Продукція > MJW

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
MJW21196GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 250V 16A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJW21196GonsemiDescription: TRANS NPN 250V 16A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 3.2A, 16A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 8A, 5V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 16 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 200 W
на замовлення 186 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+387.20 грн
10+248.63 грн
100+178.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MJW21196GonsemiBipolar Transistors - BJT 16A 250V 200W NPN
на замовлення 825 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJW21196GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 250V 16A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJW21196GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 250V 16A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJW21196GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 250V 16A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJW3281AEVVODescription: 15 AMPERES COMPLEMENTARY SILICON
на замовлення 205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+587.86 грн
25+338.96 грн
100+284.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MJW3281AonsemiDescription: TRANS NPN 230V 15A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 1A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 7A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 230 V
Power - Max: 200 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJW3281AonsemiBipolar Transistors - BJT 15A 230V 200W NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJW3281AGON SemiconductorTrans GP BJT NPN 230V 15A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJW3281AGonsemiDescription: TRANS NPN 230V 15A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 1A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 7A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 230 V
Power - Max: 200 W
на замовлення 5249 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+416.99 грн
30+226.99 грн
120+188.70 грн
510+150.74 грн
1020+141.12 грн
2010+137.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MJW3281AGON SemiconductorTrans GP BJT NPN 230V 15A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
49+294.37 грн
120+270.61 грн
270+260.05 грн
Мінімальне замовлення: 49 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJW3281AGonsemiBipolar Transistors - BJT 15A 230V 200W NPN
на замовлення 2071 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJW3281AGON SemiconductorTrans GP BJT NPN 230V 15A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJW3281AGONSEMICategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 230V; 15A; 200W; TO247-3
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Power dissipation: 200W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 15A
Collector-emitter voltage: 230V
Frequency: 30MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJW3281AGONSEMIDescription: ONSEMI - MJW3281AG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 230 V, 15 A, 200 W, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 12hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 15A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 230V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.