Продукція > DN3
Обрати Сторінку:
[ << Попередня Сторінка ]
1
2
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DN3535N8-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 350V 0.23A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DN3535N8-G | Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 350V 230MA TO243AA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel, Depletion Mode Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 150mA, 0V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V | на замовлення 11436 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DN3535N8-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 350V 0.23A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | на замовлення 1645 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DN3535N8-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 350V 0.23A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DN3535N8-G | MICROCHIP | Description: MICROCHIP - DN3535N8-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 350 V, 230 mA, 10 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 350V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 230mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: - euEccn: NLR Verlustleistung: 1.6W Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 0V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 555 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DN3545N3 | Microchip Technology | MOSFETs 450V 20Ohm | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DN3545N3-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 450V 0.136A 3-Pin TO-92 Bag | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DN3545N3-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 450V 0.136A 3-Pin TO-92 Bag | на замовлення 812 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DN3545N3-G | Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 450V 136MA TO92 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Power Dissipation (Max): 740mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 150mA, 0V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 136mA (Ta) FET Type: N-Channel, Depletion Mode Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Packaging: Bag Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V Vgs (Max): ±20V | на замовлення 4515 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DN3545N3-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 450V 0.136A 3-Pin TO-92 Bag | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DN3545N3-G | MICROCHIP | Description: MICROCHIP - DN3545N3-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 450 V, 136 mA, 20 ohm, TO-92, Durchsteckmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 450V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 136mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: - euEccn: NLR Verlustleistung: 740mW Bauform - Transistor: TO-92 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 0V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 20ohm SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) | на замовлення 174 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DN3545N3-G | Microchip Technology | MOSFETs 450V 20Ohm | на замовлення 3310 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DN3545N3-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 450V 0.136A 3-Pin TO-92 Bag | на замовлення 812 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DN3545N3-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 450V 0.136A 3-Pin TO-92 Bag | на замовлення 3375 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DN3545N3-G P002 | Microchip Technology | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DN3545N3-G P003 | Microchip Technology | MOSFETs N-Channel MOSFET 450V 0.136A 3P TO-92 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DN3545N3-G P005 | Microchip Technology | MOSFETs 3L TO-92 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DN3545N3-G P013 | Microchip Technology | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DN3545N3-G P014 | Microchip Technology | MOSFETs N-Channel MOSFET 450V 0.136A 3P TO-92 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DN3545N8 | Microchip Technology | MOSFETs 450V 20Ohm | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DN3545N8 | SUPER | на замовлення 6899 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| DN3545N8-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 450V 0.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DN3545N8-G Код товару: 176174
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| DN3545N8-G | MICROCHIP | Description: MICROCHIP - DN3545N8-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 450 V, 200 mA, 20 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 450V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: - euEccn: NLR Verlustleistung: 1.6W Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 0V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 20ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 5582 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DN3545N8-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 450V 0.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | на замовлення 37500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DN3545N8-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 450V 0.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DN3545N8-G | Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 450V 200MA TO243AA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel, Depletion Mode Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 150mA, 0V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V | на замовлення 5080 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DN3545N8-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 450V 0.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | на замовлення 3900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DN3545N8-G | MICROCHIP | Description: MICROCHIP - DN3545N8-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 450 V, 200 mA, 20 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 450V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: - euEccn: NLR Verlustleistung: 1.6W Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 0V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 20ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 5582 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DN3545N8-G | Microchip Technology | MOSFETs 450V 20Ohm | на замовлення 6532 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DN3545N8-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 450V 0.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | на замовлення 3900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DN3545N8-G | Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 450V 200MA TO243AA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel, Depletion Mode Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 150mA, 0V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DN3545N8-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 450V 0.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DN3545N8-G D561 | Microchip Technology | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DN3545N8-G DN3545N8 | Supertex | N-Channel MOSFET, 450V 20Ohm Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DN3687GFPV | Renesas Electronics Corporation | Description: IC MCU 16BIT 56KB FLASH 64LQFP DigiKey Programmable: Not Verified Number of I/O: 43 Supplier Device Package: 64-LFQFP (10x10) Peripherals: LVD, POR, PWM, WDT Connectivity: I2C, SCI Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 3V ~ 5.5V Core Size: 16-Bit Data Converters: A/D 8x10b Core Processor: H8/300H EEPROM Size: 512 x 8 Program Memory Type: FLASH Oscillator Type: Internal Operating Temperature: -20°C ~ 75°C (TA) RAM Size: 4K x 8 Program Memory Size: 56KB (56K x 8) Speed: 20MHz Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 64-LQFP Packaging: Tray | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 160 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DN3687GFPV | Renesas | MCU 16-bit H8/300H CISC 56KB ROM 3.3V/5V 64-Pin LFQFP | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DN3687GFPV | RENESAS | QFP 07+ | на замовлення 400 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DN3687GFPV | Renesas Electronics | 16-bit Microcontrollers - MCU MCU 3/5V 56K Pb-free 64-LQFP | на замовлення 363 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DN3694GFPV | Renesas Electronics America | Description: IC MCU 16BIT 32KB FLASH 64LQFP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DN3765K4-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 650V 0.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DN3765K4-G | Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 650V 300MA TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel, Depletion Mode Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 150mA, 0V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 825 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DN3765K4-G | Microchip Technology | MOSFETs NCh DEPLETION-MODE VERTICAL DMOS FET | на замовлення 2320 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DN3765K4-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 650V 0.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DN3765K4-G | Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 650V 300MA TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel, Depletion Mode Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 150mA, 0V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 825 pF @ 25 V | на замовлення 1186 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
Обрати Сторінку:
[ << Попередня Сторінка ]
1
2

