Продукція > GE2

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
GE28F320C3BC90IntelDescription: IC FLASH 32MBIT 90NS 48VFBGA
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GE28F320C3BD70INTELBGA
на замовлення 7794 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GE28F320C3TC70SB93IntelDescription: IC FLASH 32MBIT 70NS 48VFBGA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GE28F320C3TC90INTELBGA
на замовлення 1137 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GE28F320C3TD70INTEL05+
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GE28F320CBD70I0541+
на замовлення 154 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GE28F320J3A110INTELBGA
на замовлення 9978 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GE28F320LC3BD70BGA
на замовлення 292 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GE28F320W18BD60INTEL02+
на замовлення 3100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GE28F320W18BD80INTEL09+
на замовлення 1268 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GE28F320W18TD60INTEL02+
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GE28F320W30BD70
на замовлення 10980 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GE28F320W30TD60INTEL02+
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GE28F640C3TC80AlteraDescription: IC FLASH 64MBIT PARALLEL 48VFBGA
Packaging: Bulk
Package / Case: 48-VFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 64Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - Boot Block
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 48-VFBGA (7.7x9)
Part Status: Active
Memory Interface: Parallel
Access Time: 80 ns
Memory Organization: 4M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 1504 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
58+336.95 грн
Мінімальне замовлення: 58 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GE28F640C3TC80INTER2001
на замовлення 679 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GE28F640C3TC80 S B93IntelDescription: IC FLASH 64MBIT 80NS 48VFBGA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GE28F640K3C110IntelDescription: IC FLASH 64MBIT 110NS 56VFBGA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 336 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GE28F640W18TD80INTEL04+ BGA
на замовлення 6400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GE28F640W30BD70INTEL05+
на замовлення 2200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GE28F800B3BA90INTELBGA
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GE28F800B3TA90
на замовлення 6047 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GE2GM3R3G10OC 3,3 мкФ 400 ВNINGBO AISHI ELECTRIC EQUGE 10*17 мм при 105C - время работы 10000 часов Конденсатори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GE2GM4R7G12OC 4,7 мкФ 400 ВAISHIGE 10*20 мм при 105C -время работы 12000 часов Конденсатори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GE2GM5R6G12OC 5,6 мкФ 400 ВAISHIGE 12*22 мм при 105C - время работы 12000 часов Конденсатори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GE2X10MPS06DGeneSiC SEMICONDUCTORCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; TO247-3; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Features of semiconductor devices: MPS
Case: TO247-3
Max. forward voltage: 1.25V
Max. load current: 20A
Max. forward impulse current: 44A
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GE2X10MPS06DGENESICDescription: GENESIC - GE2X10MPS06D - SiC-Schottky-Diode, MPS Series, Zweifach, gemeinsame Kathode, 650 V, 46 A, 25 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 25nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 46A
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: MPS Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 83 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+423.64 грн
5+389.01 грн
10+365.65 грн
50+314.85 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GE2X10MPS06DGeneSiC SemiconductorSchottky Diodes & Rectifiers 650V 20A TO-247-3 SiC Schottky MPS
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+490.49 грн
10+432.67 грн
30+359.67 грн
120+335.51 грн
270+321.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GE2X10MPS06DGeneSiC SemiconductorDescription: 650V 20A TO-247-3 SIC SCHOTTKY M
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Obsolete
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247-3
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 23A (DC)
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GE2X12MPS06DGeneSiC SemiconductorSiC Schottky Diodes 650V 24A TO-247-3 SiC Schottky MPS
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+408.34 грн
10+358.84 грн
30+298.92 грн
120+278.90 грн
270+267.16 грн
510+258.19 грн
1020+249.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GE2X8MPS06DGeneSiC SemiconductorSchottky Diodes & Rectifiers 650V 16A TO-247-3 SiC Schottky MPS
на замовлення 838 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+432.50 грн
10+379.48 грн
30+314.80 грн
120+293.39 грн
270+279.59 грн
510+269.92 грн
1020+267.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GE2X8MPS06DGeneSiC SemiconductorDescription: 650V 16A TO-247-3 SIC SCHOTTKY M
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247-3
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 19A (DC)
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 58 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+403.07 грн
10+345.37 грн
25+329.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GE2X8MPS06DGeneSiC SEMICONDUCTORCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8Ax2; TO247-3; tube
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A x2
Max. forward impulse current: 36A
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1.25V
Max. load current: 16A
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: MPS
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Semiconductor structure: common cathode; double
на замовлення 60 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+339.16 грн
3+299.98 грн
10+269.23 грн
30+251.78 грн
60+242.64 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2