Продукція > FDZ
Обрати Сторінку:
[ << Попередня Сторінка ]
1
2
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| FDZ4010 | Fairchild Semiconductor | Description: BUFFER/INVERTER BASED PERIPHERAL Packaging: Bulk Package / Case: 6-UFBGA, WLCSP Output Type: P-Channel Mounting Type: Surface Mount Number of Outputs: 1 Interface: On/Off Switch Type: General Purpose Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Output Configuration: High Side Rds On (Typ): 1.5Ohm (Max) Input Type: Non-Inverting Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 2V ~ 5V Current - Output (Max): 10mA Ratio - Input:Output: 1:1 Supplier Device Package: 6-WLCSP (1.16x0.76) | на замовлення 79800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDZ451PZ | Fairchild Semiconductor | Description: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI Packaging: Bulk Package / Case: 4-XFBGA, WLCSP Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 400mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: 4-WLCSP (0.8x0.8) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 10 V | на замовлення 9571 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDZ451PZ | ON Semiconductor / Fairchild | MOSFET -20V P-Ch 1.5 V PowerTrench MOSFET | на замовлення 4365 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDZ451PZ-P | onsemi | Description: MOSFET P-CH 20V 6WLCSP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDZ4670 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 25A FLFBGA 3.5X4 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDZ4670 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 25A FLFBGA 3.5X4 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDZ4670 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 25A FLFBGA 3.5X4 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDZ4670S | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 25A 20FLFBGA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDZ4670S | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 25A 20FLFBGA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDZ493P | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET P-CH 20V 4.6A 9BGA Packaging: Bulk Package / Case: 9-WFBGA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 4.6A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: 9-BGA (1.55x1.55) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 754 pF @ 10 V | на замовлення 47700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDZ5013 | MACOM | Signal Conditioning Input 3-12GHz Output 6-24GHz | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDZ5013 | MACOM Technology Solutions | Description: MIXER,DOUBLER,FREQUENCY Packaging: Tray Package / Case: Module Function: Frequency Doubler Frequency: 6GHz ~ 24GHz RF Type: General Purpose Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDZ5013C | MACOM Technology Solutions | Description: MICROWAVE,FREQUENCY DOUBLER RF Type: General Purpose Frequency: 6GHz ~ 24GHz Function: Frequency Doubler Package / Case: Module, SMA Connectors Packaging: Tray | на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDZ5013C | MACOM | Signal Conditioning Input 3-12GHz SMA Output 6-24GHz | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDZ5013C-1 | MACOM Technology Solutions | Description: DOUBLER,FREQUENCY Supplier Device Package: Module RF Type: General Purpose Frequency: 3GHz ~ 12GHz Function: Frequency Doubler Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Module, SMA Connectors Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDZ5013C-1 | MACOM | RF Wireless Misc Doubler,Frequency | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDZ5047N | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 22A BGA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDZ5047N | FAIRCHILD | BGA 03--06+ | на замовлення 22432 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDZ595PZ | ON Semiconductor / Fairchild | MOSFET | на замовлення 1990 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDZ595PZ | Rochester Electronics, LLC | Description: FDZ595PZ | на замовлення 225145 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 1389 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDZ661PZ | onsemi | Description: MOSFET P-CH 20V 2.6A 4WLCSP Packaging: Cut Tape (CT) Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±8V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Supplier Device Package: 4-WLCSP (0.8x0.8) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 2A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 4-XFBGA, WLCSP Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 4.5 V | на замовлення 7250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDZ661PZ | onsemi / Fairchild | MOSFET PCh 1.5 V SPECIFIED PowerTrench MOSFET | на замовлення 9985 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDZ661PZ | onsemi | Description: MOSFET P-CH 20V 2.6A 4WLCSP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-XFBGA, WLCSP Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: 4-WLCSP (0.8x0.8) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 10 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDZ663P | onsemi / Fairchild | MOSFET PCh 1.5 V SPECIFIED PowerTrench MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDZ663P | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDZ663P - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDZ663P | Fairchild Semiconductor | Description: FDZ663P - FDZ663P - MOSFET P-CHA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 134mOhm @ 2A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 4-XFBGA, WLCSP Packaging: Bulk Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 525 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±8V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Part Status: Active Supplier Device Package: 4-WLCSP (0.80x0.80) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) | на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDZ7064AS | на замовлення 600 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| FDZ7064AS | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 13.5A 30BGA Packaging: Bulk Package / Case: 30-WFBGA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 13.