Продукція > KSB
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| KSB1366YTU | onsemi | Description: TRANS PNP 60V 3A TO220F-3 Power - Max: 2 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Supplier Device Package: TO-220F-3 Frequency - Transition: 9MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 2A Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| KSB16F2 FH T106 | ROHM | SOT23/SOT323 | на замовлення 2959 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| KSB23020 | PRX | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| KSB23030 | PRX | 07+; | на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| KSB26060 | PRX | 07+; | на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| KSB546 | onsemi | PNP/2A/150V TO-220 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| KSB546O | onsemi | Description: TRANS PNP 150V 2A TO-220-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 50µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 400mA, 10V Frequency - Transition: 5MHz Supplier Device Package: TO-220-3 Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V Power - Max: 25 W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1200 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| KSB546Y | onsemi | Description: TRANS PNP 150V 2A TO-220-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 50µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 400mA, 10V Frequency - Transition: 5MHz Supplier Device Package: TO-220-3 Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V Power - Max: 25 W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1200 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| KSB546YTU | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 150V 2A 25000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 5207 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| KSB546YTU | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT PNP Epitaxial Sil | на замовлення 1000 шт: термін постачання 572-581 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| KSB546YTU | onsemi | Description: TRANS PNP 150V 2A TO-220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 50µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 400mA, 10V Frequency - Transition: 5MHz Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V Power - Max: 25 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| KSB564A | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| KSB564A-G | Samsung | на замовлення 658000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| KSB564A-Y | на замовлення 12500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| KSB564AC-Y | FAIRCHILD | на замовлення 4000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| KSB564ACGBU | Fairchild Semiconductor | Description: TRANS PNP 25V 1A TO92-3 Power - Max: 800 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-92-3 Frequency - Transition: 110MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 1V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Packaging: Bulk | на замовлення 4798 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| KSB564ACGTA | Fairchild Semiconductor | Description: TRANS PNP 25V 1A TO92-3 Power - Max: 800 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-92-3 Frequency - Transition: 110MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 1V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Packaging: Bulk | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 514 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| KSB564ACGTA | onsemi | Description: TRANS PNP 25V 1A TO92-3 Power - Max: 800 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-92-3 Frequency - Transition: 110MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 1V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Packaging: Tape & Box (TB) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| KSB564ACOBU | onsemi | Description: TRANS PNP 25V 1A TO92-3 Power - Max: 800 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-92-3 Frequency - Transition: 110MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 100mA, 1V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| KSB564ACOTA | onsemi | Description: TRANS PNP 25V 1A TO92-3 Power - Max: 800 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-92-3 Frequency - Transition: 110MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 100mA, 1V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Packaging: Tape & Box (TB) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| KSB564ACYBU | ONSEMI | Description: ONSEMI - KSB564ACYBU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 92534 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| KSB564ACYBU | Fairchild Semiconductor | Description: TRANS PNP 25V 1A TO-92-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 110MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Power - Max: 800 mW | на замовлення 83483 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| KSB564ACYTA | ONSEMI | Description: ONSEMI - KSB564ACYTA - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 1624092 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| KSB564ACYTA | Fairchild Semiconductor | Description: TRANS PNP 25V 1A TO-92-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 110MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Power - Max: 800 mW | на замовлення 1622092 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| KSB564AGBU | onsemi | Description: TRANS PNP 25V 1A TO92-3 Power - Max: 800 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-92-3 Frequency - Transition: 110MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 1V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| KSB564AGTA | onsemi | Description: TRANS PNP 25V 1A TO92-3 Power - Max: 800 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-92-3 Frequency - Transition: 110MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 1V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Packaging: Tape & Box (TB) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| KSB564AOBU | onsemi | Description: TRANS PNP 25V 1A TO92-3 Power - Max: 800 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-92-3 Frequency - Transition: 110MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 100mA, 1V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| KSB564AOBU | Fairchild Semiconductor | Description: TRANS PNP 25V 1A TO92-3 Power - Max: 800 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-92-3 Frequency - Transition: 110MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 100mA, 1V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| KSB564AOTA | onsemi | Description: TRANS PNP 25V 1A TO92-3 Power - Max: 800 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-92-3 Frequency - Transition: 110MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 100mA, 1V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Packaging: Tape & Box (TB) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| KSB564AYBU | onsemi | Description: TRANS PNP 25V 1A TO92-3 Power - Max: 800 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-92-3 Frequency - Transition: 110MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 