Продукція > FF8

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
FF8MR12W1M1HB11BPSA1INFINEONDescription: INFINEON - FF8MR12W1M1HB11BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, n-Kanal, 90 A, 1.2 kV, 8100 µohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20mW
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 18Pin(s)
Produktpalette: EasyDUAL 2B CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8100µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 59 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+8697.49 грн
5+8002.43 грн
10+7306.57 грн
50+6649.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF8MR12W1M1HB11BPSA1Infineon TechnologiesDiscrete Semiconductor Modules CoolSiC MOSFET half-bridge module 1200 V
на замовлення 158 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+6375.53 грн
10+5315.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF8MR12W1M1HB11BPSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 90A 18-Pin Tray
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF8MR12W1M1HB11BPSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 90A 18-Pin Tray
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF8MR12W1M1HB70BPSA1Infineon TechnologiesDiscrete Semiconductor Modules CoolSiC MOSFET half-bridge module 1200 V
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+7975.85 грн
10+6945.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF8MR12W1M1HB70BPSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 100A 18-Pin Tray
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF8MR12W1M1HB70BPSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 1.2kV; 100A; module,semiconductor
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 100A
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 8.1mΩ
Kind of channel: enhancement
Version: module; semiconductor
на замовлення 24 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
24+9390.94 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF8MR12W1M1HB70BPSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 100A 18-Pin Tray
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF8MR12W1M1HB70BPSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET
Packaging: Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FF8MR12W1M1HB70BPSA1INFINEONDescription: INFINEON - FF8MR12W1M1HB70BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, n-Kanal, 100 A, 1.2 kV, 8100 µohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20mW
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 18Pin(s)
Produktpalette: EasyDUAL 2B CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8100µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+9902.37 грн
5+9243.55 грн
10+8583.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF8MR12W1M1HS4PB11BPSA1Infineon TechnologiesFF8MR12W1M1HS4PB11BPSA1
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+9927.22 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF8MR12W1M1HS4PB11BPSA1Infineon TechnologiesFF8MR12W1M1HS4PB11BPSA1
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF8MR12W1M1HS4PB11BPSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 1200V AG-EASY1B
Part Status: Active
Supplier Device Package: AG-EASY1B
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.15V @ 40mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 297nC @ 18V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.1mOhm @ 100A, 18V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8800pF @ 800V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Tray
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+6586.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF8MR12W1M1HS4PB11BPSA1Infineon TechnologiesDiscrete Semiconductor Modules CoolSiC 1200 V 8 mOhm Trench MOSFET in EasyDUAL
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+7064.14 грн
10+5669.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF8MR12W1M1HS4PB11BPSA1Infineon TechnologiesFF8MR12W1M1HS4PB11BPSA1
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+9927.22 грн
100+9431.10 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF8MR12W2M1B11BOMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 1200V AG-EASY2BM-2
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 150A, 15V (Typ)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 372nC @ 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.55V @ 60mA
Supplier Device Package: AG-EASY2BM-2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FF8MR12W2M1B11BOMA1Infineon TechnologiesDiscrete Semiconductor Modules LOW POWER EASY
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FF8MR12W2M1B11BOMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 150A 9-Pin AG-EASY2BM-2 Tray
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF8MR12W2M1PB11BPSA1Infineon TechnologiesSP005341588
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF8MR12W2M1PB11BPSA1Infineon TechnologiesSP005341588
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF8MR12W2M1PB11BPSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT MODULE LOW POWER EASY
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FF8MR12W2M1PB11BPSA1Infineon TechnologiesDiscrete Semiconductor Modules LOW POWER EASY
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+22478.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2