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: 30-BGA (4x3.5) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 15 V | на замовлення 32300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDZ7064N | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 13.5A 30BGA Packaging: Bulk Package / Case: 30-WFBGA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 14.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 30-BGA (4x3.5) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3843 pF @ 15 V | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDZ7064S | Fairchild Semiconductor | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: 30-WFBGA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 13.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: 30-BGA (3.5x4) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2840 pF @ 15 V | на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDZ7296 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 11A 18BGA Packaging: Bulk Package / Case: 18-WFBGA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 18-BGA (2.5x4) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1520 pF @ 15 V | на замовлення 3302 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDZ8040L | Fairchild Semiconductor | Description: INTEGRATED LOAD SWITCH | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1093 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDZ8040L | Fairchild Semiconductor | Description: IC LOAD SWITCH 4WLCSP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDZ8040L | ON Semiconductor / Fairchild | Power Switch ICs - Power Distribution 4V 1.2A Integrated Load Switch | на замовлення 2574 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDZ8040L | Fairchild Semiconductor | Description: IC LOAD SWITCH 4WLCSP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDZT27R5.6 | ROHM Semiconductor | Zener Diodes 100mW 5.31-5.92V Vz 2.5V Vr RASMID | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 40000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDZT40RB5.1 | Rohm Semiconductor | Description: DIODE ZENER 5.1V 100MW SMD0402 Tolerance: ±5% Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 01005 (0402 Metric) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Voltage - Zener (Nom) (Vz): 5.1 V Supplier Device Package: SMD0402 Power - Max: 100 mW Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 1.5 V | на замовлення 150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| FDZT40RB5.1 | Rohm Semiconductor | Description: DIODE ZENER 5.1V 100MW SMD0402 Tolerance: ±5% Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 01005 (0402 Metric) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Voltage - Zener (Nom) (Vz): 5.1 V Supplier Device Package: SMD0402 Power - Max: 100 mW Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 1.5 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDZT40RB5.6 | Rohm Semiconductor | Description: DIODE ZENER 5.6V 100MW SMD0402 Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 2.5 V Power - Max: 100 mW Supplier Device Package: SMD0402 Voltage - Zener (Nom) (Vz): 5.6 V Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 01005 (0402 Metric) Tolerance: ±5% Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 40000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDZT40RB6.2 | Rohm Semiconductor | Description: DIODE ZENER 6.2V 100MW SMD0402 Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 3 V Power - Max: 100 mW Supplier Device Package: SMD0402 Voltage - Zener (Nom) (Vz): 6.2 V Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 01005 (0402 Metric) Tolerance: ±5% Packaging: Cut Tape (CT) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDZT40RB6.2 | Rohm Semiconductor | Description: DIODE ZENER 6.2V 100MW SMD0402 Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 3 V Power - Max: 100 mW Supplier Device Package: SMD0402 Voltage - Zener (Nom) (Vz): 6.2 V Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 01005 (0402 Metric) Tolerance: ±5% Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDZT40RB6.8 | Rohm Semiconductor | Description: DIODE ZENER 6.8V 100MW SMD0402 Tolerance: ±5% Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 01005 (0402 Metric) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Voltage - Zener (Nom) (Vz): 6.8 V Supplier Device Package: SMD0402 Power - Max: 100 mW Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 3.5 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDZT40RB6.8 | Rohm Semiconductor | Description: DIODE ZENER 6.8V 100MW SMD0402 Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 3.5 V Power - Max: 100 mW Supplier Device Package: SMD0402 Voltage - Zener (Nom) (Vz): 6.8 V Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 01005 (0402 Metric) Tolerance: ±5% Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDZT40RB7.5 | Rohm Semiconductor | Description: DIODE ZENER 7.5V 100MW SMD0402 Tolerance: ±5% Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 01005 (0402 Metric) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Voltage - Zener (Nom) (Vz): 7.5 V Supplier Device Package: SMD0402 Power - Max: 100 mW Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 4 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDZT40RB8.2 | Rohm Semiconductor | Description: DIODE ZENER 100MW 8.2V SMD0402 Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 39477 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
Обрати Сторінку:
[ << Попередня Сторінка ]
1
2