1V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| KSB564AYBU | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| KSB564AYTA | ONSEMI | Description: ONSEMI - KSB564AYTA - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 13903 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| KSB564AYTA | Fairchild Semiconductor | Description: TRANS PNP 25V 1A TO92-3 Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-92-3 Frequency - Transition: 110MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 1V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Packaging: Bulk Power - Max: 800 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V | на замовлення 11903 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| KSB596-Y | на замовлення 16625 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| KSB596O | Fairchild Semiconductor | Description: TRANS PNP 80V 4A TO-220 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1200 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| KSB596OTU | Fairchild Semiconductor | Description: TRANS PNP 80V 4A TO-220 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| KSB596Y | Fairchild Semiconductor | Description: TRANS PNP 80V 4A TO-220 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2400 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| KSB596YTU | onsemi | Description: TRANS PNP 80V 4A TO220-3 | на замовлення 3914 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| KSB596YTU | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT PNP Epitaxial Sil | на замовлення 3556 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| KSB596YTU | ONSEMI | Description: ONSEMI - KSB596YTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 4 A, 30 W, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 30W SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) Bauform - Transistor: TO-220 Dauerkollektorstrom: 4A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 3MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 1615 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| KSB601OTU | onsemi | Description: TRANS PNP DARL 100V 5A TO220-3 Power - Max: 1.5 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-220-3 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3000 @ 3A, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 3mA, 3A Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: PNP - Darlington Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| KSB601Y | onsemi | Description: TRANS PNP DARL 100V 5A TO220-3 Power - Max: 1.5 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-220-3 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5000 @ 3A, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 3mA, 3A Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: PNP - Darlington Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| KSB601YTSTU | onsemi | Description: TRANS PNP DARL 100V 5A TO220-3 Power - Max: 1.5 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-220-3 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5000 @ 3A, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 3mA, 3A Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: PNP - Darlington Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| KSB601YTU | Fairchild Semiconductor | Description: TRANS PNP DARL 100V 5A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP - Darlington Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 3mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5000 @ 3A, 2V Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1.5 W | на замовлення 26000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| KSB63SM48 ЕЛЕМ ВІДГ 8М ШИНОПР CANALIS 63А 400В Код товару: 200031
Додати до обраних
Обраний товар
| Інструмент та прилади > Аксесуари до інструменту та обладнання | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| KSB707OTU | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT PNP/7A/60V/TO-220 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| KSB707OTU | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| KSB707OTU | ON Semiconductor | Description: TRANS PNP 60V 7A TO-220 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| KSB707RTU | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT PNP Epitaxial Sil | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| KSB707RTU | ON Semiconductor | Description: TRANS PNP 60V 7A TO-220 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| KSB707YTU | ON Semiconductor | Description: TRANS PNP 60V 7A TO-220 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| KSB707YTU | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT PNP/7A/60V/TO-220 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| KSB707YTU_Q | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| KSB708OTU | ON Semiconductor | Description: TRANS PNP 80V 7A TO-220 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| KSB708RTU | ON Semiconductor | Description: TRANS PNP 80V 7A TO-220 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| KSB708YTU | ON Semiconductor | Description: TRANS PNP 80V 7A TO-220 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| KSB744AYSTU | Rochester Electronics, LLC | Description: TRANS PNP 60V 3A TO126-3 | на замовлення 21120 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 1718 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| KSB744OSTU | Fairchild Semiconductor | Description: TRANS PNP 45V 3A TO-126 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1920 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| KSB744YSTU | Rochester Electronics, LLC | Description: TRANS PNP 45V 3A TO126-3 | на замовлення 1918 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 1918 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| KSB772 | onsemi | PNP/3A/40V TO-126 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| KSB772-Y-S | на замовлення 4450 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| KSB772-YS | на замовлення 22500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| KSB772OS | Fairchild Semiconductor | Description: TRANS PNP 30V 3A TO-126-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 80MHz Supplier Device Package: TO-126-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 1 W | на замовлення 5769 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| KSB772OS | на замовлення 8200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| KSB772OS | onsemi | Description: TRANS PNP 30V 3A TO-126-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 80MHz Supplier Device Package: TO-126-3 Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 1 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| KSB772YS | Fairchild Semiconductor | Description: TRANS PNP 30V 3A TO-126-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 80MHz Supplier Device Package: TO-126-3 Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 1 W | на замовлення 42539 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| KSB772YS | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 30V 3A 1000mW 3-Pin TO-126 Bag | на замовлення 2700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| KSB772YS | ONSEMI | Description: ONSEMI - KSB772YS - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 1972 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 1972 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| KSB772YS | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 30V 3A 1000mW 3-Pin TO-126 Bag | на замовлення 1972 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| KSB772YS | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 30V 3A 1000mW 3-Pin TO-126 Bag | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| KSB772YS | ONSEMI | Category: PNP THT transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 3A; 1W; TO126ISO Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 30V Collector current: 3A Power dissipation: 1W Case: TO126ISO Pulsed collector current: 7A Current gain: 160...320 Mounting: THT Kind of package: bulk Frequency: 80MHz | на замовлення 1394 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
