Продукція > NTZ

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
NTZS3151PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 0.86A 6-Pin SOT-563 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTZS3151PT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTZS3151PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 860 mA, 0.15 ohm, SOT-563, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 860mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 210mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
на замовлення 2904 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTZS3151PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 0.86A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+24.46 грн
42+18.17 грн
100+11.27 грн
1000+8.08 грн
4000+7.05 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTZS3151PT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 860MA SOT563
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 458 pF @ 16 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-563
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 170mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 950mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 860mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+7.07 грн
8000+6.53 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTZS3151PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 0.86A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 6470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
51+15.05 грн
68+11.15 грн
69+11.03 грн
100+10.13 грн
250+8.90 грн
500+8.08 грн
1000+7.62 грн
3000+7.16 грн
6000+6.70 грн
Мінімальне замовлення: 51 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTZS3151PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 0.86A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 6470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1283+11.03 грн
1347+10.50 грн
1420+9.97 грн
1500+9.09 грн
1591+7.94 грн
3000+7.16 грн
6000+6.70 грн
Мінімальне замовлення: 1283 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTZS3151PT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTZS3151PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 860 mA, 0.15 ohm, SOT-563, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 860mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 210mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
на замовлення 2904 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTZS3151PT1GonsemiMOSFETs -20V -950mA P-Channel
на замовлення 6848 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTZS3151PT1GONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.76A; 0.21W; SOT563F; ESD
Case: SOT563F
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.76A
On-state resistance: 0.15Ω
Power dissipation: 0.21W
Gate-source voltage: ±8V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTZS3151PT1HonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 860MA SOT563-6
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 860mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 950mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 170mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 458 pF @ 16 V
на замовлення 151765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2732+7.58 грн
Мінімальне замовлення: 2732 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTZS3151PT1HONSEMIDescription: ONSEMI - NTZS3151PT1H - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 151765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 4006 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTZS3151PT1HON SemiconductorMOSFET PFET SOT563 20V 950MA TR
на замовлення 455 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTZS3151PT1HonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 860MA SOT563-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 170mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 950mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 860mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 458 pF @ 16 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: SOT-563
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTZS3151PT5GonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 860MA SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 860mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 950mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 170mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 458 pF @ 16 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTZS315PT1G
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTZY-5ic00+ SOP
на замовлення 197 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTZY-6ic00+ SOP
на замовлення 388 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTZY-7ic00+ SOP
на замовлення 338 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTZY-8ic00+ SOP
на замовлення 197 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.