Продукція > NTZ
Обрати Сторінку:
[ << Попередня Сторінка ]
1
2
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| NTZS3151PT | on | на замовлення 2800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| NTZS3151PT1G | onsemi | MOSFETs -20V -950mA P-Channel | на замовлення 6151 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTZS3151PT1G | onsemi | Description: MOSFET P-CH 20V 860MA SOT563 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 458 pF @ 16 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±8V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-563 Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 170mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 950mA, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 860mA (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-563, SOT-666 Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 17645 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTZS3151PT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 0.86A 6-Pin SOT-563 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTZS3151PT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTZS3151PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 860 mA, 0.15 ohm, SOT-563, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 860mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V Verlustleistung: 210mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-563 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm | на замовлення 2904 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTZS3151PT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 0.86A 6-Pin SOT-563 T/R | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTZS3151PT1G | onsemi | Description: MOSFET P-CH 20V 860MA SOT563 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 458 pF @ 16 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±8V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-563 Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 170mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 950mA, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 860mA (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-563, SOT-666 Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTZS3151PT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 0.86A 6-Pin SOT-563 T/R | на замовлення 6470 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTZS3151PT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 0.86A 6-Pin SOT-563 T/R | на замовлення 6470 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTZS3151PT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTZS3151PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 860 mA, 0.15 ohm, SOT-563, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 860mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V Verlustleistung: 210mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-563 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm | на замовлення 2904 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTZS3151PT1H | onsemi | Description: MOSFET P-CH 20V 860MA SOT563-6 Packaging: Bulk Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 860mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 950mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 170mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-563 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 458 pF @ 16 V | на замовлення 151765 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTZS3151PT1H | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTZS3151PT1H - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 151765 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTZS3151PT1H | ON Semiconductor | MOSFET PFET SOT563 20V 950MA TR | на замовлення 455 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTZS3151PT1H | onsemi | Description: MOSFET P-CH 20V 860MA SOT563-6 Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 170mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 950mA, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 860mA (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-563, SOT-666 Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 458 pF @ 16 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±8V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Supplier Device Package: SOT-563 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTZS3151PT1H | на замовлення 870 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| NTZS3151PT5G | onsemi | Description: MOSFET P-CH 20V 860MA SOT563 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 860mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 950mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 170mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-563 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 458 pF @ 16 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTZS315PT1G | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| NTZY-5 | ic | 00+ SOP | на замовлення 197 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTZY-6 | ic | 00+ SOP | на замовлення 388 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTZY-7 | ic | 00+ SOP | на замовлення 338 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTZY-8 | ic | 00+ SOP | на замовлення 197 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. |
Обрати Сторінку:
[ << Попередня Сторінка ]
1
2

