Продукція > DTB
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DTB113ZK T146 SOT23-G11 | ROHM | на замовлення 192000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| DTB113ZK-T146 | ROHM | SOT23 | на замовлення 11980 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DTB113ZKA | ROHM | SOT-23 | на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DTB113ZKAT146 | на замовлення 42000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DTB113ZKA\G11 | ROHM | SOT-23 | на замовлення 9100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DTB113ZKFRA | ROHM Semiconductor | ROHM Semiconductor | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DTB113ZKFRAT146 | ROHM | Description: ROHM - DTB113ZKFRAT146 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, -50 V, -500 mA, 1 kohm, 10 kohm Dauer-Kollektorstrom Ic: -500 Transistormontage: Oberflächenmontage Basis-Eingangswiderstand R1: 1 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Basis-Emitter-Widerstand R2: 10 Polarität des Digitaltransistors: Einfach PNP Bauform - HF-Transistor: SOT-346 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: -50 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - Widerstandsverhältnis R1/R2: 0.1 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | на замовлення 980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DTB113ZKFRAT146 | ROHM Semiconductor | ROHM Semiconductor | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DTB113ZKFRAT146 | ROHM | Description: ROHM - DTB113ZKFRAT146 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, -50 V, -500 mA, 1 kohm, 10 kohm SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | на замовлення 980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DTB113ZKT146 | ROHM | Description: ROHM - DTB113ZKT146 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 500 mA, 1 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-346 Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: DTB113Z Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 1065 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DTB113ZKT146 | ROHM Semiconductor | Digital Transistors DIGIT PNP 50V 500MA | на замовлення 9751 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DTB113ZKT146 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.5A SMT3 Resistors Included: R1 and R2 Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistor - Base (R1): 1 kOhms Frequency - Transition: 200 MHz Power - Max: 200 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Supplier Device Package: SMT3 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Transistor Type: PNP - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 22831 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DTB113ZKT146 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.5A SMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: SMT3 Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Base (R1): 1 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DTB113ZKT147 | на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DTB113ZS | на замовлення 7500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DTB113ZSTP | DTB113ZSTP Транзисторы Digital | на замовлення 4719 шт: термін постачання 4 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| DTB113ZSTP | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 300MW SPT Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistor - Base (R1): 1 kOhms Frequency - Transition: 200 MHz Power - Max: 300 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Supplier Device Package: SPT DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Transistor Type: PNP - Pre-Biased Mounting Type: Through Hole Package / Case: SC-72 Formed Leads Packaging: Tape & Box (TB) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DTB114 | ROHM | TO-92S | на замовлення 5500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DTB114ECHZGT116 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 0.5A SST3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: SST3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 Resistors Included: R1 and R2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DTB114ECHZGT116 | ROHM | Description: ROHM - DTB114ECHZGT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 500 mA, 10 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 500mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 2616 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DTB114ECHZGT116 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 500mA 200mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 825 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 820 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DTB114ECHZGT116 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 0.5A SST3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: SST3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 Resistors Included: R1 and R2 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DTB114ECHZGT116 | ROHM | Description: ROHM - DTB114ECHZGT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 500 mA, 10 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 500mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 2616 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DTB114ECHZGT116 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 500mA 200mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DTB114ECHZGT116 | ROHM Semiconductor | Digital Transistors PNP SOT-23 10kO Input Resist | на замовлення 260 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DTB114ECT116 | ROHM Semiconductor | Digital Transistors PNP -500mA/-50V w/bias resistors | на замовлення 1428 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DTB114ECT116 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.5A SST3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: SST3 Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | на замовлення 3056 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DTB114ECT116 | ROHM | Description: ROHM - DTB114ECT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 500 mA, 10 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm Verlustleistung: 200mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach PNP usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V | на замовлення 226 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DTB114ECT116 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 0.5A 200mW 3-Pin SST T/R | на замовлення 2700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DTB114ECT116 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.5A SST3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: SST3 Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DTB114ECT116 | ROHM | Description: ROHM - DTB114ECT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 500 mA, 10 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm Verlustleistung: 200mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach PNP usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V | на замовлення 226 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DTB114ECT116 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 0.5A 200mW 3-Pin SST T/R | на замовлення 270 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 269 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DTB114EK | ROHM | SOT23 | на замовлення 5600 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DTB114EK T146 | ROHM | SOT23/SOT323 | на замовлення 1999 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DTB114EKA T146 | ROHM | 09+ | на замовлення 2018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DTB114EKFRAT146 | ROHM | Description: ROHM - DTB114EKFRAT146 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, -50 V, -500 mA, 10 kohm, 10 kohm Dauer-Kollektorstrom Ic: -500 Transistormontage: Oberflächenmontage Basis-Eingangswiderstand R1: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Basis-Emitter-Widerstand R2: 10 Polarität des Digitaltransistors: Einfach PNP Bauform - HF-Transistor: SOT-346 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: -50 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - Widerstandsverhältnis R1/R2: 1 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DTB114EKFRAT146 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.5A SMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: SMT3 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Qualification: