PicoStar T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| CSD13385F5 | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 12V 4.3A 3PICOSTAR Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 900mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: 3-PICOSTAR Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): 8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 674 pF @ 6 V | на замовлення 16101 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| CSD13385F5 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 12V 7.1A 3-Pin PicoStar T/R | на замовлення 2008 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| CSD13385F5 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 12V 7.1A 3-Pin PicoStar T/R | на замовлення 2008 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| CSD13385F5 | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 12V 4.3A 3PICOSTAR Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 900mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: 3-PICOSTAR Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): 8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 674 pF @ 6 V | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| CSD13385F5 | Texas Instruments | MOSFETs 12-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD13385F5T | на замовлення 5172 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| CSD13385F5 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 12V 7.1A 3-Pin PicoStar T/R | на замовлення 114000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| CSD13385F5 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 12V 7.1A 3-Pin PicoStar T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| CSD13385F5 | TEXAS INSTRUMENTS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 7.1A; Idm: 41A; 1.4W; PICOSTAR3 Drain current: 7.1A Pulsed drain current: 41A Gate-source voltage: ±8V Drain-source voltage: 12V Polarisation: unipolar Case: PICOSTAR3 Kind of channel: enhancement Technology: NexFET™ Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Mounting: SMD On-state resistance: 50mΩ Power dissipation: 1.4W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| CSD13385F5T | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 12V 7.1A 3-Pin PicoStar T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| CSD13385F5T | Texas Instruments | MOSFETs 12-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD13385F5 | на замовлення 1698 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| CSD13385F5T | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 12V 7.1A 3-Pin PicoStar T/R | на замовлення 40 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 17 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| CSD13385F5T | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 12V 4.3A 3PICOSTAR Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 900mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: 3-PICOSTAR Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): 8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 674 pF @ 6 V | на замовлення 21340 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| CSD13385F5T | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 12V 7.1A 3-Pin PicoStar T/R | на замовлення 40 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| CSD13385F5T | TEXAS INSTRUMENTS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 7.1A; Idm: 41A; 1.4W; PICOSTAR3 Drain current: 7.1A Pulsed drain current: 41A Gate-source voltage: ±8V Drain-source voltage: 12V Polarisation: unipolar Case: PICOSTAR3 Kind of channel: enhancement Technology: NexFET™ Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Mounting: SMD On-state resistance: 50mΩ Power dissipation: 1.4W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| CSD13385F5T | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 12V 4.3A 3PICOSTAR Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 900mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: 3-PICOSTAR Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): 8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 674 pF @ 6 V | на замовлення 21250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| CSD13385F5T | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 12V 7.1A 3-Pin PicoStar T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| CSD15380F3 | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.9A 3-Pin PicoStar T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| CSD15380F3 | TEXAS INSTRUMENTS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; 20V; 500mA; 500mW; PICOSTAR3; ESD Type of transistor: N-MOSFET Case: PICOSTAR3 Mounting: SMD Gate charge: 281pC Drain current: 0.5A Power dissipation: 0.5W Gate-source voltage: 10V Drain-source voltage: 20V Kind of channel: enhancement Version: ESD | на замовлення 24000 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|