| KSB772YS | onsemi | Description: TRANS PNP 30V 3A TO-126-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 80MHz Supplier Device Package: TO-126-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 1 W | на замовлення 4825 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| KSB772YS | onsemi | Bipolar Transistors - BJT PNP Epitaxial Sil | на замовлення 5613 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| KSB772YS | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 30V 3A 1000mW 3-Pin TO-126 Bag | на замовлення 1358 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| KSB772YS | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 30V 3A 1000mW 3-Pin TO-126 Bag | на замовлення 1358 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| KSB772YS | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 30V 3A 1000mW 3-Pin TO-126 Bag | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| KSB772YS Код товару: 191559
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Біполярні PNP | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| KSB772YS | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 30V 3A 1000mW 3-Pin TO-126 Bag | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| KSB772YSTSSTU | onsemi | Description: TRANS PNP 30V 3A TO-126-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 80MHz Supplier Device Package: TO-126-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 1 W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2880 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| KSB772YSTSTU | onsemi | Description: TRANS PNP 30V 3A TO-126-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 80MHz Supplier Device Package: TO-126-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 1 W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2880 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| KSB772YSTU | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 30V 3A 1000mW 3-Pin TO-126 Tube | на замовлення 13440 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| KSB772YSTU | onsemi | Bipolar Transistors - BJT PNP Epitaxial Sil | на замовлення 136 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| KSB772YSTU | FAIRCHILD | TO-126F | на замовлення 209280 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| KSB772YSTU | onsemi | Description: TRANS PNP 30V 3A TO-126-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 80MHz Supplier Device Package: TO-126-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 1 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| KSB772YSTU | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 30V 3A 1000mW 3-Pin TO-126 Tube | на замовлення 3840 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| KSB772YSTU | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 30V 3A 1000mW 3-Pin TO-126 Tube | на замовлення 1920 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| KSB772YSTU | ONSEMI | Description: ONSEMI - KSB772YSTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 3 A, 10 W, TO-126, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 10W Bauform - Transistor: TO-126 Dauerkollektorstrom: 3A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 80MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| KSB772YSTU | Fairchild Semiconductor | Description: TRANS PNP 30V 3A TO-126-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 80MHz Supplier Device Package: TO-126-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 1 W | на замовлення 797650 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| KSB772YSTU | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 30V 3A 1000mW 3-Pin TO-126 Tube | на замовлення 2003 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| KSB774YS | Samsung | на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| KSB794OSTU | ON Semiconductor | Description: TRANS PNP DARL 60V 1.5A TO-126 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1920 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| KSB795OSTU | onsemi | Description: TRANS PNP DARL 80V 1.5A TO126-3 Power - Max: 1 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A Supplier Device Package: TO-126-3 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 4000 @ 1A, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 1A Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: PNP - Darlington Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| KSB798GTF | Fairchild Semiconductor | Description: TRANS PNP 25V 1A SOT89-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 110MHz Supplier Device Package: SOT-89-3 Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Power - Max: 2 W | на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| KSB798GTF | onsemi | Description: TRANS PNP 25V 1A SOT89-3 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Supplier Device Package: SOT-89-3 Frequency - Transition: 110MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 1V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 100mA, 1A Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-243AA Packaging: Tape & Reel (TR) Power - Max: 2 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| KSB798YTF | Rochester Electronics, LLC | Description: TRANS PNP 25V 1A SOT89-3 | на замовлення 1455 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 1336 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| KSB810-Y | Samsung | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| KSB810YTA | onsemi | Description: TRANS PNP 25V 0.7A TO92S Transistor Type: PNP Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Short Body Packaging: Tape & Box (TB) Power - Max: 350 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA Supplier Device Package: TO-92S Frequency - Transition: 160MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 1V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 70mA, 700mA Operating Temperature: 150°C (TJ) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| KSB811-G | Samsung | на замовлення 104000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| KSB811GBU | ON Semiconductor | Description: TRANS PNP 25V 1A TO-92S | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| KSB811GTA | Fairchild Semiconductor | Description: TRANS PNP 25V 1A TO-92S | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 30000 шт В кошику од. на суму грн. |