AEC-Q101 Resistors Included: R1 and R2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DTB114EKFRAT146 | ROHM | Description: ROHM - DTB114EKFRAT146 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, -50 V, -500 mA, 10 kohm, 10 kohm SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DTB114EKFRAT146 | ROHM Semiconductor | Digital Transistors Digital transistor (500mA/50V), Built-in bias resistor, NPN, 3-Pin | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DTB114EKFRAT146 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.5A SMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: SMT3 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Qualification: AEC-Q101 Resistors Included: R1 and R2 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DTB114EKT146 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 500mA 200mW 3-Pin SMT T/R | на замовлення 1678 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DTB114EKT146 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.5A SMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: SMT3 Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DTB114EKT146 | ROHM | Description: ROHM - DTB114EKT146 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, -50 V, -500 mA, 10 kohm, 10 kohm SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DTB114EKT146 | ROHM Semiconductor | Digital Transistors PNP 50V 500MA | на замовлення 5474 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DTB114EKT146 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.5A SMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: SMT3 Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | на замовлення 8806 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DTB114EKT146 | ROHM | Description: ROHM - DTB114EKT146 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, -50 V, -500 mA, 10 kohm, 10 kohm Dauer-Kollektorstrom Ic: -500 Transistormontage: Oberflächenmontage Basis-Eingangswiderstand R1: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Basis-Emitter-Widerstand R2: 10 Polarität des Digitaltransistors: Einfach PNP Bauform - HF-Transistor: SOT-346 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: -50 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: DTB114E Widerstandsverhältnis R1/R2: - SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DTB114GCHZGT116 | ROHM Semiconductor | Digital Transistors PNP, SOT-23, R2 Alone Type Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor) | на замовлення 8825 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DTB114GCHZGT116 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.5A SST3 Resistors Included: R2 Only Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Frequency - Transition: 200 MHz Power - Max: 200 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Supplier Device Package: SST3 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Transistor Type: PNP - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DTB114GCHZGT116 | ROHM | Description: ROHM - DTB114GCHZGT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 500 mA, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: - Dauer-Kollektorstrom: 500mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 5826 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DTB114GCHZGT116 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 0.5A 200mW 3-Pin SST T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DTB114GCHZGT116 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.5A SST3 Resistors Included: R2 Only Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Frequency - Transition: 200 MHz Power - Max: 200 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Supplier Device Package: SST3 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Transistor Type: PNP - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DTB114GCHZGT116 | ROHM | Description: ROHM - DTB114GCHZGT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 500 mA, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: - Dauer-Kollektorstrom: 500mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 5826 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DTB114GCT116 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.5A SST3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: SST3 Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistors Included: R2 Only | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DTB114GCT116 | ROHM | Description: ROHM - DTB114GCT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 500 mA, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm Verlustleistung: 200mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: DTB114G Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V | на замовлення 2312 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DTB114GCT116 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 500mA 200mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DTB114GCT116 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.5A SST3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: SST3 Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistors Included: R2 Only | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DTB114GCT116 | ROHM | Description: ROHM - DTB114GCT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 500 mA, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm Verlustleistung: 200mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: DTB114G Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V | на замовлення 2312 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DTB114GCT116 | ROHM Semiconductor | Digital Transistors PNP -500mA/-50V w/bias resistors | на замовлення 4611 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DTB114GK | ROHM | 10+ SOT-23 | на замовлення 90000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DTB114GKT146 | ROHM Semiconductor | Digital Transistors PNP 50V 500MA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DTB114GKT146 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.5A SMT3 Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Frequency - Transition: 200 MHz Power - Max: 200 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Supplier Device Package: SMT3 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Transistor Type: PNP - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 527 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DTB114GKT146 | ROHM | Description: ROHM - DTB114GKT146 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 500 mA, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm Verlustleistung: 200mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-346 Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: DTB114GK Series productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach PNP usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V | на замовлення 2995 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DTB114GKT146 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 500mA 200mW 3-Pin SMT T/R | на замовлення 2900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DTB114GKT146 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.5A SMT3 Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Frequency - Transition: 200 MHz Power - Max: 200 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Supplier Device Package: SMT3 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Transistor Type: PNP - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DTB114GKT146 | ROHM | Description: ROHM - DTB114GKT146 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 500 mA, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm Verlustleistung: 200mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-346 Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: DTB114GK Series productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach PNP usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V | на замовлення 2995 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DTB114GKT146 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 500mA 200mW 3-Pin SMT T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DTB114TKT146 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 40V 500mA 3-Pin SMT T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DTB114TKT146 | ROHM Semiconductor | Digital Transistors PNP 50V 500MA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DTB114TKT146 