Продукція > RSJ
Обрати Сторінку:
[ << Попередня Сторінка ]
1
2
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| RSJ450N04TL | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 40V 45A LPTS Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Not For New Designs Supplier Device Package: LPTS Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 25A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| RSJ451N04FRATL | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 40V 45A LPTS Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: LPTS Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| RSJ451N04FRATL | ROHM | Description: ROHM - RSJ451N04FRATL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 45 A, 0.0095 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 45A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 50W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0095ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| RSJ451N04FRATL | ROHM Semiconductor | MOSFETs Nch 40V Vdss 45A ID TO-263(D2PAK); LPTS | на замовлення 88 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| RSJ451N04FRATL | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 40V 45A LPTS Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: LPTS Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 645 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| RSJ451N04FRATL | ROHM | Description: ROHM - RSJ451N04FRATL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 45 A, 0.0095 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 45A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 50W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0095ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| RSJ550N10TL | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 100V 55A LPTS Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6150 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: LPTS Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Power Dissipation (Max): 100W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.8mOhm @ 27.5A, 10V | на замовлення 886 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| RSJ550N10TL | ROHM Semiconductor | MOSFETs 4V Drive Nch MOSFET | на замовлення 728 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| RSJ550N10TL | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 100V 55A LPTS Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6150 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: LPTS Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Power Dissipation (Max): 100W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.8mOhm @ 27.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| RSJ650N10TL | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 100V 65A LPTS Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10780 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: LPTS Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Power Dissipation (Max): 100W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 32.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 658 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| RSJ650N10TL | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 100V 65A LPTS Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10780 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: LPTS Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Power Dissipation (Max): 100W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 32.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| RSJ650N10TL | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 65A; Idm: 130A; 100W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 65A Pulsed drain current: 130A Power dissipation: 100W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9.8mΩ Mounting: SMD Gate charge: 260nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| RSJ650N10TL | ROHM Semiconductor | MOSFETs 4V Drive Nch MOSFET | на замовлення 994 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| RSJ800N06TL | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 60V 80A LPTS FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Cut Tape (CT) Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Supplier Device Package: LPTS | на замовлення 990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| RSJ800N06TL | ROHM Semiconductor | MOSFET Low Power MCU; LCD 8x64, 48Kbyte ROM, TQFP128 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| RSJ800N06TL | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 60V 80A LPTS Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Supplier Device Package: LPTS FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| RSJ800N06TL | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 60V 80A LPTS Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Supplier Device Package: LPTS Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| RSJMPR10 | Red Lion Controls | Description: RELAY SYSTEM 2 POS JUMPER - RED Packaging: Box For Use With/Related Products: RS Series Accessory Type: Jumper | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| RSJMPR20 | Red Lion Controls | Description: RELAY SYSTEM 2 POS JUMPER - BLUE | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| RSJMPR30 | Red Lion Controls | Description: RELAY SYSTEM 2 POS JUMPER - GREY | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
Обрати Сторінку:
[ << Попередня Сторінка ]
1
2