Продукція > FQT
Обрати Сторінку:
[ << Попередня Сторінка ]
1
2
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| FQT7N10LTF | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 1.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQT7N10LTF | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223-4 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 850mA, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223-4 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 25 V | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQT7N10LTF | ONSEMI | Description: ONSEMI - FQT7N10LTF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.7 A, 0.275 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100 Dauer-Drainstrom Id: 1.7 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 2 Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.275 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 2 SVHC: Lead (17-Jan-2022) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQT7N10LTF | onsemi / Fairchild | MOSFETs 100V Single | на замовлення 24838 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQT7N10LTF | ONSEMI | Description: ONSEMI - FQT7N10LTF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.7 A, 0.35 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 1.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) | на замовлення 3941 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQT7N10TF | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223-4 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±25V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: SOT-223-4 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 850mA, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQT7N10TF | onsemi / Fairchild | MOSFET 100V Single | на замовлення 27261 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQT7N10TF | ONSEMI | Description: ONSEMI - FQT7N10TF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.7 A, 0.28 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100 Dauer-Drainstrom Id: 1.7 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 2 Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.28 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 4 SVHC: Lead (17-Jan-2022) | на замовлення 3806 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQT7N10TF | FSC | 09+ dip | на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQT7N10TF | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223-4 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±25V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: SOT-223-4 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 850mA, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 9688 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FQT7N10TF | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 1.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FQTNX08 | Panduit Corp | Description: COPPER CABLE | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
Обрати Сторінку:
[ << Попередня Сторінка ]
1
2