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 40V 0.5A SMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Resistor - Base (R1): 10 kOhms Frequency - Transition: 200 MHz Power - Max: 200 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Supplier Device Package: SMT3 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Transistor Type: PNP - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DTB120150UC-P5P-FL | CUI Inc. | Description: BATT CHARGER DESKTOP 12V 1.5A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DTB120225UC-P5P-FL | CUI Inc. | Description: BATT CHARGER DESKTOP 12V 2.25A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DTB120300UC-P5P-FL | CUI Inc. | Description: BATT CHARGER DESKTOP 12V 3A Number of Cells: 1 Charge Current - Max: 3A Voltage - Nominal: 12V Power - Max: 36W Battery Chemistry: Lead Acid Termination Style: 2.1mm I.D. x 5.5mm O.D. x 12mm Female Type: Desktop Voltage - Input: 100 ~ 240VAC Mounting Type: Desktop Size / Dimension: 2.36" L x 1.48" W x 4.65" H (60.00mm x 37.50mm x 118.00mm) Battery Cell Size: 12V Features: Multiple Charge Modes Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DTB122JK | ROHM | SOT23 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DTB122JKG3C | ROHM | 00+ SOT-23 | на замовлення 63100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DTB122JKT146 | ROHM | на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| DTB122JKT146 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 200MW SMT3 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DTB122JKT146 | ROHM Semiconductor | Digital Transistors PNP 50V 500MA TR | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DTB123ECHZGT116 | ROHM Semiconductor | Digital Transistors PNP SOT-23 2.2kO Input Resist | на замовлення 2910 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DTB123ECHZGT116 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 0.5A SST3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 39 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: SST3 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms Qualification: AEC-Q101 Resistors Included: R1 and R2 | на замовлення 1625 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DTB123ECHZGT116 | ROHM | Description: ROHM - DTB123ECHZGT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 500 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 39hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 1764 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DTB123ECHZGT116 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 500mA 200mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DTB123ECHZGT116 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 0.5A SST3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 39 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: SST3 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms Qualification: AEC-Q101 Resistors Included: R1 and R2 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DTB123ECHZGT116 | ROHM | Description: ROHM - DTB123ECHZGT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 500 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 39hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 1764 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DTB123ECT116 | Rohm Semiconductor | Description: PNP -500MA/-50V DIGITAL TRANSIST Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Frequency - Transition: 200 MHz Power - Max: 200 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Part Status: Active Supplier Device Package: SST3 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 39 @ 50mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Transistor Type: PNP - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DTB123ECT116 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 0.5A 200mW 3-Pin SST T/R | на замовлення 1080 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 878 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DTB123ECT116 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 0.5A 200mW 3-Pin SST T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DTB123ECT116 | Rohm Semiconductor | Description: PNP -500MA/-50V DIGITAL TRANSIST Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Frequency - Transition: 200 MHz Power - Max: 200 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Part Status: Active Supplier Device Package: SST3 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 39 @ 50mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Transistor Type: PNP - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 379 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DTB123ECT116 | ROHM Semiconductor | Digital Transistors PNP -500mA/-50V w/bias resistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DTB123ECT116 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 0.5A 200mW 3-Pin SST T/R | на замовлення 3145 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DTB123EK | ROHM | 11+ROHS SOT-23 | на замовлення 47000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DTB123EK T146 | ROHM | SOT23/SOT323 | на замовлення 4938 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DTB123EKA | ROHM | 09+ | на замовлення 21038 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DTB123EKFRAT146 | ROHM | Description: ROHM - DTB123EKFRAT146 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 500 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 39hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-346 Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 944 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DTB123EKFRAT146 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 0.5A SMT3 Resistors Included: R1 and R2 Qualification: AEC-Q101 Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Frequency - Transition: 200 MHz Power - Max: 200 mW Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Grade: Automotive Supplier Device Package: SMT3 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 39 @ 50mA, 5V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Transistor Type: PNP - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DTB123EKFRAT146 | ROHM Semiconductor | Digital Transistors PNP SOT-346 2.2kO Input Resist | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DTB123EKFRAT146 | ROHM | Description: ROHM - DTB123EKFRAT146 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 500 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 39hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-346 Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 944 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DTB123EKFRAT146 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 0.5A SMT3 Resistors Included: R1 and R2 Qualification: AEC-Q101 Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Frequency - Transition: 200 MHz Power - Max: 200 mW Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Grade: Automotive Supplier Device Package: SMT3 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 39 @ 50mA, 5V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Transistor Type: PNP - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 1911 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DTB123EKT146 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.5A SMT3 Resistors Included: R1 and R2 Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Frequency - Transition: 200 MHz Power - Max: 200 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Part Status: Active Supplier Device Package: SMT3 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 39 @ 50mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Transistor Type: PNP - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 4826 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DTB123EKT146 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 500mA 200mW 3-Pin SMT T/R | на замовлення 6575 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| DTB123EKT146 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.5A SMT3 Resistors Included: R1 and R2 Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Frequency - Transition: 200 MHz Power - Max: 200 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Part Status: Active Supplier Device Package: SMT3 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 39 @ 50mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Transistor Type: PNP - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. |

